JPH08211641A

JPH08211641A - 非晶質シリコン系感光体の形成方法

Info

Publication number: JPH08211641A
Application number: JP7020465A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Murayama; 仁村山; Kazuyoshi Akiyama; 和敬秋山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-02-08
Filing date: 1995-02-08
Publication date: 1996-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】電気的特性及び画像特性を向上させ、特に光
メモリーを軽微とする。【構成】反応容器100内の成膜空間111内に少なくとも
原料ガスと高周波電力を導入し、前記成膜空間内にグロ
ー放電を生起することにより、前記成膜空間に側面の一
部が接するように配置された基体101上に堆積膜を形成
するプラズマＣＶＤ法による非晶質シリコン系感光体形
成方法において、少なくとも光導電層形成時に前記基体
近接部のプラズマ密度が前記成膜空間から成膜空間外部
へ向かって減少する領域を有し、かつ前記基体近接部の
プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎとの比
Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘが、１０^-4≦Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ≦
１０ ^-2である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマＣＶＤ法を用い
た非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）系感光体の
形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真用感光体を形成する光導電材料
としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流
（Ｉｄ）が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適
合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早く、
所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対
して無害であること、等の特性が要求される。特に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み
込まれる電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用光受容部材としての応用が記
載されている。

【０００４】このような電子写真用感光体は、一般的に
は、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該支持
体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成す
る。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを
直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によっ
て分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が
好適なものとして実用に付されている。

【０００５】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。

【０００６】また、特開昭５７−１１５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が
記載されている。更に、特開昭６０−６７９５１号公報
には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含
有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光
体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６
１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子
と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非
晶質材料を用いる技術が記載されている。

【０００７】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【０００８】また、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は非晶質半導体の形成に適したマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法及びその装置が記載されている。特開昭６３−１４
９３８１号公報には、複数の円筒状基体を同心円上に設
置し、円筒状基体に囲まれた放電空間にマイクロ波電力
を投入することにより、基体上に非晶質膜を形成する技
術が記載されている。

【０００９】これらの技術により、電子写真用ａ−Ｓｉ
系感光体の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境
特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１０】このようなａ−Ｓｉ系感光体の製造装置及
び製造方法は概略以下のようなものである。図６は電源
としてＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法
（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真
用光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図で
ある。図６に示す製造装置の構成は以下の通りである。

【００１１】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には
円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒーター２１１
３、原料ガス導入管２１１４が設置され、更に高周波マ
ッチングボックス２１１５が接続されている。

【００１２】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、
ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６および
マスフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成
され、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反
応容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。

【００１３】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【００１４】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター２１１３により円筒状支持体２１１
２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御す
る。

【００１５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、又、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１
１６を排気する。

【００１６】次に真空計２１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【００１７】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。

【００１８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体２１
１２が所定の温度になったところで流出バルブ２２５１
〜２２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ２２６
０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所
定のガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１
１内に導入する。次にマスフローコントローラー２２１
１〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、反応容器２１１１内の圧力が１
Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計２１１９
を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。内
圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ
電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチ
ングボックス２１１５を通じて反応容器２１１１内にＲ
Ｆ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エ
ネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分
解され、円筒状支持体２１１２上に所定のシリコンを主
成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜
厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バ
ルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の
形成を終える。

【００１９】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【００２０】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【００２１】膜形成の均一化を図るために、層形成を行
なっている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図示）
によって所定の速度で回転させることも有効である。

【００２２】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【００２３】一方、複数の感光体を同時に形成でき、生
産性の極めて高い図７、図８に示した堆積膜形成装置の
開発も積極的に進められている。

【００２４】図７は堆積膜形成装置の概略断面図、図８
は図７の切断線Ｂ−Ｂに沿う概略横断面図である。円筒
状の反応容器３０１の側面には排気管３０４が一体的に
形成され、排気管３０４の他端は不図示の排気装置に接
続されている。反応容器３０１の上面と下面にはそれぞ
れ導波管３０３が取り付けられ、各導波管３０３の他端
は不図示のマイクロ波電源に接続されている。各導波管
３０３の反応容器３０１側の端部にはそれぞれ誘電体窓
３０２が気密封止されている。

【００２５】反応容器３０１の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される円筒状基体３０５が互いに平行
になるように配置されている。各円筒状基体３０５は回
転軸３０８によって保持され、発熱体３０７によって加
熱されるようになっている。モータ３０９を駆動する
と、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転し、円
筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを自転す
るようになっている。

【００２６】反応容器３０１内の円筒状基体３０５と各
誘電体窓３０２で囲まれた空間があり、この空間、即ち
成膜空間３０６のほぼ中央部に円筒状基体３０５と平行
になるようにバイアス電極３５２が設けられている。バ
イアス電極３５２はケーブル３１３によってバイアス電
源３１２に接続されている。また、隣接する２個の円筒
状基体３０５の間の隙間には、それぞれ原料ガス導入管
３５１が設けられている。原料ガス導入管３５１は原料
ガスを成膜空間３０６に導入するようになっている。

【００２７】この装置を用いて電子写真用感光体を作製
するときは、まず、反応容器３０１内を１０^-7Ｔｏｒｒ
以下まで排気し、ついで、発熱体３０７により円筒状基
体３０５を所望の温度に加熱保持する。

【００２８】そして、原料ガス導入管３５１を介して、
原料ガスを反応容器３０１内に導入する。これと同時並
行的に周波数５００ＭＨｚ以上の好ましくは２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導波管３０３、誘電体窓３０２を経
て反応容器３０１内に入射させる。その結果、成膜空間
３０６においてグロー放電が生起し、原料ガスは励起解
離して円筒状基体３０５上に堆積膜が形成される。

【００２９】このとき、モータ３０９を回転させること
により、円筒状基体３０５の全周にわたって堆積膜を形
成することができる。

【００３０】図９はマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の他
の一例を示した図である。図において、５０１は反応容
器、５０２はマイクロ波導入用誘電体窓、５０３は導波
管、５０４は排気管、５０５は基体、５０６は成膜空
間、５０７はヒーター、５０８は原料ガス導入手段、５
０８′は原料ガス放出孔、５０９は回転軸、５１０は駆
動用モーターである。この装置を用いて、図７、８に示
した装置と同様にしてａ−Ｓｉ系感光体を作製すること
ができる。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の装置及び方
法により、良好なａ−Ｓｉ系感光体が形成されるが、現
在の市場での高度な要求に対応していくため、更なる技
術の向上が必要となっている。その１つとして、光メモ
リーと呼ばれる電子写真画像上の残像現象の低減が挙げ
られる。

【００３２】光メモリーは前回のコピー時に形成された
潜像が、次回のコピー時までに完全に消去されず、次回
のコピー画像上にかすかに前回のコピー画像が形成され
てしまうものであり、このメカニズムの概略は以下のよ
うなものであると考えられている。

【００３３】ａ−Ｓｉ系感光体は多くのダングリングボ
ンド（未結合手）を有しており、これが局在準位となっ
て光キャリアの一部を捕捉してその走行性を低下させ、
あるいは光生成キャリアの再結合確率を低下させる。従
って、電子写真装置の画像形成プロセスにおいて、露光
によって生成されたキャリアの一部は、次工程の帯電時
に感光体に電界がかかると同時に局在準位から解放さ
れ、露光部と非露光部で感光体表面電位に差が生じて、
これが光メモリーとなって現れる。

【００３４】この光メモリーを低減させるための手段と
して主除電工程における均一露光の光量を増すことが考
えられるが、この場合、露光量の増加に伴って帯電能が
著しく低下してしまう。これは特に、高速電子写真装置
において深刻な問題であり、実際には光メモリーが充分
に軽減されるまでの光量は照射できないのが実状であ
る。

【００３５】また、近年急速に市場の要望が高まってい
るカラー電子写真装置における高画質化、高速化に対し
ても高速化という点ではａ−Ｓｉ系感光体は充分な魅力
を有しているにも拘らず、上記のような光メモリーが存
在するために、未だ搭載されるには至っていない。カラ
ー電子写真装置の場合は特に光メモリーが存在するとコ
ピー画像上においてそれが色の変化として現れてしまう
ため、画質を著しく低下させてしまう。

【００３６】以上の様に、電子写真用ａ−Ｓｉ系感光体
の形成方法において光メモリー軽減可能な形成方法を提
供することは非常に強く要望されており、これを達成す
ることにより電子写真用ａ−Ｓｉ系感光体の使用可能範
囲が広がり、現在の高画質化、高速化といった市場の要
求に充分に応じることができるものと期待が寄せられて
いる。

【００３７】一方、電子写真装置の低価格化に対する市
場の要求はいうまでもなく、この要求に応えていくため
には、上記光メモリー軽減をコストの上昇を伴うことな
く実ｂ現することが可能なａ−Ｓｉ系感光体形成方法の
確立が必要とされている。

【００３８】（発明の目的）本発明は上記問題点の解決
を目的とするものである。即ち、本発明は帯電能の低下
をもたらすことなく光メモリーの低減が可能なａ−Ｓｉ
系感光体の形成方法を提供することを第１の目的とする
ものである。

【００３９】更に、本発明は上記第１の目的を製造コス
トの増加をもたらすことなく達成しうるａ−Ｓｉ系感光
体形成方法を提供することをも目的とするものである。

【００４０】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成すべく鋭意検討を行った結果、プラズマＣＶＤ法を用
いたａ−Ｓｉ系感光体の形成方法において、少なくとも
光導電層形成時に基体近接部のプラズマ密度分布を適正
に制御しながらａ−Ｓｉ系感光体の形成を行なうことで
上記目的の達成が可能であるとの知見を得、本発明を完
成させるに至った。

【００４１】即ち、本発明は反応容器内の成膜空間内に
少なくとも原料ガスと高周波電力を導入し、前記成膜空
間内にグロー放電を生起することにより、前記成膜空間
に側面の一部が接するように配置された基体上に堆積膜
を形成するプラズマＣＶＤ法による非晶質シリコン系感
光体形成方法において、少なくとも光導電層形成時に前
記基体近接部のプラズマ密度が前記成膜空間から成膜空
間外部へ向かって減少する領域を有し、かつ前記基体近
接部のプラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎ
との比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘが１０^-4≦Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ≦１０^-2 であることを特徴とする。

【００４２】なお、本発明は堆積膜を形成する基体の形
状は特に限定されないが、電子写真用光受容部材の製造
に好適に用いられ、本発明によれば、光メモリーの極め
て少ない良好な電子写真用ａ−Ｓｉ系感光体をコストの
増加を伴うことなく形成することができる。

【００４３】本発明においてこのような効果が得られる
原因については未だ明らかではないが、概略次のような
メカニズムによるのではないかと推察される。反応容器
内に成膜空間を取り囲むように複数の円筒状基体を配置
し、複数の感光体を同時に形成する形成方法において
は、成膜時に基体表面が成膜空間にさらされている領域
とさらされていない領域とが存在することになる。ａ−
Ｓｉ膜形成においては膜堆積後、数秒から数十秒の構造
緩和時間をおくことにより、膜表面近傍の欠陥が減少す
ることが一般に知られているが、本構成においては成膜
空間にさらされていない領域でこの構造緩和が為され、
欠陥密度の減少を達成し得るものと考えられる。本発明
においては成膜空間にさらされていない領域において、
適度な密度のプラズマに接しさせ、基体表面に適度なエ
ネルギーを付与することによりａ−Ｓｉ膜表面近傍の構
造緩和が著しく促進され、欠陥の抑制が為されるものと
考えられる。また、このプラズマにより生成された水素
ラジカルによる堆積膜表面の過剰水素の引き抜き反応も
欠陥抑制に寄与しているものと考えられる。このような
効果により欠陥の抑制が顕著に為されるプラズマ密度と
して（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-4程度以上、よ
り好ましくは（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-3程度
以上が要求されるものと推察される。

【００４４】一方、成膜空間外部のプラズマ密度が高す
ぎると、成膜空間外部でも膜形成が為され、上述した構
造緩和時間を得ることができず、欠陥の抑制が充分に為
されないものと考えられる。このため、欠陥抑制の効果
を得ることができる成膜空間外プラズマのプラズマ密度
には上限が存在し、その上限が（成膜空間のプラズマ密
度）×１０^-2であるものと考えられる。

【００４５】厳密にいえば成膜空間外プラズマのプラズ
マ密度が（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-2以下であ
っても成膜空間外で若干の膜堆積は為される。この膜堆
積は（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-1以上のときと
同じ様に欠陥抑制には不利な方向に働くものと考えられ
るが、このプラズマ密度範囲においては、この作用以上
に上述した欠陥抑制効果の方が大きいものと考えられ
る。

【００４６】逆に、成膜空間外プラズマのプラズマ密度
が（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-2を超える場合で
あっても上述した基体表面へのエネルギーの付与、水素
ラジカルの生成は当然為されるが、膜堆積により充分な
構造緩和時間が得られないために、この効果が顕著に現
れないものと考えられる。

【００４７】このような成膜空間外でのプラズマによる
膜質改善は、例えば成膜空間外に新たな電力供給源を設
け、これにより成膜空間外にプラズマを生起する方法も
考えられる。しかし、この場合複数の電源が必須とな
り、本発明と比べ生産設備投資額が増大してしまう。ま
た、装置が複雑化するため、セッティングに時間を要し
てしまう、成膜中のダスト発生量が増加してしまう等の
生産に向けて解決しなければならない課題が残される。

【００４８】このように、極めて重要な役割を果たす成
膜空間外プラズマのプラズマ密度は、ガス流量、ガス組
成、投入電力パワー、投入電力周波数、円筒状基体間距
離、圧力、装置形状等に大きく依存するため、各装置に
おいて成膜空間プラズマ及び成膜空間外プラズマのプラ
ズマ密度を実測し、成膜空間外プラズマのプラズマ密度
を（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-4以上、（成膜空
間のプラズマ密度）×１０^-2以下となるよう各条件を調
整する必要がある。プラズマ密度の測定は静電プローブ
法により行なうことができる。静電プローブ法により円
筒状基体の周方向全体にわたって円筒状基体近接部のプ
ラズマ密度測定を行なうが、この際誤って円筒状基体表
面に接して形成されているシース領域の測定を行なわな
いよう注意する必要がある。プラズマ密度測定はこのよ
うにシース領域を避けて行なう必要があるため、プラズ
マの円筒状基体最近接部を測定することは非常に困難で
あり、従って実際の測定に際しては最近接部から数ｍｍ
程度離れた位置のプラズマ密度を測定することとなる。
このため、実際に測定された値にはある程度（通常０．
５〜２倍程度）の誤差範囲があることを考慮すべきであ
る。

【００４９】プラズマ密度の測定は成膜しながら同時に
行なっても良いが、プローブが成膜に悪影響を及ぼす可
能性もあることから、あらかじめプラズマ密度を測定
し、各条件の適正値を確認した上で成膜を行なうことが
好ましい。

【００５０】このような本発明において用い得る、グロ
ー放電生起用高周波電力の周波数としては１３．５６Ｍ
Ｈｚ以上２．４５ＧＨｚ以下であればよいが、特に６０
ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下のＶＨＦ帯の周波数を用い
た場合、本発明の効果を顕著に得ることができる。

【００５１】本発明を用いた光メモリーの低減された電
子写真用ａ−Ｓｉ系感光体の形成は、ガス流量、ガス組
成、投入電力パワー、投入電力周波数、円筒状基体間距
離、圧力、装置形状等の調整により、少なくとも光導電
層形成時において成膜空間外プラズマのプラズマ密度が
（成膜空間のプラズマ密度）×１０^-4以上、（成膜空間
のプラズマ密度）×１０^-2以下となるような条件によ
り、従来通りの手順により行なうことができる。

【００５２】本発明を用いて作製しうるａ−Ｓｉ系感光
体の層構成は例えば以下のようなものである。

【００５３】図１０（ａ）〜（ｄ）は、層構成を説明す
るための模式的構成図である。

【００５４】図１０（ａ）に示す電子写真用感光体６０
０は、支持体６０１の上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光
導電性を有する光導電層６０２が設けられている。

【００５５】図１０（ｂ）に示す電子写真用感光体６０
０は、支持体６０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり
光導電性を有する光導電層６０２と、アモルファスシリ
コン系表面層６０３とから構成されている。

【００５６】図１０（ｃ）に示す電子写真用感光体６０
０は、支持体６０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり
光導電性を有する光導電層６０２と、アモルファスシリ
コン系表面層６０３と、アモルファスシリコン系電荷注
入阻止層６０４とから構成されている。

【００５７】図１０（ｄ）に示す電子写真用感光体６０
０は、支持体６０１の上に、光導電層６０２が設けられ
ている。該光導電層６０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる
電荷発生層６０５ならびに電荷輸送層６０６とからな
り、その上にアモルファスシリコン系表面層６０３が設
けられている。

【００５８】（支持体）感光体の支持体としては、導電
性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体として
は、Ａｌ、Ｃｌ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合
金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なく
とも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。

【００５９】支持体６０１の形状は平滑表面あるいは凹
凸表面の円筒状または板状無端ベルト状であることがで
き、その厚さは、所望通りの電子写真用感光体６００を
形成し得るように適宜決定するが、電子写真用感光体６
００としての可撓性が要求される場合には、支持体６０
１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、支持体６０１は製
造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１
０μｍ以上とされる。

【００６０】（光導電層）光導電層６０２は支持体６０
１上に、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータ
ーの数値条件が設定されて作成される。光導電層６０２
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供
給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体６０１上にａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成させる。

【００６１】また、光導電層６０２中に水素原子または
／及びハロゲン原子が含有されるが、これはシリコン原
子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性お
よび電荷保持特性を向上させるために求められるからで
ある。よって水素原子またはハロゲン原子の含有量、ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と
水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して１０〜
４０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされる
のが望ましい。

【００６２】Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時
の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。

【００６３】そして、形成される光導電層６０２中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるように図り、良好な膜特性を得るた
めに、これらのガスに更にＨ₂および／またはＨｅある
いは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して
層形成することも効果的である。また、各ガスは単独種
のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えな
いものである。

【００６４】またハロゲン原子供給用の原料ガスとして
有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハ
ロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲ
ン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコ
ン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまた
はガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物
も有効なものとして挙げることができる。好適に使用し
得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ
₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₅、ＩＦ₃、ＩＦ ₇等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が
好ましいものとして挙げることができる。

【００６５】光導電層６０２中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体６０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。但し、この
際原料物質の導入量、放電電力等によりＮｍｉｎ／Ｎｍ
ａｘも変化するので、Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘが本発明の範
囲となるように各値を制御する必要がある。

【００６６】光導電層６０２には必要に応じて伝導性を
制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制
御する原子は、光導電層６０２中に万遍なく均一に分布
した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には
不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。

【００６７】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第III ｂ族に属する原子
（以後「第III ｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００６８】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００６９】光導電層６０２に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１
×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０ ³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１０³原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

【００７０】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層６０２を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。

【００７１】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ
₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ
₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢ
ｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【００７２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ
₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、
ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ
₃、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、Ｂ
ｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【００７３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【００７４】さらに光導電層６０３に炭素原子及び／ま
たは酸素原子及び／または窒素原子を含有させることも
有効である。炭素原子及び／または酸素原子／及びまた
は窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原
子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０^-5〜１
０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜８原子％、最適
には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。炭素原子及び／
または酸素原子及び／または窒素原子は、光導電層中に
万遍なく均一に含有されても良いし、光導電層の層厚方
向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部
分があっても良い。

【００７５】光導電層６０２の層厚は所望の電子写真特
性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望に
したがって決定され、好ましくは１〜１００μｍ、より
好ましくは２０〜５０μｍ、最適には２３〜４５μｍと
されるのが望ましい。

【００７６】所望の膜特性を有する光導電層６０２を形
成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適
宜設定することが求められる。但し、この際前述したよ
うにＮｍｉｎ／Ｎｍａｘが本発明の範囲となるように設
定する必要がある。

【００７７】希釈ガスとして使用するＨ₂および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択される。反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０
^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００７８】光導電層を形成するための支持体温度、ガ
ス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられ
るが、条件は通常は独立的に別々に決められるものでは
なく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互
的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ま
しい。

【００７９】（表面層）上述のようにして支持体６０１
上に形成された光導電層６０２の上に、更にアモルファ
スシリコン系の表面層６０３を形成することが好まし
い。この表面層６０３は主に耐湿性、連続繰り返し使用
特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性向上を主た
る目的として設けられる。

【００８０】表面層６０３は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【００８１】表面層６０３は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。

【００８２】例えば、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘよりなる表面
層６０３を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子
（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、
内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入
して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじ
め所定の位置に設置された光導電層６０２を形成した支
持体６０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成す
ればよい。

【００８３】表面層の材質としてはシリコンを含有する
アモルファス材料ならば何れでも良いが、炭素、窒素、
酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原
子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分とし
たものが好ましい。

【００８４】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。

【００８５】また、表面層６０３中に水素原子または／
及びハロゲン原子が含有されるが、これはシリコン原子
の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性
および電荷保持特性を向上させるために重要だからであ
る。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合
３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適に
は４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素原
子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原子
％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜４
原子％とされるのが望ましい。

【００８６】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状
態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓ
ｉ ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００８７】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。

【００８８】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、Ｃ
Ｏ、ＣＯ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化し得る
化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。ま
た、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じ
てＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
してもよい。

【００８９】また、形成される表面層６０３中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるよ
うに図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。

【００９０】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於いて好
適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗
素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物
を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合
物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、具体的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等
の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。

【００９１】表面層６０３中に含有される水素原子また
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体６０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００９２】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。

【００９３】さらに表面層６０３には必要に応じて伝導
性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性
を制御する原子は、表面層６０３中に万遍なく均一に分
布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向に
は不均一な分布状態で含有している部分があってもよ
い。

【００９４】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導性特性を与える周期律表第III ｂ族に属す
る原子（以後「第III ｂ族原子」と略記する）またはｎ
型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以
後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができ
る。

【００９５】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００９６】表面層６０３に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×
１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１
０²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、
たとえば、第III ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III ｂ族原子導入
用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質を
ガス状態で反応容器中に、表面層６０３を形成するため
の他のガスとともに導入してやればよい。第III ｂ族原
子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料
物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。そのような第III ｂ族原子
導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用と
しては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ
₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、
ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）
₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【００９７】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、Ｐ
Ｃｌ ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、Ａｓ
Ｆ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、
ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ
₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【００９８】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【００９９】表面層６０３の層厚としては、通常０．０
１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．
１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚が
０．０１μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に摩耗等
の理由により表面層が失われてしまい、３μｍを越える
と残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる。

【０１００】表面層６０４は、その要求される特性が所
望通りに与えられるように注意深く形成される。即ち、
Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、Ｈ及び／また
はＸを構成要素とする物質はその形成条件によって構造
的には結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物
性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質
を、又、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所
望の特性を有する化合物が形成される様に、所望に従っ
てその形成条件の選択が厳密になされる。

【０１０１】例えば、表面層６０３を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性
的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【０１０２】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層６０３が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、
照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶
材料として形成される。

【０１０３】目的を達成し得る特性を有する表面層６０
３を形成するには、支持体６０１の温度、反応容器内の
ガス圧を所望にしたがって、適宜設定する。

【０１０４】支持体６０１の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。

【０１０５】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。

【０１０６】表面層を形成するための支持体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【０１０７】また表面層６０３と光導電層６０２との間
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層６０２に向かって連続的に減少する
領域を設けても良い。これにより表面層と光導電層の密
着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響を
より少なくすることができると同時に、界面でのキャリ
アのトラップを防止し、感光体特性向上を達し得る。

【０１０８】（電荷注入阻止層）必要に応じて導電性支
持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の
注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けてもよ
い。すなわち、電荷注入阻止層は感光体が一定極性の帯
電処理をその表面に受けた際、支持体側より光導電層側
に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性
の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されな
い、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能
を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御す
る原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。

【０１０９】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。

【０１１０】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも望ましい。

【０１１１】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第III ｂ族に属する原子（以後「第III ｂ族原子」と略
記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族
に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用
いることができる。

【０１１２】第III ｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。

【０１１３】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、所望にしたがって適宜決
定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、
より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１
×１０²〜１×１０³原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。

【０１１４】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。

【０１１５】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも望ましい。

【０１１６】電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭
素原子及び／または窒素原子および／または酸素原子の
含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適
宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以上
の場合はその総和として、好ましくは１×１０^-3〜５０
原子％、より好適には５×１０^-3〜３０原子％、最適に
は１×１０^-2〜１０原子％とされるのが望ましい。

【０１１７】また、電荷注入阻止層に含有される水素原
子および／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合
手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層
中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハ
ロゲン原子の和の含有量は、好適には１〜５０原子％、
より好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子
％とするのが望ましい。

【０１１８】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましく
は０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最
適には０．５〜３μｍとされるのが望ましい。

【０１１９】電荷注入阻止層を形成するには、前述の光
導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用され
る。光導電層６０２と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならび
に支持体６０１の温度を適宜設定することが求められ
る。

【０１２０】希釈ガスであるＨ₂および／またはＨｅの
流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および／またはＨｅを、
通常の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適に
は５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１２１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【０１２２】電荷注入阻止層を形成するための希釈ガス
の混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望ましい数
値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層
作成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互
的且つ有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最
適値を決めるのが望ましい。

【０１２３】支持体６０１と光導電層６０２あるいは電
荷注入阻止層６０４との間の密着性の一層の向上を図る
目的で、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ある
いはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハ
ロゲン原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／ま
たは窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層
を設けても良い。更に、支持体からの反射光による干渉
模様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。

【０１２４】以下、実験例により本発明の構成、効果を
説明する。（実験例１）図１に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ装置により、
本発明の効果を確認する実験を行なった。図において１
００は反応容器、１０１は円筒状基体、１０２はＶＨＦ
電極、１０３は原料ガス供給手段、１０４はヒーター、
１０５は排気配管、１０６はＶＨＦマッチングボック
ス、１０７はＶＨＦ電源、１０８は基体回転軸、１０９
はモーター、１１０は減速ギア、１１１は成膜空間、１
１２はＶＨＦ伝送経路である。

【０１２５】反応容器１００の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される８本の円筒状基体１０１が互い
に平行になるように配置されている。各円筒状基体１０
１は回転軸１０８によって保持され、ヒーター１０４に
よって加熱されるようになっている。モータ１０９を駆
動すると、減速ギア１１０を介して回転軸１０８が回転
し、円筒状基体１０１がその母線方向中心軸のまわりを
自転するようになっている。

【０１２６】反応容器１００内の円筒状基体１０１によ
り囲まれた空間、即ち成膜空間１１１の中央部付近に円
筒状基体１０１と平行になるようにＶＨＦ電極１０２が
設けられている。ＶＨＦ電極１０２は同軸形状伝送経路
１１２によってＶＨＦマッチングボックス１０６に接続
され、更にＶＨＦ電源へと接続されている。また、成膜
空間中央部付近には原料ガス導入手段１０３がＶＨＦ電
極１０２と平行にまた、接することのないように配置さ
れている。複数の円筒状基体は同心円上に配置される
が、その同心円半径は必要に応じてさまざまに変化させ
ることができる。

【０１２７】この装置を用いて電子写真用感光体を作製
するときは、まず、反応容器１００内を１０^-7以下まで
排気し、ついで、ヒーター１０４により円筒状基体１０
１を所望の温度に加熱保持する。

【０１２８】そして、原料ガス導入手段１０３を介し
て、原料ガスを成膜空間１１１内に導入する。これと同
時並行的にＶＨＦ電源１０７よりＶＨＦ電力をＶＨＦマ
ッチングボックス１０６を介してＶＨＦ電極１０２へ供
給する。その結果、成膜空間１１１においてグロー放電
が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状基体１０１上
に堆積膜が形成される。

【０１２９】このとき、モータ１０９を回転させること
により、円筒状基体１０１の全周にわたって堆積膜を形
成することができる。

【０１３０】このような装置、手順により以下の実験を
行なった。表１に示す条件で円筒状基体間隙（＝円筒状
基体間距離−円筒状基体直径）を変化させて、膜形成及
びプラズマ密度測定を行ない、円筒状基体近接部の周方
向におけるプラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍ
ｉｎの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘと膜特性の関係を調べた。
膜形成は直径８０ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置
したガラス基板（コーニング社７０５９）上に行な
い、膜上にＡｌの櫛型電極を蒸着し、ＣＰＭ法（Ｃｏｎ
ｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏ
ｄ）により価電子帯端上０．４５〜０．９５ｅＶにおけ
る局在準位密度（ＤＯＳ）を測定することで膜特性の評
価を行なった。また、プラズマ密度は静電プローブ法に
より行なった。基体間隙を変化させた際の圧力調整は排
気コンダクタンスを調整することにより行なった。ＶＨ
Ｆ電力の周波数は１０５ＭＨｚとした。

【０１３１】

【表１】次に、このようなＮｍｉｎ／Ｎｍａｘと膜特性の関係が
成膜空間内の反応状況の変化により生じているものでは
ないことを確認するため、円筒状基体の成膜空間外に面
した部分に図２に示したような遮蔽板を設置し、成膜空
間外ではプラズマに接しない様にして同様な実験を行な
った。円筒状基体と遮蔽板との距離は２ｍｍとし、円筒
状基体の中心角１２０°の範囲を遮蔽した。図中７００
は反応容器、７０１は円筒状基体、７０２はＶＨＦ電
極、７０３は原料ガス供給手段、７０４は遮蔽板、７０
５は排気配管、７０６はＶＨＦマッチングボックス、７
０７はＶＨＦ電源、７０８は成膜空間である。

【０１３２】実験結果を図３に示す。この結果より、プ
ラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎの比Ｎｍ
ｉｎ／Ｎｍａｘが１０^-4≦Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ≦１０^-2
であるとき、良好な膜特性が得られ、特に１０^-3≦Ｎｍ
ｉｎ／Ｎｍａｘ≦１０^-2で極めて良好な膜特性が得られ
ることが確認された。（実験例２）実験例１と同様な実験をプラズマ生起に用
いる電力の周波数を変化させてＮｍｉｎ／Ｎｍａｘと膜
特性の関係を調べた。周波数に応じて放電生起可能な圧
力が異なるため、各周波数ごとに表２に示す圧力で実験
を行なった。その他の条件は実験例１と同じである。各
周波数ごとにＤＯＳの最大値で規格化した実験結果を図
４に示す。

【０１３３】この結果より、１３．５６ＭＨｚ〜２．４
５ＧＨｚの周波数範囲において、Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを
１０^-4≦Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ≦１０^-2とすることで膜特
性の改善効果が得られ、特に６０〜４５０ＭＨｚのＶＨ
Ｆ帯でその効果が顕著に現れることが確認された。

【０１３４】

【表２】

【０１３５】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらによりなんら制限されるもので
はない。なお、感光体が光導電層以外の表面層、電荷注
入阻止層等を有する場合、光導電層のみを本発明に係わ
るプラズマ密度範囲等で形成することで特性の改善効果
が得られることは勿論である。（実施例１）図１に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子
写真用感光体の製造装置を用い、直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表３に
示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる
感光体を作製した。ＶＨＦ電源１０７の発振周波数は１
０５ＭＨｚとした。また、シリンダー間隙は２０ｍｍと
した。この条件で円筒状シリンダー中心軸における中心
角２０°ごとに、シリンダー全周にわたって表面近接プ
ラズマのプラズマ密度を静電プローブ法により測定し、
プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎの比Ｎ
ｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、阻止層はＮｍｉｎ／Ｎ
ｍａｘ＝２×１０^-2、光導電層はＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝
５×１０^-3、表面層はＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝３×１０^-3
であった。

【０１３６】このような条件で作製されたａ−Ｓｉ感光
体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−
９３３０に設置し、感光体の特性の評価を行なった。評
価項目は「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「総
合画像特性」の４項目とし、以下の具体的評価法により
各項目の評価を行なった。

【０１３７】帯電能…複写機の主帯電器に一定の電流を
流したときの現像器位置での暗部電位を測定する。した
がって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であること
を示す。

【０１３８】感度…現像器位置での暗部電位が一定値
となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度
０．０１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部
電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した際の像
露光光量により評価する。したがって、像露光光量が少
ないほど感度が良好であることを示す。

【０１３９】光メモリー…現像器位置における暗部電位
が所定の値となるよう主帯電器の電流値を調整した後、
所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となる
よう像露光光量を調整する。この状態でキヤノン製ゴー
ストテストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に
反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼りつけたものを
原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重
ねておいた際のコピー画像において、中間調コピー上に
認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射
濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定することによ
り行なった。

【０１４０】総合画像特性…画像流れ、ドラム上球状突
起に起因する画像欠陥等を含め、コピー画像を総合的に
判断した。

【０１４１】評価結果を表４に示す。いずれの項目にお
いても良好な結果が得られ、本発明により特性の優れ
た、特に光メモリーが極めて軽微なａ−Ｓｉ系感光体が
作製されることが確認された。（比較例１）各々のシリンダー間隙を３ｍｍとし、排気
コンダクタンスを調整して圧力を実施例１と一致させる
以外は実施例１と同様にして、表３に示す条件でａ−Ｓ
ｉ感光体の作製を行なった。シリンダー中心軸における
中心角２０°ごとに、シリンダー全周にわたって表面近
接プラズマのプラズマ密度を静電プローブ法により測定
し、プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎの
比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、阻止層はＮｍｉｎ
／Ｎｍａｘ＝３×１０^-5、光導電層はＮｍｉｎ／Ｎｍａ
ｘ＝１×１０^-5、表面層はＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝８×１
０^-6であった。

【０１４２】作製された感光体を実施例１と同様にして
「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「総合画像特
性」の４項目の特性評価を行なった。評価結果を表４中
に示す。帯電能、感度、総合画像特性ともに実施例１と
比べ劣るものであり、特に光メモリーにおいては実施例
１と比べ顕著な差が認められた。

【０１４３】実施例１、比較例１の結果から、本発明に
よりドラム特性の向上が達成され、特に光メモリーにお
いては顕著な改善効果が得られることが確認された。

【０１４４】

【表３】

【０１４５】

【表４】（実施例２）図７に示す電子写真用感光体の製造装置を
用い、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミ
ニウムシリンダー上に、表５に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。プラ
ズマ生起用電力は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い
た。また、シリンダー間隙は８ｍｍとした。この条件で
円筒状シリンダー表面近接プラズマのプラズマ密度を実
施例１と同様にして測定し、プラズマ密度の最大値Ｎｍ
ａｘと最小値Ｎｍｉｎの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた
結果、阻止層はＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝４×１０^-4、光導
電層はＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝２×１０^-4、表面層はＮｍ
ｉｎ／Ｎｍａｘ＝３×１０^-4であった。

【０１４６】このような条件で作製されたａ−Ｓｉ感光
体を実施例１と同様に「帯電能」、「感度」、「光メモ
リー」、「総合画像特性」の４項目について本テスト用
に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６０６０に設置
し、感光体の特性の評価を行なった。表６中に評価結果
を示す。

【０１４７】いずれの項目においても良好な結果が得ら
れ、本発明により特性の優れた、特に光メモリーが軽微
なａ−Ｓｉ系感光体が作製されることが確認された。（比較例２）各々のシリンダー間隙を４ｍｍとし、排気
コンダクタンスを調整して圧力を実施例２と一致させる
以外は実施例２と同様にして、表５に示す条件でａ−Ｓ
ｉ感光体の作製を行なった。この条件で円筒状シリンダ
ー表面近接プラズマのプラズマ密度を実施例２と同様に
して測定し、プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎ
ｍｉｎの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、阻止層は
Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝４×１０^-5、光導電層はＮｍｉｎ
／Ｎｍａｘ＝２×１０^-5、表面層は３×１０^-5であっ
た。

【０１４８】作製された感光体を実施例２と同様にして
「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「総合画像特
性」の４項目の特性評価を行なった。評価結果を表６中
に示す。帯電能、感度、総合画像特性とともに実施例２
と比べ劣るものであり、特に光メモリーにおいては実施
例２と比べ大きな差が認められた。

【０１４９】実施例２、比較例２の結果から、本発明に
よりドラム特性の向上が達成され、特に光メモリーにお
いては大きな改善効果が得られることが確認された。

【０１５０】

【表５】

【０１５１】

【表６】（実施例３）図１に示す電子写真用感光体の製造装置に
おいて、プラズマ生起用電源１０７をＶＨＦ電源から周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源に置き換え、更に、マ
ッチングボックス１０６をＲＦ用のものに変更して、直
径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシ
リンダー上に、表７に示す条件で電荷注入阻止層、光導
電層、表面層からなる感光体を作製した。シリンダー間
隙は１８ｍｍとした。この条件で円筒状シリンダー表面
近接プラズマのプラズマ密度を実施例１と同様にして測
定し、プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎ
の比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、阻止層はＮｍｉ
ｎ／Ｎｍａｘ＝３×１０^-3、光導電層はＮｍｉｎ／Ｎｍ
ａｘ＝１×１０^-3、表面層は６×１０^-4であった。

【０１５２】このような条件で作製されたａ−Ｓｉ感光
体を実施例１と同様に「帯電能」、「感度」、「光メモ
リー」、「総合画像特性」の４項目について本テスト用
に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−９３３０に設置
し、感光体の特性の評価を行なった。表８中に評価結果
を示す。

【０１５３】いずれの項目においても良好な結果が得ら
れ、本発明により特性の優れた、特に光メモリーが非常
に軽微なａ−Ｓｉ系感光体が作製されることが確認され
た。（比較例３）各々のシリンダー間隙を９ｍｍとし、排気
コンダクタンスを調整して圧力を実施例３と一致させる
以外は実施例３と同様にして、表７に示す条件でａ−Ｓ
ｉ感光体の作製を行なった。この条件で円筒状シリンダ
ー表面近接プラズマのプラズマ密度を実施例３と同様に
して測定し、プラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎ
ｍｉｎの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、阻止層は
Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝１×１０^-4、光導電層はＮｍｉｎ
／Ｎｍａｘ＝５×１０^-5、表面層は３×１０^-5であっ
た。

【０１５４】作製された感光体を実施例３と同様にして
「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「総合画像特
性」の４項目の特性評価を行なった。評価結果を表８中
に示す。帯電能、感度、総合画像特性とともに実施例３
と比べ劣るものであり、特に光メモリーにおいては実施
例３と比べ顕著な差が認められた。

【０１５５】実施例３、比較例３の結果から、本発明に
よりドラム特性の向上が達成され、特に光メモリーにお
いては大きな改善効果が得られることが確認された。

【０１５６】

【表７】

【０１５７】

【表８】（実施例４）図５に示す電子写真用感光体の製造装置を
用いて、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミ
ニウムシリンダー上に、表９に示す条件で電荷輸送層、
電荷発生層、表面層からなる機能分離型感光体を作製し
た。図５において、１０００は反応容器、１００１は円
筒状基体、１００２はＶＨＦ電極、１００３は原料ガス
供給手段、１００４はヒーター、１００５は排気配管、
１００６はＶＨＦマッチングボックス、１００７はＶＨ
Ｆ電源、１００８は基体回転軸、１００９はモーター、
１０１０は減速ギア、１０１１は成膜空間である。４本
の原料ガス供給手段１００３は成膜空間周辺部に円筒状
基体１００１と並行に、また接することのない様に配置
され、各々のガス噴出口は成膜空間内部に向けられてい
る。

【０１５８】反応容器１０００の中心部を取り囲むよう
に、堆積膜の形成される８本の円筒状基体１００１が互
いに平行になるように配置されている。各円筒状基体１
００１は回転軸１００８によって保持され、ヒーター１
００４によって加熱されるようになっている。モータ１
００９を駆動すると、減速ギア１０１０を介して回転軸
１００８が回転し、円筒状基体１００１がその母線方向
中心軸のまわりを自転するようになっている。

【０１５９】反応容器１０００内の円筒状基体１００１
により囲まれた空間、即ち成膜空間１０１１の中央部付
近に円筒状基体１００１と平行になるようにＶＨＦ電極
１００２が設けられている。ＶＨＦ電極１００２は伝送
経路によってＶＨＦマッチングボックス１００６に接続
され、更にＶＨＦ電源へと接続されている。ＶＨＦ電源
の発振周波数は４５０ＭＨｚであり、またシリンダー間
隙は１０ｍｍとした。

【０１６０】この条件で円筒状シリンダー表面近接プラ
ズマのプラズマ密度を実施例１と同様にして測定し、プ
ラズマ密度の最大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎの比Ｎｍ
ｉｎ／Ｎｍａｘを調べた結果、電荷輸送層形成条件にお
いてＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝４×１０^-4〜８×１０^-4、電
荷発生層形成条件においてＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝８×１
０^-4、表面層は８×１０^-5であった。

【０１６１】このような条件で作製されたａ−Ｓｉ感光
体を実施例１と同様に「帯電能」、「感度」、「光メモ
リー」、「総合画像特性」の４項目について本テスト用
に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−９３３０に設置
し、感光体の特性の評価を行なった。表１０中に評価結
果を示す。

【０１６２】いずれの項目においても非常に良好な結果
が得られ、本発明により特性の優れた、特に光メモリー
が極めて軽微なａ−Ｓｉ系感光体が作製されることが確
認された。また、この感光体をキヤノン製の複写機ＮＰ
−９３３０に設置し、１００万枚の耐久試験を行なっ
た。その結果、耐久試験後も耐久試験前と特性はなんら
変わらず、極めて良好なコピー画像が得られた。（比較例４）各々のシリンダー間隙を５０ｍｍとし、排
気コンダクタンスを調整して圧力を実施例４と一致させ
る以外は実施例４と同様にして、表９に示す条件で機能
分離型ａ−Ｓｉ系感光体の作製を行なった。この条件で
円筒状シリンダー表面近接プラズマのプラズマ密度を実
施例３と同様にして測定し、プラズマ密度の最大値Ｎｍ
ａｘと最小値Ｎｍｉｎの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘを調べた
結果、電荷輸送層形成条件においてＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ
＝３×１０^-2〜５×１０^-2、電荷発生層形成条件におい
てＮｍｉｎ／Ｎｍａｘ＝５×１０^-2、表面層は８×１０
^-3であった。

【０１６３】作製された感光体を実施例４と同様にして
「帯電能」、「感度」、「光メモリー」、「総合画像特
性」の４項目の特性評価を行なった。評価結果を表１０
中に示す。帯電能、感度、総合画像特性ともに実施例４
と比べ劣るものであり、特に光メモリーにおいては実施
例４と比べ顕著な差が認められた。

【０１６４】実施例４、比較例４の結果から、本発明に
よりドラム特性の向上が達成され、特に光メモリーにお
いては大きな改善効果が得られることが確認された。

【０１６５】

【表９】

【０１６６】

【表１０】

【０１６７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、帯
電能、感度等の電気特性及び光メモリー、画像流れ、画
像欠陥等の画像特性共に良好なａ−Ｓｉ系感光体を作製
することができる。特に光メモリーは本発明により著し
く軽減でき、本発明を用いて作製されたａ−Ｓｉ系感光
体を搭載した電子写真装置のコピー画像の画像品質を大
幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体
製造装置の装置構成の一例を示した概略図である。

【図２】本発明の効果確認実験に用いた装置の概略図で
ある。

【図３】本発明の効果を示す実験結果をグラフ化したも
のである。

【図４】本発明の効果を示す実験結果をグラフ化したも
のである。

【図５】本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体
製造装置の装置構成の一例を示した概略図である。

【図６】従来のａ−Ｓｉ系感光体製造装置の装置構成の
一例を示した図である。

【図７】本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体
製造装置の装置構成の一例を示した概略図である。

【図８】本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体
製造装置の装置構成の一例を示した概略図である。

【図９】本発明に用いることができるａ−Ｓｉ系感光体
製造装置の装置構成の一例を示した概略図である。

【図１０】ａ−Ｓｉ系感光体の層構成の一例を示した図
である。

【符号の説明】

１００，７００，１０００反応容器１０１，７０１，１００１円筒状基体１０２，７０２，１００２ＶＨＦ電極１０３，７０３，１００３原料ガス導入手段１０４，１００４ヒーター１０５，７０５，１００５排気管１０６，７０６，１００６マッチングボックス１０７，７０７，１００７電源１０８，１００８基体回転軸１０９，１００９モーター１１０，１０１０減速ギア１１１，７１１，１０１１成膜空間１１２電力伝送経路７０４遮蔽板２１００堆積装置２１１１反応容器２１１２円筒状基体２１１３支持体加熱用ヒーター２１１４原料ガス導入管２１１５マッチングボックス２１１６原料ガス配管２１１７反応容器リークバルブ２１１８メイン排気バルブ２１１９真空計２２００原料ガス供給装置２２１１〜２２１６マスフローコントローラー２２２１〜２２２６原料ガスボンベ２２３１〜２２３６原料ガスボンベバルブ２２４１〜２２４６ガス流入バルブ２２５１〜２２５６ガス流出バルブ２２６１〜２２６６圧力調整器３０１，５０１反応容器３０２，５０２誘電体窓３０３，５０３導波管３０４，５０４排気管３０５，５０５円筒状基体３０６，５０６成膜空間３０７，５０７発熱体３０８，５０９回転軸３０９モータ３１０，５１０減速ギア３１２バイアス電源３１３ケーブル３５１，５０８原料ガス導入管３５２バイアス電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/205 31/08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器内の成膜空間内に少なくとも原
料ガスと高周波電力を導入し、前記成膜空間内にグロー
放電を生起することにより、前記成膜空間に側面の一部
が接するように配置された基体上に堆積膜を形成するプ
ラズマＣＶＤ法による非晶質シリコン系感光体形成方法
において、少なくとも光導電層形成時に前記基体近接部のプラズマ
密度が前記成膜空間から成膜空間外部へ向かって減少す
る領域を有し、かつ前記基体近接部のプラズマ密度の最
大値Ｎｍａｘと最小値Ｎｍｉｎとの比Ｎｍｉｎ／Ｎｍａ
ｘが１０^-4≦Ｎｍｉｎ／Ｎｍａｘ≦１０^-2 であることを特徴とする非晶質シリコン系感光体形成方
法。
【請求項２】請求項１記載の非晶質シリコン系感光体
製造方法において、前記基体は複数の円筒状基体であ
り、前記反応容器内の成膜空間を取り囲むように該複数
の円筒状基体を配置したことを特徴とする非晶質シリコ
ン系感光体形成方法。
【請求項３】請求項１記載の非晶質シリコン系感光体
製造方法において、高周波電力の周波数が１３．５６Ｍ
Ｈｚ〜２．４５ＧＨｚであることを特徴とする非晶質シ
リコン系感光体形成方法。