JPH0943884A - 電子写真感光体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電性能に優れ画像濃度が濃く、製造時間が
短く低コストであり、高温、高湿度の環境で用いても画
像品質が低下せず、更に製造工程で多少の条件変動があ
っても膜剥がれ等のトラブルが発生しない、安定で、再
現性が良く、工程管理が容易な電子写真感光体の製造方
法を提供する。 【解決手段】 少なくともシリコン原子を母材とする非
結晶質材料から成り、発振周波数が２０ＭＨｚ未満の高
周波電力により励起されたグロー放電により堆積される
層と、発振周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下
の高周波電力により励起されたグロー放電により堆積さ
れる層とが混在するように電子写真感光体を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスとし
ての電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセン
サー、撮像デバイス、光起電力デバイスなどに有用な結
晶質、非単結晶質の機能性堆積膜を良好に形成し得るプ
ラズマＣＶＤ装置、半導体デバイスや、光学素子として
の絶縁膜、金属配線などを好適に形成し得るスパッタリ
ング装置、あるいは半導体デバイスなどのエッチング装
置などのプラズマ処理装置及びその処理方法に関し、更
に詳しくは、特にプラズマを励起源として用い基体に積
層処理を行うプラズマ処理方法であって、特に４５０Ｍ
Ｈｚ以下の高周波を使用するプラズマ処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造に使用されているプラズマ
処理にはそれぞれの用途に応じてさまざまな装置および
方法が適用される。例えばプラズマＣＶＤ装置やプラズ
マＣＶＤ法を用いた酸化膜、窒化膜、アモルファスシリ
コン系の半導体膜の形成、スパッタリング装置やスパッ
タリング法を用いた金属配線膜の形成、エッチング装置
やエッチング方法を用いた微細加工などさまざまな技術
にその特徴を生かす装置、方法が使用されている。更
に、近年膜質及び処理能力向上に対する要望も強くなっ
ており、さまざまな工夫も検討されている。特に高周波
電力を用いたプラズマプロセスは放電の安定性が高く、
酸化膜や窒化膜などの絶縁性の材料形成にも使用できる
など、さまざまな利点があるため広く使用されている。

【０００３】従来、プラズマＣＶＤなどのプラズマプロ
セスでは、放電用高周波電源の発振周波数は２０ＭＨｚ
以下、一般的に１３．５６ＭＨｚが用いられている。

【０００４】この従来の堆積膜形成に一般的に用いられ
ているプラズマＣＶＤ装置の一例を図３に示す。この図
に示されるプラズマＣＶＤ装置は円筒状の電子写真感光
体用基体上にアモルファスシリコン膜（以下、ａ−Ｓｉ
膜と記す）を形成する場合に好適な成膜装置である。以
下、この装置を用いたａ−Ｓｉ膜の形成方法を説明す
る。

【０００５】減圧可能な堆積室３０１の内壁を兼ねる円
筒状の第２の電極３０６および対向電極として被成膜基
体（電子写真感光体用基体）を兼ねる第１の電極３０２
が配置されている。第１の電極３０２には補助基体３０
７が取りつけられており、第１の電極の一部を成してい
る。第２の電極３０６の円筒軸方向の寸法は第１の電極
３０２及び補助基体３０７の円筒軸方向の長さと同程度
に設定するのが一般的である。第１の電極３０２は内部
の加熱ヒーター３０３により内側より加熱される。高周
波電源３１２は整合回路３１１を介して第２の電極３０
６に接続されている。３１５は排気口、３０４はメイン
バルブ、３１０は圧力ゲージ、３０５はガス放出パイ
プ、３０９は原料ガス導入バルブである。

【０００６】堆積室３０１内に第１の電極を兼ねる被成
膜基体３０２を設置し、メインバルブ３０４を開き、排
気口３１５を介して堆積室３０１を一旦排気する。その
後原料ガス導入口３０９を開き、不活性ガスを導入し、
所定の圧力になるように流量を調整する。加熱用ヒータ
ー３０３に通電し、被成膜基体を１００〜４００℃の所
望の温度に加熱する。その後、原料ガス導入バルブ３０
９を介して成膜用の原料ガス、例えばシランガス、ジシ
ランガス、メタンガス、エタンガスなどの材料ガスを、
またジボランガス、ホスフィンガスなどのドーピングガ
スを導入し、数１００ｍＴｏｒｒから数Ｔｏｒｒの圧力
に維持するよう排気速度を調整する。

【０００７】高周波電源３１２より１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を整合回路３１１を介して第２の電極３０６
に供給して、第２の電極３０６と第１の電極３０２との
間にプラズマ放電を発生させ原料ガスを分解することに
より、第１の電極を兼ねた被成膜基体３０２上にａ−Ｓ
ｉ膜を堆積する。この間、第１の電極は加熱ヒーター３
０３により１００〜４００℃程度に維持される。必要に
応じて不図示の回転機構により被成膜基体を回転させ、
周方向の膜厚分布を改善しても良い。

【０００８】現在の電子写真感光体を用いる複写機はよ
り高性能、高機能が追求されている。このような追求さ
れる性能の目標の一つとしてコピースピードの向上があ
る。コピースピードが高まれば高まるほど帯電に割くこ
とのできる時間が短くなり、感光体の帯電電位が下がる
傾向がある。また、高機能化の１つとして多色コピーが
挙げられるが、この場合、複写機に複数の現像器を搭載
する必要があるので帯電器から現像器までの距離が遠く
なる傾向があり、その間に感光体の表面電位が減衰し
て、現像器における感光体の帯電電位が下がる傾向があ
る。以上のように、ａ−Ｓｉ膜を使用した電子写真感光
体では更なる帯電能力向上が望まれている。

【０００９】従来の成膜方法で電子写真感光体の性能を
満足させるａ−Ｓｉ膜を得るための堆積速度は、例えば
１時間当たり０．５〜６μｍ程度であり、それ以上に堆
積速度を上げると、感光体がその特性を得ることができ
ない場合がある。一般に電子写真感光体としてａ−Ｓｉ
膜を利用する場合、その誘電率の大きさの関係で、充分
な帯電能を得るために少なくとも２０〜３０μｍの膜厚
が必要である。したがって電子写真感光体を製造するに
は長時間を要し製造コストを押し上げる一因となってい
た。このため、感光体としての特性を落とさずに製造時
間を短縮する技術が切望されていた。

【００１０】更に、カールソン方式の電子写真プロセス
では電子写真感光体を帯電する工程が必要であるが、特
にａ−Ｓｉ膜を用いた電子写真感光体では、比較的高速
の複写機に多用されるためにコロナ放電による帯電プロ
セスを用いることが多い。この場合、帯電の際に生成し
たコロナ生成物が感光体表面に付着することがある。こ
れらの付着物は吸湿しやすく、高温、高湿の環境におい
てはコロナ生成物が吸湿して、感光体表面が低抵抗化
し、帯電キャリアが横流れして画像の細線がぼける現像
（いわゆる画像流れ）が発生することがあった。

【００１１】また、先に述べたように電子写真用感光体
としてａ−Ｓｉ膜を利用する場合には帯電能を得るため
に少なくとも２０〜３０μｍの膜厚が必要であり、この
ような厚膜を成膜する場合には膜中に応力が溜まりやす
くなる。それゆえａ−Ｓｉ膜と基板の間に厚膜の内部に
溜まった応力に打ち勝つだけの密着性が要求されるが、
僅かでも成膜条件がずれるとこのバランスが崩れ、膜剥
がれが発生することがあった。このため、ａ−Ｓｉ膜を
用いた電子写真感光体の製造において工程を厳密に管理
しなければ良品率が低下してしまう場合があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、上述のような従来の技術の問題点を克服し、従来の
プラズマプロセスでは達成できなかった、帯電時の帯電
電位が高く、濃度の濃い画像が得られる電子写真感光体
を製造するのに最適な方法を提供することである。本発
明の第２の目的は、製造時間が短く、再現性に優れた低
コストの電子写真感光体を製造するのに最適な方法を提
供することである。本発明の第３の目的は、耐環境性が
高く、高温、高湿度の環境で用いても画像品質が低下せ
ず、濃度が濃く、白地にかぶりのない鮮明な画像が得ら
れる電子写真感光体を提供することである。本発明の第
４の目的は、製造工程で多少の条件変動があっても膜剥
がれ等のトラブルが発生しない、安定で再現性が良く、
工程管理が容易な電子写真感光体の製造方法を提供する
ことである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可
能な堆積室内に導電性の円筒状基体を設置し、少なくと
もシリコン原子を含んだガス状の原料を高周波電力によ
り分解し、この円筒状基体上に少なくともシリコン原子
を母材とする非結晶質材料を堆積させて電子写真感光体
を製造する製造方法において、基体上の堆積層が発振周
波数が２０ＭＨｚ未満の高周波電力により励起されたグ
ロー放電により堆積される層と、発振周波数が５０ＭＨ
ｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力により励起され
たグロー放電により堆積される層とが混在するように形
成されることを特徴とする電子写真感光体の形成方法で
ある。

【００１４】

【発明の実施の形態】高周波電力として２０ＭＨｚ以下
の高周波を使う成膜方法であるＲＦプラズマＣＶＤ法
は、堆積される膜が緻密で硬く、また、電子写真感光体
のように大面積のデバイスを作成する際にも膜厚や膜質
のムラが生じにくいという特徴があり、電子写真感光体
の製造方法として比較的適している。しかし、その一方
で帯電性能が充分でないこと、堆積速度が小さく、成膜
時間が長いこと等に対する改良のほか耐環境性の更なる
向上、製造時の膜剥がれ等のトラブルの防止が大きなテ
ーマとなっている。

【００１５】近年、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を
用い５０ＭＨｚ以上の高周波電源を用いたプラズマＣＶ
Ｄ法の報告があり（Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
ａｎｄ Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，Ｖｏ
ｌ．７，Ｎｏ．３，（１９８７）ｐ２６７−２７３）、
放電周波数を従来の１３．５６ＭＨｚより高くすること
により堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させる
可能性が示されており、注目されている。この放電周波
数を高くする報告はスパッタリングなどでもなされ、近
年広くその優位性が検討されている。

【００１６】これらの５０ＭＨｚ以上の高周波電力を用
いるプラズマＣＶＤ成膜では高エネルギーのプラズマを
容易に発生できるために高品質の堆積膜が得られやす
く、同様の理由により堆積速度を容易に向上させること
ができる。更にイオン衝撃を減少させることができるた
めに膜応力が低減でき、膜の密着性を向上させることが
できるという特徴がある。

【００１７】本発明者らは、この改良されたプラズマＣ
ＶＤ法と従来のＲＦプラズマＣＶＤ法を組みあわせるこ
とによって前記の問題点を解決することができることを
見い出した。

【００１８】すなわち、電子写真感光体の堆積層のある
層を５０ＭＨｚから４５０ＭＨｚの高周波電力で成膜
し、他の層を従来の２０ＭＨｚ以下の高周波電力で成膜
することによりこれまでにない優れた特性を発揮する感
光体が得られることを見い出した。具体的には次の各種
プロセスがある。 （１）基体と接する層領域に５０ＭＨｚ以上の高周波電
力によって作成した膜を適用し、他の層については２０
ＭＨｚ以下の例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力によ
って膜堆積させる。この方法によって、帯電能ムラのな
い、均一な品質であってかつ製造時の膜剥がれの発生し
ない電子写真感光体を製造することができる。 （２）最表面の層に５０ＭＨｚ以上の高周波電力によっ
て作成した膜を適用し、最表面以外の層については２０
ＭＨｚ以下の例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力によ
って膜堆積させる。この方法によって、緻密で撥水性の
高い膜が最表面を覆うことになり、高温高湿環境におい
て画像流れが発生しにくくなる。 （３）光導電層に５０ＭＨｚ以上の高周波電力によって
作成した膜を適用し、光導電層以外の層については２０
ＭＨｚ以下の例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力によ
って膜堆積させる。この方法では堆積速度が大で成膜時
間を短縮することができ、製造コストを短縮することが
できる。 （４）基体と接する層と最表面の層に５０ＭＨｚ以上の
高周波電力によって作成した膜を適用し、中間の層につ
いては２０ＭＨｚ以下の例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電力によって膜堆積させる。この方法によって、帯電
能ムラのない、均一な品質であってかつ製造時の膜剥が
れの発生せず、かつ撥水性の高い膜が最表面を覆うこと
になり、高温高湿環境において画像流れが発生しにくい
電子写真感光体を製造することができる。 以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。

【００１９】図１は本発明の方法を行うための装置の一
例を模式的に示したものであり、電子写真感光体の円筒
状の基体の回りを囲むように第２の電極を設置する、い
わゆる同軸タイプの堆積膜形成装置である。

【００２０】図において１０１は堆積膜を形成するため
の堆積室であり、排気口１１５はメインバルブ１０４を
介して排気装置１０８に接続されている。排気装置１０
８は例えばメカニカルブースターポンプとロータリーポ
ンプを組み合わせたものや、拡散ポンプ及びロータリー
ポンプを組み合わせたものなどが好適に用いられる。こ
れらの排気装置には必要に応じて可変コンダクタンスバ
ルブなどが取りつけられても良い。１０９は原料ガスを
堆積室に導入するための原料ガス導入バルブであり、不
図示のガス供給系から原料ガスを堆積室内に導入する。
原料ガスは堆積室内に立てられたガス放出パイプ１０５
から放電空間に放出される。原料ガスを導入した際の堆
積室内の圧力は圧力ゲージ１１０でモニターすることが
できる。２０ＭＨｚ未満の周波数でのプラズマＣＶＤ法
と５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の周波数でのプラズ
マＣＶＤ法では最適な真空度が異なる場合があるが、こ
の場合は前述の排気装置１０８の不図示のメカニカルブ
ースターポンプの駆動周波数を調整したり、別途可変コ
ンダクタンスバルブを用いることにより各々適切な真空
度を調整すれば良い。１０２はアースに接続された被成
膜基体を兼ねる第１の電極であり、被成膜基体の上下に
は補助基体１０７が設けてある。１０３は基体を所定の
温度に加熱するための加熱用ヒーターである。又、被成
膜基体は、本模式図においては固定となっているが、必
要に応じて回転機構により回転し、周方向の膜厚の更な
る均一化を図ることもできる。１１２は５０ＭＨｚ〜４
５０ＭＨｚ、あるいは２０ＭＨｚ以下の高周波を発生す
る高周波電源であり、高周波出力は１１１の整合回路を
介して第２の電極１０６に印加されるように配線されて
いる。なお図に示したように第２の電極１０６は堆積室
１０１の内壁を兼ねていてももちろん良い。

【００２１】第２の電極１０６は２０ＭＨｚ以下の周波
数でも５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の周波数におい
ても効率的に電力を堆積室１０１に導入できるように軸
方向の長さを適宜調整し最適な装置形態とすることがで
きる。本模式図においては絶縁材１１３によって電気的
に絶縁された内壁１１４を使用して第２の電極１０６が
第１の電極１０２及び補助基体１０７を合わせた長さよ
りもやや短くした例を示している。

【００２２】実際の成膜において周波数を切り替えるに
は高周波電源１１２と整合回路１１１の両方を取り替え
たり、または、整合範囲の広い整合回路であれば整合回
路１１１は固定とし、高周波電源のみを周波数の異なる
ものと交換することにより本発明は達成することができ
る。また、整合範囲の広い整合回路と２０ＭＨｚ以下か
ら５０ＭＨｚ以上まで周波数を可変可能な高周波電源で
あれば整合回路１１１と高周波電源１１２を取り替える
ことなく本発明の方法を達成することができて好都合で
ある。

【００２３】図２は本発明の方法を行うための別の装置
の一例を模式的に示したものであり、電子写真用感光体
のような円筒状の基体が同心円上に設置され、基体に囲
まれた内部で放電が励起されるタイプの堆積膜形成装置
である。図において２０１は堆積膜を形成するための堆
積室であり、第１の電極を兼ねた円筒状基体２０２が第
２の電極２０６を囲んだ形態を示している。堆積室２０
１には排気口２１５があり不図示の排気装置に接続され
ている。排気装置は例えばメカニカルブースターポンプ
とロータリーポンプを組み合わせたものや、拡散ポンプ
及びロータリーポンプを組み合わせたものなどが好適に
用いられる。排気口２１５には必要に応じて可変コンダ
クタンスバルブなどが取りつけられても良い。

【００２４】２０９は原料ガスを堆積室に導入するため
の原料ガス導入バルブであり、不図示のガス供給系から
原料ガスを堆積室内に導入する。原料ガスは堆積室内に
ガス放出パイプ２０５から放電空間に放出される。原料
ガスを導入した際の堆積室内の圧力は圧力ゲージ２１０
でモニターすることができる。２０ＭＨｚ未満の周波数
でのプラズマＣＶＤ法と５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以
下の周波数でのプラズマＣＶＤ法では最適な真空度が異
なる場合があるが、この場合は前述の排気装置のメカニ
カルブースターポンプの駆動周波数を調整したり、別途
可変コンダクタンスバルブを用いることにより各々適切
な真空度に調整すれば良い。

【００２５】２０２はアースに接続された被成膜基体を
兼ねる第１の電極であり、被成膜基体の上下には補助基
体２０７が設けてある。２０３は基体を所定の温度に加
熱するための加熱用ヒーターである。被成膜基体２０２
は回転機構により回転し、周方向の膜厚の均一化を図る
ことができるようになっている。２１２は５０ＭＨｚ〜
４５０ＭＨｚ、または２０ＭＨｚ以下の高周波を発生す
る高周波電源であり、高周波出力は２１１の整合回路を
介して第２の電極２０６に印加されるように配線されて
いる。

【００２６】第２の電極２０６は２０ＭＨｚ以下の周波
数でも５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の周波数におい
ても効率的に電力を堆積室２０１に導入できるように軸
方向の長さを適宜調整することにより最適な装置形態と
することができる。

【００２７】実際の成膜において周波数を切り替えるに
は高周波電源２１２と整合回路２１１の両方を取り替え
たり、または、整合範囲の広い整合回路であれば整合回
路２１１は固定とし、高周波電源のみを周波数の異なる
ものと交換することにより本発明は達成することができ
る。また、整合範囲の広い整合回路と２０ＭＨｚ以下か
ら５０ＭＨｚ以上まで周波数を可変高周波電源であれば
整合回路２１１と高周波電源１１２を取り替えることな
く本発明の方法を達成することができて好都合である。

【００２８】使用される高周波電源は、２０ＭＨｚ未満
の周波数を発生する電源、及び５０ＭＨｚから４５０Ｍ
Ｈｚまでを発生する電源であれば何でも使用することが
できる。発振周波数を変化できるタイプの高周波電源
で、特に２０ＭＨｚ以下の周波数から５０ＭＨｚ以上の
周波数まで可変にできるものは好適に本発明の方法に適
用される。出力は１０Ｗから５０００Ｗ以上まで、装置
および処方に適した電力を発生することができればいか
なる出力のものでも好適に使用できる。

【００２９】更に、高周波電源の出力変動率はいかなる
値であっても本発明の効果を得ることができる。

【００３０】使用される整合回路は高周波電源と負荷の
整合を取ることができるものであればいかなる構成のも
のでも好適に使用できる。整合を取る方法としては、自
動的に調整されるものが製造時の煩雑さを避けるために
好適であるが、手動で調整されるものであっても本発明
の効果に全く影響はない。又、整合回路が配置される位
置に関しては整合が取れる範囲においてどこに設置して
もなんら問題はないが、整合回路から第２の電極間の配
線のインダクタンスをできるだけ小さくするような配置
とする方が広い負荷条件で整合を取ることが可能になる
ため望ましい。

【００３１】図１の堆積膜形成装置を用いた本発明の堆
積膜の形成方法の一例は次の手順のように行われる。ま
ず、表面を例えば旋盤を用いて鏡面加工を施した被成膜
基体（第１電極を兼ねる）１０２に補助基体１０７を取
りつけ、堆積室１０１内の加熱用ヒーター１０３に被成
膜基体に１０７を挿入する。

【００３２】次に、原料ガス導入バルブ１０９を閉と
し、メインバルブ１０４を開として排気口１１５より堆
積室内を一旦排気した後、原料ガス導入バルブ１０９を
開として加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原
料ガス放出パイプ１０５より堆積室内に導入し、堆積室
内が所望の圧力になるように圧力ゲージ１１０を監視し
ながら加熱用不活性ガスの流量を調整する。その後、不
図示の温度コントローラーを作動させて基体１０２を加
熱用ヒーター１０３により加熱し、基体１０２が所望の
温度に加熱されたところで原料ガス導入バルブ１０９を
閉じ、堆積室内へのガス流入を止める。

【００３３】堆積膜の形成は原料ガス導入バルブ１０９
を開として原料ガス導入口１０５から所定の原料ガス、
例えばシランガス、ジシランガス、メタンガス、エタン
ガスなどの材料ガスを、またジボランガス、ホスフィン
ガスなどのドーピングガスを堆積室１０１内に導入し、
数ｍＴｏｒｒから数Ｔｏｒｒの所望の圧力に維持するよ
う排気速度を調整する。調整の方法としては、メインバ
ルブ１０４の開度を適宜調整する方法、あるいは不図示
のコンダクタンス調整バルブを用いて調整する方法、さ
らには排気系にメカニカルブースターポンプとロータリ
ーポンプを組み合わせて使用している場合にはメカニカ
ルブースターポンプの回転周波数を調整する方法などが
ある。圧力が安定した後、高周波電源１１２の電源を入
れてグロー放電を生起させる。

【００３４】このとき、ある層形成時においては発振周
波数が２０ＭＨｚ未満の高周波電力を投入し、また、別
の層形成時においては、発振周波数が５０ＭＨｚ以上、
４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を投入する。どの層形成
時において、２０ＭＨｚ未満の高周波電力を投入する
か、５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を
投入するかは適宜選択される。

【００３５】いずれの場合も整合回路１１１を調整し、
反射波が最小となるように調整する。高周波の入射電力
から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整し、所望
の膜厚を形成したところでグロー放電を止め、原料ガス
導入バルブ１０９を閉じて原料ガスの堆積室１０１への
流入を止め、堆積室内を一旦高真空にもどした後に層の
形成を終える。この手順を所望の回数繰り返し、種々の
機能を有する堆積膜を積層した電子写真感光体が作成さ
れる。

【００３６】図２の堆積膜形成装置を用いた本発明の堆
積膜の形成方法の一例は次の手順のように行われる。ま
ず、表面を例えば旋盤を用いて鏡面加工を施した被成膜
基体（第１電極を兼ねる）２０２に補助基体２０７を取
りつけ、堆積室２０１内の加熱用ヒーター２０３に被成
膜基体２０２及び補助基体２０７を挿入する。

【００３７】次に、原料ガス導入バルブ２０９を閉と
し、排気口２１５より堆積室内を一旦排気した後、原料
ガス導入バルブ２０９を開として加熱用の不活性ガス、
例えばアルゴンを原料ガス放出パイプ２０５より堆積室
内に導入し、堆積室内が所望の圧力になるように圧力ゲ
ージ２１０を監視しながら加熱用不活性ガスの流量を調
整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動さ
せて基体２０２を加熱用ヒーター２０３により加熱し、
基体２０２が所望の温度に加熱されたところで原料ガス
導入バルブ２０９を閉じ、堆積室内への不活性ガスの流
入を止める。

【００３８】堆積膜の形成は原料ガス導入バルブ１０９
を開として原料ガス導入口２０５から所定の原料ガス、
例えばシランガス、ジシランガス、メタンガス、エタン
ガスなどの材料ガスを、またジボランガス、ホスフィン
ガスなどのドーピングガスを堆積室１０１内に導入し、
数ｍＴｏｒｒから数Ｔｏｒｒの所望の圧力に維持するよ
う排気速度を調整する。調整の方法としては、不図示の
メインバルブの開度を適宜調整する方法、あるいは不図
示のコンダクタンス調整バルブを用いて調整する方法、
更には不図示の排気系にメカニカルブースターポンプと
ロータリーポンプを組み合わせて使用している場合には
メカニカルブースターポンプの回転周波数を調整する方
法などがある。圧力が安定した後、高周波電源２１２の
電源を入れてグロー放電を生起させる。

【００３９】このとき、ある層形成時においては発振周
波数が２０ＭＨｚ未満の高周波電力を投入し、また、別
の層形成時においては、発振周波数が５０ＭＨｚ以上、
４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を投入する。どの層形成
時において、２０ＭＨｚ未満の高周波電力を投入する
か、５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を
投入するかは適宜選択される。

【００４０】いずれの場合も整合回路２１１を調整し、
反射波が最小となるように調整する。高周波の入射電力
から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整し、所望
の膜厚を形成したところでグロー放電を止め、原料ガス
導入バルブ２０９を閉じて、原料ガスの堆積室２０１へ
の流入を止め、堆積室内を一旦高真空にもどした後に層
の形成を終える。この手順を所望の回数繰り返し、種々
の機能を有する堆積膜を積層した電子写真感光体が作成
される。

【００４１】図１、図２のいずれの装置においても、各
層の間に組成等を連続的に変化させた変化層を設ける場
合、例えば光導電層と表面層の間に中間層を設ける場合
には、上記の操作により光導電層を形成した後、高周波
電力の供給を止めずに、原料ガスの流量条件を光導電層
形成時の条件から、表面層形成時の条件に徐々に、かつ
連続的に変化させる等の方法をとることができる。この
ときには高周波電源１１２、２１２は発振周波数を可変
可能なものを用い、また、整合器１１１、２１１も該当
する周波数帯域をカバーできるものを用いる必要があ
る。原料ガスの流量を変化させると同時に、高周波電源
１１２、２１２の発振周波数を変化させ、かつ、同時に
変化層形成時の所望の条件が得られるように、高周波電
源１１２、２１２の出力及び、メインバルブ１０４等を
必要に応じて調整する。また原料ガスの流量を変化させ
るに際して、ガスの突出等による極端な圧力変化が起き
ないように十分配慮することは言うまでもない。この変
化領域の層の厚さは上記のように、光導電層と表面層の
間に実質的に界面を形成する程度の厚さであれば良い。

【００４２】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが堆積室内およびガス
供給系の配管内に残留することを避けるために一旦高真
空に排気する操作を必要に応じて行う。また上述のガス
種およびバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって
変更が加えられることは言うまでもない。

【００４３】第２の電極の材質としては銅、アルミニュ
ーム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、ク
ロム、モリブデン、チタン、ステンレス、およびこれら
の材料の中の２種以上の複合材料などが好適に用いられ
る。形状は円筒形が好ましいが、必要に応じて楕円形、
多角形を用いても良い。第２の電極は必要に応じて冷却
手段を設けても良い。具体的な冷却手段としては、水、
空気、液体チッ素、ベルチェ素子などによる冷却が適用
される。

【００４４】第１の電極は被成膜基体としての役割があ
り、使用目的に応じた材質や形状などを有するものであ
れば良い。形状に関しては、電子写真感光体に供する場
合には円筒状が望ましいが、必要に応じて、平板状や、
その他の形状であっても良い。材質においては銅、アル
ミニューム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、
鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス、および
これらの材料の中の２種以上の複合材料、更にはポリエ
ステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロース
アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン、ガラス、セラミックス、
紙などの絶縁材料に導電性材料を被覆したものなどが使
用できる。

【００４５】円筒状基体の中央付近の基体温度は一般に
１００℃以上４００℃以下、好ましくは１５０℃以上３
５０℃以下、より好ましくは２００℃以上３５０℃以下
にすることが、膜中のダングリングボンドを低減し、緻
密な膜になるために望ましい。

【００４６】基体加熱ヒーターを構成する発熱体は、真
空仕様であればよく、より具体的にはシース状ヒータ
ー、板状ヒーター、セラミックヒーター、カーボンヒー
ター等の電気抵抗発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交
換手段による発熱体等が挙げられる。ハロゲンランプ、
赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体も本発明の基体加
熱ヒーターとして好適に用いることができるが、この場
合には中央に設置するランプよりヒーターの端部に電力
の大きいランプを設置することにより温度勾配が形成さ
れるようにする必要がある。加熱手段の表面材料には、
ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、
セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することがで
きる。

【００４７】本発明において使用される基体材料として
は、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性材料
としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等が挙げられる。ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性材料の場合は少
なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理して使
用する。

【００４８】本発明において使用される基体の形状は平
滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト
状であることができ、その厚さは、所望の電子写真用光
受容部材を形成し得るように適宜決定するが、電子写真
用光受容部材としての可撓性が要求される場合には、基
体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、基体は製造上およ
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上が好ましい。

【００４９】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
るために、基体の表面に凹凸を設けてもよい。基体の表
面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公
報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５
４号公報等に記載された公知の方法により作成される。

【００５０】レーザー光などの可干渉光を用いた場合の
干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の
方法として、基体の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を設けてもよい。すなわち、基体の表面が電子写
真用光受容部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を
有し、しかもこの凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるも
のである。基体の表面に設けられる複数の球状痕跡窪み
による凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載
された公知の方法により作成される。

【００５１】本発明の製造装置で製造するのに適してい
る阻止型の電子写真感光体の電荷注入阻止層は、光受容
層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、基
体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機
能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのよう
な機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有してい
る。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層
には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く
含有させる。この層に含有される伝導性を制御する原子
は、層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あるい
は層厚方向には万偏なく含有されてはいるが、不均一に
分布する状態で含有している部分があってもよい。分布
濃度が不均一な場合には、基体側に多く分布するように
含有させるのが好適である。しかしながら、いずれの場
合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分
布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の
均一化をはかる点からも必要である。

【００５２】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野におけるいわゆる不純物
を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第
IIIｂ族に属する原子（以後「第III ｂ族原子」と略記
する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に
属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用い
ることができる。第IIIb族原子としては、具体的には、
Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。

【００５３】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、
好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好適には
５０〜５×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０² 〜１
×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【００５４】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。電荷注入阻止層に含有される炭素原子、窒素
原子およびまたは酸素原子は該層中に万偏なく均一に分
布されても良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有
されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している
部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも
基体の表面と平行な面においては、均一な分布で万偏な
く含有されることが面内方向における特性の均一化をは
かる点からも必要である。

【００５５】電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭
素原子および／または窒素原子および／または酸素原子
の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように
適宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以
上の場合はその総和として、好ましくは１×１０^-3〜５
０原子％、より好適には５×１０^-3〜３０原子％、最適
には１×１０^-2〜１０原子％が望ましい。

【００５６】電荷注入阻止層に水素原子および／または
ハロゲン原子を含有させると、層内に存在する未結合手
を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層中
の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハロ
ゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、よ
り好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％
とするのが望ましい。

【００５７】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性が得られること、および経済的効果等の点から好まし
くは０．１〜５μｍ、最適には１〜４μｍが望ましい。

【００５８】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならび
に基体の温度を適宜設定することが必要である。

【００５９】希釈ガスであるＨ₂ および／またはＨｅの
流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ を、通常の場合１〜２０
倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲
に制御することが望ましい。

【００６０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００６１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合０．５〜７倍、好まし
くは１〜６倍、最適には１．５〜５倍の範囲に設定する
ことが望ましい。

【００６２】基体の温度もまた同様に層設計に従って適
宜最適範囲が選択されるが、通常１００℃〜４００℃、
好ましくは１５０℃〜３５０℃、最適には２００℃〜３
５０℃の範囲に設定することが望ましい。

【００６３】本発明の製造装置で製造するのに適してい
る電子写真感光体の光導電層中には水素原子または／お
よびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、こ
れはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、
特に光導電性および電荷保持特性を向上させるために必
須不可欠であるからである。

【００６４】水素原子またはハロゲン原子の含有量、ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と
水素原子または／およびハロゲン原子の和に対して１０
〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％が望ま
しい。

【００６５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃
Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいもの
として挙げられる。そして、形成される光導電層中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更に水素ある
いは水素原子を含む珪素化合物のガスを所望量混合して
層形成することが必要である。また、各ガスは単独種の
みでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えない
ものである。

【００６６】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。さらにシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素と
するガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む
水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができ
る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物と
しては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ），ＢｒＦ，Ｃｌ
Ｆ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ₃ ，ＢｒＦ₅ ，ＩＦ₃ ，ＩＦ₇ 等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換され
たシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉ₂
Ｆ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとして挙
げることができる。

【００６７】光導電層中に含有される水素原子または／
およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体の
温度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させ
るために使用される原料物質の堆積室内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。

【００６８】本発明においては、光導電層には必要に応
じて伝導性を制御する原子を含有させることが好まし
い。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万偏なく均
一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚
方向には不均一な分布状態で含有している部分があって
もよい。

【００６９】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野におけるいわゆる不純物を挙げることができ、ｐ
型伝導特性を与える第III ｂ族原子またはｎ型伝導特性
を与える第Ｖｂ族原子を用いることができる。

【００７０】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。

【００７１】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１×１０
⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×１０³
原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³ 原子ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

【００７２】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層を形成するための他のガスとともに
導入すればよい。第III ｂ族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。

【００７３】第III ｂ族原子導入用の原料物質として具
体的には、Ｂ₂ Ｈ₆ ，Ｂ₄ Ｈ₁₀，Ｂ ₅ Ｈ₉ ，Ｂ₅ Ｈ₁₁，
Ｂ₆ Ｈ₁₀，Ｂ₆ Ｈ₁₂，Ｂ₁₀Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ
₃ ，ＢＣｌ₃ ，ＢＢｒ₃ 等のハロゲン化硼素、ＡｌＣｌ
₃ ，ＧａＣｌ₃ ，Ｇａ（ＣＨ₃）₃ ，ＩｎＣｌ₃ ，Ｔｌ
Ｃｌ₃ 等を挙げることができる。

【００７４】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ，ＰＦ₃ ，ＰＦ₅ ，ＰＣ
ｌ₃，ＰＣｌ₅ ，ＰＢｒ₃ ，ＰＢｒ₅ ，ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ ，ＡｓＦ₃ ，
ＡｓＣｌ₃ ，ＡｓＢｒ₃ ，ＡｓＦ₅ ，ＳｂＨ₃ ，ＳｂＦ
₃ ，ＳｂＦ₅ ，ＳｂＣｌ₃ ，ＳｂＣｌ₅ ，ＢｉＨ₃ ，Ｂ
ｉＣｌ₃ ，ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。また、これ
らの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応
じてＨ₂ および／またはＨｅにより希釈して使用しても
よい。

【００７５】本発明において、光導電層の層厚は所望の
電子写真特性および経済的効果等の点から適宜決定さ
れ、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜
４５μｍ、最適には２５〜４０μｍである。

【００７６】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、堆積室内のガス圧、放電電力ならびに
基体温度を適宜設定することが必要である。希釈ガスと
して使用するＨ₂ および／またはＨｅの流量は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用
ガスに対し希釈ガスを、通常の場合３〜２０倍、好まし
くは４〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御する
ことが望ましい。

【００７７】堆積室内のガス圧も同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０
^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００７８】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合０．５〜７倍、好まし
くは１〜６倍、最適には１．５〜５倍の範囲に設定する
ことが望ましい。

【００７９】基体の温度もまた同様に層設計に従って適
宜最適範囲が選択されるが、通常１００℃〜４００℃、
好ましくは１５０℃〜３５０℃、最適には２００℃〜３
５０℃の範囲に設定することが望ましい。

【００８０】本発明においては、光導電層を形成するた
めの基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材
を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値
を決めるのが望ましい。

【００８１】本発明の製造装置で製造するのに適してい
る電子写真感光体は、光導電層の上に更にアモルファス
シリコン系の表面層を形成することが好ましい。この表
面層は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用
特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本
発明の目的を達成するために設けられる。本発明におい
ては、光受容層を構成する光導電層と表面層とを形成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要
素を有しているので、積層界面において化学的な安定性
の確保が十分成されている。

【００８２】表面層は、アモルファスシリコン系の材料
であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素
原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、
更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と記す）、水素原子（Ｈ）およ
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に酸素原子
を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ：
Ｈ，Ｘ」と記す）、水素原子（Ｈ）および／またはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有するアモ
ルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と記
す）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素原子の
少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と記す）等の材料が好適に
用いられる。

【００８３】本発明に用いる表面層の材料としてはシリ
コンを含有するアモルファス材料ならば何れでも良い
が、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１
つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−Ｓ
ｉＣを主成分としたものが好ましい。表面層をａ−Ｓｉ
Ｃを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原
子と炭素原子の和に対して３０％から９０％の範囲が好
ましい。

【００８４】本発明において表面層中に水素原子または
／およびハロゲン原子が含有されることが必要である
が、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の
向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させ
るために必須不可欠である。水素含有量は、構成原子の
総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適には３
５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが
望ましい。また、弗素原子の含有量として、通常の場合
は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１０原子
％、最適には０．６〜４原子％が望ましい。

【００８５】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ ，Ｓｉ₃ Ｈ₈ ，Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が挙げられ、特に層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄ ，Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましい。ま
た、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
もよい。

【００８６】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ ，Ｃ₂ Ｈ₆ ，Ｃ₃ Ｈ₈ ，Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が挙げられ、更に層形
成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ
₄ ，Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましい。また、これらの炭素供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂ ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【００８７】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃ ，ＮＯ，Ｎ₂ Ｏ，ＮＯ₂ ，Ｏ₂ ，Ｃ
Ｏ，ＣＯ₂ ，Ｎ₂ 等のガス状態の化合物が挙げられる。
また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応
じてＨ₂ ，Ｈ_e ，Ａ_r ，Ｎ_e 等のガスにより希釈して使
用してもよい。

【００８８】また、形成される表面層中に導入される水
素原子の導入割合の制御をさらに容易にするために、こ
れらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化
合物のガスも所望量混合して層形成することが好まし
い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えない。

【００８９】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラ
ン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合
物が挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る
ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとし
て挙げることができる。本発明において好適に使用し得
るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ
₂ ），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃ ，ＢｒＦ₃ ，ＢｒＦ
₅ ，ＩＦ₃ ，ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げること
ができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には、たとえばＳｉＦ₄ ，Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好
ましい。

【００９０】表面層中に含有される水素原子または／お
よびハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体の温
度、水素原子または／およびハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の堆積室内への導入する量、
放電電力等を制御すればよい。

【００９１】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万偏なく均一に含有され
ても良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【００９２】本発明における表面層の層厚としては、通
常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適
には０．１〜１μｍが望ましい。層厚が０．０１μｍよ
りも薄いと感光体を使用中に摩耗等の理由により表面層
が失われてしまい、層厚が３μｍを超えると残留電位の
増大等の電子写真特性の低下がみられる。

【００９３】堆積室内のガス圧も同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１
０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒで
ある。

【００９４】基体の温度もまた同様に層設計に従って適
宜最適範囲が選択されるが、通常１００℃〜４００℃、
好ましくは１５０℃〜３５０℃、最適には２００℃〜３
５０℃の範囲に設定することが望ましい。

【００９５】本発明の装置で製造された電子写真感光体
は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービ
ームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンタ
ー、液晶プリンター、レーザー製版機などの電子写真応
用分野にも広く用いることができる。

【００９６】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明
するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものでは
ない。 実施例１ 図１に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体
を作成した。放電以外の製造条件は表１に示した。発振
周波数１０５ＭＨｚの高周波電源を使用して下部阻止層
の成膜を行った後、一旦放電を切り、高周波電源を１
３．５６ＭＨｚのものに置き換えて従来と同じ手順で光
導電層、および表面保護層を成膜した。

【００９７】

【表１】 表 １ 電子写真用感光体の製造条件 下部阻止層… ＳｉＨ₄ ３００ｓｃｃｍ Ｈ₂ ５００ｓｃｃｍ ＮＯ ８ｓｃｃｍ Ｂ₂ Ｈ₆ ２０００ｐｐｍ パワー ４００Ｗ 内圧 ０．０２Ｔｏｒｒ（１０５ＭＨｚの時） ０．３Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 １μｍ 基体温度 ２５０℃ 光導電層… ＳｉＨ₄ ５００ｓｃｃｍ Ｈ₂ ５００ｓｃｃｍ パワー ６００Ｗ 内圧 ０．０３Ｔｏｒｒ（１０５ＭＨｚの時） ０．５Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 ２０μｍ 基体温度 ２５０℃ 表面保護層… ＳｉＨ₄ ５０ｓｃｃｍ ＣＨ₄ ５００ｓｃｃｍ パワー １００Ｗ 内圧 ０．０３Ｔｏｒｒ（１０５ＭＨｚの時） ０．５Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 １μｍ 基体温度 ２５０℃ 得られた電子写真感光体は次の方法で評価した。

【００９８】各々の感光体について電子写真装置（キヤ
ノン社製ＮＰ６０６０を実験用に改造したもの）にセッ
トして、初期の帯電能、残留電位等の電子写真特性を次
のように評価した。

【００９９】帯電能 …電子写真用感光体を実験装置に
設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電
を行ない、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面
電位を測定する。

【０１００】帯電ムラ…電子写真感光体を電子写真装置
に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯
電を行ない、表面電位計により電子写真感光体の暗部表
面電位を現像位置で測定する。電子写真感光体の軸方向
に５点測定し、このときの電位ムラを評価する。

【０１０１】感度ムラ…電子写真感光体を、一定の暗部
表面電位に帯電させる。そして直ちにフィルターを用い
て６００ｎｍ以上の波長域の光を除いたハロゲンランプ
光を照射し、電子写真感光体の明部表面電位が所定の値
になるように光量を調整する。このときに必要な光量を
ハロゲンランプ光源の点灯電圧から換算する。この手順
で電子写真感光体の軸方向に５点感度を測定し、このと
きの感度ムラを評価する。

【０１０２】残留電位…電子写真感光体を、一定の暗部
表面電位に帯電させる。そして直ちに一定光量の比較的
強い光を照射する。光像はハロゲンランプ光源を用い、
フィルターを用いて６００ｎｍ以上の波長域の光を除い
た光を照射した。この時表面電位計により電子写真感光
体の明部表面電位を測定する。

【０１０３】濃度ムラ…電子写真感光体の表面電位を現
像位置において所定の暗部表面電位に帯電させる。そし
て直ちにハロゲンランプを光源とし、フィルターを用い
て６００ｎｍ以上の波長域の光を除いた光を照射し、表
面電位が５０Ｖになる時の光量を測定する。次に前記と
同様に所定の表面電位に帯電させた後に前記光量の１／
２光量を照射し、現像器により現像を行う。この時の画
像濃度を電子写真感光体の軸方向に５点測定し、評価し
た。但し、画像濃度の測定は、画像濃度計：Ｍａｃｂｅ
ｔｈ ＲＤ９１４を用いた。

【０１０４】画像流れ…高温高湿環境（気温：３０℃、
湿度：８０％）下で、画像形成時の原稿として、図４に
示す黒色部と白色部とが一定の幅ａで並んだテストチャ
ートを用意し、線幅ａを狭めていった時に、複写画像上
において再現し解像し得る最小の線幅ａにより評価を行
った。すなわち、テストチャートにおける線幅ａを小さ
くしていった時に、ある線幅ａ以下になると、画像上の
隣り合う黒色部の輪郭の画像流れによる微小なボケが重
なり合い、事実上解像不可となってしまう。そのときの
線幅ａの数値を、画像流れ程度を表すものとして評価し
た。

【０１０５】白ポチ …キヤノン製全面黒チャート（部
品番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーした
ときに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．
２ｍｍ以上の白ポチの数によって評価した。評価の表示
区分は次のとおり。 それぞれについて、 ◎ 非常に良好 〇 良好 △ 従来レベルで実用上問題無し × 実用上問題有り 膜の密着性試験…１００ｇの鉄球を５０ｃｍの高さから
落下させて電子写真感光体に衝突させた。このとき生じ
た打痕を詳細に観察し、ａ−Ｓｉ膜と基体の密着性を評
価した。

【０１０６】 ◎ 打痕の回りの膜に全くひび割や膜剥がれはなく、非
常に良好 〇 僅かにひび割れはあるが膜剥がれはなく、良好 △ ひび割れはあるが膜剥がれはなく、実用上問題無し × 打痕の回りの膜に膜剥がれが発生し、実用上問題有
り 成膜時間…比較例１のトータルの成膜時間を基準とした
時の成膜時間を評価した。

【０１０７】 ◎ 比較例１より成膜時間が１０％以上短い 〇 比較例１より成膜時間が１０％程度短い △ 比較例１とほぼ同等の時間 × 比較例１より成膜時間が長い 以上の評価結果を、同様の方法で評価した後述する実施
例２〜６および比較例１〜２の結果とともに、表２にま
とめて示す。 実施例２ 使用発振周波数を変えた以外は実施例１と同様にして、
電子写真用感光体を作成した。下部阻止層〜光導電層を
発振周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源を使用して成
膜を行った後、一旦放電を切り、高周波電源を１０５Ｍ
Ｈｚのものに置き換えて表面保護層を成膜した。 実施例３ 使用発振周波数を変えた以外は実施例１と同様にして、
電子写真用感光体を作成した。下部阻止層では発振周波
数１３．５６ＭＨｚの高周波電源を使用して成膜を行っ
た後、一旦放電を切り、高周波電源を１０５ＭＨｚのも
のに置き換えて光導電層を成膜した。更に光導電層の成
膜終了後に一旦放電を切り、再び電源を１３．５６ＭＨ
ｚに戻して表面保護層を成膜した。 実施例４ 使用発振周波数を変えた以外は実施例１と同様にして、
電子写真用感光体を作成した。下部阻止層では発振周波
数１０５ＭＨｚの高周波電源を使用して成膜を行った
後、一旦放電を切り、高周波電源を１３．５６ＭＨｚの
ものに置き換えて光導電層を成膜した。更に光導電層の
成膜終了後に一旦放電を切り、再び電源を１０５ＭＨｚ
に戻して表面保護層を成膜した。 実施例５ 図２に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体の表１の製造条件（内圧を除く）に従って
ａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体を作成した。本
実施例では下部阻止層〜光導電層を発振周波数で使用す
る高周波電源の発振周波数は８０ＭＨｚとし、内圧を
０．０５Ｔｏｒｒで成膜し、その他の層領域では１０Ｍ
Ｈｚの高周波電源を用いて内圧０．５Ｔｏｒｒで成膜を
行った。 実施例６ 使用発振周波数を変えた以外は実施例５と同様にして、
電子写真用感光体を作成した。光導電層〜表面層で使用
する高周波電源の発振周波数は６０ＭＨｚとし、内圧を
０．０４Ｔｏｒｒで成膜し、下部阻止層では１５ＭＨｚ
の高周波電源を用いて内圧０．４５Ｔｏｒｒで成膜を行
った。 比較例１ 図１に示した堆積膜形成装置において発振周波数１３．
５６ＭＨｚの高周波電源を設置し、アルミニューム製の
円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体を
作成した。本比較例では表１の製造条件に従って、下部
阻止層、光導電層、および表面保護層すべてを発振周波
数１３．５６ＭＨｚの高周波電源で成膜を行った。 比較例２ 図２に示した堆積膜形成装置において発振周波数１３．
５６ＭＨｚの高周波電源を設置し、アルミニューム製の
円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体を
作成した。本比較例では表１の製造条件に従って、下部
阻止層、光導電層、および表面保護層すべてを発振周波
数１３．５６ＭＨｚの高周波電源で成膜を行った。

【０１０８】

【表２】 以上の結果、本発明の電子写真感光体は比較例１、２に
示した従来の感光体に比べてすべての評価において非常
に良好な特性を示すことが判明し、本発明の優位性が明
らかとなった。 実施例７ 実施例１と同様の堆積膜形成装置および手順でアルミニ
ューム製の円筒状基体に表１の製造条件に従ってａ−Ｓ
ｉ膜を形成し、電子写真用感光体を作成した。但し、本
実施例では下部阻止層で使用する高周波の発振周波数を
１０５ＭＨｚから２００ＭＨｚに変更した。成膜時の内
圧は実施例１と同様に０．０２Ｔｏｒｒである。こうし
て作成した電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の手
順で評価を行ったところ、実施例１と同様の良好な結果
が得られた。 実施例８ 実施例２と同様の堆積膜形成装置、および手順でアルミ
ニューム製の円筒状基体に表１の製造条件に従ってａ−
Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体を作成した。但し、
本実施例では表面保護層で使用する高周波の発振周波数
を１０５ＭＨｚから３００ＭＨｚに変更した。成膜時の
内圧は実施例２と同様に０．０３Ｔｏｒｒである。こう
して作成した電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の
手順で評価を行ったところ、実施例２と同様の良好な結
果が得られた。 実施例９ 実施例３と同様の堆積膜形成装置および手順でアルミニ
ューム製の円筒状基体に表１の製造条件に従ってａ−Ｓ
ｉ膜を形成し、電子写真用感光体を作成した。但し、本
実施例では光導電層で使用する高周波の発振周波数を１
０５ＭＨｚから５０ＭＨｚに変更した。成膜時の内圧は
実施例３と同様に０．０３Ｔｏｒｒである。こうして作
成した電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の手順で
評価を行ったところ、実施例３と同様の良好な結果が得
られた。 実施例１０ 図１に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体
を作成した。本実施例では表３の製造条件に従い、電荷
輸送層を発振周波数を１５０ＭＨｚの高周波電源を使用
して成膜を行い、その他の層は高周波電源を１３．５６
ＭＨｚのものに置き換えて成膜を行った。こうして作成
した電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の手順で評
価を行った。

【０１０９】

【表３】 表 ３ 電子写真用感光体の製造条件 電荷輸送層… ＳｉＨ₄ １００ｓｃｃｍ Ｈ₂ ３００ｓｃｃｍ ＣＨ₄ ２００ｓｃｃｍ Ｂ₂ Ｈ₆ １０ｐｐｍ パワー ５００Ｗ 内圧 ０．０２Ｔｏｒｒ（１５０ＭＨｚの時） ０．４Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 １５μｍ 基体温度 ３００℃ 電荷発生層… ＳｉＨ₄ ３００ｓｃｃｍ Ｈ₂ ５００ｓｃｃｍ パワー ４００Ｗ 内圧 ０．０３Ｔｏｒｒ（１５０ＭＨｚの時） ０．５Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 ２μｍ 基体温度 ３００℃ 表面保護層… ＳｉＨ₄ ２０ｓｃｃｍ ＣＨ₄ ５００ｓｃｃｍ パワー １５０Ｗ 内圧 ０．０３Ｔｏｒｒ（１５０ＭＨｚの時） ０．５Ｔｏｒｒ（１３．５６ＭＨｚの時） 膜厚 ０．５μｍ 基体温度 ３００℃ 実施例１１ 図１に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体
を作成した。本実施例では表３の製造条件に従い、電荷
輸送層を発振周波数を１５０ＭＨｚの高周波電源を使用
して成膜を行い、表面層は高周波電源を１３．５６ＭＨ
ｚのものに置き換えて成膜を行った。こうして作成した
電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の手順で評価を
行った。 実施例１２ 図１に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体
を作成した。本実施例では表３の製造条件に従い、電荷
輸送層〜電荷発生層を発振周波数を１３．５６ＭＨｚの
高周波電源を使用して成膜を行った後、一旦放電を切
り、高周波電源を１５０ＭＨｚのものに置き換えて表面
保護層を成膜した。こうして作成した電子写真用感光体
を実施例１〜６と同様の手順で評価を行った。 比較例３ 図１に示した堆積膜形成装置においてアルミニューム製
の円筒状基体にａ−Ｓｉ膜を形成し、電子写真用感光体
を作成した。本比較例では表３の製造条件に従い、電荷
輸送層〜電荷発生層〜表面層を発振周波数を１３．５６
ＭＨｚの高周波電源を使用して成膜を行った。こうして
作成した電子写真用感光体を実施例１〜６と同様の手順
で評価を行った。

【０１１０】以上、実施例１０、１１、１２及び比較例
３の結果を表４にまとめて示す。

【０１１１】

【表４】 表 ４ 実 施 例 比 較 例 実施例１０ 実施例１１ 実施例１２ 比較例３ 帯電能 ○ ○ ○ △ 帯電能ムラ ○ ○ ◎ △ 感度ムラ ○ ◎ ◎ △ 残留電位 ○ ○ ○ △ 濃度ムラ ○ ◎ ◎ △ 画像流れ ○ ○ ◎ △ 白ポチ ○ ○ ○ △ 密着性 ◎ ○ ○ △ 成膜時間 ◎ △ △ △ 上表によれば本発明の製造方法は従来の感光体に比べて
特性が非常に良好な感光体が得られるすぐれた方法であ
ることが分かる。

【０１１２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように少なくともシ
リコン原子を母材とする非結晶質材料から成る電子写真
感光体を製造する方法において、発振周波数が２０ＭＨ
ｚ未満の高周波電力により励起されたグロー放電により
堆積される層と、発振周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０
ＭＨｚ以下の高周波電力により励起されたグロー放電に
より堆積される層とが混在するように形成させることに
よって、高速の処理速度で比較的大面積の基体をプラズ
マ処理でき、帯電性能が高く、画像濃度が濃く、製造時
間が短く低コストであり、高温、高湿度の環境で用いて
も画像品質が低下せず、更に製造工程で多少の条件変動
があっても膜剥がれ等のトラブルが発生しない、安定
で、再現性が良く、製造工程管理が容易な電子写真感光
体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の形成方法に使用する
装置の一例を示す模式図である。

【図２】本発明の電子写真感光体の形成方法に使用する
装置の他の例を示す模式図である。

【図３】従来の電子写真感光体の形成方法に使用する装
置の一例を示す模式図である。

【図４】本発明の電子写真感光体の画像流れ試験用チャ
ートの模式図である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１ 堆積室 １０２、２０２、３０２ 被成膜基体を兼ねる第１の
電極 １０３、２０３、３０３ 加熱用ヒーター １０４、３０４ メインバルブ １０５、２０５、３０５ 原料ガス放出パイプ １０６、２０６、３０６ 第２の電極 １０７、２０７、３０７ 補助基体 １０８、３０８ 排気装置 １０９、２０９、３０９ 原料ガス導入バルブ １１０、２１０、３１０ 圧力ゲージ １１１、２１１、３１１ 整合器 １１２、２１２、３１２ 高周波電源 １１３、３１３ 絶縁材 １１４、３１４ 絶縁された炉壁 １１５、２１５、３１５ 排気口

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 排気手段と原料ガス供給手段を備えた真
   空気密可能な堆積室内に導電性の円筒状基体を設置し、
   少なくともシリコン原子を含んだガス状原料を高周波電
   力により励起されたグロー放電により分解し、該円筒状
   基体上に少なくともシリコン原子を母材とする非結晶質
   材料を堆積させて電子写真感光体を製造する製造方法に
   おいて、 基体上の堆積層が、発振周波数が２０ＭＨｚ未満の高周
   波電力により励起されたグロー放電により堆積される層
   と、発振周波数が５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の
   高周波電力により励起されたグロー放電により堆積され
   る層とが混在するように形成されることを特徴とする電
   子写真感光体の形成方法。
2. 【請求項２】 電子写真感光体が阻止型であって基体上
   の堆積層が、少なくとも下部阻止層および光導電層から
   なり、下部阻止層を５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下
   の高周波電力を用いて形成し、下部阻止層以外の層を２
   ０ＭＨｚ未満の高周波電力を用いて形成する請求項１に
   記載の電子写真感光体の形成方法。
3. 【請求項３】 電子写真感光体が阻止型であって基体上
   の堆積層が少なくとも下部阻止層および光導電層からな
   り、光導電層を５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ以下の高
   周波電力を用いて形成し、光導電層以外の層を２０ＭＨ
   ｚ未満の高周波電力を用いて形成する請求項１に記載の
   電子写真感光体の形成方法。
4. 【請求項４】 基体上の堆積層が少なくとも表面保護層
   を有し、その表面保護層を５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨ
   ｚ以下の高周波電力を使用して形成し、表面保護層以外
   の層を２０ＭＨｚ未満の高周波電力を用いて形成する請
   求項１に記載の電子写真感光体の形成方法。
5. 【請求項５】 電子写真感光体が阻止型であって基体上
   の堆積層が少なくとも下部阻止層、光導電層、表面保護
   層からなり、下部阻止層および表面保護層を５０ＭＨｚ
   以上、４５０ＭＨｚ以下の高周波電力を使用して形成
   し、下部阻止層および表面保護層以外の層を２０ＭＨｚ
   未満の高周波電力を用いて形成する請求項１に記載の電
   子写真感光体の形成方法。
6. 【請求項６】 電子写真感光体が機能分離型であって基
   体上の堆積層が少なくとも電荷発生層および電荷輸送層
   からなり、電荷発生層を５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ
   以下の高周波電力を使用して形成し、電荷発生層以外の
   層を２０ＭＨｚ未満の高周波電力を用いて形成する請求
   項１に記載の電子写真感光体の形成方法。
7. 【請求項７】 電子写真感光体が機能分離型であって基
   体上の堆積層が少なくとも電荷発生層および電荷輸送層
   からなり、電荷輸送層を５０ＭＨｚ以上、４５０ＭＨｚ
   以下の高周波電力を使用して形成し、電荷輸送層以外の
   層を２０ＭＨｚ未満の高周波電力を用いて形成する請求
   項１に記載の電子写真感光体の形成方法。