JP3229002B2 - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

電子写真用光受容部材

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意
味する。）のような電磁波に対して感受性のある電子写
真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野においては、光受容部材にお
ける光受容層を形成する光導電材料としては、高感度
で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高
く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収ス
ペクトルを有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗
率を有すること、使用時において人体に対して無害であ
ること、などの特性が要求される。特に、事務機として
オフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電
子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時における
無公害性は重要な点である。
【０００３】このような点に立脚して最近注目されてい
る光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓ
ｉ」と表記する）があり、例えば独国公開第２７４６９
６７号公報、同第２８５５７１８号公報などには電子写
真用光受容部材としての応用が記載されている。
【０００４】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性基体と、ハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Ｓｉ光導電層第２領域からなる電子写真用光受
容部材が提案されている。該公報においては、ａ−Ｓｉ
にハロゲン原子を１〜４０原子％含有させることによ
り、ダングリングボンドを補償してエネルギーギャップ
内の局在準位密度を低減し、電子写真用光受容部材の光
導電層第２領域として好適な電気的、光学的特性を得る
ことができるとしている。
【０００５】一方、アモルファス炭化シリコン（以下、
「ａ−ＳｉＣ」と表記する）については、耐熱性や表面
硬度が高いこと、ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有
すること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが
１．６〜２．８ｅＶの範囲にわたって変えられることな
どが知られている。このようなａ−ＳｉＣによって光導
電層を構成する電子写真用光受容部材が、特開昭５４−
１４５５４０号公報において提案されている。当該公報
においては、炭素を化学修飾物質として０．１〜３０原
子％含むａ−Ｓｉを電子写真用光受容部材の光導電層と
して使用することにより、暗抵抗率が高く、光感度の良
好な優れた電子写真用特性を示すことが示されている。
【０００６】さらに、特公昭６３−３５０２６号公報に
おいては導電性支持体上に、炭素原子と水素原子及び／
または弗素原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ（以後ａ
−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）と表記する）中間層と、ａ−Ｓｉ光
導電層からなる電子写真感光体が提案されており、少な
くとも水素原子及び／または弗素原子を含むａ−ＳｉＣ
中間層によって光導電特性を損なうことなく、ａ−Ｓｉ
光導電層のクラックや剥離を低減することを図ってい
る。
【０００７】このような技術により、良好な電気特性を
有する電子写真用光受容部材を得られるようになった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−ＳｉＣで構成された光導電層を有する電子写真用光
受容部材は、暗抵抗率、光感度、光応答性などの電気
的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さら
には経時安定性及び耐久性の点において、各々個々には
特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図
る上でさらに改良される余地が存在するのが実状であ
る。
【０００９】特に近年、高速機、デジタル機、フルカラ
ー機の普及に伴い電子写真装置はさらに高画質化、高速
化、高耐久化が望まれている。その結果、電子写真用光
受容部材においては今まで以上にメモリー、画像欠陥な
どが少ないものが要求され、電気的特性や光導電特性の
さらなる向上に加えて、帯電能、感度を高速で使用した
場合に要求されるレベルに高めると同時に、耐久性を大
幅に向上させることが要求されるようになってきた。
【００１０】しかし、従来の電子写真用光受容部材で
は、高感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、そ
の使用時において残留電位が残る場合が度々観測され、
この種の光受容部材は長期間使用し続けると、繰り返し
使用による疲労の蓄積が起こって残像が生ずるいわゆる
「ゴースト」現象が生ずるようになるなどの不都合な点
が少なくなかった。
【００１１】また、例えば、従来の電子写真用光受容部
材では、阻止層において、阻止能を向上させ帯電能の向
上、暗減衰の向上を図るための手段として、阻止層中の
炭素含有量を少なくするか、硼素のドープ量を多くする
などして、ブロッキング性能を向上させ、支持体側から
の電荷の注入を阻止する必要があった。しかしながら、
いずれの方法も阻止能の向上には有効な手段ではある
が、堆積膜の密着性の低下、帯電能の低下などの副作用
が生じてしまうといった問題点があった。
【００１２】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
って、上述のごときシリコン原子を母体とする材料で構
成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。
【００１３】すなわち、第１の本発明の主たる目的は、
電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆ど依存す
ることなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優
れ、繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、特に
非常に耐久性に優れ、残留電位が全く観測されないか、
または殆ど観測されない、シリコン原子を母体とする材
料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材
を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、導電性基体上に設け
られる層と導電性基体との間や積層される層の各層間に
おける密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高いシリコン原子を母体とする材料で構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供す
ることである。
【００１５】本発明のさらに他の目的は、電子写真用光
受容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯
電処理の際の電荷保持能力が充分であり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特性を
示す、シリコン原子を母体とする材料で構成された光受
容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。
【００１６】本発明のさらに別の目的は、高感度性、高
ＳＮ比特性及び高電気的耐圧性を有するシリコン原子を
母体とする材料で構成された光受容層を有する電子写真
用光受容部材を提供することにある。
【００１７】第２の本発明の主たる目的は、短波長領域
での感度を向上させることで実用上の感度をさらに向上
させ、「ゴースト」現象が全く観測されないか、または
殆ど見られず、残留電位を低く保ったまま暗抵抗率が高
く、電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆ど依
存することなく実質的に常時安定している、つまり温度
特性に優れた、シリコン原子を母体とする材料で構成さ
れた光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供する
ことにある。
【００１８】本発明の他の目的は、導電性基体上に設け
られる層と導電性基体との間や積層される層の各層間に
おける密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高いシリコン原子を母体とする材料で構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供す
ることにある。
【００１９】本発明のさらに他の目的は、電子写真用光
受容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯
電処理の際の電荷保持能力が充分であり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特性を
示す、シリコン原子を母体とする材料で構成された光受
容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。
【００２０】本発明のさらに別の目的は、高感度性、高
ＳＮ比特性及び高電気的耐圧性を有するシリコン原子を
母体とする材料で構成された光受容層を有する電子写真
用光受容部材を提供することにある。
【００２１】第３の本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光電的特性をさらに向上させ、より高画質で、安
定した画像形成可能なシリコン原子を母体とする材料で
構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提
供することにある。
【００２２】本発明の他の目的は、支持体上に設けられ
る層と支持体との間や積層される層の各層間における密
着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質
の高いシリコン原子を母体とする材料で構成された光受
容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。
【００２３】本発明のさらに他の目的は、電子写真用光
受容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯
電処理の際の電荷保持能力が充分であり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特性を
示す、シリコン原子を母体とする材料で構成された光受
容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。
【００２４】本発明のさらに別の目的は、高感度性、高
ＳＮ比特性及び高電気的耐圧性を有するシリコン原子を
母体とする材料で構成された光受容層を有する電子写真
用光受容部材を提供することにある。
【００２５】第４の本発明の主たる目的は、より高性能
な複写機、例えば、高速機、デジタル機、フルカラー機
などに搭載可能なように、電気的、光学的、光電的特性
をさらに向上させ、より高画質で安定して画像形成可能
なシリコン原子を母体とする材料で構成された光受容層
を有する電子写真用光受容部材を提供することにある。
【００２６】本発明の他の目的は、支持体上に設けられ
る層と支持体との間や積層される層の各層間における密
着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質
の高いシリコン原子を母体とする材料で構成された光受
容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。
【００２７】
【課題を解決するための手段及び作用】第１の本発明の
光受容部材は、導電性基体上に、非単結晶材料からなる
光導電層と表面層を順次形成した光受容層を有し、前記
光導電層が、シリコン原子を母体とし、少なくとも炭素
原子、水素原子を含有する非単結晶材料で構成され、該
光導電層中に含有される全炭素原子に対して、炭素−炭
素の結合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好ま
しくは３０％以下であり、炭素原子の含有量が少なくと
も光導電層の導電性基体側表面もしくは表面近傍で３〜
３０原子％であり、かつ光導電層の導電性基体側表面も
しくは表面近傍で最も多く、表面層側表面もしくは表面
近傍で実質的に０原子％であるように変化していること
を特徴とする。
【００２８】上記のような本発明の構成をとる電子写真
用光受容部材は前述のような諸問題点を全て解決するこ
とができ、極めて優れた電気的特性、光学的特性、光導
電特性、画像特性、及び耐久性を有している。
【００２９】特に、画像形成への残留電位の影響が実用
的には実質上なく、その電気的特性が安定しており、高
感度、高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰り
返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長けるために、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明にでて、かつ解像度の
高い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができ
る。
【００３０】さらに、本発明の電子写真用光受容部材
は、光感度が高く、かつ光応答が速く、かつ残留電位が
ないかまたは実質的に問題がない。そのために高解像度
で高品質の画像を安定した状態で高速で繰り返し多数得
ることができ、また、デジタル信号に基づく画像の形成
にも適用することができる。
【００３１】第２の本発明の光受容部材は、導電性基体
上に非単結晶材料からなる光導電層と表面層を順次形成
した光受容層を有し、前記光導電層が、シリコン原子を
母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子、ならびに酸
素原子及び／または窒素原子を含有する非単結晶材料で
構成され、該光導電層中に含有される全炭素原子に対し
て、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が６０％以
下、より好ましくは３０％以下であり、炭素原子の含有
量が少なくとも光導電層の導電性基体側表面もしくは表
面近傍で３〜３０原子％であり、かつ光導電層の導電性
基体側表面もしくは表面近傍で最も多く、表面層側表面
もしくは表面近傍で実質的に０原子％であるように変化
していることを特徴とする。
【００３２】上記のような本発明の構成をとる電子写真
用光受容部材は前述のような諸問題点を全て解決するこ
とができ、極めて優れた電気的特性、光学的特性、光導
電特性、画像特性、及び耐久性を有している。
【００３３】特に、画像形成への残留電位の影響が実用
的には実質上なく、その電気的特性が安定しており、高
感度、高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰り
返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長けるために、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明にでて、かつ解像度の
高い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができ
る。
【００３４】さらに、本発明の電子写真用光受容部材
は、光感度が高く、かつ光応答が速く、かつ残留電位が
ないかまたは実質的に問題がない。そのために高解像度
で高品質の画像を安定した状態で高速で繰り返し多数得
ることができ、また、デジタル信号に基づく画像の形成
にも適用することができる。
【００３５】以下に本発明者らが得た知見の詳細な内容
について説明する。
【００３６】光導電層に炭素を含有させると誘電率を小
さくすることができるため、層厚当りの静電容量を減少
できて高い帯電能と光感度において著しい改善がみら
れ、さらに高電圧に対する耐圧性も向上し耐久性も向上
できる。しかし近年、電子写真装置はさらなる高画質
化、高速化、高耐久化が望まれており、これに伴って、
電子写真用光受容部材においても、いくつかの改善すべ
き点があることは前述の通りである。
【００３７】本発明者らは前述のような問題点を解決す
るために、光導電層の膜質の向上に関する様々な検討を
行ってきた。その結果、ａ−ＳｉＣ系の光導電層では、
膜中に存在する炭素原子の結合状態が、特性を左右する
鍵であることを見いだした。
【００３８】ａ−ＳｉＣ系の膜を光導電層に用いた場
合、従来のように特に結合状態にこだわらずに光導電層
を形成した場合、シリコン原子と炭素原子とは均一な分
布とはならず、シリコン原子の濃度の多い部分と、炭素
原子の濃度の多い部分とが混在する状態となり易い。こ
のような膜中では、例えばアモルファス状態のシリコン
原子の結合中に炭素原子がクラスター状の塊となって取
り込まれていることが予想される。実際、従来のａ−Ｓ
ｉＣ系の光導電層をＥＳＣＡ及びＦＴ−ＩＲにて炭素原
子の結合状態を分析したところ、光導電層中の全炭素原
子のうち６５％程度の炭素原子が、炭素原子どうしの結
合（Ｃ−Ｃ結合）を持っていることがわかり、光導電層
の膜中で炭素原子のクラスターを形成していることを裏
付けている。
【００３９】このような光導電層中に存在する炭素原子
のクラスターの影響については、なお発明者らの想像の
域をでるものではないが、およそ次のように考えられ
る。
【００４０】まず第一に比較的大きなクラスターの影響
が考えられる。ａ−ＳｉＣ系の光導電層を形成する場
合、特に比較的炭素含有量の多い場合では、炭素原子が
互いに十数個程度以上結合した比較的大きなクラスター
を形成することも考えられる。このような大きなクラス
ターが膜中に存在すると、膜中を移動するキャリアの走
行性がクラスターによって阻害されるのではないかと想
像される。
【００４１】第二の比較的小さいクラスターの存在によ
る膜中のストレスの影響が考えられる。例えば炭素原子
が数個程度の比較的小さなクラスターがあった場合、シ
リコン原子の結合手と炭素原子の結合手ではその長さが
異なるため、炭素原子のクラスターとこれを囲むシリコ
ン原子との結合の間にストレスを生む結果となる。こう
して生じたストレスが膜の暗抵抗率などの特性を悪化さ
せているのではないかと考えられる。
【００４２】加えて、第２の本発明においては、少なく
ともａ−ＳｉＣ系の光導電層中に酸素原子（Ｏ）及び／
または窒素原子を微量（１０〜５０００原子ｐｐｍ）含
有させ、堆積膜の均一性をさらに向上させることによ
り、炭素のクラスター形成を抑制し、内部応力の変化を
緩和でき、堆積膜中の欠陥が減少し、膜質が向上する。
その結果、光受容部材の使用環境の温度変化にしたがっ
て光受容部材の特性が変化する、いわゆる温度特性を向
上させることが可能になり、帯電能などの電子写真特性
が改善される。また、弗素原子（Ｆ）を１〜９５原子ｐ
ｐｍの範囲で含有させてもよい。この場合、酸素原子
（Ｏ）及び／または窒素原子との相乗効果によって、堆
積膜のストレスをより効果的に緩和して膜の構造欠陥を
抑制することが可能になる。
【００４３】以上のような考察から特にａ−ＳｉＣ系の
光導電層においてはシリコン原子中に炭素原子を均一に
分布させ、炭素原子のクラスターを形成させないこと、
すなわちシリコン原子と炭素原子の結合（Ｓｉ−Ｃ結
合）を促進し、Ｃ−Ｃ結合をできるかぎり少なくするこ
とが特性向上の上で不可欠であると考えることができ
る。そこで本発明者らは光導電層形成時に結合状態をコ
ントロールし、光導電層中に含有される全炭素原子のう
ち、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を従来のａ−Ｓｉ
Ｃ系光導電層に比べて極めて少なくすることで、前述の
ごとき問題点を全て解決する優れた電子写真特性を有し
た光導電層を形成することができ、本発明の完成に至っ
たものである。
【００４４】すなわち本発明によれば、光導電層中の構
成原子の結合状態を改善することにより、残留電位を低
く保ったまま暗抵抗率を高くすることができ、高帯電能
を有した、「ゴースト」現象が殆ど見られない優れた性
能を有した電子写真用光受容部材を得ることができる。
さらに本発明によれば、従来の電子写真用光受容部材に
比べて短波長感度が向上するため、電子写真装置の像露
光のスペクトルと、電子写真用光受容部材の分光感度の
スペクトルを近づけることができ、実用上の感度が大幅
に向上できた。
【００４５】第３の本発明の電子写真用光受容部材は、
前記第１または第２の本発明の構成に加え、導電性基体
上に、非単結晶からなる阻止層と、光導電層と、表面層
を順次形成した光受容層を有する光受容部材において、
前記阻止層が、シリコン原子を母体とし、少なくとも炭
素原子、水素原子を有し、さらに硼素原子を含有する非
単結晶材で構成され、該阻止層中に含有される炭素原子
（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）が３原子％以上５０原子％以下で、か
つ、該阻止層中に含有される全炭素原子に対して、炭素
−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が８０％以下である
ことを特徴としている。
【００４６】上記のような本発明の構成をとる電子写真
用光受容部材は前述のような諸問題点を全て解決するこ
とができ、極めて優れた電気特性、光学的特性、光導電
特性、画像特性を有している。
【００４７】特に、阻止層において、ブロッキング性能
が高くその性能を悪影響なく充分に引き出すことがで
き、その電気的特性が安定しており、帯電能、暗減衰が
向上するものであって、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明にでて、かつ解像度の高い、高品質の画像を安定して
繰り返し得ることができる。
【００４８】さらに、本発明の電子写真用光受容部材
は、光感度が高く、かつ光応答が速く、かつ残留電位が
ないかまたは実質的に問題がない。そのために高解像度
で高品質の画像を安定した状態で高速で繰り返し多数得
ることができ、また、デジタル信号に基づく画像の形成
にも適用することができる。
【００４９】以下に本発明者が得た知見の詳細な内容に
ついて説明する。
【００５０】光導電層に炭素が含有されていることによ
り誘電率を小さくすることができるために、層厚当りの
静電容量を減少させることができて高い帯電能と光感度
において著しい改善がみられ、さらに高電圧に対する耐
圧性も向上し耐久性も向上できる。本発明者は、これら
の性能を充分生かしさらに優れた電子写真用光受容部材
を完成させるために、阻止層の膜質の向上に関する様々
な検討を行ってきた。その結果、ａ−ＳｉＣ系の阻止層
では、膜中に存在する炭素原子の結合状態が、特性を左
右する鍵であることを見いだした。
【００５１】ａ−ＳｉＣ系の膜を阻止層に用いた場合、
一般に炭素原子の含有量は３〜５０原子％程度が望まし
いものとして使用される。このとき従来のように特に結
合状態にこだわらずに阻止層を形成した場合、シリコン
原子と炭素原子は均一な分布とはならず、シリコン原子
の濃度の多い部分と、炭素原子濃度の多い部分とが混在
する状態となり易い。このような膜中では、例えばアモ
ルファス状態のシリコン原子の結合中に炭素原子がクラ
スター状の塊となって取り込まれていることが予想され
る。
【００５２】実際、従来のａ−ＳｉＣ系の阻止層をＥＳ
ＣＡ及びＦＴ−ＩＲにて炭素原子の結合状態を分析した
ところ、阻止層中の全炭素原子のうち９０％程度の炭素
原子が、炭素−炭素結合（Ｃ−Ｃ結合）を持っているこ
とがわかり、光導電層の膜中で炭素原子のクラスターを
形成していることを裏付けている。
【００５３】このような阻止層中に存在する炭素原子の
クラスターの影響については、なお発明者らの想像の域
をでるものではないが、おおよそ次のように考えられ
る。
【００５４】まず第一に比較的大きなクラスターの影響
が考えられる。ａ−ＳｉＣ系の阻止層を形成する場合、
特に比較的炭素含有量の多い場合では、炭素原子が互い
に十数個程度以上結合した比較的大きなクラスターを形
成することも考えられる。阻止層において、ブロッキン
グ性能を向上させるために膜中に硼素を含有させるが、
このような大きなクラスターが膜中に存在すると、同じ
ブロッキング性能を得るためには、膜中により多くの硼
素を含有させる必要がある。そのために、阻止層形成時
に、例えば、ジボランなどのガスを多く必要とする。こ
のため、結果的に光導電層形成時に硼素の残渣の影響に
より、帯電能を低下させてしまうと考えられる。
【００５５】第二に比較的小さなクラスターの存在によ
る膜中のストレスの影響が考えられる。例えば炭素原子
が数個程度の比較的小さなクラスターがあった場合、シ
リコン原子の結合手と炭素原子の結合手ではその長さが
異なるため、炭素原子のクラスターとこれを囲むシリコ
ン原子との結合の間にストレスを生む結果となる。こう
して生じたストレスが膜のブロッキング性能を悪化させ
ているのではないかと考えられる。
【００５６】以上のような考察から特にａ−ＳｉＣ系の
阻止層においてはシリコン原子中に炭素原子を均一に分
布させ、炭素原子のクラスターを形成させないこと、す
なわちシリコン原子と炭素原子の結合（Ｓｉ−Ｃ結合）
を促進し、Ｃ−Ｃ結合をできる限り少なくすることが特
性向上の上で不可欠であると考えることができる。そこ
で本発明者らは阻止層形成時に結合状態をコントロール
することで、阻止層中に含有される全炭素原子のうち、
Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を従来のａ−ＳｉＣ系
阻止層に比べて極めて少なくすることで、前述のごとき
問題点を全て解決し得る、優れた電子写真特性を有した
阻止層を形成することができ、本発明の完成に至ったも
のである。
【００５７】第４の本発明の電子写真用光受容部材は、
前記第１または第２の本発明の構成に加え、導電性基体
上に、非単結晶からなる阻止層と、光導電層と、表面層
を順次形成した光受容層を有する光受容部材において、
前記阻止層が、シリコン原子を母体とし、少なくとも炭
素原子、水素原子を有し、さらに酸素原子及び／また
は、窒素原子を含有する非単結晶材で構成され、該阻止
層中に含有される炭素原子｛Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）｝が３原
子％以上５０原子％以下で、かつ、該阻止層中に含有さ
れる全炭素原子に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素
原子の割合が８０％以下であることを特徴としている。
上記のような本発明の構成をとる電子写真用光受容部材
は前述のような諸問題点を全て解決することができ、極
めて優れた電気特性、光学的特性、光導電特性、画像特
性を有している。
【００５８】特に、阻止層において、支持体との密着
性、阻止層と光導電層との界面の密着性が著しく向上
し、そのため、優れた表面性を有し、画像欠陥の少ない
高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる。
【００５９】さらに、本発明の電子写真用光受容部材
は、光感度が高く、かつ光応答が速く、かつ残留電位が
ないかまたは実質的に問題がない。そのために高解像度
で高品質の画像を安定した状態で高速で繰り返し多数得
ることができ、また、デジタル信号に基づく画像の形成
にも適用することができる。
【００６０】さらに、本発明の電子写真用光受容部材
は、ゴースト、ブランクメモリーなどの対光メモリーに
優れた画像特性を持つ。
【００６１】以下に本発明者らが得た知見の詳細な内容
について説明する。
【００６２】光導電層に炭素が含有されていることによ
り誘電率を小さくすることができるために、層厚当りの
静電容量を減少させることができて高い帯電能と光感度
において著しい改善がみられ、さらに高電圧に対する耐
圧性も向上し耐久性も向上できる。本発明者らは、これ
らの性能を充分生かし、さらに優れた電子写真用光受容
部材を完成させるために、阻止層の膜質の向上に関する
さまざまな検討を行ってきた。その結果、ａ−ＳｉＣ系
の阻止層では、膜中に存在する炭素原子の結合状態が、
特性を左右する鍵であることを見いだし、さらに、より
高性能な電子写真感光体を形成するために阻止層中の酸
素原子及び／または窒素原子の含有量を１０原子ｐｐｍ
以上５００００原子ｐｐｍ以下に制御すること見いだし
た。
【００６３】ａ−ＳｉＣ系の膜を阻止層に用いた場合、
一般に炭素原子の含有量は３〜５０原子％程度が望まし
いものとして使用される。このとき従来のように特に結
合状態にこだわらずに阻止層を形成した場合、シリコン
原子と炭素原子とは均一な分布とはならず、シリコン原
子の濃度の多い部分と、炭素原子濃度の多い部分とが混
在する状態となり易い。このような膜中では、例えばア
モルファス状態のシリコン原子の結合中に炭素原子がク
ラスター状の塊となって取り込まれていることが予想さ
れる。
【００６４】実際、従来のａ−ＳｉＣ系の阻止層をＥＳ
ＣＡ及びＦＴ−ＩＲにて炭素原子の結合状態を分析した
ところ、阻止層中の全炭素原子のうち９０％程度の炭素
原子が、炭素−炭素結合（Ｃ−Ｃ結合）を持っているこ
とがわかり、光導電層の膜中で炭素原子のクラスターを
形成していることを裏付けている。
【００６５】このような阻止層中に存在する炭素原子の
クラスターの影響については、なお発明者らの想像の域
をでるものではないが、おおよそ次のように考えられ
る。
【００６６】まず第一に比較的大きなクラスターの影響
が考えられる。ａ−ＳｉＣ系の阻止層を形成する場合、
特に比較的炭素含有量の多い場合では、炭素原子が互い
に十数個程度以上結合した比較的大きなクラスターを形
成することも考えられる。阻止層において、ブロッキン
グ性能を向上させるために膜中に硼素を含有させるが、
このような大きなクラスターが膜中に存在すると、同じ
ブロッキング性能を得るためには、膜中により多くの硼
素を含有させる必要がある。そのために、阻止層形成時
に、例えば、ジボランなどのガスを多く必要とする。こ
のため、結果的に光導電層形成時に硼素の残渣の影響に
より、帯電能を低下させてしまうと考えられる。
【００６７】第二に比較的小さなクラスターの存在によ
る膜中のストレスの影響が考えられる。例えば炭素原子
が数個程度の比較的小さなクラスターがあった場合、シ
リコン原子の結合手と炭素原子の結合手ではその長さが
異なるため、炭素原子のクラスターとこれを囲むシリコ
ン原子との結合の間にストレスを生む結果となる。こう
して生じたストレスが膜のブロッキング性能を悪化させ
ているのではないかと考えられる。
【００６８】以上のような考察から特にａ−ＳｉＣ系の
阻止層においてはシリコン原子中に炭素原子を均一に分
布させ、炭素原子のクラスターを形成させないこと、す
なわちシリコン原子と炭素原子の結合（Ｃ−Ｃ結合）を
促進し、Ｃ−Ｃ結合をできる限り少なくすることが特性
向上の上で不可欠であると考えることができる。そこで
本発明者らは阻止層形成時に結合状態をコントロールす
ることで、阻止層中に含有される全炭素原子のうち、Ｃ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を従来のａ−ＳｉＣ系阻
止層に比べて極めて少なくすることで、前述のごとき問
題点を全て解決し得る、優れた電子写真特性を有した阻
止層を形成することができた。
【００６９】さらに、本発明では、阻止層中に、炭素原
子、酸素原子及び／または窒素原子を同時に含有させる
ことにより、従来の阻止層に比べ、緻密で密着性の高い
膜質を得ることができる。そのため、基板との密着性の
みならず、阻止層上の光導電層との密着性も良好であり
「白ポチ」、「黒ポチ」などの画像欠陥の原因となる堆
積膜の欠陥である球状突起が著しく減少する。
【００７０】さらに本発明では、ａ−ＳｉＣ膜に酸素原
子及び／または窒素原子を含有させることにより、堆積
膜のストレスをより効果的に緩和して、膜の構造欠陥を
制御するため、ａ−ＳｉＣ中でキャリアの走行性が改善
され、「ブランクメモリー」「ゴースト」などの光メモ
リーが改善される。
【００７１】以下、図面にしたがって本発明の光受容部
材についてより詳細に説明する。 （第１の発明）図１は第１の本発明の電子写真用光受容
部材の層構成の一例を示した模式的断面図である。本発
明の電子写真用光受容部材１００は、導電性基体１０１
上に、光導電層１０２、表面層１０３を順次積層して成
り立っている。
【００７２】本発明において使用される導電性基体１０
１は例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ，などの金属、及びこ
れらの合金、例えばステンレスなどが挙げられる。また
ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネイト、セル
ロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリエチレン、ポリアミドなどの合成樹脂のフィルムま
たはシート、ガラス、セラミックなどの電気絶縁性基体
の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理し
た基体も用いることができる。さらに光受容層を形成す
る側と反対側も導電処理することが望ましい。
【００７３】導電性基体１０１の形状は平滑平面あるい
は凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト形状であるこ
とができ、その厚さは所望どうりの電子写真用光受容部
材を形成し得るように適宜決定されるが、電子写真用光
受容部材として可撓性が要求される場合には、基体とし
ての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかいしながら、基体の製造上及び取り
扱い上、機械的強度などの点から通常は１０μｍ以上と
される。
【００７４】本発明においては、導電性基体１０１の表
面に凹凸を作る場合、例えばレーザー光などの可干渉性
光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現
れる干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電
性基体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体
１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８
１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−
２２５８５４号公報などに記載された公知の方法により
作製される。また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法と
して、導電性基体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、導電性基体１
０１の表面が電子写真用光受容部材に要求される解像力
よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。導電性基体１０１の表面に
設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６
１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により
作製される。
【００７５】本発明の光導電層１０２は、シリコン原子
を母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子を有する非
単結晶材料で構成され、該光導電層中に含有される全炭
素原子に対して、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が６
０％以下、より好ましくは３０％以下であるように形成
される。本発明の光導電層の形成方法は、ＲＦなどの高
周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、
スパッタリング法などが好適であるが、いずれの方法で
も光導電層中に含有される全炭素原子に対して、Ｃ−Ｃ
結合を持つ炭素原子の割合が従来のａ−ＳｉＣ系光導電
層に比べて低くなるように、結合状態を制御しながら反
応を抑制する必要がある。
【００７６】例えばＲＦプラズマＣＶＤ法や、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法で本発明の光導電層１０２を形成す
る場合、基本的にシリコン原子、炭素原子、などの表面
層を構成する原子を供給し得る原料ガスを、内部が減圧
可能な反応容器に所望のガス状態で導入し、反応容器内
でグロー放電を生起させ予め所定の位置に設置された導
電性基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成すれば
よい。
【００７７】光導電層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を制御する方法の
例としては、原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
【００７８】光導電層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来より少なく
なるように反応を制御する方法としては、原料ガスとし
てＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 などの水素化珪素類、またＳｉ
Ｆ4 などの弗化珪素類などのシリコン原子含有ガスとと
もに、炭素原子供給用の原料ガスとしてＳｉ（ＣＨ3）4
（テトラメチルシラン）など予めシリコン原子と炭素
原子の結合を有しているものを用いることが特に有効で
ある。また炭素原子供給用原料ガスとしては、上記テト
ラメチルシランとともにＣＨ4 ，ＣＦ4 などを用いても
よい。
【００７９】また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法におい
ては、上記の方法とともに放電空間中に電界を外部電気
バイアスとしてかけ、イオンを効果的に基体表面に到達
させることにより制御の効果がより大きなものとなる。
この外部電気バイアスは直流電圧、パルス状の電圧、整
流器により整流された時間によって大きさが変化する脈
動電圧でもよく、正弦波、矩形波などの波形を持った交
流電圧も使用できる。外部電気バイアスの電圧としては
いずれも実効値で１５ｖ以上３００ｖ以下、好ましく
は、３０ｖ以上２００ｖ以下が適するが、堆積膜の所望
の特性が得られるようにその他のパラメータと関連して
適宜決定される。
【００８０】本発明においては上記のような原料ガスを
Ｈ2 及び／または、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅなどの不活性ガス
で希釈して用いることも本発明では有効である。
【００８１】本発明の光導電層１０２中の炭素原子の含
有量はシリコン原子に対して３〜３０原子％が好ましい
ものとして挙げられる。炭素含有量が３０原子％を越え
る場合は、光導電層中のＣ−Ｃ結合を従来よりも少なく
制御した場合でも、光キャリアが発生しにくくなるた
め、電子写真用光受容部材の光導電層として用いるに
は、残留電位が高くなるなどの問題が起こるため、不適
当である。
【００８２】また炭素含有量が３原子％未満になると、
現在の分析機器の精度では結合状態を調べることが困難
になってくるため、本発明の効果を明確に分離すること
は困難になる。
【００８３】この炭素原子は、光導電層中に万遍なく均
一に含有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量
が変化するような不均一な分布をもたせた部分であって
もよい。炭素の含有量を変化させる場合には、炭素含有
量の最も多い部分で上記の含有量をとることが好まし
く、炭素原子の少ない領域では、上記の範囲よりも少な
い含有量の部分があっても差し支えない。
【００８４】この場合、炭素含有量が３原子％未満の領
域においても、先に示した方法によれば光導電層中に含
有される全炭素原子に対して、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原
子の割合が６０％以下となっていると推測されるが、上
記のように本発明の効果は不明確になってくる。
【００８５】しかしながら本発明は、炭素を比較的多く
含んだ光導電層において、Ｃ−Ｃ結合を持った炭素原子
の割合を従来よりも少なく制御することによって、従来
に比べ優れた電子写真特性を示すことを見いだし、完成
させたものであり、光導電層中の炭素含有量が多い領域
で効果が顕著に現れる。したがって炭素含有量が３原子
％未満に変化する場合でも、分析可能な範囲でＣ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好ましくは
３０％以下とすれば、本発明の効果を得るのに充分であ
る。
【００８６】また、本発明において光導電層１０２中に
水素原子が含有されることが必要であるが、これはシリ
コン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導
電性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠で
あるからである。特に本発明のように炭素原子が含有さ
れた場合、その膜質を維持するために、より多くの水素
原子が必要となるため、炭素含有量にしたがって含有さ
れる水素量が調整されることが望ましい。よって水素原
子の含有量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましく
は５〜３５原子％、最適には１０〜３０原子％とされる
のが好ましい。
【００８７】さらに本発明においては、光導電層１０２
に必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させ
ることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層
第１領域中に万遍なく均一に分布した状態で含有されて
もよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含
有している部分があってもよい。
【００８８】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子）と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ），
タリウム（Ｔｌ）などがあり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好
適である。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、
ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）
などがあり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【００８９】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜５
×１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜１×
１０ 4 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜５×１０3 原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光導電層におい
て炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原子ｐｐｍ以下
の場合は、光導電層に含有される原子（Ｍ）の含有量と
しては好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍと
されるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１
０3 原子ｐｐｍを越える場合、原子（Ｍ）の含有量とし
ては、好ましくは１×１０-1〜５×１０4 原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。
【００９０】光導電層中に、伝導性を制御する原子、例
えば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層を形成するための他のガスととも
に導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質
あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも光導電
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。そのような第III 族原子導入用の原料物質
として具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ
6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ 6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ
12，Ｂ6 Ｈ14などの水素化ホウ素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，
ＢＢｒ3などのハロゲン化ホウ素などが挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 なども挙げることができる。
【００９１】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 などの水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ
3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 などのハロゲン化燐が挙げられる。この他、
ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ
5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓｂ
Ｃｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 なども第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。
【００９２】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅな
どのガスにより希釈して使用してもよい。
【００９３】さらに本発明の光導電層１０２には、周期
律表第Ｉａ族、IIa 族、VIａ族、VIII族から選ばれる少
なくとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は前記
光導電層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは該光導電層中に万遍なく含有されてはいるが、層厚
方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。これらの原子の含有量は０．１〜１００
００原子ｐｐｍが望ましい。Ｉａ族原子としては、具体
的には、リチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ）、カリ
ウム（Ｋ）を挙げることができ。第IIａ族原子として
は、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カル
シウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム
（Ｂａ）などを挙げることができる。
【００９４】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）などを挙げることができ、第VIII族原子として
は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）
などを挙げることができる。
【００９５】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果など
の点から適宜所望にしたがって決定され、光導電層につ
いては、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０
〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ま
しい。
【００９６】さらに本発明の光受容部材においては、光
導電層１０２の前記導電性基体側に、少なくともアルミ
ニウム原子、シリコン原子、炭素原子及び水素原子が層
厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有するこ
とが望ましい。
【００９７】本発明の目的を達成し得るａ−Ｓｉからな
る光導電層１０２を形成するためには、導電性基体の温
度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定
する必要がある。
【００９８】導電性基体の温度（Ｔｓ）は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０
℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【００９９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には、１×１０-4〜１０Ｔｏ
ｒｒとするのが好ましい。
【０１００】本発明においては、光導電層１０２を形成
するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲
として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成フ
ァクターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
【０１０１】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果など
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは５
〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４０μｍ、最適には
１５〜３０μｍとされるのが望ましい。
【０１０２】本発明の光受容部材の光導電層１０２は、
光導電層中に含有される全炭素原子に対する、Ｃ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好ましくは
３０％以下であれば、前述の問題点を解決する特性が得
られるのであって、その形成方法はいずれの方法でもよ
く、上記のような方法に限定されないのはいうまでもな
い。
【０１０３】本発明の表面層１０３は、電子写真用光受
容部材としての所望の特性、例えば電荷保持性、耐環境
性、耐擦性などが得られるような、非単結晶材料から構
成される。表面層の形成方法としては、ＲＦなどの高周
波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法などが好まし
いものとして挙げられる。
【０１０４】例えばａ−ＳｉＣで構成された表面層１０
３を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法で形成するには、基
本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガスと炭素
原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が減圧可
能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応容器内
でグロー放電を生起させ予め所定の位置に設置された導
電性基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成すれば
よい。
【０１０５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としてはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率のよさなどの点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガ
スのにより希釈して使用しても本発明には何ら差し支え
ない。
【０１０６】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素などが挙げられる。具体的には、飽
和炭化水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ 2
Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4
Ｈ10）、ペンタン（Ｃ 5 Ｈ12）、エチレン系炭化水素し
ては、エチレン（ Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ
6 ）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ
8 ）イソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5
Ｈ10）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン
（Ｃ4 Ｈ6 ）などが挙げられる。この他にＣＦ4 ，ＣＦ
3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 などのフッ化炭素化
合物も本発明のＣ供給用ガスとして使用できる。
【０１０７】また。これらのＣ供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガスにより希釈
して使用することも本発明には有効である。
【０１０８】また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ
5 ）4 などのケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて
使用することも本発明では有効である。
【０１０９】本発明に使用される上記のような原料ガス
は、各々異なる供給源（ボンベ）から供給してもよい
し、また、予め一定の濃度で混合されたガスを使用する
ことも本発明には有効である。
【０１１０】本発明において、表面層１０３の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果など
の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましく
は０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとさ
れるのが望ましい。
【０１１１】本発明において表面層１０３を形成する条
件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決定
することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範囲
が選択されるが、好ましくは１×１０3 〜１００Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適に
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０１１２】本発明においては、表面層１０３を形成す
るための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前
記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容
部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最
適値を決めるのが望ましい。
【０１１３】さらに本発明によって形成される電子写真
用光受容部材の層構成は、電子写真用光受容部材として
の所望の特性を得るために必要に応じて、上記光導電層
と表面層以外に、所望の特性を有する密着層、下部電荷
注入阻止層等を設けることも有効である。
【０１１４】以下本発明の電子写真用光受容部材の形成
方法の手順について説明する。
【０１１５】図２は高周波プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置の全体の構成の一例を模式的に示したもので
ある。この装置を用いた光導電層の形成手順の例を以下
に述べる。
【０１１６】反応容器２１１１内に円筒状の基体２１１
２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に
より反応容器２１１１内を排気する。続いて、支持体加
熱用ヒーター２１１３により基体２１１２の温度を２０
℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１１７】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベバルブ２２３１〜２２
３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられてい
ることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まず、メインバルブ
２１１８を開いて反応容器２１１１及びガス配管内２１
１６を排気する。
【０１１８】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【０１１９】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをガスボンベバルブ２２３１〜２２３６を開い
て導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス
圧を２ｋｇ／ｃｍ3 に調整する。次に、流入バルブ２２
４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコ
ントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【０１２０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基体２１１２上に光導電層及び表面層の形成を行
う。
【０１２１】基体２１１２が所定の温度になったところ
で流出バルブ２２５１〜２２５６のうち必要なもの及び
補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１
〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１４を介し
て反応容器２１１１内に導入する。次にマスフローコン
トローラー２２１１〜２２１６によって各原料ガスが所
定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１
１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよう
に真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開
口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２
１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス２１１５を通じて反応容器２１１１内に高周波電力
を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギ
ーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解さ
れ、基体２１１２上に所定の光導電層が形成される。所
望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止
め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。
【０１２２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１２３】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていること、また上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることはいうまでもない。
【０１２４】また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置を用いた場合の電子写真用光受容部材の
形成手順を説明する。
【０１２５】図３（Ａ），（Ｂ）はマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法の堆積膜形成装置の反応容器の一例の縦断面と
横断面をそれぞれ模式的に示した図であり、図４は同装
置の全体の構成を模式的に示した図である。
【０１２６】まず、反応容器３００１内に予め脱脂洗浄
された円筒状の導電性基体３００５を設置し、駆動装置
３０１０によって導電性基体３００５を回転し、不図示
の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３００
１内を排気管３００４を介して排気し、反応容器３００
１内の圧力を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。続い
て、基体加熱用ヒーター３００６により導電性基体３０
０５の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に加熱保持
する。
【０１２７】光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３
００１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４０３１
〜４０３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じ
られていることを確認し、また、流入バルブ４０４１〜
４０４６、流出バルブ４０５１〜４０５６、保持バルブ
４０６０が開かれていることを確認して、まずメインバ
ルブ（不図示）を開いて反応容器３００１及びガス配管
４０１７内にを排気する。
【０１２８】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４０６０、流出バ
ルブ４０５１〜４０５６を閉じる。
【０１２９】その後、ガスボンベ４０２１〜４０３６よ
り各ガスをバルブ４０３１〜４０３６を開いて導入し、
圧力調整器４０６１〜４０６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ2 に調整する。次に、流入バルブ４０４１〜４０
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー４０１１〜４０１６内に導入する。
【０１３０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、導電性基体３００５上に光導電層、表面層の各層の
形成を行う。
【０１３１】導電性基体３００５が所定の温度になった
ところで流出バルブ４０５１〜４０５６のうち必要なも
の及び補助バルブ４０６０を徐々に開き、ガスボンベ４
０２１〜４０２６から所定のガスをガス導入管３０１２
を介して反応容器３００１内の放電空間３００６に導入
する。次にマスフローコントローラー４０１１〜４０１
６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整す
る。その際、放電空間３００６内の圧力が１Ｔｏｒｒ以
下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見なが
らメインバルブ（不図示）の開口を調整する。内圧が安
定した後、電源３００９から電極３００８に例えば直流
などの外部電気バイアスを所望の電圧印加し、さらにマ
イクロ波電源（不図示）により、例えば周波数２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図
示）を所望の電力に設定し、導波管３００３、マイクロ
波導入窓３００２を介して放電空間３００６にμＷエネ
ルギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。この
ようにして導電性基体３００５上に所定の光受容部材が
形成される。このとき、層形成の均一化を図るため駆動
手段３０１０によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１３２】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１３３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１３４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていること、また上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることはいうまでもない。 （第２の発明）以下、図面にしたがって第２の本発明の
光受容部材についてより詳細に説明する。
【０１３５】図１は第１の本発明の電子写真用光受容部
材の層構成の一例を示した模式的断面図である。本発明
の電子写真用光受容部材１００は、導電性基体１０１上
に、光導電層１０２、表面層１０３を順次積層して成り
立っている。
【０１３６】本発明において使用される導電性基体１０
１は、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ，などの金属、及びこ
れらの合金、例えばステンレスなどが挙げられる。また
ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネイト、セル
ロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリエチレン、ポリアミドなどの合成樹脂のフィルムま
たはシート、ガラス、セラミックなどの電気絶縁性基体
の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理し
た基体も用いることができる。さらに光受容層を形成す
る側と反対側も導電処理することが望ましい。
【０１３７】導電性基体１０１の形状は平滑平面あるい
は凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト形状であるこ
とができ、その厚さは所望どうりの電子写真用光受容部
材を形成し得るように適宜決定されるが、電子写真用光
受容部材として可撓性が要求される場合には、基体とし
ての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかいしながら、基体の製造上及び取り
扱い上、機械的強度などの点から通常は１０μｍ以上と
される。
【０１３８】本発明においては、導電性基体１０１の表
面に凹凸を作る場合、例えばレーザー光などの可干渉性
光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現
れる干渉縞模様による画像不良を解消するために、導電
性基体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。導電性基体
１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８
１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−
２２５８５４号公報などに記載された公知の方法により
作製される。また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法と
して、導電性基体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、導電性基体１
０１の表面が電子写真用光受容部材に要求される解像力
よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。導電性基体１０１の表面に
設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６
１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法により
作製される。
【０１３９】本発明の光導電層１０２は、シリコン原子
を母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子、ならびに
酸素及び／または窒素原子を有し、さらに弗素原子を有
する非単結晶材料で構成され、該光導電層中に含有され
る全炭素原子に対して、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割
合が６０％以下、より好ましくは３０％以下であるよう
に形成される。本発明の光導電層の形成方法は、ＲＦな
どの高周波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ法、スパッタリング法などが好適であるが、いずれの
方法でも光導電層中に含有される全炭素原子に対して、
Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来のａ−ＳｉＣ系
光導電層に比べて低くなるように、結合状態を制御しな
がら反応を抑制する必要がある。
【０１４０】例えばＲＦプラズマＣＶＤ法や、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法で本発明の光導電層１０２を形成す
る場合、基本的にシリコン原子、炭素原子、などの表面
層を構成する原子を供給し得る原料ガスを、内部が減圧
可能な反応容器に所望のガス状態で導入し、反応容器内
でグロー放電を生起させ予め所定の位置に設置された導
電性基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成すれば
よい。
【０１４１】光導電層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を制御する方法の
例としては、原料ガス種の選択と放電中の電界の印加に
よるイオンの利用が挙げられる。
【０１４２】光導電層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来より少なく
なるように反応を制御する方法としては、原料ガスとし
てＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 などの水素化珪素類、またＳｉ
Ｆ4 などの弗化珪素類などのシリコン原子含有ガスとと
もに、炭素原子供給用の原料ガスとしてＳｉ（ＣＨ3）4
（テトラメチルシラン）など予めシリコン原子と炭素
原子の結合を有しているものを用いることが特に有効で
ある。また炭素原子供給用原料ガスとしては、上記テト
ラメチルシランとともにＣＨ4 ，ＣＦ4 などを用いても
よい。また、酸素原子の供給用ガスとしては、Ｏ2 ，Ｏ
3 などが挙げられるが酸素原子の供給に加えて、炭素原
子の供給が行えるという点からＣＯ，ＣＯ2 などの化合
物が挙げられ、同様に窒素原子の供給も行えるという点
から、ＮＯ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，Ｎ 2 Ｏ3 ，Ｎ2 Ｏ4 ，Ｎ
2 Ｏ5 などの化合物を挙げることができる。また、弗素
原子供給用の原料ガスとしては、例えば、弗素ガス、弗
素化物、弗素を含むハロゲン間化合物、弗素で置換され
たシラン誘導体などのガス状のまたはガス化し得る弗素
化合物が好ましく挙げられる。
【０１４３】また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法におい
ては、上記の方法とともに放電空間中に電界を外部電気
バイアスとしてかけ、イオンを効果的に基体表面に到達
させることにより制御の効果がより大きなものとなる。
この外部電気バイアスは直流電圧、パルス状の電圧、整
流器により整流された時間によって大きさが変化する脈
動電圧でもよく、正弦波、矩形波などの波形を持った交
流電圧も使用できる。外部電気バイアスの電圧としては
いずれも実効値で１５ｖ以上３００ｖ以下、好ましく
は、３０ｖ以上２００ｖ以下が適するが、堆積膜の所望
の特性が得られるようにその他のパラメータと関連して
適宜決定される。
【０１４４】本発明においては上記のような原料ガスを
Ｈ2 及び／または、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅなどの不活性ガス
で希釈して用いることも本発明では有効である。
【０１４５】本発明の光導電層１０２中の炭素原子の含
有量はシリコン原子に対して３〜３０原子％が好ましい
ものとして挙げられる。炭素含有量が３０原子％を越え
る場合は、光導電層中のＣ−Ｃ結合を従来よりも少なく
制御した場合でも、光キャリアが発生しにくくなるた
め、電子写真用光受容部材の光導電層として用いるに
は、残留電位が高くなるなどの問題が起こるため、不適
当である。
【０１４６】また炭素含有量が３原子％未満になると、
現在の分析機器の精度では結合状態を調べることが困難
になってくるため、本発明の効果を明確に分離すること
は困難になる。
【０１４７】この炭素原子は、光導電層中に万遍なく均
一に含有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量
が変化するような不均一な分布をもたせた部分であって
もよい。炭素の含有量を変化させる場合には、炭素含有
量の最も多い部分で上記の含有量をとることが好まし
く、炭素原子の少ない領域では、上記の範囲よりも少な
い含有量の部分があっても差し支えない。
【０１４８】この場合、炭素含有量が３原子％未満の領
域においても、先に示した方法によれば光導電層中に含
有される全炭素原子に対して、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原
子の割合が６０％以下となっていると推測されるが、上
記のように本発明の効果は不明確になってくる。
【０１４９】しかしながら本発明は、炭素を比較的多く
含んだ光導電層において、Ｃ−Ｃ結合を持った炭素原子
の割合を従来よりも少なく制御することによって、従来
に比べ優れた電子写真特性を示すことを見いだし、完成
させたものであり、光導電層中の炭素含有量が多い領域
で効果が顕著に現れる。したがって炭素含有量が３原子
％未満に変化する場合でも、分析可能な範囲でＣ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好ましくは
３０％以下とすれば、本発明の効果を得るのに充分であ
る。
【０１５０】また、本発明において光導電層１０２中に
水素原子が含有されることが必要であるが、これはシリ
コン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導
電性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠で
あるからである。特に本発明のように炭素原子が含有さ
れた場合、その膜質を維持するために、より多くの水素
原子が必要となるため、炭素含有量にしたがって含有さ
れる水素量が調整されることが望ましい。よって水素原
子の含有量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましく
は５〜３５原子％、最適には１０〜３０原子％とされる
のが好ましい。
【０１５１】またさらに、光導電層１０２に酸素原子及
び／または窒素原子が含有されることが必要であるが、
これは堆積膜のストレスをより効果的に緩和して膜の構
造欠陥を抑制し、さらに、炭素原子及び水素原子の凝集
を抑制する効果があるためである。このため、前記光導
電層中でのキャリアの層構成が改善され、電位シフトが
減少する。酸素原子及び／または窒素原子の含有量が１
０原子ｐｐｍより少ないと、さらなる膜の密着性の向上
及び異常成長の発生の抑制を図ることが充分にはできず
電位シフトも大きくなる。５０００原子ｐｐｍを越える
と電子写真の高速化に対応するための電気的特性が充分
でなくなる。したがって、酸素原子及び／または窒素原
子の含有量としては、１０〜５０００原子ｐｐｍとする
のが望ましい。また、酸素原子及び／または窒素原子は
前記光導電層中に万遍なく分布してもよいし、表面に各
々平行な面内では実質的に均一な分布状態であれば層厚
方向に不均一な分布状態であってもよい。
【０１５２】加えて本研究では、光導電層１０２中に弗
素原子が含有されてもよく、これは水素原子と同様にシ
リコン原子の未結合手を補償するだけでなく、炭素原子
及び水素原子の凝集を抑制する効果もある。弗素含有量
が１原子ｐｐｍより少ないと前記の効果が充分に発揮さ
れず、また、９５原子ｐｐｍを越えると逆に膜質が低下
してしまいゴースト現象を生じるようになってしまう。
したがって、弗素原子の含有量は望ましくは１〜９５原
子ｐｐｍ、より好ましくは３〜８０原子ｐｐｍ、最適に
は５〜５０原子ｐｐｍとされるのが好ましい。また、弗
素原子は前記光導電層中に万遍なく分布してもよいし、
表面に各々平行な面内では実質的に均一な分布状態であ
れば層厚方向に不均一な分布状態であってもよい。
【０１５３】さらに本発明においては、光導電層１０２
に必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させ
ることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層
第１領域中に万遍なく均一に分布した状態で含有されて
もよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含
有している部分があってもよい。
【０１５４】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子）と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ），
タリウム（Ｔｌ）などがあり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好
適である。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、
ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）
などがあり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【０１５５】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜５
×１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜１×
１０ 4 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜５×１０3 原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光導電層におい
て炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原子ｐｐｍ以下
の場合は、光導電層に含有される原子（Ｍ）の含有量と
しては好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍと
されるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１
０3 原子ｐｐｍを越える場合、原子（Ｍ）の含有量とし
ては、好ましくは１×１０-1〜５×１０4 原子ｐｐｍと
されるのが望ましい。
【０１５６】光導電層中に、伝導性を制御する原子、例
えば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層を形成するための他のガスととも
に導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質
あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも光導電
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。そのような第III 族原子導入用の原料物質
として具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ
6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ 6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ
12，Ｂ6 Ｈ14などの水素化ホウ素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，
ＢＢｒ3などのハロゲン化ホウ素などが挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 なども挙げることができる。
【０１５７】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 などの水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，ＰＦ
3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 などのハロゲン化燐が挙げられる。この他、
ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，ＡｓＦ
5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣ
ｌ3 ，ＳｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3
なども第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
【０１５８】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅな
どのガスにより希釈して使用してもよい。
【０１５９】さらに本発明の光導電層１０２には、周期
律表第Ｉａ族、IIa 族、VIａ族、VIII族から選ばれる少
なくとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は前記
光導電層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは該光導電層中に万遍なく含有されてはいるが、層厚
方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。これらの原子の含有量は０．１〜１００
００原子ｐｐｍが望ましい。Ｉａ族原子としては、具体
的には、リチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ）、カリ
ウム（Ｋ）を挙げることができ。第IIａ族原子として
は、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カル
シウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム
（Ｂａ）などを挙げることができる。
【０１６０】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）などを挙げることができ、第VIII族原子として
は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）
などを挙げることができる。
【０１６１】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果など
の点から適宜所望にしたがって決定され、光導電層につ
いては、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０
〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望ま
しい。
【０１６２】さらに本発明の光受容部材においては、光
導電層１０２の前記導電性基体側に、少なくともアルミ
ニウム原子、シリコン原子、炭素原子、及び水素原子が
層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有する
ことが望ましい。
【０１６３】本発明の目的を達成し得るａ−Ｓｉからな
る光導電層１０２を形成するためには、導電性基体の温
度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定
する必要がある。
【０１６４】導電性基体の温度（Ｔｓ）は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０
℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０１６５】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には、１×１０-4〜１０Ｔｏ
ｒｒとするのが好ましい。
【０１６６】本発明においては、光導電層１０２を形成
するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲
として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成フ
ァクターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
【０１６７】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果など
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは５
〜５０μｍ，より好ましくは１０〜４０μｍ、最適には
１５〜３０μｍとされるのが望ましい。
【０１６８】本発明の光受容部材の光導電層１０２は、
光導電層中に含有される全炭素原子に対する、Ｃ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好ましくは
３０％以下であれば、前述の問題点を解決する特性が得
れるのであって、その形成方法はいずれの方法でもよ
く、上記のような方法に限定されないのはいうまでもな
い。本発明の表面層１０３は、電子写真用光受容部材と
しての所望の特性、例えば電荷保持性、耐環境性、耐擦
性などが得られるような、非単結晶材料から構成され
る。表面層の形成方法としては、ＲＦなどの高周波プラ
ズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法などが好ましいもの
として挙げられる。例えばａ−ＳｉＣで構成された表面
層１０３を、マイクロ波プラズマＣＶＤ法で形成するに
は、基本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガス
と炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が
減圧可能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応
容器内でグロー放電を生起させ予め所定の位置に設置さ
れた導電性基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成
すればよい。本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としてはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ3
Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10などのガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率のよさなどの点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなどのガ
スのにより希釈して使用しても本発明には何ら差し支え
ない。炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得るもの
として有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原
子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数
２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレ
ン系炭化水素などが挙げられる。具体的には、飽和炭化
水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ 2 Ｈ
6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ
10）、ペンタン（Ｃ 5 Ｈ12）、エチレン系炭化水素して
は、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ 3 Ｈ6 ）、
ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ8 ）、イ
ソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）ペンテン（Ｃ5 Ｈ10）、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、メ
チルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン（Ｃ4 Ｈ6 ）など
が挙げられる。この他にＣＦ4 ，ＣＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ
3 Ｆ8 ，Ｃ4 Ｆ8 などのフッ化炭素化合物も本発明のＣ
供給用ガスとして使用できる。また。これらのＣ供給用
の原料ガスを必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅなど
のガスにより希釈して使用することも本発明には有効で
ある。また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ，Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5）4 な
どのケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて使用する
ことも本発明では有効である。本発明に使用される上記
のような原料ガスは、各々異なる供給源（ボンベ）から
供給してもよいし、また、予め一定の濃度で混合された
ガスを使用することも本発明には有効である。
【０１６９】本発明において、表面層１０３の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果など
の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましく
は０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとさ
れるのが望ましい。
【０１７０】本発明において表面層１０３を形成する条
件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決定
することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範囲
が選択されるが、好ましくは１×１０5 〜１００Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適に
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０１７１】本発明においては、表面層１０３を形成す
るための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前
記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容
部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最
適値を決めるのが望ましい。
【０１７２】さらに本発明によって形成される電子写真
用光受容部材の層構成は、電子写真用光受容部材として
の所望の特性を得るために必要に応じて、上記光導電層
と表面層以外に、所望の特性を有する密着層、下部電荷
注入阻止層等を設けることも有効である。
【０１７３】以下本発明の電子写真用光受容部材の形成
方法の手順について説明する。
【０１７４】図２は高周波プラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置の全体の構成の一例を模式的に示したもので
ある。この装置を用いた光導電層の形成手順の例を以下
に述べる。反応容器２１１１内に円筒状の基体２１１２
を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）によ
り反応容器２１１１内を排気する。続いて、支持体加熱
用ヒーター２１１３により基体２１１２の温度を２０℃
〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１７５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベバルブ２２３１〜２２
３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられてい
ることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まず、メインバルブ
２１１８を開いて反応容器２１１１及びガス配管内２１
１６を排気する。
【０１７６】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-4
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【０１７７】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをガスボンベバルブ２２３１〜２２３６を開い
て導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス
圧を２ｋｇ／ｃｍ3 に調整する。次に、流入バルブ２２
４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコ
ントローラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【０１７８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基体２１１２上に光導電層及び表面層の形成を行
う。
【０１７９】基体２１１２が所定の温度になったところ
で流出バルブ２２５１〜２２５６のうち必要なもの及び
補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１
〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１４を介し
て反応容器２１１１内に導入する。次にマスフローコン
トローラー２２１１〜２２１６によって各原料ガスが所
定の流量になるように調整する。その際、反応容器２１
１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよう
に真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の開
口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源２
１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボッ
クス２１１５を通じて反応容器２１１１内に高周波電力
を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギ
ーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解さ
れ、基体２１１２上に所定の光導電層が形成される。所
望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止
め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。
【０１８０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１８１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていること、また上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることはいうまでもない。
【０１８２】また、マイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置を用いた場合の電子写真用光受容部材の
形成手順を説明する。
【０１８３】図３（Ａ），（Ｂ）はマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法の堆積膜形成装置の反応容器の一例の縦断面と
横断面をそれぞれ模式的に示した図であり、図４は同装
置の全体の構成を模式的に示した図である。
【０１８４】まず、反応容器３００１内に予め脱脂洗浄
された円筒状の導電性基体３００５を設置し、駆動装置
３０１０によって導電性基体３００５を回転し、不図示
の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３００
１内を排気管３００４を介して排気し、反応容器３００
１内の圧力を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。続い
て、基体加熱用ヒーター３００６により導電性基体３０
０５の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に加熱保持
する。光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３００１
に流入させるには、ガスボンベのバルブ４０３１〜４０
３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ４０４１〜４０４
６、流出バルブ４０５１〜４０５６、保持バルブ４０６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３００１及びガス配管４０
１７内にを排気する。
【０１８５】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４０６０、流出バ
ルブ４０５１〜４０５６を閉じる。
【０１８６】その後、ガスボンベ４０２１〜４０３６よ
り各ガスをバルブ４０３１〜４０３６を開いて導入し、
圧力調整器４０６１〜４０６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ2 に調整する。次に、流入バルブ４０４１〜４０
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー４０１１〜４０１６内に導入する。
【０１８７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、導電性基体３００５上に光導電層、表面層の各層の
形成を行う。
【０１８８】導電性基体３００５が所定の温度になった
ところで流出バルブ４０５１〜４０５６のうち必要なも
の及び補助バルブ４０６０を徐々に開き、ガスボンベ４
０２１〜４０２６から所定のガスをガス導入管３０１２
を介して反応容器３００１内の放電空間３００６に導入
する。次にマスフローコントローラ４０１１〜４０１６
によって各原料ガスが所定の流量になるように調整す
る。その際、放電空間３００６内の圧力が１Ｔｏｒｒ以
下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見なが
らメインバルブ（不図示）の開口を調整する。内圧が安
定した後、電源３００９から電極３００８に例えば直流
などの外部電気バイアスを所望の電圧印加し、さらにマ
イクロ波電源（不図示）により、例えば周波数２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図
示）を所望の電力に設定し、導波管３００３、マイクロ
波導入窓３００２を介して放電空間３００６μＷエネル
ギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。このよ
うにして導電性基体３００５上に所定の光受容部材が形
成される。このとき、層形成の均一化を図るため駆動手
段３０１０によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１８９】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１９０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１９１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていること、また上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられることはいうまでもない。 （第３の発明）以下、図面に従って第３の本発明の光受
容部材についてより詳細に説明する。
【０１９２】図５は本発明の電子写真用光受容部材の層
構成の一例を示した模式的断面図である。本発明の電子
写真用光受容部材１００は、導電性基体１０１上に、阻
止層１０４、光導電層１０２、表面層１０３を順次積層
して成り立っている。
【０１９３】本発明において使用される導電性基体１０
１はたとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、等の金属、およびこ
れらの合金、たとえばステンレス等が挙げられる。また
ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネイト、セル
ロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリエチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまた
はシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁基体の少な
くとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した基体
も用いることができる。さらに光受容層を形成する側と
反対側も導電処理することが望ましい。
【０１９４】導電性基体１０１の形状は平滑平面あるい
は凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト形状であるこ
とができ、その厚さは所望どうりの電子写真用光受容部
材を形成し得るように適宜決定されるが、電子写真用光
受容部材として可とう性が要求される場合には、基体と
しての機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くす
ることができる。しかしながら、基体の製造上および取
り扱い上、機械的強度等の点から通常１０μｍ以上とさ
れる。
【０１９５】本発明において、導電性基体１０１の表面
に凹凸をつくる場合、例えばレーザー光などの可干渉性
光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現
われる干渉縞模様による画像不良を解消するために、導
電性基体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。導電性基
体１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６
８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０
−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法により
作製される。また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法と
して、導電性基体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を設けてもよい。即ち、導電性基体１０１
の表面が電子写真用感光体に要求される解像力よりも微
少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪み
によるものである。導電性基体１０１の表面に設けられ
る複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−２３
１５６１号公報に記載された公知の方法により作製され
る。
【０１９６】本発明の阻止層１０４は、シリコン原子を
母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子を有し、さら
に硼素原子を含有する非単結晶材で構成され、該阻止層
中に含有される炭素原子（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）が３原子％以
上５０原子％以下で、かつ、該阻止層中に含有される全
炭素原子に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の
割合が８０％、より好ましくは、５０％以下であるよう
に形成される。
【０１９７】本発明の阻止層の形成方法は、プラズマＣ
ＶＤ法、スパッタリング法等が好適であるが、いずれの
方法でも阻止層中に含有される全炭素原子に対して、Ｃ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来のａ−ＳｉＣ系阻
止層に比べて低くなるように、結合状態を制御しながら
反応を抑制する必要がある。
【０１９８】例えばＲＦプラズマＣＶＤ法や、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法で本発明の阻止層１０４を形成する
場合、基本的にシリコン原子、炭素原子等の阻止層を構
成する原子を供給し得る原料ガスを、内部が減圧可能な
反応容器に所望のガス状態で導入し、反応容器内でグロ
ー放電を起こし、あらかじめ所定の位置に設置された導
電性基体１０１上阻止層を形成すれば良い。
【０１９９】阻止層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を制御する方法の
例としては、原料ガス種の選択と放電中の電界の印可に
よるイオンの利用が挙げられる。
【０２００】阻止層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来より少なく
なるように反応を制御する方法としては、原料ガスとし
てＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の水素化珪素類、またＳｉＦ
4 等の弗化珪素類などのシリコン原子含有ガスととも
に、炭素原子供給用の原料ガスとしてＳｉ（ＣＨ3 ）4
（テトラメチルシラン）等があらかじめシリコン原子と
炭素原子の結合を有しているものを用いることが特に有
効である。また炭素原子供給用原料ガスとしては、上記
テトラメチルシランとともにＣＨ4 、ＣＦ4 等を用いて
も良い。
【０２０１】また、マイクロ波放電法に於いては、上記
の方法とともに放電空間中に電界を掛けイオンを効果的
に支持体表面に到達させることにより制御の効果がより
大きなものとなる。
【０２０２】本発明においては上記のような原料ガスを
Ｈ2 および／または、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の不活性ガス
で希釈して用いることも本発明では有効である。
【０２０３】本発明の阻止層１０４中の炭素原子の含有
量はシリコン原子に対して５〜５０原子％が好ましいも
のとして挙げられる。炭素含有量が５０原子％を超える
場合は、阻止層中のＣ−Ｃ結合を従来よりも少なく制御
した場合でもブロッキング性能が低下し、硼素のドーピ
ング効率が低下してしまうため、帯電能の低下等の電子
写真特性を低下させてしまう。
【０２０４】また、炭素含有率が３原子％未満になる
と、現在の分折器な精度では結合状態を調べることが困
難になってくるため、本発明の効果を明確に分離するこ
とは困難になる。
【０２０５】この炭素原子は、阻止層中にまんべんなく
均一に含有されても良いし、阻止層の層厚方向に含有量
が変化するような不均一な分布をもたらせた部分があっ
ても良い。炭素の含有量を変化させる場合には、炭素含
有量のもっとも多い部分で上記の含有量をとることが好
ましく、炭素原子の少ない領域では、上記の範囲よりも
少ない含有量の部分があっても差し支えない。
【０２０６】この場合、炭素含有量の少ない領域、例え
ば約３原子％未満の領域に於いても、先に示した方法に
よれば、阻止層中に含有される全炭素原子に対して、Ｃ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が８０％以下となってく
ると推測されるが、上記のように本発明の効果は不明確
になってくる。
【０２０７】しかしながら本発明は、炭素を比較的多く
ふくんだ阻止層に於いて、Ｃ−Ｃ結合を持った炭素原子
の割合を従来よりも少なく制御することによって従来に
比べ優れた電子写真特性を示すことを見いだし、完成さ
せたものであり、阻止層中の炭素含有量が多い領域で顕
著に現われる。従って炭素含有量が５％未満に変化する
場合でも、分折分析な範囲でＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子
の割合が８０％以下とすれば、本発明の効果を得るのに
十分である。
【０２０８】また、本発明において阻止層１０２中に水
素原子が含有されることが必要であるが、これはシリコ
ン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電
性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠で
あるからである。特に本発明のように炭素原子が含有さ
れた場合、その膜質を維持するために、より多くの水素
原子が必要となるため、炭素含有量に従って含有される
水素量が調整されることが望ましい。よって水素原子の
含有量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５
〜３５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが
好ましい。
【０２０９】さらに本発明においては、阻止層１０４に
必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、阻止層第１
領域中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されて
も良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含
有している部分があっても良い。
【０２１０】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、
タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適
である。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、ヒ
素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等
があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【０２１１】阻止層に含有される伝導性を制御する原子
（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜５×
１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜１×１
０4原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜５×１０3 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、阻止層において炭
素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原子ｐｐｍ以下の場
合は、阻止層に含有される原子（Ｍ）の含有量としては
好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍとされる
のが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原
子ｐｐｍを超える場合は、原子（Ｍ）の含有量として
は、好ましく１×１０-1〜５×１０4 原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。
【０２１２】阻止層中に、伝導性を制御する原子、例え
ば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物質
あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、阻止層を形成するための他のガスとともに導
入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも阻止層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。そのような第III 族原子導入用の原料物質として
具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ
4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、Ｂ6 Ｈ12、Ｂ
6 Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3
等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣ
ｌ3 、ＧａＣｌ3 、Ｇａ（ＣＨ3）3 、ＩｎＣｌ3 、Ｔ
ｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【０２１３】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ、ＰＦ
3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、ＰＣｌ5 、ＰＢｒ3 、ＰＢｒ
5 、Ｐｌ5 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 、ＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、ＡｓＢｒ3 、ＡｓＦ
5 、ＳｂＨ3 、ＳｂＦ3 、ＳｂＦ5 、ＳｂＣｌ3 、Ｓｂ
Ｃｌ5 、ＢｉＨ3 、ＢｉＣｌ 3 、ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げられるこ
とができる。
【０２１４】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
【０２１５】さらに本発明の阻止層１０２には、周期律
表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれる少な
くとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は前記阻
止層中にまんべんなく均一に分布されてもよいし、ある
いは該阻止層中にまんべんなく含有されてはいるが、層
厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分
があってもよい。これらの原子の含有量は、０．１〜１
００００原子ｐｐｍが望ましい。Ｉａ族原子としては、
具体的には、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、
カリウム（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子とし
ては、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カ
ルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム
（Ｂａ）等を挙げることができる。
【０２１６】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII原子としては、鉄
（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等を挙
げることができる。
【０２１７】本発明において、阻止層１０２の層厚は所
望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等の
点から適宜所望に従って決定され、好ましくは０．３〜
１０μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍ、最適には１
〜３μｍとされるのが望ましい。
【０２１８】さらに本発明の光受容部材においては、阻
止層１０４の前記導電性基体側に、少なくともアルミニ
ウム原子、シリコン原子、炭素原子および水素原子が層
厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有するこ
とが望ましい。
【０２１９】本発明の目的を達成し得るａ−Ｓｉからな
る阻止層１０４を形成するためには、導電性基体の温
度、反応容器内のガス圧を所望に従って、適宜設定する
必要がある。
【０２２０】導電性基体の温度（Ｔｓ）は、層設計に従
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、
最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０２２１】反応容器内のガス圧も同様に層領域設計に
従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１０Ｔｏｒ
ｒとするのが好ましい。
【０２２２】本発明においては、阻止層１０４を形成す
るための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて層領域作成ファクターの最
適値を決めるのが望ましい。
【０２２３】本発明の光導電層１０２は、電子写真用光
受容部材としての所望の光導電性が得られるような、非
単結晶材料から構成される。光導電層の形成方法として
は、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が好
ましいものとして挙げられる。
【０２２４】例えばａ−ＳｉＣで構成された光導電層１
０２を、ＲＦ等を用いたプラズマＣＶＤ法で形成するに
は、基本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガス
と炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が
減圧可能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応
容器内でグロー放電を生起させあらかじめ所定の位置に
設置された基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成
すればよい。
【０２２５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ 2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用しても本発明には何等差し支えない。
【０２２６】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2Ｈ6
）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ
10）、ペンタン（Ｃ5Ｈ12）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ 3 Ｈ
6 ）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ
8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5
Ｈ10）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン
（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。この他に、ＣＦ4 、ＣＦ
3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化合
物も本発明のＣ供給用ガスとして使用できる。
【０２２７】また、これらのＣ供給用の原子ガスを必要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用することも本発明では有効である。
【０２２８】また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ
5 ）4 等のケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて使
用することも本発明では有効である。
【０２２９】本発明に使用される上記のような原料ガス
は、各々異なる供給源（ボンベ）化ら供給してもよい
し、また、あらかじめ一定の濃度で混合されたガスを使
用することも本発明には有効である。
【０２３０】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは
１５〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが
望ましい。
【０２３１】本発明において光導電層１０２を形成する
条件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決
定することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が
選択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好まし
くは５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とする
のが望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範
囲が選択されるが、好ましくは１×１０-5〜１００Ｔｏ
ｒｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適
には１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが好ましい。
【０２３２】本発明においては、光導電層１０２を形成
するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として
前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受
容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて
最適値を決めるのが望ましい。
【０２３３】また本発明の光導電層の作成方法では、前
述の１５ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の周波数を用いた
プラズマＣＶＤ法も有効に使用できる。
【０２３４】本発明の表面層１０３は、電子写真用光受
容部材としての所望の特性、例えば電荷保持性、耐環境
性、耐擦性等が得られるような、非単結晶材料から構成
される。表面層の形成方法としては、ＲＦプラズマＣＶ
Ｄ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等が好ましいものとして挙
げられる。
【０２３５】例えばａ−ＳｉＣで構成された表面層１０
３を、ＲＦ等を用いたプラズマＣＶＤ法で形成するに
は、基本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガス
と炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が
減圧可能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応
容器内でグロー放電を生起させあらかじめ所定の位置に
設置された基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成
すればよい。
【０２３６】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率のよき等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ 3 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用しても本発明には何等差し支えない。
【０２３７】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2Ｈ6
）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ
10）、ペンタン（Ｃ6Ｈ12）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ 3 Ｈ
6 ）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ
8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5
Ｈ10）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン
（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。この他に、ＣＦ4 、ＣＦ
3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化合
物も本発明のＣ供給用ガスとして使用できる。
【０２３８】また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用することも本発明では有効である。
【０２３９】また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ
5 ）4 等のケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて使
用することも本発明では有効である。
【０２４０】本発明に使用される上記のような原料ガス
は、各々異なる供給源（ボンベ）化ら供給してもよい
し、また、あらかじめ一定の濃度で混合されたガスを使
用することも本発明には有効である。
【０２４１】本発明において、表面層１０３の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、および経済的効果等
の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましく
は０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとさ
れるのが望ましい。
【０２４２】本発明において表面層１０３を形成する条
件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決定
することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範囲
が選択されるが、好ましくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適に
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０２４３】本発明においては、表面層１０３を形成す
るための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前
記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容
部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最
適値を決めるのが望ましい。
【０２４４】また本発明の表面層の作成方法では、前述
の１５ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の周波数を用いたプ
ラズマＣＶＤ法も有効に使用できる。
【０２４５】以下本発明の電子写真用光受容部材の形成
方法の手順について説明する。
【０２４６】図２は、ＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積
膜形成装置の全体の構成を模式的に示した図である。こ
の装置を用いた光受容部材の形成手順の１例を以下に述
べる。
【０２４７】反応容器２１１１内に円筒状の基体２１１
２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に
より反応容器２１１１内を排気する。続いて、支持体加
熱用ヒーター２１１３により基体２１１２の温度を２０
℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０２４８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１
１０を排気する。
【０２４９】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【０２５０】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガクをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ2 に調整する。次に、流出バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。
【０２５１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基体２１１２上に阻止層、光導電層および表面層の
形成を行う。
【０２５２】基体２１１２が所定の温度になったところ
で流出バルブ２２５１〜２２５６の内の必要なものおよ
び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２
１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１４を介
して反応容器２１１１内に導入する。次にマスフローコ
ントローラー２２１１〜２２１６によって各原料ガスが
所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２
１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の
開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源
２１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボ
ックス２１１５を通じて反応容器２１１１内にＲＦ電力
を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、基体２１１２上に所定の阻止層が形成される。所
望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、
流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、層
の形成を終える。
【０２５３】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていること、また上
述のガス種およびバブル操作は各々の層の作成条件に従
って変更が加えられることは言うまでもない。
【０２５４】またＶＨＦを用いたプラズマＣＶＤ法での
堆積膜形成装置、および形成方法は、上記のＲＦプラズ
マＣＶＤ法の場合の高周波電源２１１５と高周波マッチ
ングボックス２１１１をＶＨＦ用のものに変更するだけ
でよい。
【０２５５】次にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いた
堆積膜形成装置における本発明の光受容部材の形成の手
順を説明する。図３はマイクロ波プラズマＣＶＤ法の堆
積膜形成装置の反応容器一例の横断面を模式的に示した
図であり、図４は同装置の全体の構成を模式的に示した
図である。
【０２５６】まず、反応容器３００１、４００１内にあ
らかじめ脱脂洗浄された導電性基体３００５を設置し、
駆動装置３０１０によって導電性基体３００５を回転
し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応
容器３００１、４００１内を排気管３００４、４００４
を介して排気し、反応容器３００１、４００１内の圧力
を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、基体加
熱用ヒーター３００６により円筒状基体３００５の温度
を２０℃〜５００℃の所定の温度に加熱保持する。
【０２５７】光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３
００１、４００１に流入させるには、ガスボンベのバル
ブ４０３１〜４０３６、反応容器のリークバルブ（不図
示）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ
４０４１〜４０４６、流出バルブ４０５１〜４０５６、
補助バルブ４０６０が開かれていることを確認して、ま
ずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器３００１、
４００１およびガス配管４０１７内を排気する。
【０２５８】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４０６０、流出バ
ルブ４０５１〜４０５６を閉じる。
【０２５９】その後、ガスボンベ４０２１〜４０３６よ
り各ガスをバルブ４０３１〜４０３６開いて導入し、圧
力調整器４０６１〜４０６６）により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ2 に調整する。次に、流入バルブ４０４１〜４０
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー４０１１〜４０１６内に導入する。
【０２６０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体３００５上に阻止層、光導電層、表面層
の各層の形成を行う。
【０２６１】円筒状基体３００５が所定の温度になった
ところで流出バルブ３０５１〜４０５６の内の必要なも
のおよび補助バルブ４０６０）を徐々に開き、ガスボン
ベ４０２１〜４０２６から所定のガスをガス導入管３０
１２を介して反応容器３００１内の放電空間３００６）
に導入する。次にマスフローコントローラー４０１１〜
４０１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間３００６内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧
力が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により、例
えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マ
イクロ波電源（不図示）を所望の電力に設定し、導波管
３００３、４００３、マイクロ波導入窓３００２を介し
て放電空間３００６にμＷエネルギーを導入して、μＷ
グロー放電を生起させる。このようにして導電性基体３
００５上に所定の光受容部材が形成される。この時、層
形成の均一化を図るため駆動手段３０１０によって、所
望の回転速度で回転させる。
【０２６２】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０２６３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０２６４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていること、また上
述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に従
って変更が加えられることは言うまでもない。 （第４の発明）以下、図面に従って第４の本発明の光受
容部材についてより詳細に説明する。
【０２６５】図５は本発明の電子写真用光受容部材の層
構成の一例を示した模式的断面図である。本発明の電子
写真用光受容部材１００は、導電性基体１０１上に、阻
止層１０４、光導電層１０２、表面層１０３を順次積層
して成り立っている。
【０２６６】本発明において使用される導電性基体１０
１は、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、
Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ、等の金属、および
これらの合金、たとえばステンレス等が挙げられる。ま
たポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネイト、セ
ルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
またはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性基体
の少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理し
た基体も用いることができる。さらに光受容層を形成す
る側と反対側も導電処理することが望ましい。
【０２６７】導電性基体１０１の形状は平滑平面あるい
は凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト形状であるこ
とができ、その厚さは所望どおりの電子写真用光受容部
材を形成し得るように適宜決定されるが、電子写真用光
受容部材として可とう性が要求される場合には、基体と
しての機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くす
ることができる。しかしながら、基体の製造上および取
り扱い上、機械的強度等の点から通常１０μｍ以上とさ
れる。
【０２６８】本発明において、導電性基体１０１の表面
に凹凸をつくる場合、例えばレーザー光などの可干渉性
光を用いて像記録を行う場合には、可視側像において現
われる干渉縞模様による画像不良を解消するために、導
電性基体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。導電性基
体１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６
８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０
−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法により
作成される。また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法と
して、導電性基体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を設けてもよい。即ち、導電性基体１０１
の表面が電子写真用感光体に要求される解像力よりも微
少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪み
によるものである。導電性基体１０１の表面に設けられ
る複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−２３
１５６１号公報に記載された公知の方法により作製され
る。
【０２６９】本発明の阻止層１０４は、シリコン原子を
母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子を有し、さら
に酸素原子および／または、窒素原子を含有する非単結
晶材で構成され、該阻止層中に含有される炭素原子｛Ｃ
／（Ｓｉ＋Ｃ）｝が３原子％以上５０原子％以下で、か
つ、該阻止層中に含有される全炭素原子に対して、炭素
−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が８０％、より好ま
しくは、５０％以下であるように形成される。
【０２７０】本発明の阻止層の形成方法は、プラズマＣ
ＶＤ法、スパッタリング法等が好適であるが、いずれの
方法でも阻止層中に含有される全炭素原子に対して、Ｃ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来のａ−ＳｉＣ系阻
止層に比べて低くなるように、結合状態を制御しながら
反応を抑制する必要がある。
【０２７１】例えばＲＦプラズマＣＶＤ法や、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法、１５ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲
の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法で本発明の阻
止層１０４を形成する場合、基本的にシリコン原子、炭
素原子等の阻止層を構成する原子を供給し得る原料ガス
を、内部が減圧可能な反応容器に所望のガス状態で導入
し、反応容器内でグロー放電を起こし、あらかじめ所定
の位置に設置された導電性基体１０１上阻止層を形成す
れば良い。
【０２７２】阻止層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を制御する方法の
例としては、原料ガス種の選択と放電中の電界の印可に
よるイオンの利用が挙げられる。
【０２７３】阻止層中に含有される全炭素原子に対し
て、Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が従来より少なく
なるように反応を制御する方法としては、原料ガスとし
てＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等の水素化珪素類、またＳｉＦ
4 等の弗化珪素類などのシリコン原子含有ガスととも
に、炭素原子供給用の原料ガスとしてＳｉ（ＣＨ3 ）4
（テトラメチルシラン）等あらかじめシリコン原子と炭
素原子の結合を有しているものを用いることが特に有効
である。また炭素原子供給用原料ガスとしては、上記テ
トラメチルシランとともにＣＨ4 、ＣＦ4 等を用いても
良い。
【０２７４】また、マイクロ波放電法においては、上記
の方法とともに放電空間中に電界を掛けイオンを効果的
に支持体表面に到達させることにより制御の効果がより
大きなものとなる。
【０２７５】本発明においては上記のような原料ガスを
Ｈ2 および／または、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の不活性ガス
で希釈して用いることも本発明では有効である。
【０２７６】本発明の阻止層１０４中の炭素原子の含有
量はシリコン原子に対して５〜５０原子％が好ましいも
のとして挙げられる。炭素含有量が５０原子％を超える
場合は、阻止層中のＣ−Ｃ結合を従来よりも少なく制御
した場合でもブロッキング性能が低下し、硼素のドーピ
ング効率が低下してしまうため、帯電能の低下等の電子
写真特性を低下させてしまう。
【０２７７】また、炭素含有率が３原子％未満になる
と、現在の分析器の精度では結合状態を調べることが困
難になってくるため、本発明の効果を明確に分離するこ
とは困難になる。
【０２７８】この炭素原子は、阻止層中にまんべんなく
均一に含有されても良いし、阻止層の層厚方向に含有量
が変化するような不均一な分布をもたらせた部分があっ
ても良い。炭素の含有量を変化させる場合には、炭素含
有量のもっとも多い部分で上記の含有量をとることが好
ましく、炭素原子の少ない領域では、上記の範囲よりも
少ない含有量の部分があっても差し支えない。
【０２７９】この場合、炭素含有量の少ない領域、例え
ば約３原子％未満の領域においても、先に示した方法に
よれば、阻止層中に含有される全炭素原子に対して、Ｃ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が８０％以下となってく
ると推測されるが、上記のように本発明の効果は不明確
になってくる。
【０２８０】しかしながら本発明は、炭素を比較的多く
ふくんだ阻止層に於いて、Ｃ−Ｃ結合を持った炭素原子
の割合を従来よりも少なく制御することによって従来に
比べ優れた電子写真特性を示すことを見いだし、完成さ
せたものであり、阻止層中の炭素含有量が多い領域で顕
著に現れる。従って炭素含有量が５％未満に変化する場
合でも、分析可能な範囲でＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の
割合が８０％以下とすれば、本発明の効果を得るのに十
分である。
【０２８１】また、本発明において阻止層１０４中に酸
素原子、および／または、窒素原子を含有させるための
導入用の原料となる酸素原子含有化合物としては、例え
ば酸素（Ｏ2 ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（Ｃ
Ｏ2 ）等が挙げられる。
【０２８２】また、窒素原子導入用の原料となる窒素原
子含有化合物としては、例えば、窒素（Ｎ2 ）、アンモ
ニア（ＮＨ3 ）等が挙げられる。
【０２８３】また、酸素原子の供給に加えて、窒素原子
の供給も同時に行えるという点から、一酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、一酸化二窒素（Ｎ2
Ｏ）、三酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ3 ）、四酸化二窒素（Ｎ2
Ｏ4 ）、五酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ5 ）等が挙げられる。
【０２８４】また、本発明において阻止層１０４中に水
素原子が含有されることが必要であるが、これはシリコ
ン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電
性および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠で
あるからである。特に本発明のように炭素原子が含有さ
れた場合、その膜質を維持するために、より多くの水素
原子が必要となるため、炭素含有量に従って含有される
水素量が調整されることが望ましい。よって水素原子の
含有量は望ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５
〜３５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが
好ましい。
【０２８５】さらに本発明においては、阻止層１０４に
必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、阻止層第１
領域中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されて
も良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含
有している部分があっても良い。
【０２８６】前記の伝導性を制御する原子（Ｍ）として
は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する
原子（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ
族原子」と略記する）を用いることができる。第III族
原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、
タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適
である。第Ｖ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、ヒ
素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等
があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【０２８７】阻止層に含有される伝導性を制御する原子
（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜５×
１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜１×１
０4原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜５×１０3 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、阻止層において炭
素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原子ｐｐｍ以下の場
合は、阻止層に含有される原子（Ｍ）の含有量としては
好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍとされる
のが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０3 原
子ｐｐｍを超える場合は、原子（Ｍ）の含有量として
は、好ましく１×１０-1〜５×１０4 原子ｐｐｍとされ
るのが望ましい。
【０２８８】阻止層中に、伝導性を制御する原子、たと
えば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、阻止層を形成するための他のガスとともに
導入してやれば良い。第III 族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも阻止層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。そのような第III 族原子導入用の原料物質とし
て具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ
4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ5 Ｈ10、Ｂ6 Ｈ10、Ｂ
6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、
ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、
ＡｌＣｌ3 、ＧａＣｌ3 、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＩｎＣｌ
3 、ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【０２８９】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 ｌ、ＰＦ
3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、ＰＣｌ5 、ＰＢｒ3 、ＰＢｒ
5 、ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 、ＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、ＡｓＢｒ3 、ＡｓＦ
5 、ＳｂＨ3 、ＳｂＦ3 、ＳｂＦ5 、ＳｂＣｌ3 、Ｓｂ
Ｃｌ5 、ＢｉＨ3 、ＢｉＣｌ 3 、ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
できる。
【０２９０】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
【０２９１】さらに本発明の阻止層１０４には、周期律
表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれる少な
くとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は前記阻
止層中にまんべんなく均一に分布されてもよいし、ある
いは該阻止層中にまんべんなく含有されているが、層厚
方向に対し不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。これらの原子の含有量は、０．１〜１０
０００原子ｐｐｍが望ましい。Ｉａ族原子としては、具
体的には、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カ
リウム（Ｋ）を挙げることができ、第IIａ族原子として
は、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カル
シウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム
（Ｂａ）等を挙げることができる。
【０２９２】また、第VIａ族原子としては具体的には、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、
鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）等を
挙げることができる。
【０２９３】本発明において、阻止層１０２の層厚は所
望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等の
点から適宜所望に従って決定され、好ましくは０．３〜
１０μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍ、最適には１
〜３μｍとされるのが望ましい。
【０２９４】さらに本発明の光受容部材においては、阻
止層１０４の前記導電性基体側に、少なくともアルミニ
ウム原子、シリコン原子、炭素原子および水素原子が層
厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有するこ
とが望ましい。
【０２９５】本発明の目的を達成し得るａ−Ｓｉからな
る阻止層１０４を形成するためには、導電性基体の温
度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定
する必要がある。
【０２９６】導電性基体の温度（Ｔｓ）は、層設計に従
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、
最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０２９７】反応容器内のガス圧も同様に層領域設計に
従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒｒ、好ましく５×１０
-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。
【０２９８】本発明においては、阻止層１０４を形成す
るための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
かつ有機的関連に基づいて層領域作成ファクターの最適
値を決めるのが望ましい。
【０２９９】本発明の光導電層１０２は、電子写真用光
受容部材としての所望の光導電が得られるような、非単
結晶材料から構成される。光導電層の形成方法として
は、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が好
ましいものとして挙げられる。
【０３００】例えばａ−ＳｉＣで構成された光導電層１
０２を、ＲＦ等を用いたプラズマＣＶＤ法で形成するに
は、基本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガス
と炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が
減圧可能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応
容器内でグロー放電を生起させあらかじめ所定の位置に
設置された基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成
すればよい。
【０３０１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ 2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用しても本発明には何等差し支えない。
【０３０２】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2Ｈ6
）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ
10）、ペンタン（Ｃ5Ｈ12）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ 3 Ｈ
6 ）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ
8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5
Ｈ10）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン
（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。この他に、ＣＦ4 、ＣＦ
3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化合
物も本発明のＣ供給用ガスとして使用できる。
【０３０３】また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用することも本発明では有効である。
【０３０４】また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ
5 ）4 等のケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて使
用することも本発明では有効である。
【０３０５】本発明に使用される上記のような原料ガス
は、各々異なる供給源（ボンベ）化ら供給してもよい
し、また、あらかじめ一定の濃度で混合されたガスを使
用することも本発明には有効である。
【０３０６】本発明において、光導電層１０２の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは
１５〜４０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが
望ましい。
【０３０７】本発明において光導電層１０２を形成する
条件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決
定することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が
選択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好まし
くは５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とする
のが望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範
囲が選択されるが、好ましくは１×１０-5〜１００Ｔｏ
ｒｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適
には１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０３０８】本発明においては、光導電層１０２を形成
するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として
前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受
容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて
最適値を決めるのが望ましい。
【０３０９】また本発明の光導電層の作成方法では、前
述の１５ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の周波数を用いた
プラズマＣＶＤ法も有効に使用できる。
【０３１０】本発明の表面層１０３は、電子写真用光受
容部材としての所望の特性、例えば電荷保持性、耐環境
性、耐擦性等が得られるような、非単結晶材料から構成
される。表面層の形成方法としては、ＲＦプラズマＣＶ
Ｄ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法等が好ましいものとして挙
げられる。
【０３１１】例えばａ−ＳｉＣで構成された表面層１０
３を、ＲＦ等を用いたプラズマＣＶＤ法で形成するに
は、基本的にシリコン原子を供給し得るＳｉ供給用ガス
と炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用ガスとを内部が
減圧可能な反応容器内に所望のガス状態で導入し、反応
容器内でグロー放電を生起させあらかじめ所定の位置に
設置された基体１０１上にａ−ＳｉＣからなる層を形成
すればよい。
【０３１２】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ 2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用しても本発明には何等差し支えない。
【０３１３】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。具体的には、飽和
炭化水素としては、メタン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2Ｈ6
）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ
10）、ペンタン（Ｃ5Ｈ12）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）、プロピレン（Ｃ 3 Ｈ
8 ）、ブテン−１（Ｃ4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ
8 ）、イソブチレン（Ｃ4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5
Ｈ10）を、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン
（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレン（Ｃ3 Ｈ4 ）、、ブチ
ン（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。この他に、ＣＦ4 、Ｃ
Ｆ3 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化
合物も本発明のＣ供給用ガスとして使用できる。
【０３１４】また、これらのＣ供給用の原料ガスを４要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用することも本発明には有効である。
【０３１５】また、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ
5 ）4 等のケイ化アルキルを上記の原料ガスと併せて使
用することも本発明では有効である。
【０３１６】本発明に使用される上記のような原料ガス
は、各々異なる供給源（ボンベ）化ら供給してもよい
し、また、あらかじめ一定の濃度で混合されたガスを使
用することも本発明には有効である。
【０３１７】本発明において、表面層１０３の層厚は所
望の電子写真特性が得られること、および経済的効果等
の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましく
は０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとさ
れるのが望ましい。
【０３１８】本発明において表面層１０３を形成する条
件は、所望の電子写真特性が得られるように、適宜決定
することができる。例えば基体温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。また、反応容器内のガス圧も適宜最適範囲
が選択されるが、好ましくは１×１０-5〜１００Ｔｏｒ
ｒ、より好ましくは５×１０-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適に
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０３１９】本発明においては、表面層１０３を形成す
るための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前
記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々
に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容
部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最
適値を決めるのが望ましい。
【０３２０】また本発明の表面層の作成方法では、前述
の１５ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの範囲の周波数を用いたプ
ラズマＣＶＤ法も有効に使用できる。
【０３２１】以下本発明の電子写真用光受容部材の形成
方法の手順について説明する。
【０３２２】図２はＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜
形成装置の全体の構成を模式的に示した図である。この
装置を用いた光受容部材の形成手順の１例を以下に述べ
る。
【０３２３】反応容器２１１１内に円筒状の基体２１１
２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）に
より反応容器２１１１内を排気する。続いて、支持体加
熱用ヒーター２１１３により基体２１１２の温度を２０
℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０３２４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１
１６を排気する。
【０３２５】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。
【０３２６】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ2 に調整する。次に、流出にバルブ２２４１〜２
２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラー２２１１〜２２１６内に導入する。
【０３２７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、基体２１１２上に阻止層、光導電層および表面層の
形成を行う。
【０３２８】基体２１１２が所定の温度になったところ
で流出バルブ２２６１〜２２５６の内の必要なものおよ
び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボンベ２２２
１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１１４を介
して反応容器２１１１内に導入する。次にマスフローコ
ントローラー２２１１〜２２１６によって各原料ガスが
所定の流量になるように調整する。その際、反応容器２
１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるよ
うに真空計２１１９を見ながらメインバルブ２１１８の
開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源
２１２０を所望の電力に設定して、高周波マッチングボ
ックス２１１５を通じて反応容器２１１１内にＲＦ電力
を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、基体２１１２上に所定の阻止層が形成される。所
望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、
流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、層
の形成を終える。
【０３２９】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていること、また上
述のガス種およびバブル操作は各々の層の作成条件にし
たがって変更が加えられることは言うまでもない。
【０３３０】またＶＨＦを用いたプラズマＣＶＤ法での
堆積膜形成装置、および形成方法は、上記のＲＦプラズ
マＣＶＤ法の場合の高周波電源２１１５と高周波マッチ
ングボックス２１１１をＶＨＦ用のものに変更するだけ
でよい。
【０３３１】次にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いた
堆積膜形成装置における本発明の光受容部材の形成の手
順を説明する。図３はマイクロ波プラズマＣＶＤ法の堆
積膜形成装置の反応容器の一例の横断面を模式的に示し
た図であり、図４は同装置の全体の構成を模式的に示し
た図である。
【０３３２】まず、反応容器３００１、４００１内にあ
らかじめ脱脂洗浄された導電性基体３００５を設置し、
駆動装置３０１０によって導電性基体３００５を回転
し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応
容器３００１、４００１内を排気管３００４、４００４
を介して排気し、反応容器３００１、４０００１内の圧
力を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、基体
加熱用ヒーター３００６により円筒状基体３００５の温
度を２０℃〜５００℃の所定の温度に加熱保持する。
【０３３３】光受容部材形成用の原料ガスを反応容器３
００１、４００１に流入させるには、ガスボンベのバル
ブ４０３１〜４０３６、反応容器のリークバルブ（不図
示）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ
４０４１〜４０４６、流出バルブ４０５１〜４０５６、
補助バルブ４０６０が開かれていることを確認して、ま
ずメインバルブ（不図示）を開いて反応容器３００１、
４００１およびガス配管４０１７内を排気する。
【０３３４】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４０６０、流出バ
ルブ４０５１〜４０５６を閉じる。
【０３３５】その後、ガスボンベ４０２１〜４０３６よ
り各ガスをバルブ４０３１〜４０３６を開いて導入し、
圧力調整器４０６１〜４０６６）により各ガス圧を２ｋ
ｇ／ｃｍ2 に調整する。次に、流入にバルブ４０４１〜
４０４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロ
ーラー４０１１〜４０１６内に導入する。
【０３３６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状基体３００５上に阻止層、光導電層、表面層
の各層の形成を行う。
【０３３７】円筒状基体３００５が所定の温度になった
ところで流出バルブ３０５１〜４０５６の内の必要なも
のおよび補助バルブ４０６０）を徐々に開き、ガスボン
ベ４０２１〜４０２６から所定のガスをガス導入管３０
１２を介して反応容器３００１内の放電空間３００６）
に導入する。次にマスフローコントローラー４０１１〜
４０１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間３００６内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧
力が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により、例
えば周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、マ
イクロ波電源（不図示）を所望の電力に設定し、導波管
３００３、４００３、マイクロ波導入窓３００２を介し
て放電空間３００６にμＷエネルギーを導入して、μＷ
グロー放電を生起させる。このようにして導電性基体３
００５上に所定の光受容部材が形成される。この時、層
形成の均一化を図るため駆動手段３０１０によって、所
望の回転速度で回転させる。
【０３３８】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０３３９】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０３４０】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていること、また上
述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に従
って変更が加えられることは言うまでもない。
【０３４１】
【実施例】以下に本発明の効果を実証するための具体例
を説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。 （第１の発明） ＜実験例１＞鏡面加工を施し、脱脂洗浄したアルミニウ
ムシリンダーを基体として使用し、図３（Ａ）（Ｂ）お
よび図４の製造装置を用い、先に示した手順により表１
に示す６種類の作成条件に従って電子写真用光受容部材
（以後ドラムと表現）を形成した。また、同一使用のシ
リンダー上に光導電層のみを形成したもの（以後サンプ
ルと表現）を別個に用意した。ドラムの方は電子写真装
置（キャノン社製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造した
もの）にセットして、通常の電子写真プロセスにより画
像を形成し、感度、ゴースト、帯電能、残留電位につい
ての評価を行った。
【０３４２】これらの項目については、それぞれ、以下
の方法で評価した。
【０３４３】感度…ドラムを、４００Ｖの暗部表面電位
に帯電させた。そして直ちに光像を照射した。光像はキ
セノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎ
ｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。この時表面
電位計によりドラムの明部表面電位を測定する。明部表
面電位が５０Ｖの電位になるように露光量を調整して、
この時の露光量をもって感度とした。
【０３４４】ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置
き、その上にキャノン製中間調チャートを重ねておいた
際のコピー画像において、中間調コピー上に認められる
ゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間
調部分の反射濃度との差を測定、評価した。
【０３４５】帯電能…ドラムを実験装置に設置し、帯電
器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行い、表面
電位計によりドラムの暗部表面位を測定する。
【０３４６】残留電位…ドラムを４００Ｖの暗部表面電
位に帯電させ、０．２ｓｅｃ後に光像を照射した。光像
にキセノンランプ光源を用い、フィルターによって５５
０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を１．５１ｕｘ・ｓ
ｅｃの光量で照射した。このとき表面電位計によりドラ
ムの明部表面電位を測定する。
【０３４７】以上の４項目について、それぞれ ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題有り」 を表わしている。
【０３４８】また、サンプルの方は画像部の上下に相当
する部分を複数枚切り出し、必要に応じてオージェ、Ｓ
ＩＭＳおよび有機元素分折法により膜中に含まれるシリ
コン原子、炭素原子および水素原子の定量分析を行っ
た。さらに、結合状態の分析をＥＳＣＡおよびＦＴ−Ｉ
Ｒにより行った。
【０３４９】以上の評価結果を表２に、分析結果を表３
に示す。表３より膜中の炭素の結合状態はシランガスと
メタンガスをテトラメチルシランに置き換えていくこと
により制御可能であると言える。表２、表３より、光導
電層中に含有される全炭素原子のうち、Ｃ−Ｃ結合を持
つ炭素源子の割合が６０％以下とすることで、特性の向
上が見られ、さらにＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合を
３０％以下とすることでさらなる特性の向上がみられ
た。 ＜実施例１＞光導電層の炭素原子の供給源であるＳｉ
（ＣＨ3 ）4 の流量を経時減少変化させ、作成条件を表
４のように変えた以外は、実験例１と同様にしてドラム
ならびにサンプルを作成した。こうして得たドラムなら
びにサンプルを実験例１と同様の評価・分析を行った。
評価結果を表６に、分析結果を表７に、次の比較例１と
合わせて示す。 ＜比較例 1＞光導電層の炭素原子の供給源であるＳｉ
（ＣＨ3 ）4 の流量を経時減少変化させ、作成条件を表
５のように変え、光導電層の基体側表面または表面近傍
の炭素含有量を３４．３原子％とした以外は、実験例１
と同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こう
して得たドラムならびにサンプルを実験例１と同様の評
価・分析にかけた結果、表６および表７に示すような結
果を得た。
【０３５０】これより、光導電層の炭素分布に傾斜を持
たせても本発明が有効であるといえる。また、Ｃ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が少なくても炭素の含有量が３
０原子％より多くなると、残留電位が高くなることがわ
かった。 ＜実施例２＞図２に示す製造装置において電源周波数を
１０５ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を用いて、
作成条件を表８に示すように変更した以外は実施例１と
同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こうし
て得たドラムを実験例１と同様の評価を行ったところ、
実験例１と同様に良好な特性が得られた。また、サンプ
ルを実験例１と同様の分析を行ったところ、炭素の含有
量が１２．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ炭素
原子の割合は８．３％であった。 ＜実施例３＞光導電層のＳｉ原子の供給源をジシランに
変え作成条件を表９に示すように変更した以外は実施例
２と同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こ
うして得たドラムを実験例１と同様の評価を行ったとこ
ろ、実施例１と同様に良好な特性が得られた。また、サ
ンプルを実験例１と同様の分析を行ったところ、炭素の
含有量が１０．５原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ
炭素原子の割合は９．１％であった。 ＜実施例４＞希釈ガスにＨｅを用い、作成条件を表１０
に示すように変更した以外は実施例２と同様にしてドラ
ムならびにサンプルを作成した。こうして得たドラムを
実験例１と同様の評価を行ったところ、実験例１と同様
に良好な特性が得られた。また、サンプルを実験例１と
同様の分析を行ったところ、炭素の含有量が２０．１原
子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は１
２．６％であった。 （第２の発明）以下に第２の本発明の効果を実証するた
めの具体例を説明するが、本発明はこれらによって何ら
限定されるものではない。 ＜実験例２＞鏡面加工を施し、脱脂洗浄したアルミニウ
ムシリンダーを基体として使用し、図３（Ａ）（Ｂ）お
よび図４の製造装置を用い、先に示した手順により表１
１に示す６種類の作成条件に従って電子写真用光受容部
材（以後ドラムと表現）を形成した。また、同一使用の
シリンダー上に光導電層のみを形成したもの（以後サン
プルと表現）を別個に用意した。ドラムの方は電子写真
装置（キャノン社製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造し
たもの）にセットして、通常の電子写真プロセスにより
画像を形成し、感度、ゴースト、帯電能、残留電位、温
度特性についての評価を行った。
【０３５１】これらの項目については、それぞれ、以下
の方法で評価した。
【０３５２】感度…ドラムを、４００Ｖの暗部表面電位
に帯電させた。そして直ちに光像を照射した。光像はキ
セノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎ
ｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。この時表面
電位計によりドラムの明部表面電位を測定する。明部表
面電位が５０Ｖの電位になるように露光量を調整して、
この時の露光量をもって感度とした。
【０３５３】ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、直径５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台に置
き、その上にキャノン製中間調チャートを重ねておいた
際のコピー画像において、中間調コピー上に認められる
ゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間
調部分の反射濃度との差を測定、評価した。
【０３５４】帯電能…ドラムを実験装置に設置し、帯電
器に＋６ｋＶ高電圧を印加しコロナ帯電を行い、表面電
位計によりドラムの暗部表面位を測定する。
【０３５５】残留電位…ドラムを４００Ｖの暗部表面電
位に帯電させ、０．２ｓｅｃ後に光像を照射した。光像
にキセノンランプ光源を用い、フィルターによって５５
０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を１．５１ｕｘ・ｓ
ｅｃの光量で照射した。このとき表面電位計によりドラ
ムの明部表面電位を測定する。
【０３５６】温度特性…作製した電子写真用光受容部材
の表面温度を３０〜４５℃まで変化させ、帯電器に＋６
ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行い、表面電位計に
より暗部の表面電位を測定する。光受容部材の表面温度
に対する暗部の表面温度変化を直線で近似し、その傾き
を「温度特性」とし、「Ｖ／ｄｅｇ」の単位で表す。
【０３５７】以上の５項目について、それぞれ ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表わしている。
【０３５８】また、サンプルの方は画像部の上下に相当
する部分を複数枚切り出し、必要に応じてオージェ、Ｓ
ＩＭＳおよび有機元素分析法により膜中に含まれるシリ
コン原子、炭素原子および水素原子の定量分析を行っ
た。さらに、結合状態の分析をＥＳＣＡおよびＦＴ−Ｉ
Ｒにより行った。
【０３５９】以上の評価結果を表１２に、分析結果を表
１３に示す。表１３より膜中の炭素の結合状態はシラン
ガスとメタンガスをテトラメチルシランに置き換えてい
くことにより制御可能であると言える。表１２、表１３
より、光導電層中に含有される全炭素原子のうち、Ｃ−
Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が６０％以下とすること
で、特性の向上が見られ、さらにＣ−Ｃ結合を持つ炭素
原子の割合を３０％以下とする事で更なる特性の向上が
みられた。 ＜実験例３＞光導電層の作成条件を表１４のように変
え、酸素原子の含有量を変化させた以外は、実験例２と
同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こうし
て得たドラムならびにサンプルを実験例２と同様の評価
・分析を行った。評価結果を表１５に、分析結果を表１
６に示す。
【０３６０】表１５および１６より酸素原子を含有させ
ることでＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が減少してお
り、これにより温度特性が改善されているといえる。 ＜実験例４＞光導電層の作成条件を表１７のように変
え、窒素原子の含有量を変化させた以外は、実験例２と
同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こうし
て得たドラムならびにサンプルを実験例２と同様の評価
・分析を行った。評価結果を表１９に示す。
【０３６１】表１８および１９より窒素原子を含有させ
ることでＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が減少してお
り、これにより温度特性が改善されているといえる。 ＜比較例２＞光導電層の作成条件を表２０のように変え
た以外は、実験例２と同様にしてドラムならびにサンプ
ルを作成した。こうして得たドラムならびにサンプルを
実験例２と同様の評価・分析を行った。評価結果を表２
１に、分析結果を表２２に示す。
【０３６２】表２１および表２２より酸素および窒素ま
たは弗素を含有させることでＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子
の割合が減少しており、これにより温度特性が改善され
ていると言える。 ＜実施例５＞光導電層の炭素原子の供給源であるＳｉ
（ＣＨ3 ）4 の流量を経時減少変化させ、作成条件を表
２３のように変えた以外は、実験例２と同様にしてドラ
ムならびにサンプルを作成した。こうして得たドラムな
らびにサンプルを実験例２と同様の評価・分析を行っ
た。評価結果を表２５に、分析結果を表２６に、次の比
較例３と合わせて示す。 ＜比較例３＞光導電層の炭素原子の供給源であるＳｉ
（ＣＨ3 ）4 の流量を経時減少変化させ、作成条件を表
２４のように変え、光導電層の基体側表面または表面近
傍の炭素含有量を３４．３原子％とした以外は、実験例
２と同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。こ
うして得たドラムならびにサンプルを実験例２と同様の
評価・分析にかけた結果、表２５および表２７に示すよ
うな結果を得た。
【０３６３】これより、光導電層の炭素部分布に傾斜を
持たせても本発明が有効であるいえる。また、Ｃ−Ｃ結
合を持つ炭素原子の割合が少なくても炭素の含有量が３
０原子％より多くなると、残留電位が高くなることがわ
かった。 ＜実施例６＞図２に示す製造装置において電源周波数を
１０５ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を光導電層
の形成に用いて、作成条件を表２７に示すように変更し
た以外は実験例２と同様にしてドラムならびにサンプル
を作成した。こうして得たドラムを実験例２と同様の評
価を行ったところ、実施例５と同様に良好な特性が得ら
れた。また、サンプルを実験例２と同様の分析を行った
ところ、炭素の含有量が１２．８原子％で、そのうちＣ
−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は８．３％であった。 ＜実施例７＞光導電層のＳｉ原子の供給源をジシランに
変え作成条件を表２８に示すように変更した以外は実施
例６と同様にしてドラムならびにサンプルを作成した。
こうして得たドラムを実験例２と同様の評価を行ったと
ころ、実施例５と同様に良好な特性が得られた。また、
サンプルを実験例２と同様の分析を行ったところ、炭素
の含有量が１０．５原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持
つ炭素原子の割合は９．１％であった。 ＜実施例８＞希釈ガスにＨｅを用い、作成条件を表２９
に示すように変更した以外は実施例６と同様にしてドラ
ムならびにサンプルを作成した。こうして得たドラムを
実験例２と同様の評価を行ったところ、実施例５と同様
に良好な特性が得られた。また、サンプルを実験例２と
同様の分析を行ったところ、炭素の含有量が２０．１原
子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は１
２．６％であった。 （第３の発明）以下に第３の本発明の効果を実証するた
めの具体例を説明するが、本発明はこれらによって何ら
限定されるものではない。 ＜実験例５＞鏡面加工を施し、脱脂洗浄したアルミニウ
ムシリンダーを基体として使用し、図３の製造装置を用
い、表３０に示す１０１〜１０４の４種類の作製条件に
従って、電子写真用光受容部材（以後ドラムと表現）の
阻止層のみを形成したもの（以後サンプルと表現）を用
意し画像部の上下に相当する部分を複数枚切り出し、必
要に応じてオージェ、ＳＩＭＳおよび有機元素分析法に
より膜中に含まれるシリコン原子、硼素原子、炭素原子
および水素原子の定量分析を行った。さらに、結合状態
の分析をＥＳＣＡおよびＦＴ−ＩＲにより行った。 ＜比較実験例１０１〜１０４＞阻止層の炭素原子の供給
源にＣＨ4 を用い、作成条件を表３０の比較実施例１の
ように変えた以外は、実験例５と同様にしてサンプルを
作成した。こうして得たサンプルを実験例５と同様の分
析にかけた結果を表２に示す。
【０３６４】表３１より、膜中の炭素の結合状態は、シ
ランガスとメタンガスとテトラメチルシランに置き換え
ていくことにより制御可能であるといえる。実験例１０
１−１０４は、比較実験例に比べ膜中に硼素原子が効率
よく含有されており、このことは、実験例の方が比較実
験例に比べて阻止層中に含有される全炭素原子のうち、
Ｃ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が少なく、炭素原子が
より均一に分布していると考えられる。 ＜実施例９＞実験例で使用した物と同様のアルミニウム
シリンダーを基本として使用し、図３の製造装置を用い
表３２に示す作製条件に従ってドラムを形成した。
【０３６５】作製したドラムは電子写真装置（キャノン
社製ＮＰ７５５０を本テスト用に改造したもの）にセッ
トして、通常の電子写真プロセスにより画像を形成し、
帯電能、暗減衰についての評価を行った。
【０３６６】これらの項目については、それぞれ、以下
の方法で評価した。
【０３６７】帯電能…ドラムを実験装置に設置し、帯電
器に＋６ｋＶ高電圧を印加しコロナ帯電を行い、表面電
位計によりドラムの暗部表面位を測定する。
【０３６８】暗減衰…ドラムを現像位置で４００Ｖの暗
部表面電位に帯電させ、そのときの内部センサー位置の
暗部表面電位を測定し、現像位置の暗部表面電位との電
位差を暗減衰とした。
【０３６９】以上の２項目について、それぞれ ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表わしている。 ＜比較例４＞阻止層の作成条件を表３３に示す条件に変
え、それ以外は実施例９と同様の条件でドラムを作製
し、実施例９と同様の評価を行い、表３６に示すような
結果を得た。
【０３７０】表３４よりＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割
合８０％以下のとき良好な結果が得られた。また、Ｃ−
Ｃ結合を持つ炭素原子の割合の５０％以下のとき特に良
好な結果が得られた。 ＜実施例１０＞図２の製造装置において電源周波数を１
０５ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を用いて阻止
層を形成した後、ドラムを作成した。作成条件を表３５
に示す。こうして得たドラムを実施例９と同様の評価し
た結果、表３６に示すようにな結果を得た。
【０３７１】また、サンプルを実験例５と同様の分析を
行ったところ、炭素の含有量が２２．８原子％で、その
うちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は１３．３％であ
った。
【０３７２】表３６に示すように、電源周波数を１０５
ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を用いても実施例
９と同様に良好な結果が得られた。 ＜実施例１１＞阻止層のＳｉ原子の供給源をジシランに
変え作成条件を表３７に示すように変更した以外は実施
例１０と同様にしてドラムならびにサンプルを作成し
た。こうして得たドラムを実験例５と同様の評価を行っ
たところ、実施例９と同様に良好な特性が得られた。ま
た、サンプルを実験例５と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が１５．５原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１４．１％であった。 ＜実施例１２＞希釈ガスにＨｅを用い、作成条件を表３
８に示すように変更した以外は実施例２と同様にしてド
ラムならびにサンプルを作成した。こうして得たドラム
を実験例５と同様の評価を行ったところ、実施例９と同
様に良好な特性が得られた。また、サンプルを実験例５
と同様の分析を行ったところ、炭素の含有量が２５．１
原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は
１７．６％であった。 （第４の発明）以下に第４の本発明の効果を実証するた
めの具体例を説明するが、本発明はこれらによって何ら
限定されるものではない。 ＜実験例６＞鏡面加工を施し、脱脂洗浄したアルミニウ
ムシリンダーを基体として使用し、図３の製造装置を用
い、表３９に示す１０１〜１０４の４種類の作製条件に
従って電子写真用光受容部材（以後ドラムと表現）の阻
止層のみを形成したもの（以後サンプルと表現）を用意
し画像部の上下に相当する部分を複数枚切り出し、必要
に応じてオージェ、ＳＩＭＳおよび有機元素分析法によ
り膜中に含まれるシリコン原子、炭素原子および水素原
子、酸素原子、窒素原子の定量分析を行った。さらに、
結合状態の分析をＥＳＣＡおよびＦＴ−ＩＲにより行っ
た。 ＜比較実験例＞阻止層の炭素原子の供給源にＣＨ4 を用
い、作成条件を表３９の比較実施例のように変えた以外
は、実験例と同様にしてサンプルを作成した。こうして
得たサンプルを実験例と同様の分析にかけた結果を表４
０に示す。
【０３７３】表４０より、膜中の炭素の結合状態は、シ
ランガスとメタンガスとテトラメチルシランに置き換え
ていくことにより制御可能であるといえる。 ＜実施例１３＞実験例で使用した物と同様のアルミニウ
ムシリンダーを基本として使用し、図３の製造装置を用
い表４１に示す作製条件に従ってドラムを形成した。
【０３７４】作製したドラムは電子写真装置（キャノン
社製ＮＰ７５５０を本発明のテスト用に改造したもの）
にセットして、通常の電子写真プロセスにより画像を形
成し、白ポチ、黒ポチ、ブランクメモリー、ゴーストの
画像性に評価を行った。
【０３７５】これらの項目については、それぞれ、以下
の方法で評価した。
【０３７６】白ポチ…キャノン製全面黒チャート（部品
番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたと
きに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２
ｍｍ以下の白点について評価した。
【０３７７】黒ポチ…転写紙を５枚以上重ね原稿台に置
きコピーしたときに得られたコピー画像の同一面積内に
ある直径０．２ｍｍ以下の黒点について評価した。
【０３７８】ゴースト…キャノン製ゴーストテストチャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１．
１、５ｍｍの黒丸を貼付けたものを原稿台の画像先端部
に置き、その上にキャノン社製中間チャート（部品番
号：ＦＹ９−９０４２）を重ねて置いた際のコピー画像
に置いて中間調コピー上に認められるゴーストチャート
の５ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測
定した。
【０３７９】ブランクメモリ…キャノン社製中間チャー
ト（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピ
ーしたときに得られた画像のブランク露光により母線方
向にやや薄くなった部分と通常の部分の反射濃度差を測
定した。
【０３８０】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表している。 ＜比較例５＞阻止層の作成条件を４２に示す条件に変
え、それ以外は実施例１３と同様の条件でドラムを作製
し、実施例１３と同様の評価を行い、表４３−５に示す
ような結果を得た。
【０３８１】表４３−１〜表４３−４よりＣ−Ｃ結合を
持つ炭素原子の割合８０％以下で、酸素原子の含有量が
全原子に対して１０原子ｐｐｍ以上５０００原子ｐｐｍ
以下のとき良好な結果が得られた。また、Ｃ−Ｃ結合を
持つ炭素原子の割合の５０％以下のとき特に良好な結果
が得られた。 ＜実施例１４＞図２の製造装置において電源周波数を１
０５ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を用いて阻止
層を形成した後、ドラムを作成した。作成条件を表４４
に示す。こうして得たドラムを実施例１３と同様の評価
した結果、表４７に示すような結果を得た。
【０３８２】また、実験例６同様に、阻止層のみのサン
プルを作製し実験例６と同様の分析を行ったところ、炭
素の含有量が２２．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を
持つ炭素原子の割合は１３．３％、酸素の含有量は全原
子に対して４９．６原子ｐｐｍであった。
【０３８３】表４７に示すように、電源周波数を１０５
ＭＨｚとした高周波プラズマＣＶＤ法を用いても実施例
１３と同様に良好な結果が得られた。 ＜実施例１５＞阻止層のＳｉ原子の供給源をジシランに
変え作成条件を表４５に示すように変更した以外は実施
例１４と同様にしてドラムならびにサンプルを作成し
た。
【０３８４】こうして得たドラムを実験例１３と同様の
評価を行ったところ、表４７に示すように実施例１３と
同様に良好な特性が得られた。
【０３８５】また、サンプルを実験例６と同様の分析を
行ったところ、炭素の含有量が１５．５原子％で、その
うちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の割合は１４．１％、酸
素の含有量は全原子に対して３８．９原子ｐｐｍであっ
た。
【０３８６】表４７に示すように阻止層のＳｉ原子の供
給源をジシランを用いても、実施例１３と同様に良好な
結果が得られた。 ＜実施例１６＞希釈ガスにＨｅを用い、作成条件を表４
６に示すように変更した以外は実施例１４と同様にして
ドラムならびにサンプルを作成した。こうして得たドラ
ムを実験例１と同様の評価を行ったところ、実施例１３
と同様に良好な特性が得られた。また、サンプルを実験
例６と同様の分析を行ったところ、炭素の含有量が２
５．１原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合を持つ炭素原子の
割合は１７．６％、酸素の含有量は全原子に対して４
１．５原子ｐｐｍであった。 ＜実施例１７＞表４８に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１３と同様にドラムを作製し、こうして得
られたドラムを実施例１３同様の評価を行った。
【０３８７】さらに、表４８の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２４．１原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１８．１％、窒素の含有量は全
原子に対して５１．０原子ｐｐｍであった。
【０３８８】その結果、実施例１３と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例１８＞表４９に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１４と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３８９】さらに、表４８の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２５．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１８．９％、窒素の含有量は全
原子に対して５０．２原子ｐｐｍであった。
【０３９０】その結果、実施例１４と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例１９＞表５０に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１５と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３９１】さらに、表５０の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２２．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１８．３％、窒素の含有量は全
原子に対して５２．６原子ｐｐｍであった。
【０３９２】その結果、実施例１５と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例２０＞表５１に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１６と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３９３】さらに、表５１の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２０．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１３．３％、窒素の含有量は全
原子に対して４０．６原子ｐｐｍであった。
【０３９４】その結果、実施例１６と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例２１＞表５２に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１３と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３９５】さらに、表５２の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２３．６原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１１．３％、酸素と窒素の合計
の含有量は全原子に対して９８．３原子ｐｐｍであっ
た。
【０３９６】その結果、実施例１３と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例２２＞表５３に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１４と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３９７】さらに、表５３の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２５．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１３．５％、酸素と窒素の合計
の含有量は全原子に対して１００．６原子ｐｐｍであっ
た。
【０３９８】その結果、実施例１４と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例２３＞表５４に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１５と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０３９９】さらに、表５４の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２２．２原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１４．２％、酸素と窒素の合計
の含有量は全原子に対して９９．６原子ｐｐｍであっ
た。
【０４００】その結果、実施例１５と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。 ＜実施例２４＞表５５に示す条件にて阻止層を形成した
以外は実施例１６と同様にドラムを作製し、同様の評価
を行った。
【０４０１】さらに、表５５の条件にて阻止層のみのサ
ンプルを作製し、実験例と同様の分析を行ったところ、
炭素の含有量が２７．８原子％で、そのうちＣ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合は１８．３％、酸素と窒素の合計
の含有量は全原子に対して８９．９原子ｐｐｍであっ
た。
【０４０２】その結果、実施例１６と同様に、本発明の
範囲では、いずれも良好な結果が得られた。
【０４０３】
【表１】
【０４０４】
【表２】
【０４０５】
【表３】
【０４０６】
【表４】
【０４０７】
【表５】
【０４０８】
【表６】
【０４０９】
【表７】
【０４１０】
【表８】
【０４１１】
【表９】
【０４１２】
【表１０】
【０４１３】
【表１１】
【０４１４】
【表１２】
【０４１５】
【表１３】
【０４１６】
【表１４】
【０４１７】
【表１５】
【０４１８】
【表１６】
【０４１９】
【表１７】
【０４２０】
【表１８】
【０４２１】
【表１９】
【０４２２】
【表２０】
【０４２３】
【表２１】
【０４２４】
【表２２】
【０４２５】
【表２３】
【０４２６】
【表２４】
【０４２７】
【表２５】
【０４２８】
【表２６】
【０４２９】
【表２７】
【０４３０】
【表２８】
【０４３１】
【表２９】
【０４３２】
【表３０】
【０４３３】
【表３１】
【０４３４】
【表３２】
【０４３５】
【表３３】
【０４３６】
【表３４】
【０４３７】
【表３５】
【０４３８】
【表３６】
【０４３９】
【表３７】
【０４４０】
【表３８】
【０４４１】
【表３９】
【０４４２】
【表４０】
【０４４３】
【表４１】
【０４４４】
【表４２】
【０４４５】
【表４３】
【０４４６】
【表４４】
【０４４７】
【表４５】
【０４４８】
【表４６】
【０４４９】
【表４７】
【０４５０】
【表４８】
【０４５１】
【表４９】
【０４５２】
【表５０】
【０４５３】
【表５１】
【０４５４】
【表５２】
【０４５５】
【表５３】
【０４５６】
【表５４】
【０４５７】
【表５５】
【０４５８】
【表５６】
【０４５９】
【表５７】
【０４６０】
【表５８】
【０４６１】
【表５９】
【０４６２】
【表６０】
【０４６３】
【表６１】
【０４６４】
【表６２】
【０４６５】
【表６３】
【０４６６】
【表６４】
【０４６７】
【表６５】
【０４６８】
【表６６】
【０４６９】
【表６７】
【０４７０】
【発明の効果】第１の本発明の電子写真用光受容部材
は、光導電層中に含有される全炭素原子に対する、Ｃ−
Ｃ結合を持つ炭素原子の割合が６０％以下、より好まし
くは３０％以下に抑制されることで、従来の電子写真用
光受容部材での問題点を解決することができる。
【０４７１】すなわち本発明によれば、光導電層中の構
成原子の結合状態を改善することにより、残留電位低く
保ったまま暗抵抗率を高くすることができ、高帯電能を
有した、「ゴースト」現象がほとんど見られない優れた
性能を有した電子写真用光受容部材を得ることができる
と同時に、従来の電子写真用光受容部材に比べて短波長
感度が向上するため、電子写真装置の像露光のスペクト
ルと、電子写真用光受容部材の分光感度のスペクトルを
近づけることができ、実用上の感度が大幅に向上でき
る。
【０４７２】第２の本発明によれば、上記の他にさらに
光導電層中に微量の酸素原子および／または窒素原子な
らびに弗素原子を含有させることにより電子写真用光受
容部材の使用環境の温度変化に影響を受けにくい、いわ
ゆる温度特性が向上する。
【０４７３】第３の本発明の電子写真用光受容部材は、
阻止層中に含有される全炭素原子に対する、Ｃ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合が８０％以下に抑制されること
で、従来の電子写真用光受容部材での問題点を解決する
ことができる。
【０４７４】すなわち本発明によれば、阻止層中の構成
原子の結合状態を改善することにより、阻止層のブロッ
キング性能を保ったまま暗減衰の小さい高帯電能の電子
写真用光受容部材を得ることができる。
【０４７５】第４の本発明の電子写真用光受容部材は、
阻止層中に含有される全炭素原子に対する、Ｃ−Ｃ結合
を持つ炭素原子の割合および、酸素原子および／または
窒素原子の含有量を抑制することで、従来の電子写真用
光受容部材での問題点を解決することができる。
【０４７６】すなわち本発明によれば、阻止層中の構成
原子の結合状態を改善することにより、阻止層のブロッ
キング性能を保ったまま暗減衰の小さい高帯電能の電子
写真用光受容部材を得ることができる。
【０４７７】さらに本発明では、阻止層中に、炭素原
子、酸素原子および／または窒素原子を同時に含有させ
ることにより、従来の阻止層に比べ、緻密で密着性の高
い膜質を得ることができる。そのため、基板との密着性
のみならず、阻止層上の光導電層との密着性も良好であ
り「白ポチ」、「黒ポチ」等の画像欠陥の原因となる堆
積膜の欠陥である球状突起が著しく減少する。
【０４７８】さらに本発明では、ａ−ＳｉＣ膜に酸素原
子および／または窒素原子を含有させることにより、堆
積膜のストレスをより効果的に緩和して、膜の構造欠陥
を制御するため、ａ−ＳｉＣ中でのキャリアの走行性が
改善され、「ブランクメモリー」「ゴースト」等の光メ
モリーが改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真用光受容部材の層構成の一例
を示した模式的断面図である。
【図２】高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の全体の構成の一例を示した模式図である。
【図３】マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の反応容器の一例の模式図である。（Ａ）は縦断面
図、（Ｂ）は横断面図である。
【図４】マイクロ波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置の全体の模式的な構成図の一例である。
【図５】本発明の電子写真用光受容部材の層構成の他の
例を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
１００ 電子写真用光受容部材 １０１ 導電性基体 １０２ 光導電層 １０３ 表面層 １０４ 阻止層 ２１００ 堆積装置 ２１１１ 反応容器 ２１１２ 基体 ２１１３ 基体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ 高周波マッチングボックス ２１１６ ガス配管 ２１１７ リークバルブ ２１１８ メインバルブ ２１１９ 真空計 ２１２０ 高周波電源 ２２００ ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ ガスボンベ ２２３１〜２２３６ ガスボンベバブル ２２４１〜２２４６ 流入バルブ ２２５１〜２２５６ 流出バルブ ２２６０ 補助バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３０００ 堆積膜形成装置 ３００１ 反応容器 ３００２ マイクロ波導入用誘電体窓 ３００３ 導波管 ３００４ 排気管 ３００５ 導電性基体 ３００６ 放電空間 ３００７ ヒーター ３００８ 電極 ３００９ 電源 ３０１０ 駆動手段（回転モーター） ３０１１ ホルダー ３０１２ ガス導入管 ４０００ 原料ガス供給装置 ４０１１〜４０１６ マスフローコントローラー ４０１７ ガス配管 ４０２１〜４０２６ ガスボンベ ４０３１〜４０３６ ガスボンベバルブ ４０４１〜４０４６ 流出バルブ ４０５１〜４０５６ 流出バルブ ４０６０ 補助バルブ ４０６１〜４０６６ 圧力調整器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 竜次 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−181974（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−53075（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−10368（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−214871（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/08

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電性基体上に、非単結晶材料からなる
    光導電層と表面層を順次形成した光受容層を有する光受
    容部材において、前記光導電層が、シリコン原子を母体
    とし、少なくとも炭素原子、水素原子を含有する非単結
    晶材料で構成され、該光導電層中に含有される全炭素原
    子に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が
    ６０％以下であり、炭素原子の含有量が少なくとも光導
    電層の導電性基体側表面もしくは表面近傍で３〜３０原
    子％であり、かつ光導電層の導電性基体側表面もしくは
    表面近傍で最も多く、表面層側表面もしくは表面近傍で
    実質的に０原子％であるように変化していることを特徴
    とする光受容部材。
  2. 【請求項２】 前記光導電層中に含有される全炭素原子
    に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が３
    ０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の光受
    容部材。
  3. 【請求項３】 導電性基体上に、非単結晶材料からなる
    光導電層と表面層を順次形成した光受容層を有する光受
    容部材において、前記光導電層が、シリコン原子を母体
    とし、少なくとも炭素原子、水素原子、ならびに酸素原
    子及び／または窒素原子を含有する非単結晶材料で構成
    され、該光導電層中に含有される全炭素原子に対して、
    炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が６０％以下で
    あり、炭素原子の含有量が少なくとも光導電層の導電性
    基体側表面もしくは表面近傍で３〜３０原子％であり、
    かつ光導電層の導電性基体側表面もしくは表面近傍で最
    も多く、表面層側表面もしくは表面近傍で実質的に０原
    子％であるように変化していることを特徴とする光受容
    部材。
  4. 【請求項４】 前記光導電層中に含有される全炭素原子
    に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が３
    ０％以下であることを特徴とする請求項３に記載の光受
    容部材。
  5. 【請求項５】 前記光導電層において酸素原子の含有量
    が１０〜５０００原子ｐｐｍであることを特徴とする請
    求項３または４に記載の光受容部材。
  6. 【請求項６】 前記光導電層において窒素原子の含有量
    が１０〜５０００原子ｐｐｍであることを特徴とする請
    求項３乃至５いずれかに記載の光受容部材。
  7. 【請求項７】 前記光導電層が、さらに弗素原子を含有
    することを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載の
    光受容部材。
  8. 【請求項８】 前記弗素原子の含有量が１〜９５原子ｐ
    ｐｍであることを特徴とする請求項７に記載の光受容部
    材。
  9. 【請求項９】 導電性基体上に、非単結晶からなる阻止
    層と、光導電層と、表面層を順次形成した光受容層を有
    する光受容部材において、前記阻止層が、シリコン原子
    を母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子を有し、さ
    らに硼素原子を含有する非単結晶材で構成され、該阻止
    層中に含有される炭素原子（Ｃ／Ｓｉ＋Ｃ）が３原子％
    以上５０原子％以下で、かつ、該阻止層中に含有される
    全炭素原子に対して、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子
    の割合が８０％以下であることを特徴とする請求項１ま
    たは３に記載の電子写真用光受容部材。
  10. 【請求項１０】 前記阻止層において、該阻止層中に含
    有される全炭素原子に対して、炭素−炭素の結合を持つ
    炭素原子の割合が５０％以下であることを特徴とする請
    求項９に記載の電子写真用光受容部材。
  11. 【請求項１１】 導電性基体上に、非単結晶からなる阻
    止層と、光導電層と、表面層を順次形成した光受容層を
    有する光受容部材において、前記阻止層が、シリコン原
    子を母体とし、少なくとも炭素原子、水素原子を有し、
    さらに酸素原子及び／または、窒素原子を含有する非単
    結晶材で構成され、該阻止層中に含有される炭素原子
    ｛Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）｝が３原子％以上５０原子％以下
    で、かつ、該阻止層中に含有される全炭素原子に対し
    て、炭素−炭素の結合を持つ炭素原子の割合が８０％以
    下であることを特徴とする請求項１または３に記載の電
    子写真用光受容部材。
  12. 【請求項１２】 前記阻止層において、該阻止層中に含
    有される全炭素原子に対して、炭素−炭素の結合を持つ
    炭素原子の割合が５０％以下であることを特徴とする請
    求項１１に記載の電子写真用光受容部材。
  13. 【請求項１３】 前記阻止層において、該阻止層中に含
    有される酸素原子｛Ｏ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｏ）｝が１０原子
    ｐｐｍ以上５００００原子ｐｐｍ以下であることを特徴
    とする請求項１１または１２に記載の電子写真用光受容
    部材。
  14. 【請求項１４】 前記阻止層において、該阻止層中に含
    有される窒素原子｛Ｎ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｎ）｝が１０原子
    ｐｐｍ以上５００００原子ｐｐｍ以下であることを特徴
    とする請求項１１または１２に記載の電子写真用光受容
    部材。
  15. 【請求項１５】 前記阻止層において、該阻止層中に含
    有される酸素原子と窒素原子｛Ｏ＋Ｎ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｏ
    ＋Ｎ）｝が２０原子ｐｐｍ以上１０００００原子ｐｐｍ
    以下であることを特徴とする請求項１１または１２に記
    載の電子写真用光受容部材。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6667299B1 (en) * 2000-03-16 2003-12-23 Hollis-Eden Pharmaceuticals, Inc. Pharmaceutical compositions and treatment methods
US6406824B1 (en) 1998-11-27 2002-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus having the photosensitive member
JP3913123B2 (ja) * 2001-06-28 2007-05-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP2003124189A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP6021323B2 (ja) * 2011-12-13 2016-11-09 キヤノン株式会社 Ｘ線撮影装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2746967C2 (de) * 1977-10-19 1981-09-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel
US4265991A (en) * 1977-12-22 1981-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof
JPS54145540A (en) * 1978-05-04 1979-11-13 Canon Inc Electrophotographic image forming material
JPS5683746A (en) * 1979-12-13 1981-07-08 Canon Inc Electrophotographic image forming member
JPS60168156A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 光受容部材
JPS60178457A (ja) * 1984-02-27 1985-09-12 Canon Inc 光受容部材
JPS60225854A (ja) * 1984-04-24 1985-11-11 Canon Inc 光受容部材用の支持体及び光受容部材
JPS61231561A (ja) * 1985-04-06 1986-10-15 Canon Inc 光導電部材用の支持体及び該支持体を有する光導電部材
DE3527329A1 (de) * 1985-07-31 1987-02-05 Philips Patentverwaltung Digitales funkuebertragungssystem mit variabler zeitschlitzdauer der zeitschlitze im zeitmultiplexrahmen
US5190838A (en) * 1988-08-18 1993-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic image-forming member with photoconductive layer comprising non-single-crystal silicon carbide

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