JP2002091041A

JP2002091041A - 電子写真用光受容部材および電子写真装置

Info

Publication number: JP2002091041A
Application number: JP2000285571A
Authority: JP
Inventors: Makoto Aoki; 誠青木; Nobufumi Tsuchida; 伸史土田; Satoshi Furushima; 聡古島; Hiroaki Niino; 博明新納
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-09-20
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2002-03-27

Abstract

(57)【要約】【課題】ａ−Ｓｉ系光受容層を有する電子写真用光受容
部材において、特にデジタル用露光光源を用いた際に十
分な帯電能および感度を実現し、残留電位および光メモ
リーを低減し、高いドット再現性を実現する。【解決手段】少なくとも、基体１０１と、ハロゲン原子
を含有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ，Ｘ）系の
光導電層１０３と、表面層１０４とが積層されてなる電
子写真用光受容部材において、ハロゲン原子の含有量
を、基体側から表面側に向けて減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光（ここでは広義の
光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線な
どを意味する）の様な電磁波に対して感受性のある光受
容部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる光受容部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点で
ある。

【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉとも表記する）、特
に水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈとも表記
する）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９号公報
には電子写真用光受容部材としての応用が記載されてい
る。

【０００４】このような光受容部材は、一般的には、導
電性基体を５０℃〜３５０℃に加熱し、この基体上に真
空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成
膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なか
でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを高周波あ
るいはマイクロ波グロー放電によって分解し、基体上に
ａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用
に付されている。

【０００５】また、特開平５−１３４４４１号公報に
は、電子写真用光受容部材の形成方法において、光導電
層の全層に炭素、水素、フッ素、酸素等を含有させ、光
導電層の堆積速度を基体側で速く、表面側で遅くするよ
うにし、フッ素原子等を膜厚方向に不均一に分布させる
ことで、画質を向上させる技術が開示されている。

【０００６】更に、特公平２−１３２９９号公報には、
電子写真用光導電部材において、その中央部で水素濃度
が極大に、ハロゲン濃度が極小になり、その端部におい
て水素濃度が極小になり、ハロゲン濃度が極大になるよ
うにし、使用環境の影響を受けず高画質な画像が得られ
る技術が開示されている。

【０００７】しかしながら、ハロゲン原子を含有するア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ，Ｘとも記載する）系の
光導電層に関する上記公報の内容を含む従来技術におい
て、ハロゲン原子含有量を基体側から表面側に向けて減
少させることや、その分布形状を指数関数的にすること
等は、詳細には検討されてこなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】いずれにせよ、以上で
述べた様な技術の進展により、電子写真用光受容部材の
電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【０００９】しかしながら、電子写真装置への高画質、
高速化、高耐久化の要求は急速に高まっており、電子写
真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更
なる向上とともに、帯電能、感度を維持しつつあらゆる
環境下で大幅に性能を延ばすことが求められている。

【００１０】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、帯電
能および感度の向上や、周囲温度の変化による電子写真
特性の変動あるいはゴーストに代表される光メモリーを
低減することがいっそう求められるようになってきた。

【００１１】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。

【００１２】一方、オフィスや一般家庭へのコンピュー
ターの普及が進み、電子写真装置も従来の複写機として
だけでなく、ファクシミリやプリンターの役目を担うた
めにデジタル化することが求められるようになってき
た。また、オフィス等におけるドキュメントの多様化、
高品位化が進む中でデジタル複写機の画質に対する要求
はますます高まってきている。

【００１３】ところで、デジタル露光光源として用いら
れる半導体レーザーやＬＥＤは、発光強度や価格の点か
ら赤色可視光領域から近赤外領域までの比較的長波長の
ものが主流である。そのため、従来のハロゲン光を用い
たアナログ機には見られなかった特性上の課題について
改善することが求められるようになった。即ち、ハロゲ
ン光に比べて光受容部材への光の侵入深さが大きく、光
が及ぼす影響が大きくなることにより、デジタル機に特
有の課題が浮上することとなった。特に、周囲の温度変
化による帯電能、感度(明部位での電位)等の電子写真特
性の変動や、ゴーストに代表される光メモリー、デジタ
ルに固有のドット再現性などが注目されるようになって
きた。

【００１４】また、電子写真装置が高速化するにつれ帯
電能への要求はますます高まっている。そこで、高い帯
電能を維持しつつ、感度やゴースト、ドット再現性な
ど、上記に挙げた電子写真諸特性を更に向上させ、高次
元で両立させなければならないという問題もあった。

【００１５】本発明は、ａ−Ｓｉで構成された光受容層
を有する電子写真用光受容部材における諸問題を解決す
ることを目的とするものである。

【００１６】すなわち、本発明の主たる目的は、特にデ
ジタル用露光光源を用いた際に充分な帯電能を確保する
とともに感度を向上し、特性の温度変化の低減およびメ
モリ光メモリーの低減、ドット再現性の向上を全て高次
元で両立して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン
原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を
有する光受容部材、及びそれを用いた電子写真装置を提
供することにある。

【００１７】特に、電気的、光学的、光導電的特性が使
用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定し
ており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化
現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほと
んど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子
を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有す
る光受容部材、およびそれを最適に機能させうる電子写
真装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明によれば、少なくとも、基体と、ハロゲン原子
を含有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ，Ｘ）系の
光導電層と、表面層とが積層されてなる電子写真用光受
容部材において、該ハロゲン原子の含有量は、基体側か
ら表面側に向けて減少していることを特徴とする電子写
真用光受容部材が提供される。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明者らは、光導電層のキャリ
アの挙動に着目し、キャリアの生成、走行、局在準位へ
のトラップなどを調べ鋭意検討した結果、ａ−Ｓｉ系の
材料にハロゲン原子を極微量添加し、その添加量を光導
電層の厚さ方向において表面側に漸減させることで、上
記の課題を解決できることを見出した。

【００２０】すなわち、ａ−Ｓｉ，Ｘ系の光導電層を有
する光受容部材において、その層構造を特定化するよう
に設計されて作製された光受容部材は、デジタル複写機
用の光受容部材として著しく優れた特性を示すばかりで
なく、如何なる環境下での使用においても常に最適な性
能を発揮でき、従来の光受容部材と比べ優れていること
を見いだした。

【００２１】本発明者らは、デジタル露光系を用いた場
合に固有の、温度による電子写真特性変動、光メモリ
ー、ドットの再現性（解像度）等について、様々な堆積
条件によって作製した光受容部材を用いて検討を行い、
光導電層中に微量のハロゲン元素を添加し、このハロゲ
ン元素の含有パターンを、基体側から表面側へ漸減する
ように適切に制御することにより、デジタル露光系を用
いた電子写真プロセスにおいて良好な電子写真特性を発
揮する光受容部材が得られることを見いだし本発明を完
成するに至った。

【００２２】具体的には、本発明の電子写真用光受容部
材を用いれば、波長５５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光
を潜像形成用光源として使用でき、この様な光源として
は、レーザー及びＬＥＤ等を例示することができる。

【００２３】特に、ハロゲン元素の含有パターンを、表
面層に向かって指数関数的に漸減させた場合に、本発明
の効果が最大限に得られることが分かった。

【００２４】具体的には、ハロゲン原子の単位体積当り
の原子数Ｃ_X（原子数／ｃｍ³）が、下記の関係式（１）
で近似できる指数関数分布に従うことが好ましい；ｌｏｇ（Ｃ_X）＝ａｔ＋ｂ（１）但し、ｔは光導電層および表面層の界面からの距離（μ
ｍ）であり、ａは０．２以下の正の実数であり、ｂは１
５より大きく１９より小さい実数である。また、関係式
（１）で近似できるとは、位置ｔにおける単位体積当り
のハロゲン原子数Ｃ_Xが、好ましくは相関係数０．５以
上、より好ましくは０．６以上、更に好ましくは０．７
以上、最も好ましくは０．８以上で、関係式（１）を満
足することを意味する。

【００２５】なお、ハロゲン原子の単位体積当りの原子
数Ｃ_Xは、２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）等によっ
て測定することができる。

【００２６】また、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
系とは、Ｓｉを母体とする非単結晶材料を意味してお
り、ａ−Ｓｉ：Ｈは水素化アモルファスシリコンを示し
ている。また、必要に応じては、ａ−Ｓｉ：Ｈにハロゲ
ン原子を添加することもでき、この場合は、ａ−Ｓｉ：
Ｈ，Ｘ（Ｘはハロゲン原子を示す）とも記載する。

【００２７】上記の様な光導電層により、高速なプロセ
ススピードにおいて露光光源の波長が短波長から長波長
にわたって十分な帯電能を確保するとともに感度を向上
し、残留電位および光メモリーを低減し、ドット再現性
を高次元で成立し、画像品質の飛躍的な向上を実現でき
る。

【００２８】以上の理由は明らかではないが、以下の様
に推察している。

【００２９】ハロゲン元素は水素と同様に、ａ−Ｓｉの
未結合手（ダングリングボンド）を終端して、バンドギ
ャップ中の準位を低減する働きを持っている。しかしハ
ロゲンは水素に比べて原子半径が大きく、また電気陰性
度が大きいという特徴を持っているため、電気特性に種
々の影響をもたらす。特に、ハロゲン元素を適度に添加
しながら注意深く膜堆積を行うことで、様々な特性の改
善が実現されることも一般に知られている。その特性改
善の一つとして、本発明者らはハロゲン元素の微量添加
が、キャリアの走行性を向上させる効果をもつことを見
出した。

【００３０】ところで、光受容部材での光生成キャリア
の挙動について考えると、従来のアナログ露光系では光
生成キャリアは極狭い範囲に限定され、電解によってド
リフトするキャリアは１種類であるために特性向上をさ
せやすかった。一方、デジタル露光系では光生成キャリ
アの生成が広範囲に及ぶため、電子と正孔が電界によっ
て混在してドリフトし、その挙動もより複雑化し、最適
化も困難になる。例えば正帯電の場合、正孔に対する特
性向上に加え、電子に対する特性向上を同時に行わなけ
ればならない。この際、例えば伝導型制御元素（例えば
周期律表第１３族元素など）によって物性（例えば走行
性）を制御しようとすると、どちらか一方のキャリアの
みの特性向上が主眼となってしまうことが多く、電子と
正孔の両者の走行性向上は実質的に難しかった。

【００３１】そこで、このハロゲン微量添加による効果
を利用し、デジタル露光系のように光の影響が広範囲に
及ぶような状況において、電子と正孔の両者に対する特
性を向上させるように設計を行った。

【００３２】具体的には、まず光生成キャリアが最も大
量に発生する光導電層の最上部（表面層側）において
は、キャリア生成効率を最大にする必要がある一方、キ
ャリアの走行性はさほど要求されない。このような要求
に対してはハロゲンの添加効果は少なく、あまり添加す
るとむしろ逆効果になることもある。

【００３３】次に光が到達する、ある程度深い領域に関
しては、キャリア生成効率と走行性とのバランスを取る
必要がある。このような領域では、ある程度ハロゲンを
添加して走行性を向上させるようにした方が望ましい。
また、ハロゲン原子の分布に関しては、急激な濃度変化
をさせるとキャリアの走行に不連続が生じたり、最悪の
場合にはクラック、剥離などが生じることがあり好まし
くない。よって、ハロゲンの添加は連続的に変化させた
方が望ましく、基体側から表面側へと徐々に漸減してい
る必要がある。

【００３４】また、光が到達しない深い領域（基体側）
に関しては、キャリアは１種類（正帯電なら正孔のみ）
であるため、伝導型制御元素（正帯電なら周期律表第１
３族元素）を添加してキャリアの走行性を最大限に引き
出せばよいが、あまり伝導型制御元素を添加しすぎると
帯電能の低下、感度のムラ増大、帯電能の温度変動に伴
う変化（所謂温度特性）が大きくなってしまうことがあ
り好ましくない。この場合にはハロゲン元素を表面側に
比べて高濃度に添加することで上記のような問題がなく
走行性を改善させることが可能となる。加えて、ハロゲ
ン添加は帯電能の向上にも寄与することが出来る。この
帯電能向上は暗減衰が小さくなるためであると考えてい
る。

【００３５】このように、ハロゲン元素を適度に添加
し、且つ基体側から表面側に漸減するように添加するこ
とで、デジタル露光系を用いた電子写真装置において、
キャリアの生成と走行のバランスが取れ、しかも電子と
正孔の両者に対する特性を同時に良好にすることが可能
となる。このようにキャリアの生成および走行を最適化
することによって、これまで非常に難しかった、高帯電
能とメモリ、感度、ドット再現性などの特性向上の同時
実現が可能となった。

【００３６】更に、このハロゲン元素の分布形態を最適
化し、ハロゲン元素の含有パターンを指数関数的に分布
させた場合、本発明の効果が最大限に得られるが、この
理由については、キャリア生成効率、キャリアのモビリ
ティー（走行性）、バンド構成、抵抗値等が最適な状態
となるためであると考えている。

【００３７】加えて、本発明では、ハロゲン元素を除く
ベースとなる光導電層のバンドギャップ、アーバックエ
ネルギー、水素含有量、伝導性制御元素の分布形態など
は自由に選択してよい。この事から、例えば露光波長の
違いに対する最適化の手法など、従来の技術において確
立されている特性向上の方法と適切に組み合わせること
で、更に特性向上が期待できる。

【００３８】本発明は上記構成によって、帯電能および
感度の向上と温度特性ならびに光メモリーの低減、ドッ
ト再現性の向上とを高い次元で両立させ、前記した従来
技術における諸問題の全てを解決することができ、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐
久性および使用環境性を示す光受容部材を得ることがで
きる。

【００３９】以下、図面に従って本発明の電子写真用光
受容部材について詳細に説明する。

【００４０】図１は、本発明の電子写真用光受容部材の
層構成を説明するための模式的構成図である。

【００４１】図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての基体１０１の上に、光受
容層１０２が設けられている。この光受容層１０２は、
ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ等の光導電性を有する光導電層１０３
と、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ等の表面層１０４とで構成され
ている。

【００４２】図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての基体１０１の上に、光受
容層１０２が設けられている。この光受容層１０２は、
ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ等の光導電性を有する光導電層１０３
と、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ等の表面層１０４とで構成され
ている。また、光導電層１０３は、基体１０１側から順
に第１の層領域１１１と第２の層領域１１２とからな
る。この場合、例えば、第１の層領域ではバンドギャッ
プが小さく、第２の層領域ではバンドギャップが大きく
なるように作製する等が可能である。この様にすること
により、更にデジタル露光系に最適化することもでき
る。

【００４３】図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての基体１０１の上に、ａ−
Ｓｉ系電荷注入阻止層１０５を設け、基体側からの電荷
注入を防止した例である。その上には、ａ−ＳｉＨ，Ｘ
等からなり光導電性を有する光導電層１０３と、ａ−Ｓ
ｉ系表面層１０４とが積層されている。

【００４４】＜基体＞本発明において使用される基体と
しては、導電性でも電気絶縁性でも構わない。導電性基
体としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｃ等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等を挙げることができる。

【００４５】また、電気絶縁性基体としては、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等を挙げることができる。これ
らの電気絶縁性基体の少なくとも光受容層を形成する側
の表面は、導電処理され使用される。

【００４６】基体の形状は平滑表面または凹凸表面の円
筒状または無端ベルト状であることができ、その厚さ
は、所望通りの光受容部材を形成し得るように適宜決定
するが、光受容部材としての可撓性が要求される場合に
は、基体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、基体は製造
上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０
μｍ以上とされる。

【００４７】＜光導電層＞基体上に形成され、光受容層
の一部を構成する光導電層は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望性が得られるように適宜成膜パラメーターの数
値条件が設定されて作製される。具体的には、例えばグ
ロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマ
イクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流
放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これ
らの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることか
ら、高周波グロー放電法、特にＲＦ帯の電源周波数を用
いた高周波グロー放電法が好適である。

【００４８】グロー放電法によって光導電層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得
るＸ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）
を供給し得るＨ供給用の原料ガスとを、内部を減圧でき
る反応容器内に所望のガス状態で導入して、反応容器内
にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置
されてある所定の基体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層
を形成すればよい。

【００４９】光導電層中のハロゲン原子、更に必要に応
じて添加される水素原子は、シリコン原子の未結合手を
補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特
性を向上させる。

【００５０】ハロゲン元素の分布形状は、基体側から表
面側へと漸減するように分布させる必要がある。この事
により、キャリア生成と走行のバランスが取れた好適な
特性向上が可能となる。ここでいう漸減とは、連続的に
滑らかに減少させる状態を指し、このような滑らかな変
化が本発明の効果を効率的に得るために好ましい。

【００５１】特に、分布形状が指数関数的に変化させ、
縦軸にハロゲン元素の単位堆積当りの原子数Ｃ_X（原子
数／ｃｍ³）、横軸に表面層の界面からの光導電層の膜
厚ｔ（μｍ）をとったとき、下記の関係式（１）ｌｏｇ（Ｃ_X）＝ａｔ＋ｂ（１）（式中、ａは０．２以下の正の実数であり、ｂは１５よ
り大きく１９より小さい実数である。）で表される直線
に近似できるようにすることが望ましい。このような分
布形状とすることで、キャリア生成と走行性のバランス
が最適な状態となり、本発明の効果が最も良好に得られ
る。

【００５２】図２に、ハロゲン原子の分布形状が指数関
数分布に近時できるように作製した光受容部材の二次イ
オン質量分析（ＳＩＭＳ）による分析結果を示したが、
このように直線として近似できるような分布形態になっ
ていることが望ましい。

【００５３】なお、図２の各測定点の相関係数は０．９
であった。

【００５４】関係式（１）において、係数ａの範囲とし
ては、０より大きく、０．２以下であることが望まし
い。ａ＝０、すなわち全く変化せず一定の濃度で分布し
ている場合、キャリア生成と走行が適切なバランスにな
らないことがあり、本発明の効果は得られにくくなる。
一方、０．２より大きくすると、膜の物性変化が急激と
なり過ぎる場合があり、クラックや膜剥がれが生じるこ
とがあるため好ましくない場合がある。

【００５５】係数ｂの範囲としては、１５より大きく、
１９より小さいことが望ましい。１５以下とすると、ハ
ロゲン元素の添加効果が薄れてしまい、ハロゲン元素を
添加しない場合と同等の結果しか得られない場合があ
る。一方、１９以上とするとハロゲン元素の濃度が多く
なりすぎ、特に上部の光が関与する領域においては逆に
キャリア生成効率をそこなってしまうことがあり、好ま
しくない場合がある。

【００５６】また、光導電層に含有させるハロゲン原子
は、フッ素原子および塩素原子のいずれか、又は両者の
混合物であることが望ましい。これらの原子は、原子半
径、電気陰性度の点で、光導電層の特性を向上する効果
が大きいため、好ましい。

【００５７】水素原子の含有量は、特に制限はないが、
シリコン原子と水素原子の和に対して１０〜４０原子％
とされるのが望ましい。また、その分布形状に関して
も、露光系の波長に合わせて含有量を変化させるなど、
適宜調整することが望ましい。

【００５８】Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓ
ｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられる。なお、各ガス
は単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差
し支えない。

【００５９】そして、膜の物性の制御性、ガスの供給の
利便性などを考慮し、これらのガスに更に、Ｈ₂、Ｈｅ
及び水素原子を含むケイ素化合物から選ばれる１種以上
のガスを所望量混合して層形成することも出来る。

【００６０】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状物、またはガス化し得るハロゲン
化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン
原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状物、また
はガス化し得るハロゲン原子を含む水素化ケイ素化合物
も有効なものとして挙げることができる。具体的には、
フッ素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ
₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げ
ることができる。ハロゲン原子を含むケイ素化合物、い
わゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体として
は、具体的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ
化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。

【００６１】光導電層中に含有されるハロゲン元素の量
を制御するには、例えば、基体の温度、ハロゲン元素を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電空間の圧力、放電電力等を制御すればよ
い。

【００６２】加えて、光導電層には伝導性を制御する原
子を光導電層の層厚方向に負均一な分布状態で含有する
ことが好ましい。これは、光導電層のキャリアの走行性
を調整し、また或は補償して走行性を高次でバランスさ
せることにより、帯電能の向上、光メモリー低減、感度
の向上のために有効である。

【００６３】伝導性を制御する原子の含有量は、特に制
限されないが、一般には０．０５〜５原子ｐｐｍとする
のが望ましい。また、光の到達する範囲においては、伝
導性を制御する原子を実質的に含有しないように制御を
行う（積極的な添加を行わない）とすることも出来る。

【００６４】この伝導性制御原子は、膜厚方向に連続的
に、又は段階的に変化する領域を含んでいてもよく、一
定の領域を含んでいてもよい。

【００６５】伝導性を制御する原子としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型
伝導性を与える周期律表第１３族に属する原子（第１３
族原子とも略記する）、又はｎ型伝導特性を与える周期
津表第１５族に属する原子（第１５族原子とも略記す
る）を用いることができる。

【００６６】第１３族原子としては、具体的には、ホウ
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。

【００６７】第１３族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第１３族原子導入用の原料物質をガス状態
で反応容器中に、光導電層を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第１３族原子導入用の原料
物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化しうるもの
が採用されるのが望ましい。

【００６８】そのような第１３族原子導入用の原料物質
としては具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ₂
Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ₁ ₄等の水素化ホウ素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ
₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃
等も挙げることができる。

【００６９】第１５族原子として、具体的には、窒素
（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ、Ｓｂ
が好適である。

【００７０】第１５族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第１５族原子導入用の原料物質をガス状態
で反応容器中に、光導電層１０３を形成するための他の
ガスとともに導入してやればよい。第１５族原子導入用
の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状
物、または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
うるものが採用されるのが望ましい。

【００７１】第１５族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化リン、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣ
ｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化リンが挙
げられる。この他、ＡｓＨ₃、ＡｓＦ₃、ＡｓＣｌ₃、Ａ
ｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、Ｓｂ
Ｃｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃等
も第１５族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

【００７２】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【００７３】光導電層の層厚は所望の電子写真特性が得
られること及び経済的効果等の点から適宜所望にしたが
って決定され、好ましくは２０〜５０μｍ、より好まし
くは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされる
のが望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、帯電能
や感度等の電子写真特性が実用上不充分となり、５０μ
ｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製
造コストが高くなる。

【００７４】所望の膜特性を有する光導電層を形成する
には、Ｓｉ供給用、ハロゲン添加用等のガスと希釈ガス
との混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基
体温度を適宜設定することが望ましい。

【００７５】希釈ガスとして使用するＨ₂および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対し、通常の場合３〜３
０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５〜１０倍の範
囲に制御することが望ましい。反応容器内のガス圧も同
様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
通常の場合１×１０^-2〜１×１０³Ｐａ、好ましくは５
×１０^-2〜５×１０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜２×
１０²Ｐａとするのが好ましい。

【００７６】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、０．５〜８、好ましくは２〜
６の範囲に設定することが望ましい。

【００７７】さらに、基体の温度は、層設計にしたがっ
て適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３
５０℃、より好ましくは２１０〜３３０℃、最適には２
２０〜３００℃とするのが望ましい。

【００７８】光導電層を形成するための基体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【００７９】＜表面層＞本発明においては、上述のよう
にして基体上に形成された光導電層の上に、更に表面層
を形成する。この表面層は自由表面を有し、主に耐湿
性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成するために設け
られる。

【００８０】表面層の材料は、硬度、化学的安定性、耐
磨耗性などが要求される特性を満たしていれば如何なる
ものでもよいが、光導電層を形成する非晶質材料がシリ
コン原子を有しているので、積層界面において化学的な
安定性の確保をするためにアモルファスシリコン系の材
料を用いることが最も好ましい。また、耐湿性、耐磨耗
性に優れるアモルファスカーボン形の材料を用いること
も可能である。あるいはこれらを適宜組み合わせて積層
して用いても良い。

【００８１】アモルファスシリコン系の材料は、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコ
ン（ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘとも表記する）、水素原子
（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更
に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
Ｏ：Ｈ，Ｘとも表記する）、水素原子（Ｈ）および／ま
たはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有
するアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘとも表
記する）、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子および窒素原
子の少なくとも１つを含有するアモルファスシリコン
（ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘとも表記する）等の材料が好
適に用いられる。

【００８２】表面層は真空堆積膜形成方法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイク
ロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電
ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
プレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々
の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、
製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法による
ことが好ましい。

【００８３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原
料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス
状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、
あらかじめ所定の位置に設置された光導電層を形成した
基体上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよ
い。

【００８４】表面層の材質としてはアモルファス材料な
らば何れでも好適に使用できるが、炭素、窒素、酸素よ
り選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子との
化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたもの
が好ましい。

【００８５】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０原子％から９０原子％の範囲が好ましい。

【００８６】また、表面層中に水素原子および／または
ハロゲン原子が含有されることが好ましいが、これらの
原子はシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向
上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させ
る。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合
３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適に
は４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、ハロゲ
ン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原
子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜
４原子％とされるのが望ましい。

【００８７】これらの水素原子およびハロゲン原子の含
有量の範囲内で形成される表面層を持った光受容部材
は、実際面に於いて優れた特性を有する。すなわち、表
面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子の
ダングリングボンド）は電子写真用光受容部材としての
特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由
表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、
例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる
帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導電
層により表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥
に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の残
像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。

【００８８】しかしながら表面層内の水素原子含有量を
３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅
に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高
速連続使用性において向上を図ることができる。

【００８９】一方、表面層中の水素含有量が７０原子％
を越えると表面層の硬度が低下する場合がある。従っ
て、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御するこ
とが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の１つで
ある。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量
（比）、基体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。

【００９０】また、表面層中のハロゲン原子含有量を
０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内の
シリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達
成することが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン
原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することが
できる。

【００９１】一方、表面層中のハロゲン原子含有量が１
５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシ
リコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果が低
下する場合がある。従って、表面層中のハロゲン原子含
有量を前記範囲内に制御することにより、所望の電子写
真特性を実現できる。表面層中のハロゲン原子含有量
は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（比）、基体温
度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【００９２】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状物、ま
たはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い
易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆
が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ
供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ
ｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００９３】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₂、Ｃ₂Ｈ₆が好ま
しいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の
原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガ
スにより希釈して使用してもよい。

【００９４】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｏ₂、ＣＯ、Ｃ
Ｏ₂、Ｎ₂等のガス状物、またはガス化し得る化合物が有
効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの
窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈ
ｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。

【００９５】また、形成される表面層中に導入される水
素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図
るために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成する
ことが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定
の混合比で複数種混合しても差し支えない。

【００９６】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状物、または
ガス化し得るハロゲン原子を含む水素化ケイ素化合物も
有効なものとして挙げることができる。具体的には、フ
ッ素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙
げることができる。ハロゲン原子を含むケイ素化合物、
いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体として
は、具体的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ
化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。

【００９７】表面層中に含有される水素原子および／ま
たはハロゲン原子の量を制御するには、例えば基体の温
度、水素原子および／またはハロゲン原子を含有させる
ために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、
放電電力等を制御すればよい。

【００９８】炭素原子、酸素原子および窒素原子の１種
以上は、表面層中に万遍なく均一に含有されても良い
し、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう不均一な
分布をもたせた部分があっても良い。

【００９９】さらに、表面層には必要に応じて、第１３
族原子および第１５族原子などの伝導性を制御する原子
を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子
は、表面層中に万遍なく均一に分布した状態で含有され
ても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で
含有している部分があってもよい。

【０１００】表面層に含有される伝導性を制御する原子
の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１×１０³
原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×１０²原
子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１０²原子ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

【０１０１】表面層の層厚としては、通常０．０１〜３
μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１
μｍとされるのが望ましいものである。層厚が０．０１
μｍよりも薄いと光受容部材を使用中に磨耗等の理由に
より表面層が失われる場合があり、３μｍを越えると残
留電位の増加等の電子写真特性の低下が発生する場合が
ある。

【０１０２】表面層は、要求される特性が所望通りに与
えられるように注意深く形成される。即ち、Ｓｉと、
Ｃ、Ｎ及びＯからの１種以上と、Ｈ及び／又はＸとを構
成要素とする物質は、その形成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的に
は導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又、
光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々
示す。このため、目的に応じた所望の特性を有する表面
層を形成するために、作製条件の選択が厳密になされ
る。

【０１０３】例えば、表面層を耐圧性の向上を主な目的
として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非単結晶材料として作製される。

【０１０４】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層が設けられる場合に
は、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射
される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材料
として形成される。

【０１０５】以上の様な表面層を形成するには、基体の
温度、反応容器内のガス圧等を所望にしたがって、適宜
設定する必要がある。

【０１０６】基体の温度は、層設計にしたがって適宜最
適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００
〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、最適に
は２５０〜３００℃とするのが望ましい。

【０１０７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-2〜２×１０³Ｐａ、より好ましくは５
×１０^-1〜５×１０²Ｐａ、最適には１×１０¹〜１×１
０²Ｐａとするのが好ましい。

【０１０８】表面層を形成するための基体温度、ガス圧
の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【０１０９】また、表面層および光導電層の間に、炭素
原子、酸素原子および窒素原子の１種以上の含有量が光
導電層に向かって減少するように変化する領域を設けて
も良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向上さ
せ、光キャリアの表面への移動がスムーズになるととも
に光導電層と表面層の界面での光の反射による干渉の影
響をより少なくすることができる。

【０１１０】＜電荷注入阻止層＞本発明の電子写真用光
受容部材においては、導電性基体と光導電層との間に、
導電性基体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電
荷注入阻止層を設けることがいっそう効果的である。す
なわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処
理をその自由表面に受けた際、基体側より光導電層側に
電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の
帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されな
い、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能
を付与するために、電荷注入阻止層には、第１３族原子
および第１５族原子等の伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。

【０１１１】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子は、層中に万遍なく均一に分布されても良い
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分
布するように含有させるのが好適である。

【０１１２】しかしながら、いずれの場合にも基体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。

【０１１３】第１３族原子としては、具体的には、Ｂ
（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第１５族原子と
しては、具体的には、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。

【０１１４】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、
好ましくは１０¹〜１０⁴原子ｐｐｍ、より好適には５０
〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０²〜３×１０
³原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１１５】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも１種を含有させる
ことによって、電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。

【０１１６】これらの原子は層中に万遍なく均一に分布
されても良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有さ
れてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも基
体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍
なく含有されることが面内方向における特性の均一化を
はかる点からも必要である。

【０１１７】また、これらの原子の含有量は、本発明の
目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、１
種の場合はその量として、２種以上の場合はその総和と
して、好ましくは１×１０^-3〜３０原子％、より好適に
は５×１０^-3〜２０原子％、最適には１×１０^-2〜１０
原子％とされるのが望ましい。

【０１１８】また、電荷注入阻止層は水素原子および／
またはハロゲン原子を含有していることが望ましく、こ
れらの原子は層内に存在する未結合手を補償し膜質の向
上に効果を奏する。

【０１１９】電荷注入阻止層中の水素原子、ハロゲン原
子、または水素原子およびハロゲン原子の和の含有量
は、好適には１〜５０原子％、より好適には５〜４０原
子％、最適には１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１２０】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましく
は０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最
適には０．５〜３μｍとされるのが望ましい。層厚が
０．１μｍより薄くなると、基体からの電荷の注入阻止
能が不充分になって充分な帯電能が得られなくなり、５
μｍより厚くしても実質的な電子写真特性の向上は期待
できず、作製時間の延長による製造コスト増を招くだけ
である。

【０１２１】電荷注入阻止層を形成するには、前述の光
導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用され
る。

【０１２２】Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適
宜設定することが必要である。希釈ガスであるＨ₂およ
び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適
範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および
／またはＨｅを、通常の場合０．３〜２０倍、好ましく
は０．５〜１５倍、最適には１〜１０倍の範囲に制御す
ることが望ましい。

【０１２３】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-2〜１×１０³Ｐａ、好ましくは５×１０^-1〜５×１
０²Ｐａ、最適には１×１０^-1〜１×１０²Ｐａとするの
が望ましい。

【０１２４】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、通常の場合０．５〜８、好ま
しくは０．８〜７、最適には１〜６の範囲に設定するこ
とが望ましい。

【０１２５】更に、基体の温度は、層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。

【０１２６】電荷注入阻止層を形成するための希釈ガス
の混合比、ガス圧、放電電力、基体温度の望ましい数値
範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作
製ファクターは通常は独立的に別々に決められるもので
はなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて各層作製ファクターの最適
値を決めるのが望ましい。

【０１２７】＜その他の層＞以上に述べてきた層に加
え、本発明の電子写真用光受容部材においては、光受容
層の基体側に、少なくともアルミニウム原子、シリコン
原子、水素原子およびハロゲン原子が層厚方向に不均一
な分布状態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１２８】また、基体と、光導電層または電荷注入阻
止層との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例え
ば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、あるいはシリコン原
子を母体とし、水素原子および／またはハロゲン原子
と、炭素原子、酸素原子および窒素原子の１種以上とを
含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良い。
更に、基体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層を設けても良い。

【０１２９】次に、光受容層を形成するための装置およ
び膜形成方法について詳述する。

【０１３０】図３は電源周波数としてＲＦ帯の高周波プ
ラズマＣＶＤ法（ＲＦ−ＰＣＶＤとも略記する）による
光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図であ
る。

【０１３１】この装置は大別すると、堆積装置（３１０
０）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応容器（３
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（３１００）中の反応容器
（３１１１）内には円筒状基体（３１１２）、基体加熱
用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３１１４）
が設置され、更に高周波マッチングボックス（３１１
５）が接続されている。

【０１３２】原料ガス供給装置（３２００）は、ＳｉＨ
₄、ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ（３２２１〜３２２６）とバルブ（３２３１〜
３２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６）
およびマスフローコントローラー（３２１１〜３２１
６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（３２
６０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管
（３１１４）に接続されている。

【０１３３】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１３４】まず、反応容器（３１１１）内に円筒状基
体（３１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば真
空ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気する。
続いて、基体加熱用ヒーター（３１１３）により円筒状
基体（３１１２）の温度を２００℃乃至３５０℃の所定
の温度に制御する。

【０１３５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２３
１〜３２３７）、反応容器のリークバルブ（３１１７）
が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ（３２
４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２５
６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応容
器（３１１１）およびガス配管内（３１１６）を排気す
る。

【０１３６】次に真空計（３１１９）の読みが約１×１
０^-4Ｐａになった時点で補助バルブ（３２６０）、流出
バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じる。

【０１３７】その後、ガスボンベ（３２２１〜３２２
６）より各ガスをバルブ（３２３１〜３２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（３２６１〜３２６６）により各
ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（３２１１〜３２１６）内に導入
する。

【０１３８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１３９】円筒状基体（３１１２）が所定の温度にな
ったところで流出バルブ（３２５１〜３２５６）のうち
の必要なものおよび補助バルブ（３２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（３２２１〜３２６６）から所定のガス
をガス導入管（３１１４）を介して反応容器（３１１
１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（３
２１１〜３２１６）によって各原料ガスが所定の流量に
なるように調整する。その際、反応容器（３１１１）内
の圧力が１００Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空
計（３１１９）を見ながらメインバルブ（３１１８）の
開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設
定して、高周波マッチングボックス（３１１５）を通じ
て反応容器（３１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー
放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容
器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体（３
１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形
成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた
後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容
器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１４０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１４１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器（３１１
１）内、流出バルブ（３２５１〜３２５６）から反応容
器（３１１１）に至る配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じ、補助
バルブ（３２６０）を開き、さらにメインバルブ（３１
１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

【０１４２】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、基体（３１１２）を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。

【０１４３】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられること
は言うまでもない。

【０１４４】堆積膜形成時の基体温度は、特に２００℃
以上３５０℃以下、好ましくは２３０℃以上３３０℃以
下、より好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望まし
い。

【０１４５】基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体
であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き
付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の
電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱
放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段
による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、
ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、
セラミックス等を使用することができる。

【０１４６】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で基体を
搬送する方法が用いられる。

【０１４７】

【実験例】以下、実験例により本発明の効果を具体的に
説明する。

【０１４８】＜実験例１＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上に、
表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層および表面
層からなる電子写真用光受容部材を作製した。

【０１４９】光導電層を作製する際には、ＳｉＦ₄の流
量を変え、基体側から表面側へフッ素の含有量を漸減さ
せた。フッ素含有量の分布形状が、（Ａ）線形分布（実
施例１−１）、（Ｂ）指数関数的分布（実施例１−
２）、（Ｃ）２次関数分布（実施例１−３）となるよう
に調整し、３種類の電子写真用光受容部材（Ａ）〜
（Ｃ）を作製した。その際、光導電層作製開始時と終了
時において、（Ａ）〜（Ｃ）のすべての光受容部材にお
いて、ＳｉＦ₄流量が一致するようにし、光導電層の上
端と下端でのフッ素濃度を揃えるように作製した。図４
に、フッ素の分布をＬｏｇスケール（ａ）とＬｉｎｅａ
ｒスケール（ｂ）との両方で表した概念図を示す。

【０１５０】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）装置（ＣＡＭＥＣ
Ａ社製ＩＭＳ−４Ｆ）によりフッ素原子の含有量の膜厚
方向分布を測定したところ、電子写真用光受容部材
（Ａ）〜（Ｃ）において、フッ素原子の分布が図４のよ
うになっていることを確認した。また、（Ａ）〜（Ｃ）
の全ての電子写真用光受容部材について、光導電層上端
でのフッ素原子数は３×１０¹⁶ａｔｍ／ｃｍ³、下端で
７×１０¹⁷ａｔｍ／ｃｍ³であった。

【０１５１】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン製ＮＰ−６７５０をデジタル露光用に改造したも
の）にセットして、電位特性の評価を行った。

【０１５２】この際、プロセススピードを２６５ｍｍ／
ｓｅｃ、除電光減（波長６８０ｎｍのＬＥＤ）の光量を
７ｌｕｘ・ｓｅｃ、帯電器の電流値１０００μｍＡの条
件にて、電子写真装置の現像器位置にセットした表面電
位計（ＴＲＥＫ社、Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサ
ーにより光需要部材の表面電位を測定し、それを帯電能
とした。また、感度は像露光光源（波長６５５ｎｍの半
導体レーザー）の光量を変化させ、明部位の表面電位の
低下分が所定の電位差（例えば△３５０Ｖ）としたとき
の露光量を感度と定義した。また、メモリ電位は、上述
の条件下において非露光状態での表面電位と、像露光光
源により一旦露光した後に再度帯電させたときの表面電
位との電位差を求め、これをメモリ電位と定義した。

【０１５３】また、ドット再現性の評価として、ワンド
ット・ワンスペース、ワンドット・ツースペースの編点
模様、ワンライン・ツースペースの縞模様を含むテスト
パターンを印字し、その解像の度合いをルーペで調べ
た。次に、レーザースポット径から得られる面積と、実
際に現像された面積とを算出し、これらの比をドット再
現性と定義した。

【０１５４】以上の評価結果を表２に示した。

【０１５５】＜比較例１＞ＳｉＦ₄の流量を変えず、フ
ッ素含有量が一定となる様に光導電層を形成した以外
は、実験例１の場合と同様にして、電子写真用光受容部
材（Ｄ）を作製した。作製した電子写真用光受容部材Ｄ
の光導電層について、ＳＩＭＳによりフッ素原子の含有
量の膜厚方向分布を測定したところ、フッ素濃度が５×
１０¹⁷ａｔｍ／ｃｍ³であり、一定濃度の形状に分布し
ていた。

【０１５６】その後、電子写真用光受容部材（Ｄ）の性
能を、実験例１と同様に評価し、結果を表２に示した。

【０１５７】表２においては、電子写真用光受容部材
（Ｄ）の結果を基準として、相対的にどれだけ特性が向
上しているかをパーセントで示した。表２から明らかな
ように、電子写真用光受容部材（Ｄ）（光導電層中のフ
ッ素含有量一定）と比較して、基体側から表面側へとフ
ッ素の含有量を漸減させた場合、すべての項目において
特性が向上している。特に、指数関数的に変化させたと
き（電子写真用光受容部材（Ｂ））、特性が最も向上し
ている。

【０１５８】

【表１】

【０１５９】

【表２】

【０１６０】＜実験例２＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上に、
表１に示した条件で電荷注入阻止層、光導電層および表
面層からなる電子写真用光受容部材を作製した。その
際、ＳｉＦ₄の流量を可変し、基体側から表面側へ漸減
させ、フッ素原子の単位体積当りの原子数Ｃ_X（原子数
／ｃｍ³）が、下記の関係式（１）で近似できる指数関
数分布となる様にした；ｌｏｇ（Ｃ_X）＝ａｔ＋ｂ（１）但し、ｂを１５．２と一定にし、ａの値を変化させて、
６種類の電子写真用光受容部材を作製した（実施例２−
１〜実施例２−６）。

【０１６１】作製した個々の光受容部材について、実験
例１と同様の電位特性評価を行った。この時の電子写真
プロセス条件は、除電光光源の波長を５５０ｎｍ、像露
光光源の波長を６８０ｎｍとした。

【０１６２】結果を、電子写真用光受容部材Ｄの結果を
基準としてどれだけ特性が向上したかでパーセントによ
り図５に示した。図５から、関係式（１）における係数
ａの値が、０＜ａ≦０．２の範囲にあるとき、特に改良
効果が高いことが分かった。

【０１６３】＜実験例３＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径８０ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上に、
表１に示した条件で電荷注入阻止層、光導電層および表
面層からなる電子写真用光受容部材を作製した。その
際、ＳｉＦ₄の流量を可変し、基体側から表面側へ漸減
させ、フッ素原子の単位体積当りの原子数Ｃ_X（原子数
／ｃｍ³）が、下記の関係式（１）で近似できる指数関
数分布となる様にした；ｌｏｇ（Ｃ_X）＝ａｔ＋ｂ（１）但し、ａを０．０７と一定にし、ｂの値を変化させて、
種類の電子写真用光受容部材を作製した（実施例３−１
〜実施例３−５）。

【０１６４】作製した個々の光受容部材について、実験
例１と同様の電位特性評価を行った。この時の電子写真
プロセス条件は、除電光光源の波長を７００ｎｍ、像露
光光源の波長を６５５ｎｍとした。

【０１６５】結果を、電子写真用光受容部材Ｄの結果を
基準としてどれだけ特性が向上したかでパーセントによ
り図６に示した。図６から、関係式（１）における係数
ｂの値が、１５＜ｂ＜１９の範囲にあるとき、特に改良
効果が高いことが分かった。

【０１６６】＜実施例４＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上
に、表３に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層および
表面層からなる電子写真用光受容部材を作製した。この
時、ＳｉＦ₄の流量変化を制御し、フッ素の分布が指数
関数的な分布となるように調整した。

【０１６７】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、実験例１と同様にＳＩＭＳにて分析を行ったとこ
ろ、フッ素の分布が指数関数分布になっていることが確
認できた。また、関係式（１）に当てはめると、ａ＝
０．０８、ｂ＝１７．４で近似出来ることを確かめた。

【０１６８】次に、電子写真装置（キヤノン製ＧＰ−６
０５）を用いて電位評価、画像評価を行ったところ、帯
電能、感度、メモリ特性、ドット再現性とも、良好な特
性が得られた。

【０１６９】また、階調性が高く、解像度が高く、良好
な画像が得られ、メモリーに伴うゴースト現象の発生も
認められなかった。また、画像欠陥や画像流れ等の現象
がなく良好な電子写真特性が得られた。

【０１７０】

【表３】

【０１７１】＜実施例５＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上
に、表４に示す条件で電荷注入阻止層、第１および第２
の層領域からなる光導電層、および表面層からなる電子
写真用光受容部材を作製した。この時、ＣｌＦ₃の流量
変化を制御し、フッ素の分布が指数関数的な分布となる
ように調整した。

【０１７２】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、実験例１と同様にＳＩＭＳにて分析を行ったとこ
ろ、フッ素の分布が指数関数分布になっていることが確
認できた。また、関係式（１）に当てはめると、ａ＝
０．１２、ｂ＝１５．５で近似出来ることを確かめた。

【０１７３】次に、電子写真装置（キヤノン製ＧＰ−６
０５）を用いて電位評価、画像評価を行ったところ、帯
電能、感度、メモリ特性、ドット再現性とも、良好な特
性が得られた。

【０１７４】また、階調性が高く、解像度が高く、良好
な画像が得られ、メモリーに伴うゴースト現象の発生も
認められなかった。また、画像欠陥や画像流れ等の現象
がなく良好な電子写真特性が得られた。

【０１７５】

【表４】

【０１７６】＜実施例６＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上
に、表５に示す条件で電荷注入阻止層、第１および第２
の層領域からなる光導電層、および表面層からなる電子
写真用光受容部材を作製した。この時、ＳｉＣｌ₂Ｈ₂の
流量変化を制御し、塩素の分布が指数関数的な分布とな
るように調整した。

【０１７７】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、実験例１と同様にＳＩＭＳにて分析を行ったとこ
ろ、塩素の分布が指数関数分布になっていることが確認
できた。また、関係式（１）に当てはめると、ａ＝０．
０５、ｂ＝１７．１で近似出来ることを確かめた。

【０１７８】次に、電子写真装置を用いて電位評価、画
像評価を行った。キヤノン製複写機ＧＰ−６０５を改造
し、負帯電が可能な構成とし、作製した光受容部材を搭
載して評価を行った。すると、帯電能、感度、メモリ特
性、ドット再現性とも、良好な特性が得られた。

【０１７９】また、階調性が高く、解像度が高く、良好
な画像が得られ、メモリーに伴うゴースト現象の発生も
認められなかった。また、画像欠陥や画像流れ等の現象
がなく良好な電子写真特性が得られた。

【０１８０】

【表５】

【０１８１】＜実施例７＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上
に、表６に示す条件で電荷注入阻止層、第１および第２
の層領域よりなる光導電層、および表面層からなる電子
写真用光受容部材を作製した。この時、ＳｉＦ₄の流量
変化を制御し、フッ素の分布が指数関数的な分布となる
ように調整した。

【０１８２】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、実験例１と同様にＳＩＭＳにて分析を行ったとこ
ろ、フッ素の分布が指数関数分布になっていることが確
認できた。また、関係式（１）に当てはめると、ａ＝
０．０４、ｂ＝１６．８で近似出来ることを確かめた。

【０１８３】次に、電子写真装置（キヤノン製ＧＰ−６
０５）を用いて電位評価、画像評価を行ったところ、帯
電能、感度、メモリ特性、ドット再現性とも、良好な特
性が得られた。

【０１８４】また、階調性が高く、解像度が高く、良好
な画像が得られ、メモリーに伴うゴースト現象の発生も
認められなかった。また、画像欠陥や画像流れ等の現象
がなく良好な電子写真特性が得られた。

【０１８５】

【表６】

【０１８６】＜実施例８＞図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（基体）上
に、表７に示す条件で電荷注入阻止層、第１および第２
の層領域からなる光導電層、および表面層からなる電子
写真用光受容部材を作製した。この時、ＳｉＣｌ₄の流
量変化を制御し、塩素の分布が指数関数的な分布となる
ように調整した。

【０１８７】作製した電子写真用光受容部材の光導電層
を、実験例１と同様にＳＩＭＳにて分析を行ったとこ
ろ、塩素の分布が指数関数分布になっていることが確認
できた。また、関係式（１）に当てはめると、ａ＝０．
１、ｂ＝１５．８で近似出来ることを確かめた。

【０１８８】次に、電子写真装置を用いて電位評価、画
像評価を行った。キヤノン製複写機ＧＰ−６０５を改造
してスピードアップし、プロセススピード（光受容部材
が周辺の帯電器や現像器に対して相対的に移動する速
度）を４８０ｍｍ／ｓｅｃとなるような構成とし、作製
した光受容部材を搭載して評価を行った。すると、帯電
能、感度、メモリ特性、ドット再現性とも、良好な特性
が得られた。

【０１８９】また、階調性が高く、解像度が高く、良好
な画像が得られ、メモリーに伴うゴースト現象の発生も
認められなかった。また、画像欠陥や画像流れ等の現象
がなく良好な電子写真特性が得られた。

【０１９０】

【表７】

【０１９１】

【発明の効果】本発明によれば、基体上に、シリコン原
子を母体としハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構
成された光導電層、表面を保護するための表面層を順次
積層してなり、光導電層に含有されるハロゲン原子が、
基体側から表面側へと漸減するような構成を取ること
で、デジタル露光系を用いた電子写真装置において良好
な特性を発揮するような光需要部材を提供できる。また
このような光受容部材、及びデジタル露光系から構成さ
れる電子写真装置は、コントラストが高く、ゴーストが
なく、ドット再現性に優れ、如何なる環境下においても
極めて優れた電位特性、画像特性を有する。

【０１９２】従って、本発明の電子写真用光受容部材及
び電子写真装置は、前述のごとき特定の構成としたこと
により、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容
部材、及びそれを用いた電子写真装置における諸問題を
解決することができ、優れた電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性、及び使用環境特性を示
す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真用光受容部材の例を説明する
ための模式的断面図である。

【図２】本発明の電子写真用光受容部材におけるハロゲ
ン原子の含有量の分布形態例を説明するための図であ
る。

【図３】本発明の電子写真用光受容部材の製造装置の一
例を示す模式的説明図である。

【図４】本発明の電子写真用光受容部材におけるハロゲ
ン原子の含有量の分布形態例を、Ｌｏｇスケール及び線
形スケールで表した図である。

【図５】ａの値と、帯電能、感度、メモリ特性およびド
ット再現性との関係を示す図である。

【図６】ｂの値と、帯電能、感度、メモリ特性およびド
ット再現性との関係を示す図である。

【符号の説明】

１００電子写真用光受容部材１０１基体１０２光受容層１０３光導電層１０４表面層１０５電荷注入阻止層１１１第１の層領域１１２第２の層領域３１００堆積装置３１１１反応容器３１１２円筒状基体３１１３基体加熱用ヒーター３１１４原料ガス導入管３１１５マッチングボックス３１１６原料ガス配管３１１７反応容器リークバルブ３１１８メイン排気バルブ３１１９真空計３２００原料ガス供給装置３２１１マスフローコントローラー３２１２マスフローコントローラー３２１３マスフローコントローラー３２１４マスフローコントローラー３２１５マスフローコントローラー３２１６マスフローコントローラー３２２１原料ガスボンベ３２２２原料ガスボンベ３２２３原料ガスボンベ３２２４原料ガスボンベ３２２５原料ガスボンベ３２２６原料ガスボンベ３２３１原料ガスボンベバルブ３２３２原料ガスボンベバルブ３２３３原料ガスボンベバルブ３２３４原料ガスボンベバルブ３２３５原料ガスボンベバルブ３２３６原料ガスボンベバルブ３２４１ガス流入バルブ３２４２ガス流入バルブ３２４３ガス流入バルブ３２４４ガス流入バルブ３２４５ガス流入バルブ３２４６ガス流入バルブ３２５１ガス流出バルブ３２５２ガス流出バルブ３２５３ガス流出バルブ３２５４ガス流出バルブ３２５５ガス流出バルブ３２５６ガス流出バルブ３２６０補助バルブ３２６１圧力調整器３２６２圧力調整器３２６３圧力調整器３２６４圧力調整器３２６５圧力調整器３２６６圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者古島聡東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者新納博明東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 DA24 DA35 FA18 FC05 2H076 AB05 AB42 DA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、基体と、ハロゲン原子を含
有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ，Ｘ）系の光導
電層と、表面層とが積層されてなる電子写真用光受容部
材において、該ハロゲン原子の含有量は、基体側から表
面側に向けて減少していることを特徴とする電子写真用
光受容部材。
【請求項２】前記光導電層中において、ハロゲン原子
の単位体積当りの原子数Ｃ_X（原子数／ｃｍ³）は、下記
の関係式（１）で近似できる指数関数分布に従うことを
特徴とする請求項１記載の電子写真用光受容部材。ｌｏｇ（Ｃ_X）＝ａｔ＋ｂ（１）（式中、ｔは光導電層および表面層の界面からの距離
（μｍ）であり、ａは０．２以下の正の実数であり、ｂ
は１５より大きく１９より小さい実数である。）
【請求項３】前記光導電層が含有するハロゲン原子
は、フッ素原子および／または塩素原子であることを特
徴とする請求項１又は２記載の電子写真用光受容部材。
【請求項４】請求項１乃至３いずれかに記載の電子写
真用光受容部材と、波長５５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下
の潜像形成用光源とを含んでなることを特徴とする電子
写真装置。