JPH05134439A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法による光受容部材形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面に曇りがなく、帯電能むら、ハーフトー
ンむら等の電子写真特性に優れ、かつ電位シフト、ゴー
スト等の特性が非常に優れた電子写真感光体を歩留まり
よく、安定して製造する方法を提供する。 【構成】 導電性基体を切削した後、基体表面に付着し
た切削油、切り粉等を除去するための前処理として、水
による洗浄を行い、次に純水に接触させる。この前処理
を行った基体上にプラズマＣＶＤ法により炭素含有量が
基体側に多く分布した非単結晶ＳｉＣからなり、かつ同
時にハロゲン原子と酸素原子を含有する光導電層、さら
にシリコン原子、水素原子、炭素原子からなる表面層を
設けることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光等（ここでは広義の
光であって紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線など
を意味する。）の電磁波に対して感受性のある光受容部
材のマイクロ波プラズマＣＶＤ法による形成方法の改良
に関する。本発明は特に、電子写真感光体の製造に適し
た、マイクロ波プラズマＣＶＤ法による改善された光受
容部材の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Ｉd）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。

【０００３】このような観点に立脚して、最近注目され
ている光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「Ａ
−Ｓｉ」と表記する）があり、例えばドイツ公開特許第
２７４６９６７号公報、同第２８５５７１８号公報等に
は電子写真用光受容部材としての応用が記載されてい
る。

【０００４】特開昭５６−８３７４６号公報において
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含
むＡ−Ｓｉ光導電層第１領域からなる電子写真用光受容
部材が提案されている。該公報においては、Ａ−Ｓｉに
ハロゲン原子を１〜４０原子％含有させることにより、
ダングリングボンドを補償してエネルギーギャップ内の
局在準位密度を低減し、電子写真用光受容部材の光受容
層として好適な電気的、光学的特性を得ることができる
としている。

【０００５】一方、アモルファス炭化シリコン（以下、
「Ａ−ＳｉＣ」と表記する）について、耐熱性や表面硬
度が高いこと、Ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有す
ること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが
１．６〜２．８ｅＶの範囲にわたって 変えられること
等が知られている。このようなＡ−ＳｉＣによって光導
電層を構成する電子写真用光受容部材が、特開昭５４−
１４５５４０号公報において提案されてい る。当該公
報においては、炭素を化学修飾物質として０．１〜３０
原子％含むＡ−Ｓｉを電子写真用光受容部材の光導電層
として使用することにより、暗抵抗が高く、光感度の良
好な優れた電子写真特性を示すことが開示されている。

【０００６】さらに、特公昭６３−３５０２６号公報に
おいては、導電性支持体上に炭素原子と水素原子及び／
または弗素原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ（以下、
Ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）と表記する）中間層と、Ａ−Ｓｉ
光導電層とを形成した電子写真感光体が提案されてお
り、少なくとも水素原子及び／または弗素原子を含むＡ
−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）中間層によって、光導電特性を損な
うことなく、Ａ−Ｓｉ光導電層のクラックや剥離の低減
が図られるとされている。

【０００７】一方、工業的見地から、このようなアモル
ファス光受容部材の形成方法も次第に改良され、着実に
進歩している。

【０００８】例えば、従来主に用いられてきたＲＦプラ
ズマＣＶＤ法では原料ガスの利用効率が低く、また膜の
堆積速度が遅いなどの欠点があった。そこでこのような
問題点を解決するために、近年マイクロ波グロー放電を
用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ法（μＷ−ＰＣＶＤ法
と記す）が提案されている。

【０００９】μＷ−ＰＣＶＤ法は、他の方法に比べ高デ
ポジション速度と高い原料ガス利用効率という利点を有
し、光受容部材の生産性の向上や、コストの低減の観点
から工業的に注目を集めている。前記のような利点を生
かしたμＷ−ＰＣＶＤ装置の一つの例が、特開昭６０−
１８６８４９号公報に記載されている。該公報に記載の
装置は、概ね、マイクロ波エネルギーの導入手段を取り
囲むように基体を配置して内部チャンバー（即ち放電空
間）を形成するようにしてガス利用効率を高めるように
したものである。

【００１０】また、特開昭６１−２８３１１６号公報に
は、半導体部材製造用の改良型マイクロ波技 術が開示
されている。即ち、該公報は、プラズマ空間中にプラズ
マ電位制御手段として電極を設け、この電極に所望の電
圧を印加して堆積膜へのイオン衝撃を制御しながら膜堆
積を行うようにして堆積膜の特性を向上させる技術を開
示している。

【００１１】このような技術により、良好な電気特性を
有する光受容部材を、ある程度高速の堆積速度と原料ガ
スの高い利用効率で製造することが可能となった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ａ−Ｓｉ材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
特性、光学的特性、光導電特性、及び使用環境特性の
点、さらには経時安定性及び耐久性の点において、各々
個々には特性の向上が図られているが、総合的な特性向
上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情
である。

【００１３】近年、特に、電子写真装置はさらに高画
質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写
真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更
なる向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあら
ゆる環境下で大幅に耐久性能を延ばすことが求められ、
こうした観点から光受容部材の製造工程を含めて総合的
な検討が必要になっている。

【００１４】従来のμＷ−ＰＣＶＤ法では、マイクロ波
の周波数が、例えば2.45GHzというように非常に大きい
ため、原料ガスの分解により生じた電子やイオンなどに
よって形成されるイオンシースが非常にせまいものとな
る。そのため従来のμＷ−ＰＣＶＤ法では、基体上の堆
積膜、及び堆積膜表面の堆積膜成長領域での堆積膜形成
用の活性種の表面移動度が、プラズマ温度や基体温度で
一義的に決定されてしまうため、堆積膜の構造や電気的
特性を向上させるに十分な程度まで大きくすることはで
きなかった。

【００１５】即ち、プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形
成する場合、基体表面では堆積膜表面からの水素原子の
脱離や、構成原子がより安定な結合をするための再配置
が起こる。これらの反応は特性の良い堆積膜を得るため
には欠くことのできないものであり、一般に熱エネルギ
ーによって促進される。ところがμＷ−ＰＣＶＤ法で高
速に堆積膜を基体上に形成すると、十分な表面反応を引
き起こすために必要なエネルギーは基体の熱だけでは十
分ではない。

【００１６】このようなμＷ−ＰＣＶＤ法の問題点を解
決し、良好な構造及び電気特性を有する堆積膜を形成す
る方法として、前述した特開昭６１−２８３１１６号公
報に示されているように、外部電気バイアスをマイクロ
波プラズマ放電と併用する方法が挙げられる。即ち、放
電空間に電極を設け、該電極に外部電気バイアス電圧を
印加し、プラズマと導電性基体との間に電圧をかけ、導
電性基体上あるいは堆積させた膜にイオン衝撃を与える
ことにより、局所的なアニールを行って表面反応を促進
させることができる。このような意味で、外部電気バイ
アスはμＷ−ＰＣＶＤ法で高速な堆積膜の形成を行う上
で、非常に有効な技術である。

【００１７】しかしながら、外部電気バイアスを用いて
堆積膜を形成した場合、堆積膜の表面の一部、または全
面に白濁した曇り状のしみ（以下「しみ」と記す）が生
じる場合が多くあった。この「しみ」は、電子顕微鏡に
よる堆積膜の表面の観察においても、堆積膜の堆積過程
において生ずる膜構造の粒径のわずかな差異として正常
な部分と区別されるに過ぎないが、表面の肉眼による観
察では、明らかに曇った艶の無い部分として正常な部分
と区別でき、このような「しみ」は、堆積膜の外観上の
品質を著しく悪化させ、いわゆる外観不良になるばかり
でなく、ハーフトーン画像の濃度むらなどの画像特性の
悪化の一因となり、光受容部材を生産する上での収率
（歩留まり）を悪化させていた。

【００１８】また、従来においては、高感度化、高暗抵
抗化を同時に図ろうとすると、その使用時に残留電位が
残る場合が度々観測され、この種の光受容部材は長期間
使用し続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積が起こ
って残像が生ずるいわゆる「ゴースト」現象を生ずるよ
うになる、等の不都合な点が少なくなかった。また従来
は、高帯電能と画像流れの防止とを高いレベルで両立す
ることが難しかった。さらに、室温の変化や、あるいは
静電潜像の安定化を図るよう光受容部材を加熱するため
の装置の立ち上がりや温度制御のバラツキによって、光
受容部材の温度が変化するために暗抵抗が変化し、その
結果、連続してコピー画像を得る場合に画像間で画像濃
度にむらが生じるという不都合な点があった。さらに従
来は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労の
ために、前述の画像間の画像濃度のむらがより顕著にな
る場合が度々観測された。

【００１９】また、光受容部材の電気的、光導電的特性
の改良を図るために、水素原子（Ｈ）、あるいは弗素原
子（Ｆ）や塩素原子（Ｃｌ）等のハロゲン原子（Ｘ）、
及び電気的伝導型の制御のためにほう素原子（Ｂ）や燐
原子（Ｐ）などが、あるいはその他の特性改良のために
他の原子が各々構成原子として光導電層中に含有される
が、これらの構成原子の含有のさせ方如何によっては、
形成した層の電気的あるいは光導電的特性やその均一性
に問題が生じる場合があった。そのような場合、特にハ
ーフトーン画像においてそれが顕著に現われるため、組
織構造的、電気的、光学的な膜質の高度な均一性が求め
られている。

【００２０】また、近年、電子写真装置の画像特性向上
のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても、従来以上の画像特性の向上が求められるよう
になった。特に、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状また
は白点状の画像欠陥の減少、特には従来あまり問題視さ
れていなかった微小な大きさの「ポチ」の減少が求めら
れるようになってきた。

【００２１】この「ポチ」に関しては、その原因のほと
んどが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発
生数を減らすことが重要である。また、連続して大量に
画像形成を行った場合に、初期画像より「ポチ」が増加
する現象が見られることがある。この原因の一つは、ト
ナーや転写紙の紙粉の一部が分離帯電器の帯電ワイヤー
に堆積して異常放電を誘発し、光受容部材の絶縁破壊を
引き起こすためと考えられる。また比較的大きな球状突
起が大量の画像形成中に、例えばクリーニングブレード
との摺擦により欠落することもある。このようにいくつ
かの原因から発生する「ポチ」を低減させるために、光
受容部材の材料特性としての電気的耐圧性の向上ととも
に、製造工程までを含めた「ポチ」対策が求められるよ
うになっている。

【００２２】また、Ａ−Ｓｉ光受容部材が本来持つ高耐
久性故に、従来のように電子写真感光体を消耗品として
みるのではなく、複写機本体の一部として本体の寿命が
尽きるまで交換不要とするメンテナンスフリー化の可能
性も生まれてきた。このため、画像形成装置の耐久性と
いう点からも、電子写真用光受容部材においては電気的
特性や光導電特性を高い状態で維持しつつ、画像欠陥の
原因となる異常成長の発生を防止し、あらゆる環境下で
大幅に耐久性能を延ばすことが求められている。

【００２３】従って、Ａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良
が図られる一方で、電子写真用光受容部材を設計する際
に、上記したような問題が解決されるように層構成、各
層の化学的組成、作製法などの総合的な観点から改良を
図ることが必要とされている。

【００２４】本発明は、上記の点に鑑みなされたもので
あって、上述のごときシリコン原子を母体とする材料で
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

【００２５】即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存すること
なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り
返し使用に際しては劣化現象を起こさず、長期の使用に
おいて画像欠陥や画像流れの発生が全く無く、画像濃度
が高く、特に耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとん
ど観測されない光受容部材を、歩留まり良く、安価に提
供することにある。

【００２６】本発明の他の目的は、導電性基体上に設け
られる層と導電性基体との間や、積層される層の各層間
における密着性に優れ、均一で層品質の高いシリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

【００２７】本発明の更に他の目的は、電子写真用光受
容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯電
処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトーンが
鮮明に出て、かつ解像度の高い高品質画像を容易に得る
ことができる、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る優れた電子写真特性を示すシリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の堆
積膜形成方法における前述のごとき問題点を克服して前
述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、
本発明を完成するに至った。即ち、本発明の光受容部材
形成方法は、マイクロ波導入手段、バイアス電圧印加手
段、原料ガス導入手段及び排気手段を設けた実質的に密
封し得る反応容器内に、放電空間を取り囲むように導電
性基体を配置し、該放電空間にマイクロ波を導入し、原
料ガスに由来する成膜に寄与する反応物質を含むマイク
ロ波グロー放電プラズマを形成し、放電空間中に設けた
電極に外部電気バイアス電圧を印加して、前記導電性基
体表面にシリコンを母体とする非単結晶材料で構成され
た光導電層第１領域、光導電層第２領域、表面層を順次
積層した光受容部材を形成する光受容部材形成方法であ
って、前記光導電層第１領域中に全層にわたって炭素原
子及び水素原子を含有し、該炭素原子の含有量が層厚方
向に不均一に、かつ、光導電層第１領域の導電性基体側
の表面で高く、光導電層第２領域側の表面で低くなるよ
うに分布し、さらに光導電層第１領域に水素原子、弗素
原子を含有し、かつ、前記表面層中に炭素原子、及び周
期表第３Ｂ族元素、水素原子及びハロゲン原子を同時に
含有し、さらに酸素原子及び／または窒素原子を含有す
る光受容部材を形成する方法において、前記マイクロ波
グロー放電プラズマを生起せしめる際に、前記導電性基
体に印加する外部電気バイアス電圧を、前記光導電層第
１領域形成時に印加する電圧に対して実質的に低い電圧
で印加し、かつ放電を生起せしめた後に該外部電気バイ
アス電圧を光導電層第１領域形成時に印加する電圧に調
整する工程を有することを特徴としている。

【００２９】

【作用】前記課題の一つとして挙げた「しみ」の発生に
ついては、詳しい機構は依然不明な点も残されている
が、おおよそ次のような機構により発生するものと考え
られる。

【００３０】堆積膜を形成するために放電空間内に原料
ガスを導入し、マイクロ波電力を投入して放電を初めて
生起せしめる際、放電を生起せしめた瞬間に発生した活
性種は非常に高い過剰のエネルギーを与えられ、さらに
これらの活性種は外部電気バイアス電圧によって加速さ
れたイオンによって衝撃が与えられることで、基体表面
あるいは初期の堆積膜になんらかの微少なダメージを与
え、それが膜の堆積を進行させるに従い増長され、「し
み」として観察されるに至る。また、このような挙動は
堆積膜の特性にも影響を与えているものと考えられる。

【００３１】本発明の光受容部材形成方法によれば、放
電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層
第１領域形成時に印加する電圧に対して実質的に低くす
ることで、前述の放電が生起せしめられた直後のダメー
ジを効果的に低減することができ、「しみ」の発生を防
止し、ハーフトーン画像等の画像特性の均一化を促進し
得る。また、堆積膜構造の均一化が促進されるため、球
状突起の欠落を防止し、長期の使用においても白ポチの
増加を防ぐことができ、耐久性の更なる向上が得られ
る。

【００３２】本発明では、放電を生起せしめる際に放電
空間内に設置された電極に印加する外部電気バイアス電
圧は、光導電層第１領域形成時の電圧よりも実質的に低
ければその効果が得られるが、光導電層第１領域形成時
の電圧に対して５０％以下とすることでより顕著な効果
を得ることができる。

【００３３】また、本発明においては、放電を生起せし
めた後、外部電気バイアス電圧を光導電層第１領域形成
時に印加する電圧にするまでの時間は、その間の膜の堆
積条件にもよるが、膜厚が０．０１μｍ以上となるまで
続けられるのが望ましい。またこの間に堆積される膜が
光導電層第１領域の特性に影響を与えないようにするた
めには、前記膜厚は３μｍ以下であることが望ましく、
さらに１μｍ以下の膜厚が好適である。

【００３４】本発明において、放電を生起せしめた後、
外部電気バイアス電圧を光導電層第１領域形成時に印加
する電圧に高めるには、どのような方法によっても効果
が認められ、電圧を徐々に上げていってもよいし、また
ある時点で所定の電圧に切り替えてもよい。

【００３５】本発明では、外部電気バイアス電圧を印加
させるための電極と導電性基体との間に発生させる電界
は直流電界が好ましく、また、電界の向きは電極から導
電性基体に向けるのが好ましい。電界を発生させるため
に電極に印加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以
上３００Ｖ以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が
適するが、堆積膜の所望の特性が得られるようにその他
のパラメーターと関連して適宜決定される。直流電圧の
波形としては、特に制限が無く、どのような波形でも本
発明では有効である。つまり、時間に対して大きさの変
化しない定電圧はもちろんのこと、パルス状の電圧、及
び整流器により整流された時間によって大きさが変化す
る脈動電圧でも本発明では有効である。

【００３６】また本発明では、外部電気バイアス電圧と
しては交流電圧を印加することも有効である。交流の周
波数はいずれの周波数でも問題は無く、実用的には低周
波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波では１３．５６
ＭＨｚが適する。交流電圧の波形としてはサイン波でも
矩形波でもよいが、実用的にはサイン波が適する。但
し、電圧はいずれの場合も実行値をいう。

【００３７】本発明において、光受容層を形成する際に
放電空間に設けられた電極に印加する外部電気バイアス
電圧は、堆積膜の形成が終了するまで一定に保ってもよ
いし、層によって外部電気バイアス電圧の値を変化させ
てもよい。さらに、放電を生起せしめて、外部電気バイ
アス電圧を所定の値まで高めた後は、堆積膜の形成にし
たがって外部電気バイアス電圧の値を徐々に増加させる
ことも本発明では有効である。

【００３８】このような外部電気バイアス電圧を印加す
るために放電空間内に設けられる電極の大きさ及び形状
としては、放電を乱さないならばいずれの大きさ及び形
状でもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上５ｃｍ以下の円
筒状の形状が好ましい。このとき、電極の長さも、導電
性基体に電界を均一に与え得る長さであれば任意に設定
できる。

【００３９】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでも良く、例えば、Ａｌ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｆｅ等の金属又はこれらの例えばステンレスなど
の合金、あるいは表面を導電処理したガラス、セラミッ
クス、プラスチック等が通常使用される。

【００４０】以下、図面にしたがって本発明について具
体例を挙げて詳細に説明する。

【００４１】図１は、本発明における光受容部材の好適
な層構成を説明するために模式的に示した構成図であ
る。図１に示す光受容部材１００は、光受容部材用とし
ての導電性基体１０１の上に、光導電層１０５と、表面
層１０４とを順次形成して構成され、さらに光導電層１
０５は光導電層第１領域１０２と光導電層第２領域１０
３から構成される。

【００４２】本発明において使用される導電性基体１０
１としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，
Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、及
びこれらの合金、例えばステンレス等を挙げることがで
きる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の
フィルムまたはシート、あるいはガラスやセラミック
ス、等の電気絶縁性基体の少なくとも光受容層を形成す
る側の表面を導電処理した基体も用いることができる。
電気絶縁性基体を用いる場合、光受容層を形成する側と
は反対側の表面に対しても導電処理を施すこしておくこ
とはさらに好ましい。

【００４３】導電性基体１０１の形状は平滑表面あるい
は凹凸表面を有する円筒状または板状無端ベルト状とす
ることができ、その厚さは、所望の通りの光受容部材１
０を形成し得るように適宜決定するが、光受容部材１０
としての可とう性が要求される場合には、導電性基体１
０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り
薄くすることができる。しかしながら、導電性基体１０
１の製造上及び取り扱い上、あるいは機械的強度の点か
ら、通常は１０μｍ以上必要とされる。

【００４４】また、特にレーザー光などの可干渉性光を
用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われ
る、いわゆる干渉縞模様による画像不良を解消する目的
で、導電性基体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。こ
のような凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同
６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公
報に記載された公知の方法に より形成される。また前
記の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
ては、導電性基体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、導電性基体１
０１の表面にその電子写真用感光体に要求される解像力
よりも微小な前記球状痕跡窪みによる凹凸を設けること
である。このような凹凸は特開昭６１−２３１５６１号
公報に記載された方法により形成することができる。

【００４５】本発明おける光導電層第１領域１０２は、
シリコン原子を母体とする、炭素原子、水素原子及び弗
素原子を含む非単結晶材料（以下「ｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，
Ｆ）」と記す）からなり、所望の光導電特性、特に電荷
保持特性、電荷発生特性、及び電荷輸送特性を有するも
のである。

【００４６】光導電層第１領域１０２に全層にわたって
含有される炭素原子は分布を成し、該分布が層の厚み方
向には不均一であって、層厚方向の各点において前記導
電性基体１０１側表面での含有率が高く、光導電層第２
領域側の表面での含有率が低くなるように分布してい
る。炭素原子の含有量としては、前記導電性基体１０１
側の表面又は表面近傍で、０．５原子％未満では、前述
の導電性基体１０１との密着性向上及び電荷の注入阻止
の機能が悪化し、更に静電容量の減少による帯電能向上
の効果が無くなる。また５０原子％を越えると、残留電
位が発生してしまう。このため前記導電性基体側の表面
または表面近傍の炭素原子の含有量は、実用的には０．
５〜５０原子％、好ましくは１〜４０原子％であり、最
適には１〜３０原子％とされるのが望ましい。

【００４７】また、本発明において光導電層第１領域１
０２中に水素原子が含有されることが必要であるが、こ
れはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、
特に光導電性及び電荷保持特性を向上させるために必須
不可欠であるからである。特に炭素原子が含有されるこ
とにより、その膜質を維持するためにより多くの水素原
子が必要となるため、炭素含有量に従って含有される水
素原子量が調整されることが望ましい。よって、導電性
基体１０１側の表面又は表面近傍における水素原子の含
有量は１〜４０原子％、より好ましくは５〜３５原子
％、最適には１０〜３０原子％とされるのが望ましい。

【００４８】更に本発明の光導電層第１領域１０２に含
有される弗素原子は光導電層第１領域１０２中に含有さ
れる炭素原子及び水素原子の凝集を抑制し、バンドギャ
ップ内の局在準位密度を減少させる効果があり、ゴース
トやガサツキなどの画像品質を改善することに効果が認
められる。また光導電層第１領域１０２に含有される弗
素原子は光導電層第１領域１０２中に万遍無く均一に分
布してもよいし、また層厚方向に不均一に分布して含有
させることも本発明では有効である。

【００４９】弗素原子の含有量は１原子ｐｐｍ未満で
は、ゴースト、ガサツキの改善効果が充分発揮されず、
また９５原子ｐｐｍより多いと逆に膜質が低下し、かえ
ってゴースト現象を生じるようになってしまう。従っ
て、弗素原子の含有量を、実用的には１〜９５原子ｐｐ
ｍ、より好ましくは５〜８０原子ｐｐｍ、最適には１０
〜７０原子ｐｐｍとするのが望ましい。

【００５０】さらに本発明においては、前記光導電層第
１領域１０２中に酸素原子を含有させることも有効であ
り、この場合、弗素原子との相乗効果によって堆積膜の
ストレスをより効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制す
る。このため、Ａ−ＳｉＣ中でのキャリアの走行性が改
善されるため、Ａ−ＳｉＣ系の光導電層第１領域で問題
となる電位シフトが減少する。

【００５１】該酸素原子は光導電層第１領域１０２中に
万遍無く均一に含有させてもよいし、また層厚方向に不
均一な分布をもって含有させることも本発明には有効で
ある。酸素原子の含有量は、１０原子ｐｐｍ未満ではス
トレスの緩和や、電位シフトの改善に十分な効果が認め
られず、また５０００原子ｐｐｍを越えると、電子写真
の高速化に対応するための電気特性を満足できなくな
る。従って、酸素原子の含有量としては、１０〜５００
０原子ｐｐｍとするのが好ましい。

【００５２】特に光導電層第１領域１０２に前述のよう
な範囲で炭素原子を含有させた時に、弗素原子及び酸素
原子の含有量を上記の範囲に設定することにより、光導
電特性、画像特性及び耐久性が著しく向上されること
が、実験による確認されている。

【００５３】これらの画像特性の改善効果は、放電を生
起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層第１領
域形成時に印加する電圧よりも低くすることで、堆積膜
中の構造的均一化が一層顕著に実行され、画像特性の均
一化に大きな効果を与えることができる。

【００５４】本発明において、光導電層第１領域１０２
は外部電気バイアス電圧を印加するμＷ−ＰＣＶＤ法に
よって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータ
ーの数値条件を設定して作製される。本発明によるμＷ
−ＰＣＶＤ法によってｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）の光導電
層第１領域を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス、炭素原子
（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス、水素原子
（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス、及び弗素原子
（Ｆ）を供給し得るＦ供給用の原料ガスを、また場合に
よっては酸素原子（Ｏ）を供給し得るＯ供給用ガスと
を、内部を減圧にし得る反応容器内へ所望のガス状態で
導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、予め
所定の位置に設置されてある所定の導電性基体の表面上
にｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）からなる層を形成すればよ
い。

【００５５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ
₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。

【００５６】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の、また
は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。

【００５７】炭素原子（Ｃ）導入用の原料物質として
は、ＣとＨを構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。具体
的には、飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロ
パン、n-ブタン、ペンタンなどであり、エチレン系炭化
水素としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２
−ブテン、イソブチレン、ペンテン、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン、メチルアセチレン、ブチン
等が挙げられる。

【００５８】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃）₄、Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₄等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。

【００５９】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ₄，Ｃ₂
Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，Ｃ₄Ｆ₁₀等のフッ化炭素化合物、ＣＨＦ₃
等の弗素置換炭化水素も使用できる。

【００６０】本発明において使用される弗素供給用ガス
として有効なのは、例えば、弗素ガス、弗素化物、弗素
を含むハロゲン間化合物、弗素で置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたは少なくとも光導電層第１領域の形
成条件にて容易にガス化し得る弗素化合物が好ましく挙
げれる。また、更にはシリコン原子と弗素原子とを構成
要素とするガス状のまたは少なくとも光導電層第１領域
の形成条件にて容易にガス化し得る、弗素原子を含む水
素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができ
る。

【００６１】本発明おいて好適に使用し得る弗素化合物
としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）や、ＢｒＦ、Ｃ
ｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等の
ハロゲン間化合物を挙げることができる。また、弗素原
子を含む珪素化合物、いわゆる弗素原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には、ＳｉＦ₄，Ｓｉ₂Ｆ₆
等のフッ化珪素が好ましいものとして挙 げることがで
きる。

【００６２】このような弗素原子を含む珪素化合物を採
用して外部電気バイアスを用いたμＷ−ＰＣＶＤ法によ
って本発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形成する
場合には、Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使
用しなくても、所定の導電性基体上に弗素原子を含むｎ
ｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）からなる光導電層第１領域１０２
を形成することができるが、形成される光導電層第１領
域１０２中に導入される水素原子の導入割合の制御を一
層容易にするために、これらのガスにさらに水素ガスま
たは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して
層形成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみ
ではなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えな
い。

【００６３】本発明において、弗素原子供給用ガスとし
て上記されたフッ化物あるいは弗素を含む珪素化合物が
有効なものとして使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ、あるいはＳｉＨ₃Ｆ，ＳｉＨ₂Ｆ₂，ＳｉＨＦ₃等の
弗素置換水素化珪素、等々のガス状態のあるいは少なく
とも光導電層第１領域の形成条件にて容易にガス化し得
る物質も有効な光導電層第１領域形成用の原料物質とし
て挙げることができる。これらの物質のうち、水素原子
を含む弗化物は、光導電層第１領域形成の際に層中に弗
素原子の導入と同時に、電気的あるいは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適な弗素原子供給用ガスとして使用される。

【００６４】水素原子（Ｈ）を光導電層第１領域１０２
中に構造的に導入するには、上記の他に、Ｈ₂、あるい
はＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化
珪素と、Ｓｉを供給するためのシリコンまたはシリコン
化合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させるこ
とでも行うことができる。

【００６５】本発明において酸素原子（Ｏ）導入用のガ
スとなり得るものとして有効に使用される出発物質は、
例えば、酸素、オゾン、一酸化窒素、二酸化窒素、一二
酸化窒素、三二酸化窒素、四三酸化窒素、五二酸化窒素
等を挙げることができる。

【００６６】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子（Ｏ）の導入も行えるという点から、Ｃ
Ｏ，ＣＯ₂等を挙げることができる。

【００６７】光導電層第１領域１０２中に含有される水
素原子及び／または弗素原子の量を制御するには、例え
ば導電性基体１０１の温度、水素原子及び／または弗素
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内への導入量、放電電力等を制御すればよい。

【００６８】更に本発明においては、光導電層第１領域
１０２には必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を
含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子
（Ｍ）は光導電層第１領域１０２中に万遍無く均一に分
布した状態で含有させてもよいし、あるいは層厚方向に
不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。

【００６９】上記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期表第３Ｂ族に属する
元素（以後「第３Ｂ族元素」と略記する）又はｎ型伝導
特性を与える周期表第５Ｂ族に属する元素（以後「第５
Ｂ族元素」と略記する）を用いることができる。

【００７０】第３Ｂ族元素としては、具体的には、Ｂ，
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａ
が好適である。第５Ｂ族元素としては、具体的にはＰ，
Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ等があり、特にＰ，Ａｓが好適であ
る。

【００７１】光導電層第１領域１０２に含有される伝導
性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは
１×１０^-3〜５×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは１
×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1
〜５×１０³原子ｐｐｍとするのが望ましい。特に光導
電層第１領域１０２において炭素原子（Ｃ）の含有量が
１×１０³原子ｐｐｍ以下の場合、光導電層第１領域１
０２に含有される原子（Ｍ）の含有量としては、好まし
くは１×１０^-3〜１×１０³原子ｐｐｍとするのが望ま
しく、炭素原子含有量が１×１０³原子ｐｐｍを越える
場合は、原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×
１０^-1〜５×１０⁴ 原子ｐｐｍとするのが望ましい。

【００７２】光導電層第１領域１０２中に伝導性を制御
する原子、例えば、第３Ｂ族元素あるいは第５Ｂ族元素
を構造的に導入するには、層形成の際に、第３Ｂ族元素
導入用の原料物質あるいは第５Ｂ族元素導入用の原料物
質ガス状態で反応容器中に光導電層第１領域１０２を形
成するための他のガスと共に導入してやればよい。第３
Ｂ族元素導入用の原料物質あるいは第５Ｂ族元素導入用
の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状
のあるいは少なくとも光導電層第１領域の形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

【００７３】第３Ｂ族元素導入用の原料物質としては、
具体的には、例えばホウ素原子導入用としては、Ｂ
₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、
Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化ホウ素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等
のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。その他の第３Ｂ族
元素導入用の原料物質としては、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣ
ｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等を挙げ
ることができる。

【００７４】第５Ｂ族元素導入用の原料物質として、本
発明において有効に使用されるものは、例えばリン原子
導入用としては、ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化リン、ＰＨ₄
Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢ
ｒ₅、ＰＩ₃等のハロゲン化リンが挙げられる。その他の
第５Ｂ族元素導入用の原料物質として、ＡｓＨ₃、Ａｓ
Ｆ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、Ｓｂ
Ｆ₃、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、Ｂｉ
Ｃｌ₃、ＢｉＢｒ₃等を挙げることができる。

【００７５】尚、これらの伝導性を制御する原子（Ｍ）
導入用の原料物質は、必要に応じて、Ｈ₂、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスで希釈して使用してもよい。

【００７６】更に本発明においては、光導電層第１領域
１０２中に周期表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８
族から選択される少なくとも１種の元素を０．１〜１０
０００原子ｐｐｍ程度含有させてもよい。前記元素は前
記光導電層第１領域１０２中に万遍無く均一に分布され
ていてもよいし、あるいは前記光導電層第１領域１０２
中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均
一に分布する状態で含有している部分があっても差し支
えない。

【００７７】第１Ａ族元素としては、具体的にはＬｉ，
Ｎａ，Ｋを挙げることができ、第２Ａ族元素としては、
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａを挙げることができる。
また第６Ａ族元素としては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを挙げるこ
とができ、第８族元素としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を
挙げることができる。

【００７８】本発明において、光導電層第１領域１０２
の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的
効果等の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは
５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４０μｍ、最適に
は１５〜３０μｍとするのが望ましい。

【００７９】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）からなる光導電層第１領域１０２
を形成するには、導電性基体１０１の表面温度、反応容
器内のガス圧を所望に従って適宜設定する必要がある。

【００８０】導電性基体１０１の表面温度（Ｔｓ）は、
層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常
の場合、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５
０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望
ましい。

【００８１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-5〜１００Torr、より好ましくは５×１
０^-5〜３０Torr、最適には１×１０^-4〜１０Torrとする
のが望ましい。

【００８２】本発明においては、層作製ファクターとし
て上記の導電性基体１０１の温度、ガス圧の数値範囲が
挙げられるが、これらのファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する光導
電層第１領域１０２を形成すべく相互的かつ有機的関連
性に基づいて、これらのファクターの最適値を決めるの
が望ましい。

【００８３】尚、本発明において、光導電層第１領域１
０２の前記導電性基体１０１側に、少なくともアルミニ
ウム原子、シリコン原子及び水素原子が層厚方向に不均
一な分布状態で含有される層領域を有することが望まし
い。

【００８４】光導電層第２領域１０３は、構成要素とし
て、シリコン原子と水素原子を含む非単結晶材料（以下
「ｎｃ−Ｓｉ：Ｈ」と記す）からなり、所望の光導電特
性、特に電荷発生特性、電荷輸送特性を有する。

【００８５】光導電層第２領域１０３は、シリコン原
子、水素原子からなる非単結晶質であり、水素原子を１
〜４０原子％含有して形成される。この光導電層第２領
域１０３はフォトキャリアを効率よく生成し、長波長の
光の吸収を強め、感度を向上させるために設けられる。
また、他の効果としては、帯電極性と逆の電気極性のキ
ャリアの走行性が光導電層第１領域１０２よりもよいた
め、ゴーストが軽減されるという予期せぬ効果も得られ
る。

【００８６】上述の光導電層第１領域１０２同様、光導
電層第２領域１０３もμＷ−ＰＣＶＤ法による真空堆積
膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成
膜パラメーターの数値条件を設定して作製される。具体
的には、例えば、μＷ−ＰＣＶＤ法によってｎｃ−Ｓ
ｉ：Ｈの光導電層第２領域１０３を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス
状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定の位置に設置されている所定の導電性基体
表面上の前記光導電層第１領域１０２の上にｎｃ−Ｓ
ｉ：Ｈからなる層を形成すればよい。

【００８７】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ
₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、なかでも層作製時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点でＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙
げられる。またこれらのＳｉ供給用の原料ガスは必要に
応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して
使用しても良い。

【００８８】形成される光導電層第２領域１０３中に導
入される水素原子の導入割合の制御を一層容易にするた
めには、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また各ガスは単独種のみでなく所定の混合
比で複数種混合しても差し支えないものである。

【００８９】水素原子（Ｈ）を光導電層第２領域１０３
中に構造的に導入するには、上記の他に、Ｈ₂、あるい
はＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化
珪素と、Ｓｉを供給するためのシリコンまたはシリコン
化合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させるこ
とでも行うことができる。

【００９０】光導電層第２領域１０３中に含有される水
素原子の量を制御するには、例えば導電性基体の温度、
水素原子を含有させるために使用される原料物質の反応
容器内への導入量、放電電力等を制御すればよい。

【００９１】更に本発明においては、光導電層第２領域
１０３にも必要に応じて伝導性を制御する前記原子
（Ｍ）を含有させることが好ましい。伝導性を制御する
原子（Ｍ）は、光導電層第２領域１０３中に万遍無く均
一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚
方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分が
あっても差し支えない。

【００９２】光導電層第２領域１０３に含有される伝導
性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは
１×１０^-3〜５×１０⁴原子ppm、より好ましくは１×１
０^-2〜１×１０⁴原子ppm、最適には１×１０^-1〜５×１
０³原子ppmとされるのが望ましい。光導電層第２領域１
０３中に伝導性を制御する原子を構造的に導入するに
は、上述の光導電層第１領域１０２の形成方法で述べた
方法がとられる。

【００９３】更に光導電層第２領域１０３中にも前記し
た周期律表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８族から
選択される少なくとも１種の元素を０．１〜１００００
原子ｐｐｍ程度含有させてもよい。前記元素は前記光導
電層第２領域１０３中に万遍無く均一に分布されていて
もよいし、あるいは万遍無く含有されてはいるが、層厚
方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分が
あっても差し支えない。

【００９４】本発明において、光導電層第２領域１０３
の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済
的効果の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは
０．５〜１５μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ、最適
には１〜５μｍとするのが望ましい。

【００９５】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｃ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電層第２領域１０３を形成す
るには、導電性基体の温度、反応容器内のガス圧を所望
に従って適宜設定する必要がある。

【００９６】導電性基体温度（Ｔｓ）は、層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０
℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。

【００９７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-5〜１００Torr、より好ましくは5×１
０^-5〜３０Torr、最適には１×１０^-4〜１０Torrとする
のが望ましい。

【００９８】本発明においては、層作製ファクターとし
て上記の導電性基体温度、ガス圧の数値範囲が挙げられ
るが、これらのファクターは通常は独立的に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する光導電層第２
領域１０３を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づ
いて、これらのファクターの最適値を決めるのが望まし
い。

【００９９】本発明における表面層１０４は、シリコン
原子と水素原子を構成要素とする非単結晶材料で構成さ
れ、これに少なくとも炭素原子、ハロゲン原子及び第３
Ｂ族元素を同時に含有し、さらに酸素原子及び／または
窒素原子を含有する。

【０１００】表面層１０４において、シリコン原子、水
素原子、炭素原子、ハロゲン原子、第３Ｂ族元素、さら
に酸素原子及び／または窒素原子が同時に含有させるこ
とにより、これらの相乗効果によって電気的耐圧性が向
上し、長期の使用にわたっても「ポチ」、「リークポ
チ」の発生を抑制する効果が得られる。

【０１０１】また、耐久時において再生紙を使用する場
合においても、シリコン原子と水素原子を構成要素とす
る前記表面層に、炭素原子、ハロゲン原子と第３Ｂ族元
素と、さらに酸素原子及び／または窒素原子を同時に含
有させることによって、表面硬度が向上し、耐環境特性
が向上するために、再生紙のロジン等のサイズ剤が光受
容部材の表面に付着することを防止し、長期の使用にお
けるトナーの融着や画像流れを無くすことに効果を発揮
する。

【０１０２】また、炭素原子、ハロゲン原子と第３Ｂ族
元素と、さらに酸素原子及び／または窒素原子を同時に
含有させることにより、堆積される膜の応力が効果的に
緩和されるために膜の密着性が向上し、表面層の炭素原
子の含有量を最表面もしくは最表面近傍でシリコン原子
と炭素原子の含有量の和に対して７０原子％以上になる
ように増やしても、膜の応力による膜はがれの発生を防
止できる。

【０１０３】表面層１０４の最表面または最表面近傍の
炭素原子の含有量はシリコン原子と炭素原子の含有量の
和に対して好適には７０〜９０原子％、さらに好適には
７０〜８５原子％、最適には、７０〜８３原子％とする
のが望ましい。

【０１０４】酸素原子の含有量は、好適には１×１０^-5
〜３０原子％、さらに好適には５×１０^-5〜２５原子
％、最適には１×１０^-4〜２０原子％とするのが望まし
い。

【０１０５】窒素原子の含有量は、好適には１×１０^-5
〜３０原子％、さらに好適には５×１０^-5〜２５原子
％、最適には１×１０^-4〜２０原子％とするのが望まし
い。

【０１０６】また、酸素原子と窒素原子を同時に含有さ
せる場合には、これらの含有量の和が、好適には１×１
０^-5〜３０原子％、さらに好適には５×１０^-5〜２５原
子％、最適には１×１０^-4〜２０原子％とするのが望ま
しい。

【０１０７】水素原子とハロゲン原子との含有量の和
は、好適には１×１０^-5〜８０原子％、さらに好適には
５×１０^-5〜７５原子％、最適には１×１０^-4〜７０原
子％とするのが望ましい。

【０１０８】第３Ｂ族元素としては前述の光導電層第１
領域のところで例示したものが挙げられるが、特にホウ
素原子（Ｂ）が好ましい。第３Ｂ族元素の含有量は好適
には１×１０^-5〜１×１０⁵原子ｐｐｍ、さらに好適に
は５×１０^-5〜５×１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１
０^-4〜３×１０⁴原子ｐｐｍとするのが望ましい。

【０１０９】本発明においては、表面層１０４に含有さ
れるシリコン原子、水素原子、炭素原子、酸素原子、窒
素原子、ハロゲン原子、第３Ｂ族元素は該層中に万遍無
く均一に分布されていてもよいし、また上記元素のうち
少なくとも１つの含有量が層厚方向に不均一に分布する
状態で含有されている部分を持つように表面層を形成す
ることも本発明では有効である。この場合、最表面にお
ける電気的耐圧性、耐環境性をより向上させることがで
きる。

【０１１０】本発明において表面層１０４は、外部電気
バイアス電圧を印加するμＷ−ＰＣＶＤ法によって、所
望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条
件を設定して作製される。本発明によるμＷ−ＰＣＶＤ
法によって表面層１０４を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
ス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス、
水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス、及び
ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガス、
酸素原子（Ｏ）を供給し得るＯ供給用ガス及び／または
窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用ガスと、さらに第
３Ｂ族元素を供給し得る原料ガスとを、内部を減圧にし
得る反応容器内へ所望のガス状態で導入して、該反応容
器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置さ
れてある所定の導電性基体の前記光導電層上に形成すれ
ばよい。

【０１１１】本発明において、表面層１０４を形成する
際に使用されるＳｉ供給用ガス及び炭素原子導入用の原
料ガスとなり得るものは、前述の光導電層第１領域１０
２形成時に使用したものと同じものが使用可能である。

【０１１２】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、ハロゲン原子の導入も行えるという点から、Ｃ
Ｆ₄，Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，Ｃ₄Ｆ₁₀等のフッ化炭素化合物を
挙げることができる。

【０１１３】本発明において酸素原子導入用のガスとな
り得るものとして有効に使用される出発物質は、常温常
圧でガス状のまたは、少なくとも前記表面層の形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。例えば、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）等を挙げるこ
とができる。

【０１１４】窒素原子導入用のガスとなり得るものとし
て有効に使用される出発物質は、常温常圧でガス状のま
たは、少なくとも前記表面層の形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用されるのが望ましい。例えば、窒素
（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）等を挙げることができ
る。

【０１１５】また酸素原子と窒素原子を同時に導入する
物質としては、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ
₂）、酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）、三酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ₃）、
四酸化三窒素（Ｎ₃Ｏ₄）、五酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ₅）等を
挙げることができる。

【０１１６】この他に、炭素原子の導入に加えて酸素原
子の導入も行えるという点から、一酸化炭素（ＣＯ）、
二酸化炭素（ＣＯ₂）等を挙げることができる。

【０１１７】更に本発明においては、表面層１０４中に
も前記した周期表第１Ａ族、第２Ａ族、第６Ａ族、第８
族から選択される少なくとも１種の元素を０．１〜１０
０００ｐｐｍ程度含有させてもよい。これらの元素は前
記表面層１０４中に万遍無く均一に分布されていてもよ
いし、あるいは万遍無く含有されてはいるが、層厚方向
に対し不均一に分布する状態で含有している部分があっ
ても差し支えない。

【０１１８】本発明において使用されるハロゲン原子供
給用ガスとして有効なのは、例えば、ハロゲンガス、ハ
ロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン
化合物が好ましく挙げれる。また、更にはシリコン原子
とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス
化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効
なものとして挙げることができる。本発明おいて好適に
使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガ
ス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げること
ができる。

【０１１９】ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、ＳｉＦ₄，Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。このようなハロゲン原
子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本
発明の特徴的な電子写真用光受容部材１０を形成する場
合には、Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用
しなくても、ハロゲン原子を含む表面層１０４を形成す
ることができるが、形成される表面層１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御を一層容易にするため
に、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子を含
む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが
好ましい。また、各ガスは単独種のみではなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えない。

【０１２０】本発明において、ハロゲン原子供給用ガス
として上記されたハロゲン化物あるいはハロゲンを含む
珪素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ＨＦ、あるいはＳｉＨ₃Ｆ，ＳｉＨ
₂Ｆ₂，ＳｉＨＦ₃等の弗素置換水素化珪素、等々のガス
状態のあるいはガス化し得る物質も有効な表面層形成用
の原料物質として挙げることができる。これらの物質の
うち、水素原子を含むハロゲン化物は、表面層形成の際
に層中にハロゲン原子の導入と同時に、電気的あるいは
光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン原子供給用ガス
として使用される。

【０１２１】本発明において、表面層１０４の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果の点
から適宜所望に従って決定され、好ましくは０．０１〜
３０μｍ、より好ましくは０．０５〜２０μｍ、最適に
は０．１〜１０μｍとするのが望ましい。

【０１２２】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１０４を形成するには、導電性基体１０１の表面温
度、反応容器内のガス圧が前記表面層の特性を左右する
重要な要因である。

【０１２３】導電性基体１０１の表面温度は適宜最適範
囲が選択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好
ましくは５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃と
するのが望ましい。

【０１２４】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１００Torr、より好
ましくは５×１０^-5〜３０Torr、最適には１×１０^-4〜
１０Torrとするのが望ましい。

【０１２５】本発明においては、表面層１０４を形成す
る重要なファクターとして上記の導電性基体１０１の表
面温度、ガス圧の数値範囲が挙げられるが、これらのフ
ァクターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層１０４を形成すべく相互
的かつ有機的関連性に基づいて、これらのファクターの
最適値を決めるのが望ましい。

【０１２６】本発明は、外部電気バイアス電圧を印加す
るμＷ−ＰＣＶＤ法によるいずれの光受容部材の製造に
も適用が可能であるが、特に、放電空間を取り囲むよう
に基体を配置し、少なくとも基体の一端側から導波管に
よりマイクロ波を導入する構成により堆積膜を形成する
場合に大きな効果がある。

【０１２７】次に、本発明を実施するに好適な堆積膜形
成装置を用いて本発明の光受容部材形成方法について説
明する。

【０１２８】μＷ−ＰＣＶＤ法による堆積膜形成装置は
代表的には図２（Ａ）の模式的縦断面図及び（Ｂ）の模
式的横断面図（図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸ−Ｘ’横断
面を示す）に示される装置構成のもである。また、図３
は本発明を実施するに好適な光受容部材の製造装置全体
の構成の模式図である。

【０１２９】図２において、２０１は反応容器、２０２
はマイクロ波電力を反応容器２０１内に効率良く透過
し、かつ、真空気密を保持し得るような材料（例えば、
石英ガラス、アルミナセラミックス等）で形成されたマ
イクロ波導入用誘電体窓、２０３はマイクロ波電力の伝
送部で導波管よりなっており、スタブチューナー（不図
示）及びアイソレーター（不図示）を介してマイクロ波
電源（不図示）に接続されている。融電体窓２０２は導
波管２０３の壁に気密封止されている。２０４は一端が
反応容器２０１内に開口し、他端が排気装置（不図示）
に連通している排気管である。２０６は複数の円筒形の
導電性基体２０５により包囲されて形成された放電空間
を示す。２０８はプラズマ電位を制御するための外部電
気バイアス電圧を与えるための電極であり、電源２０９
により直流または交流電圧を印加する。尚、いずれの導
電性基体２０５も、円筒形のホルダー２１１上に設置さ
れ、ヒーター２０７により加熱され、各ホルダーは、駆
動手段（回転モーター）２１０により、適宜回転され得
るようになされている。

【０１３０】反応容器２０１は真空気密化構造をなして
いればいずれの形状でもよく、例えば円筒形や直方形な
どの形状が用いられる。また、反応容器２０１の材質は
マイクロ波を反射するものであればいずれでも良いが、
加工性、耐久性などの点からアルミニウム、ステンレス
等が用いられる。

【０１３１】本発明でのマイクロ波の反応容器２０１ま
での導入方法としては導波管２０３による方法が挙げら
れ、反応容器２０１内への導入は、１または複数の融電
体窓２０２から導入する方法が挙げられる。この時、融
電体窓２０２の材質としては、アルミナ、窒化アルミニ
ウム、窒化ホウ素、窒化珪素、炭化珪素、酸化珪素、酸
化ベリリウム、テフロン（商品名）、ポリスチレン等の
マイクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。

【０１３２】本はつめいにおける基体の加熱方法は、真
空仕様である発熱体によって行えばよく、そのような真
空仕様の発熱体としては、具体的には、シース状ヒータ
ーの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒー
ター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ラン
プ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とする
熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表
面材質はステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の
金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用する
ことができる。

【０１３３】また、それ以外にも、反応容器２０１以外
に加熱専用の容器を設け、円筒状基体２０５を加熱した
後、反応容器２０１内に真空中で円筒状基体を搬送する
等の方法が用いられる。

【０１３４】μＷ−ＰＣＶＤ法による該装置での堆積膜
の形成は、以下のようにして行うことができる。

【０１３５】まず、反応容器２０１内に円筒状基体２０
５を設置し、基体回転用モーター２１０によって基体２
０５を回転させ、不図示の排気装置により反応容器２０
１内を排気管２０４を介して排気し、反応容器２０１内
の圧力を１×１０^-6Torr以下に調整する。続いて、基体
加熱用ヒーター２０７により円筒状基体２０５の温度を
２０〜５００℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１３６】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２０１
に流入させるには、ガスボンベのバルブ３３１〜３３
６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられてい
ることを確認し、また、流入バルブ３４１〜３４６、流
出バルブ３５１〜３５６、補助バルブ３６０が開かれて
いることを確認して、まずメインバルブ（不図示）を開
いて反応容器２０１及びガス配管２１２内を排気する。

【０１３７】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Torrになった時点で補助バルブ３６０、流出バルブ３
５１〜３５６を閉じる。その後、ガスボンベ３２１〜３
２６より各ガスをバルブ３３１〜３３６を開いて導入
し、圧力調整器３６１〜３６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に流入バルブ３４１〜３４６を
徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー３１
１〜３１６内に導入する。

【０１３８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体２０５上に光導電層第１領域、光導電層
第２領域、表面層の各層の形成を行う。

【０１３９】円筒状基体２０５が所定の温度になったと
ころで流出バルブ３５１〜３５６のうち所望のガスボン
ベに接続されているバルブ、及び補助バルブ３６０を徐
々に開き、ガスボンベ３２１〜３２６から所望のガスを
ガス導入管２１２を介して反応容器２０１内の放電空間
２０６に導入する。次にマスフローコントローラー３１
１〜３１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器２０１内の圧力が１Torr
以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見な
がらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。内圧が
安定したところで、マイクロ波電源（不図示）により周
波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を発生させ、マイクロ波導入窓２０２を介し
て放電空間２０６にマイクロ波エネルギーを導入して、
マイクロ波グロー放電を生起させる。それと同時併行的
に、電源２０９から電極２０８に例えば直流等の外部電
気バイアス電圧を印加する。

【０１４０】かくして放電空間２０６において導入され
た原料ガスは、マイクロ波エネルギーにより励起されて
解離し、円筒状基体２０５上に所定のシリコンを主成分
とする堆積膜が形成されるところとなる。この時、層形
成の均一化を図るため、基体回転用モーター２１０によ
ってホルダー２１１に設置された円筒状基体２０５は所
望の回転速度で回転させられる。

【０１４１】所望の膜厚の形成が行われた後、マイクロ
波電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１４２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１４３】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うま
でもない。また、それぞれのガスが反応容器２０１内、
流出バルブ３５１〜３５６から反応容器２０１に至る配
管内に残留することを避けるため、流出バルブ３５１〜
３５６を閉じ、補助バルブ３６０を開き、さらにメイン
バルブを全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行う。

【０１４４】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作製条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。

【０１４５】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらによって何等限定されるもの
ではない。

【０１４６】実施例１ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表１に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は、放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光
導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し０％から９
０％まで変化させ、電子写真用光受容部材を作製した。
また、放電を生起させてから外部バイアス電圧を光導電
層第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の膜厚は
０．１μｍとした。また、放電を生起せしめる際の外部
電気バイアス電圧を光導電層第１領域形成時に印加する
電圧で行い、電子写真用光受容部材を作製した。また光
導電層第１領域中の炭素原子の含有量を図４に示す変化
パターンのように変化させるために光導電層第１領域の
形成時に導入するＣＨ₄の流量を変化させ、光導電層第
１領域の基体側表面近傍の炭素原子含有量が約３０原子
％となるようにした。

【０１４７】尚、炭素含有量の測定にはラザフォード後
方散乱法による元素分析により行った。

【０１４８】

【表１】 これらの作製した電子写真用光受容部材について、目視
による表面状態（「しみ」の状態）の検査、及びキヤノ
ン製複写機ＮＰ−６１５０を実験用に改造した電子写真
装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、ハ
ーフトーンむらゴースト等の電子写真特性について評価
を行った。各項目は、以下の方法で評価した。

【０１４９】「しみ」 作製した電子写真用光受容部材を、目視により表面の
「しみ」の程度の検査を行った。評価は、◎は「しみ」
なし、○は「しみ」の発生はあるが実用上問題なし、△
は「しみ」による外観不良なものをそれぞれ示す。

【０１５０】帯電能、感度、残留電位 帯電能：電子写真用光受容部材を実験装置に設置し、帯
電器に＋６ｋＶの高電圧を印加し、コロナ帯電を行い、
表面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面電位
を測定する。

【０１５１】感度：電子写真用光受容部材を一定の暗部
表面電位に帯電させる。そして直ちに光像を照射する。
光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて
５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。こ
の時、表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表
面電位を測定する。明部表面電位が所定の電位になるよ
うに露光量を調整し、この時の露光量を以て感度とす
る。

【０１５２】残留電位：電子写真用光受容部材を一定の
暗部表面電位に帯電させ、直ちに一定光量の比較的強い
光を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィ
ルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光
を照射した。この時、表面電位計により電子写真用光受
容部材の明部表面電位を測定する。

【０１５３】白ポチ、ハーフトーンむら、ゴースト 白ポチ：キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９
−９０７３）を原稿台に置き、コピーした時に得られた
コピー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白
ポチについて評価した。

【０１５４】ハーフトーンむら：キヤノン製中間調チャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、
コピーした時に得られたコピー画像上で０．０５ｍｍの
円形の領域を１単位とし、１００点の画像濃度を測定
し、その画像濃度のばらつきを評価した。

【０１５５】ゴースト：キヤノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、直径５ｍｍの黒丸を張り付けたものを原稿台の画像
先端部に置き、その上にキヤノン製中間調チャートを重
ねておいた際のコピー画像において中間調コピー上に認
められるゴーストチャートの直径５ｍｍの反射濃度と中
間調部分の反射濃度との差を測定し、評価した。

【０１５６】上記、の２項目において、それぞれ◎
は特に良好、○は良好、△は実用上問題無し、×は実用
上問題あり、を表わしている。

【０１５７】次に作製した電子写真用光受容部材をキヤ
ノン製複写機ＮＰ−６１５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、３００万枚相当の加速耐久試験を行
い、上記と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【０１５８】

【表２】 表２から明らかなように、本発明の方法では、「しみ」
及び画像特性が改善され、耐久性も向上している。特に
放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を、光導
電層第１領域形成時の電圧の５０％以下とすることでこ
の効果はより顕著となる。

【０１５９】実施例２ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表３に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は、放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光
導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し２０％と
し、また、放電を生起させてから外部電気バイアス電圧
を光導電層第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の
膜厚を０．０５〜７μｍの範囲で変化させた。その他の
条件は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を作
製した。これら作製した電子写真用光受容部材につい
て、実施例１と同様に「しみ」、及び電子写真特性を評
価した。結果を表４に示す。

【０１６０】

【表３】

【０１６１】

【表４】 表４から明らかなように、放電を生起させてから光導電
層第１領域形成時のバイアス電圧を印加するまでの膜厚
が３μｍを越えると、帯電能、感度、残留電位などの電
位特性が悪化することが分かった。

【０１６２】実施例３ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表５に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は光導電層第２領域の膜厚を０（光導電層第２領域な
し）から１０μｍの範囲で変化させた。また放電を生起
せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層第１領域
形成時に印加する電圧に対して２０％とし、外部電気バ
イアス電圧を光導電層第１領域形成時の電圧にするまで
の堆積膜の膜厚を約０．５μｍとし、その他の条件は実
施例１と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。
こうして得られた電子写真用光受容部材について波長６
１０ｎｍの一定光量の光を照射して、光感度を測定し
た。

【０１６３】

【表５】 光導電層第２領域を設けず（膜厚０μｍ）に作製した電
子写真用光受容部材の感度を１００として相対評価で感
度を表６に示す。

【０１６４】

【表６】 表６から明らかなように、光導電層第２領域を設けるこ
とで光感度が向上していることが分かる。

【０１６５】実施例４ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表７に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は、光導電層第１領域中の炭素原子含有量の変化パター
ンを図４のように変化させ、基体側表面近傍での炭素原
子含有量を０．３原子％から７０原子％まで変化させる
ため、光導電層第１領域形成時に導入するＣＨ₄の流量
を変化させた。また、放電を生起せしめる際の外部電気
バイアス電圧を光導電層第１領域形成時に印加する電圧
に対し２０％とし、また、放電を生起させてから外部電
気バイアス電圧を光導電層第１領域形成時の電圧にする
までの堆積膜の膜厚を０．０５μｍとした。その他の条
件は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を作製
した。これら作製した電子写真用光受容部材について、
実施例１と同様に「しみ」、及び電子写真特性を評価し
た。さらに球状突起の数について以下の方法により評価
した。

【０１６６】球状突起の数：作製した電子写真用光受容
部材の表面全域を光学顕微鏡で観察し、１００ｃｍ²の
面積内での直径２０μｍ以上の球状突起の数を調べた。
各電子 写真用光受容部材について結果を出し、最も球
状突起の数の多かったものを１００％として、相対比較
した。評価は、◎は６０％未満、○は８０％未満〜６０
％以上、△は８０％以上を示す。結果を表８に示す。

【０１６７】

【表７】

【０１６８】

【表８】 表８から明らかなように、光導電層第１領域の基体側表
面近傍の炭素原子含有量を０．５〜５０原子％とするこ
とで、電子写真特性の向上及び球状突起の発生の低減が
なされ、さらに、１〜３０原子％で極めて良好な結果が
得られている。 実施例５ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表９に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は、光導電層第１領域中の炭素原子含有量の変化パター
ンを図４のように変化させるため、光導電層第１領域形
成時に導入するＣＨ₄の流量を変化させた。また、放電
を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層第
１領域形成時に印加する電圧に対し２０％とし、また、
放電を生起させてから外部電気バイアス電圧を光導電層
第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の膜厚を１μ
ｍとした。このとき、光導電層第１領域の基体側表面近
傍での炭素原子含有量は３０原子％となるようにした。

【０１６９】これら作製した電子写真用光受容部材につ
いて、実施例１と同様に「しみ」、及び電子写真特性を
評価した。

【０１７０】

【表９】 比較例１ 光導電層第１領域中の炭素原子含有量を図５及び図６に
示す変化パターンとする以外は実施例５と同様にして電
子写真用光受容部材を作製した。得られた電子写真用光
受容部材について実施例５と同様に評価した。実施例５
及び比較例１の結果を併せて表１０に示す。

【０１７１】

【表１０】 表１０の結果より明らかなように、本発明の方法によれ
ば帯電能、感度が向上し、かつ残留電位の悪化が見られ
なかった。

【０１７２】実施例６ 光導電層第１領域中の炭素原子含有量を図７及び図８に
示す変化パターンとした以外は実施例５と同様にして電
子写真用光受容部材を作製した。尚、光導電層第１領域
の基体側表面近傍での炭素原子含有量は、いずれの変化
パターンにおいても約３０原子％となるようにした。こ
うして得られた電子写真用光受容部材について実施例５
と同様の評価を行ったところ、実施例５と同様に良好な
結果が得られた。

【０１７３】実施例７ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表１１に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、光導電層第１領域中の弗素原子含有量を０．５〜
３００原子ｐｐｍの範囲で変化させるため、光導電層第
１領域形成時に導入するＳｉＦ₄の流量を変化させた。
また、放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を
光導電層形成時に印加する電圧に対し２０％とし、ま
た、放電を生起させてから外部電気バイアス電圧を光導
電層第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の膜厚を
０．０５μｍとした。なお、弗素原子含有量はＳＩＭＳ
（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析にて行
った。

【０１７４】

【表１１】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様に「しみ」、及びハーフトーンむら、白ポチ、
ゴーストについて評価した。さらに実施例１と同様に３
００万枚相当の加速耐久試験を行った後、同様の項目に
ついて評価した。結果を表１２に示す。

【０１７５】

【表１２】 表１２の結果から明らかなように、本発明の方法では、
光導電層第１領域中の弗素原子の含有量を１〜９５原子
ｐｐｍの範囲にすることで、画像特性及び耐久性の向上
が見られ、特に１０〜７０原子ｐｐｍの範囲で極めて良
好な結果が得られている。

【０１７６】比較例２ 放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を、光導
電層第１領域形成時の電圧とする以外は実施例７と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、実施例７と同様
に評価した。結果を表１３に示す。

【０１７７】

【表１３】 表１２及び表１３の結果から明らかなように、本発明の
方法では「しみ」が効果的に低減でき、画像特性が向上
し、加えて耐久性も向上している。

【０１７８】実施例８ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表１４に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、光導電層第１領域中の酸素原子含有量を５〜８０
００原子ｐｐｍとするため、光導電層第１領域形成時に
導入するＣＯ₂の流量を変化させた。この時の光導電層
第１領域中の弗素原子含有量は４０原子ｐｐｍで一定と
した。また、放電を生起せしめる際の外部電気バイアス
電圧を光導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し１
０％とし、また、放電を生起させてから外部電気バイア
ス電圧を光導電層第１領域形成時の電圧にするまでの堆
積膜の膜厚を０．２μｍとした。なお、酸素原子含有量
及び弗素原子含有量はＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ，ＩＭＳ
−３Ｆ）による元素分析にて行った。

【０１７９】

【表１４】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様に「しみ」、及びハーフトーンむら、白ポチ、
ゴーストについて評価した。さらに以下に示す方法で電
位シフトの測定を行い評価した。

【０１８０】電位シフト：作製した電子写真用光受容部
材を実験装置に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印
加し、コロナ帯電を行い、表面電位計により電子写真用
光受容部材１０の暗部の表面電位を測定する。この時、
帯電器に電圧を印加し始めた時の暗部表面温電位をＶd0
とし、２分後の暗部表面電位をＶdとする。そしてＶd0
とＶdとの差を以て電位シフト量とする。評価は次の通
り、◎は「特に良好」、○は「良好」、△は「実用上問
題なし」、×は「実用上問題有り」を示す。

【０１８１】以上の結果を表１５に示す。

【０１８２】

【表１５】 表１５から明らかなように、光導電層第１領域中の酸素
原子含有量を１０〜５０００原子ｐｐｍとすることで電
位シフトが効果的に改善されることが分かった。 比較例３ 放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を、光導
電層第１領域形成時の電圧とする以外は実施例８と同様
にして電子写真用光受容部材を作製し、実施例８と同様
に評価した。結果を表１６に示す。

【０１８３】

【表１６】 表１５及び１６の結果から明らかなように、本発明の方
法により電子写真用光受容部材の「しみ」の発生が効果
的に低減されていることが分かる。

【０１８４】実施例９ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表１７に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、表面層中の炭素原子含有量を、表面層形成時に導
入するパワー、ＣＨ₄の流量を変化させることによっ
て、シリコン原子と炭素原子の和に対して２０〜９５原
子％の範囲で変化させた。但しこの時表面層の光導電層
第２領域側の表面の炭素原子含有量は１０％となるよう
にした。また、放電を生起せしめる際の外部電気バイア
ス電圧を光導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し
１０％とし、また、放電を生起させてから外部電気バイ
アス電圧を光導電層第１領域形成時の電圧にするまでの
堆積膜の膜厚を０．０２μｍとした。

【０１８５】

【表１７】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
１と同様に帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性、
画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ等の
画像特性、さらに「しみ」についてそれぞれ評価を行っ
た。画像流れ、、トナー融着による黒斑点、キズについ
てはについて以下の方法で評価した。

【０１８６】画像流れ：白地に全面文字よりなるキヤノ
ン製テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を
原稿台に置き、通常の露光量の２倍の露光量で光を照射
し、コピーをとる。こうして得られた画像を観察し、画
像上の細線が途切れずにつながっているかを、以下の３
段階で評価した。尚、画像上でむらのある場合は、全画
像域で最も悪い部位で評価した。

【０１８７】◎は「良好」、○は「一部途切れあり」、
△は「途切れが多いが文字として判読でき、実用上問題
無し」を示す。

【０１８８】トナー融着による黒斑点：キヤノン製全白
テストチャートを原稿台に置き、コピーした時に得られ
たコピー画像の同一面積内にある幅０．１ｍｍ×長さ
０．５ｍｍ以上の黒斑点について以下に示すように４段
階の評価をした。

【０１８９】◎は「特に良好」、○は「良好」、△は
「実用上問題なし」を示す。

【０１９０】キズ：キヤノン製ハーフトーンテストチャ
ートを原稿台に置き、コピーした時に得られたコピー画
像の横３４０ｍｍ（電子写真用光受容部材１回転分）×
縦２９７ｍｍの面積内にある幅０．０５ｍｍ×長さ０．
２ｍｍ以上のキズについてその個数を数えて以下に示す
ように３段階の評価を行った。

【０１９１】◎は「特に良好」、○は「良好」、△は
「実用上問題なし」を示す。

【０１９２】さらに、これらの電子写真用光受容部材を
キヤノン製複写機ＮＰ−６１５０に入れ、再生紙を用い
た３００万枚の連続通紙画像形成耐久試験を行った後、
上記の画像評価について同様に評価を行った。結果を表
１８に示す。

【０１９３】

【表１８】 表１８から明らかなように、表面層の最表面近傍の炭素
原子含有量をシリコン原子と炭素原子の和に対して７０
〜９０原子％の範囲とした本発明の電子写真用光受容部
材は良好な電子写真特性を得ることができ、特に７０〜
８３原子％の範囲で極めて良好な結果が得られた。

【０１９４】実施例１０ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表１９に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、表面層中の酸素原子含有量を変化させるため、表
面層形成時に導入するＯ₂の流量を変えた。また、放電
を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層第
１領域形成時に印加する電圧に対し３２％とし、また、
放電を生起させてから外部電気バイアス電圧を光導電層
第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の膜厚を０．
０８μｍとした。

【０１９５】

【表１９】表 １９ これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
９と同様に帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性、
画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ等の
画像特性、さらに「しみ」についてそれぞれ評価を行っ
た。結果を表２０に示す。

【０１９６】

【表２０】 表２０の結果から、表面層に酸素原子を含有させ、さら
に含有量を１×１０^-4〜２０原子％の範囲とすることで
良好な電子写真特性が得られた。

【０１９７】実施例１１ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表２１に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、表面層中の窒素原子含有量を変化させるため、表
面層形成時に導入するＮＨ₃の流量を変えた。また、放
電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光導電層
第１領域形成時に印加する電圧に対し１５％とし、ま
た、放電を生起させてから外部電気バイアス電圧を光導
電層第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の膜厚を
０．３μｍとした。

【０１９８】

【表２１】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
９と同様に帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性、
画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ等の
画像特性、さらに「しみ」についてそれぞれ評価を行っ
た。結果を表２２に示す。

【０１９９】

【表２２】 表２２の結果から、表面層に窒素原子を含有させ、さら
に含有量を１×１０^-4〜２０原子％の範囲とすることで
良好な電子写真特性が得られた。

【０２００】実施例１２ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表２３に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、表面層中の周期表第３Ｂ族元素としてホウ素素原
子の含有量を変化させるため、表面層形成時に導入する
Ｂ₂Ｈ₆の流量を変えた。また、放電を生起せしめる際の
外部電気バイアス電圧を光導電層第１領域形成時に印加
する電圧に対し１５％とし、また、放電を生起させてか
ら外部電気バイアス電圧を光導電層第１領域形成時の電
圧にするまでの堆積膜の膜厚を０．３μｍとした。

【０２０１】

【表２３】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
９と同様に帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性、
画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ等の
画像特性、さらに「しみ」についてそれぞれ評価を行っ
た。結果を表２４に示す。

【０２０２】

【表２４】 実施例１３ 純度９９．５％のアルミニウムより成る直径１０８ｍ
ｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍのシリンダーを鏡面加
工し、脱脂洗浄したものを基体として使用し、先に詳述
した手順に従って、図３に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材の製造装置を用い、表２５に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、表面層中の水素原子とハロゲン原子として弗素原
子の含有量を変化させるため、表面層形成時に導入する
Ｈ₂及びＳｉＦ₄の流量、及びμＷ波電力を変えた。ま
た、放電を生起せしめる際の外部電気バイアス電圧を光
導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し２５％と
し、また、放電を生起させてから外部電気バイアス電圧
を光導電層第１領域形成時の電圧にするまでの堆積膜の
膜厚を０．１μｍとした。

【０２０３】

【表２５】 これら作製した電子写真用光受容部材について、実施例
９と同様に帯電能、感度、残留電位等の電子写真特性、
画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ等の
画像特性、さらに「しみ」についてそれぞれ評価を行っ
た。結果を表２６に示す。

【０２０４】

【表２６】 表２６から明らかなように、表面層中にハロゲン原子が
含有されることで良好な電子写真特性が得られた。

【０２０５】

【発明の効果】本発明の方法によれば、Ａ−Ｓｉで構成
された従来の電子写真用光受容部材における諸問題を解
決することができ、特に、極めて優れた電気的特性、光
学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境
特性を示す電子写真用光受容部材を形成することができ
る。特に本発明においては、放電を生起せしめる時の外
部電気バイアス電圧を、光導電層第１領域形成時の電圧
に対して低くしておくことで、従来の外部電気バイアス
電圧を印加するμＷ−ＰＣＶＤ法で問題となっていた
「しみ」の発生を効果的に抑制し、画像特性の向上、さ
らに耐久性の向上が得られる。

【０２０６】さらに、本発明においては、光導電層第１
領域を導電性基体から炭素原子含有量を連続的に変化さ
せることによって、電荷（フォトキャリア）の発生と該
発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部材にとっ
ての重要な機能を滑らかに接続でき、従来の電荷発生層
と電荷輸送層とを分離した、いわゆる機能分離型光受容
部材で問題となる電荷発生層と電荷輸送層の間の光学的
エネルギーギャップの差による電荷の走行不良を防ぎ、
光感度の向上及び残留電位の低減に貢献する。また、光
導電層第１領域に炭素原子が含有されていることによ
り、光導電層第１領域と表面層からなる光受容層として
の誘電率を小さくすることができるため、層厚あたりの
静電容量を減少させることができ、高い帯電能を実現
し、光感度において著しい改善が見られ、更に高電圧に
対する耐圧性も向上し、耐久性も向上する。

【０２０７】そして、炭素原子を多く含む層を導電性基
体側に設置することにより、導電性基体からの電荷の注
入が阻止され、これにより帯電能が改善され、さらに導
電性基体と光導電層第１領域との密着性が向上され、膜
の剥離や微小な欠陥の発生を抑制することができる。

【０２０８】本発明による光導電層第１領域を用いるこ
とにより、高帯電能、高感度、低残留電位で優れた電気
特性を維持したままで耐久性を飛躍的に向上させること
ができる。

【０２０９】即ち、膜の密着性が向上されるため、連続
して大量に画像形成を行っても、クリーニングブレード
や分離爪へのダメージが少なく、クリーニング性及び転
写紙の分離性も良好になる。従って、画像形成装置とし
ての耐久性を飛躍的に向上させることができる。さらに
誘電率の低下により高電圧に対する耐久性も向上される
ため、光受容部材の一部が絶縁破壊されることによって
起こる「リークポチ」がさらに発生し難くなる。

【０２１０】さらに、膜質が緻密となったことにより、
帯電処理を受けた際に表面より電荷が注入されるのを効
果的に阻止でき、帯電能、使用環境特性、耐久性及び電
気的耐圧性を向上させることができる。また、光導電層
第２領域と表面層との界面におけるキャリアの蓄積を減
少させることができるために、帯電能を高い状態に維持
しても画像流れを抑制することができる。

【０２１１】また、表面層に少なくともシリコン原子、
水素原子、炭素原子、酸素原子、ハロゲン原子、周期表
第３Ｂ族元素を同時に含有することにより、これらの相
乗効果によって、従来の電子写真用光受容部材に比較し
て帯電能が高く、光感度の大幅な向上が得られると同時
に、「白ポチ」等の画像欠陥の低減、とりわけ長期使用
時の「リークポチ」の低減に効果を発揮し、さらに再生
紙使用時のキズの発生防止、長期の使用におけるトナー
の融着や画像流れを無くし、極めて優れた画像特性、耐
久性、及び使用環境特性を示す。

【０２１２】本発明によれば、これらの効果が相乗的に
加味され、結果として電位特性、画像特性に優れ、さら
にこれらの特性を長期にわたって維持する耐久性に非常
に優れた電子写真用光受容部材を、安価に、歩留まりよ
く供給できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電子写真用光受容部材の好適な実
施態様例の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。

【図２】本発明における電子写真用光受容部材の光受容
層を形成するための装置の一例を示すものであり、μＷ
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
堆積装置部分の模式的説明図であり、（Ａ）は装置の側
断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ’における横断
面図である。

【図３】本発明を実施するに好適な光受容部材形成装置
の一例の装置の全体構成の模式図である。

【図４】本発明における光導電層第１領域の炭素含有量
の一変化パターンを示すグラフである。

【図５】本発明における光導電層第１領域の炭素含有量
の一変化パターンを示すグラフである。

【図６】本発明外の光導電層第１領域の炭素含有量の一
変化パターンを示すグラフである。

【図７】本発明外の光導電層第１領域の炭素含有量の一
変化パターンを示すグラフである。

【図８】本発明外の光導電層第１領域の炭素含有量の一
変化パターンを示すグラフである。

【符号の説明】

１００ 電子写真用光受容部材 １０１ 導電性基体 １０２ 光導電層第１領域 １０３ 光導電層第２領域 １０４ 表面層 １０５ 光導電層 ２００ 堆積膜形成装置 ２０１ 反応容器 ２０２ マイクロ波導入窓 ２０３ 導波管 ２０４ 排気管 ２０５ 導電性基体 ２０６ 放電空間 ２０７ 基体加熱用ヒーター ２０８ バイアス電極 ２０９ バイアス電源 ２１０ 基体回転用モーター ２１１ ホルダー ２１２ 原料ガス導入管 ３００ 原料ガス供給装置 ３１１〜３１６ マスフローコントローラー ３１７ ガス配管 ３２１〜３２６ 原料ガスボンベ ３３１〜３３６ 原料ガスボンベバルブ ３４１〜３４６ ガス流入バルブ ３５１〜３５６ ガス流出バルブ ３６０ 補助バルブ ３６１〜３６６ 圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/08 ３０４ 7144−2Ｈ ３０５ 7144−2Ｈ ３０６ 7144−2Ｈ ３１２ 7144−2Ｈ ３１３ 7144−2Ｈ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波導入手段、バイアス電圧印加
   手段、原料ガス導入手段及び排気手段を設けた実質的に
   密封し得る反応容器内に、放電空間を取り囲むように導
   電性基体を配置し、該放電空間にマイクロ波を導入し、
   原料ガスに由来する成膜に寄与する反応物質を含むマイ
   クロ波放電プラズマを形成し、放電空間中に設けた電極
   に外部電気バイアス電圧を印加して、前記導電性基体表
   面にシリコンを母体とする非単結晶材料で構成された光
   導電層第１領域、光導電層第２領域及び表面層よりなる
   光受容層を形成する光受容部材形成方法であって、前記
   光導電層第１領域中に全層にわたって炭素原子を含有
   し、該炭素原子の含有量が光導電層第１領域の導電性基
   体側の表面で高く、光導電層第２領域側の表面で低くな
   るように分布し、さらに光導電層第１領域に水素原子、
   弗素原子を含有し、かつ、前記表面層中に炭素原子、及
   び周期表第３Ｂ族元素、水素原子及びハロゲン原子を同
   時に含有し、さらに酸素原子及び／または窒素原子を含
   有する光受容部材を形成する方法において、前記マイク
   ロ波グロー放電プラズマを生起せしめる際に、前記導電
   性基体に印加する外部電気バイアス電圧を、前記光導電
   層第１領域形成時に印加する電圧に対して実質的に低い
   電圧で印加し、かつ放電を生起せしめた後に該外部電気
   バイアス電圧を光導電層第１領域形成時に印加する電圧
   に調整する工程を有する光受容部材形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記マイクロ波グロ
   ー放電プラズマを生起せしめる際の外部電気バイアス電
   圧を前記光導電層第１領域形成時に印加する電圧に対し
   て５０％以下とすることを特徴とする光受容部材形成方
   法。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記光導電
   層第１及び第２領域の少なくとも一部に周期表第３Ｂ族
   または第５Ｂ族に属する元素を含有させることを特徴と
   する光受容部材形成方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項において、
   前記光導電層第１領域中の炭素原子の含有量を、前記導
   電性基体側の表面または表面近傍で０．５〜５０原子％
   とし、前記光導電層第２領域側の表面または表面近傍で
   実質的に０原子％とし、さらに前記光導電層第１領域中
   の水素原子の含有量を１〜４０原子％、弗素原子の含有
   量が９５原子ｐｐｍ以下とする光受容部材形成方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項において、
   前記光導電層第１領域に弗素原子及び酸素原子を同時に
   含有させることを特徴とする光受容部材形成方法。
6. 【請求項６】 請求項５において、前記光導電層第１領
   域中の酸素原子の含有量を１０〜５０００原子ｐｐｍと
   し、前記弗素原子の含有量を１〜９５原子ｐｐｍとする
   光受容部材形成方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項において、
   前記表面層中の炭素原子、ハロゲン原子、周期表第３Ｂ
   族元素、酸素原子、窒素原子のうち少なくとも１つを、
   層厚方向に不均一に分布させる光受容部材形成方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項において、
   前記表面層の最表面もしくは最表面近傍での炭素原子の
   含有量を、シリコン原子及び炭素原子の含有量の和に対
   して７０〜９５原子％とする光受容部材形成方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項において、
   前記表面層中の酸素原子または窒素原子の含有量を３０
   原子％以下とする光受容部材形成方法。