JPH04352167A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意
味する）のような電磁波に対して感受性のある光受容部
材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクト
ルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有
すること、使用時において人体に対して無害であること
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。

【０００３】このような点に立脚して最近注目されてい
る光導電材料にアモルファスシリコン（以下、「Ａ−Ｓ
ｉ」と表記する）があり、例えば独国公開第２７４６９
６７号公報、同第２８５５７１８号公報には電子写真用
光受容部材としての応用が記載されている。

【０００４】図２は、従来の電子写真用光受容部材の層
構成を模式的に示す断面図である。電子写真用光受容部
材２００は、一般的には、導電性支持体２０１を５０℃
〜４００℃に加熱し、該支持体２０１上に真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりＡ
−Ｓｉからなる感光層２０２を作製する。なかでもプラ
ズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波
あるいはマイクロ波グロー放電によって、分解し、支持
体上にＡ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとし
て実用に付されている。

【０００５】特開昭５６−８３７４６号公報においては
、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含む
Ａ−Ｓｉ光導電層からなる電子写真用光受容部材が提案
されている。該公報においては、Ａ−Ｓｉにハロゲン原
子を１〜４０原子％含有させることにより、ダングリン
グボンドを補償してエネルギーギャップ内の局在準位密
度を低減し、電子写真用光受容部材の光導電層として好
適な電気的、光学的特性を得ることができるとしている
。

【０００６】一方、アモルファス炭化シリコン（以下、
「Ａ−ＳｉＣ」と表記する）について、耐熱性や表面硬
度が高いこと、Ａ−Ｓｉと比較して高い暗抵抗率を有す
ること、炭素の含有量により光学的バンドギャップが１
．６〜２．８ｅＶの範囲にわたって変えられること等が
知られている。このようなＡ−ＳｉＣによって光導電層
を構成する電子写真用光受容部材が、特開昭５４−１４
５５４０号公報において提案されている。該公報におい
ては、炭素を化学修飾物質として０．１〜３０原子％含
むＡ−Ｓｉを電子写真用光受容部材の光導電層として使
用すると、暗抵抗が高く、光感度の良好な優れた電子写
真特性を示すことが示されている。

【０００７】さらに、特公昭６３−３５０２６号公報に
おいては導電性支持体上に、炭素原子と水素原子および
／または弗素原子を構成要素として含むＡ−Ｓｉ（以後
Ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）と表記する）中間層と、Ａ−Ｓｉ
光導電層からなる電子写真感光体が提案されており、少
なくとも水素原子および／または弗素原子を含むＡ−Ｓ
ｉＣ中間層によって光導電特性を損なうことなく、Ａ−
Ｓｉ光導電層のクラックや剥離を低減することを図って
いる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ａ−Ｓｉ材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電特性、および使用環境特性の点、さら
には経時安定性および耐久性の点において、各々個々に
は特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を
図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【０００９】特に近年、電子写真装置はさらに高画質、
高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写真用
光受容部材においては電気的特性や光導電特性のさらな
る向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつあらゆ
る環境下で大幅に耐久性能を延ばすことが求められてい
る。

【００１０】例えば、Ａ−Ｓｉ材料を電子写真用光受容
部材に適用した場合に、高感度化、高暗抵抗化を同時に
図ろうとすると、従来においては、その使用時において
残留電位が残る場合が度々観測され、この種の光受容部
材は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労が
蓄積して残像が生ずるいわゆる「ゴースト」現象が起る
ようになる等の不都合な点が少なくなかった。また、従
来は、高帯電能と画像流れの防止とを高いレベルで両立
することが難しかった。

【００１１】また、Ａ−Ｓｉ材料で光受容層を構成する
場合には、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子（Ｈ）、あるいは弗素原子（Ｆ）や塩素原
子（Ｃｌ）等のハロゲン原子（Ｘ）、および電気的伝導
型の制御のために硼素原子（Ｂ）や燐原子（Ｐ）等が、
あるいはその他の特性改良のために他の原子が各々構成
原子として光導電層中に含有されるが、これらの構成原
子の含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的あ
るいは光導電的特性やその均一性に問題が生じる場合が
あった。すなわち、光導電層の電荷輸送能力に不均一な
部分があると画像濃度にむらが生じ、特にハーフトーン
画像においてそれが顕著に現われるため、組織構造的、
電気的、光学的な膜質の高度な均一性が求められている
。

【００１２】また、近年、電子写真装置の画像特性向上
のために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写
装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材に
おいても、従来以上の画像特性の向上が求められるよう
になった。特に、画像の解像力が向上した結果、俗に「
ガサツキ」と呼ばれる画像濃度の微細な領域における不
均一性の減少や、俗に「ポチ」と呼ばれる、黒点状また
は白点状の画像欠陥の減少、特には従来はあまり問題に
されなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が求められ
るようになってきた。

【００１３】特に、「ポチ」に関しては、その原因のほ
とんどが球状突起と呼ばれる膜の異常成長であり、その
発生数を減らすことが重要である。また、連続して大量
に画像形成を行なった場合に、初期画像より「ポチ」が
増加する現象がみられることがあり、このような長期間
の使用による「ポチ」の増加も低減することが求められ
ている。この原因の一つとして、連続して画像形成を行
なうことによって転写紙の紙粉の一部が分離帯電器の帯
電ワイヤーに堆積して異常放電を誘発し、光受容部材の
一部が絶縁破壊することによって発生する、いわゆる「
リークポチ」が挙げられる。さらに、光受容部材の表面
に異常成長が存在することにより、連続して画像形成を
繰り返すうちにクリーニングブレードを傷つけ、クリー
ニング不良を起こして画像品質を低下させることになる
とともに分離帯電器への残留トナーの飛散により分離帯
電器の帯電ワイヤーにトナーが堆積して異常放電を誘発
しやすくなってこれも「リークポチ」発生の原因となる
。さらに、光受容部材が転写紙やクリーニングブレード
と摺擦することによって、比較的大きな異常成長部が欠
落することも「ポチ」が増加する原因となる。

【００１４】したがって、画像形成装置の耐久性という
点からも、電子写真用光受容部材においては電気的特性
や光導電特性を高い状態で維持しつつ、画像欠陥の原因
となる異常成長の発生を防止し、あらゆる環境下で大幅
に耐久性能を延ばすことが求められている。

【００１５】さらに、近年、電子写真用光受容部材の製
造コストを低減するために、例えば、後述のマイクロ波
プラズマＣＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速度
を速くした状態で電子写真用光受容部材の光導電層を形
成すると、膜質に不均一性が生じたり、膜内部の応力に
よってＡ−Ｓｉ膜に微少なクラックやはがれが生じ、生
産性における歩留まりが減少するという問題点があった
。

【００１６】したがって、Ａ−Ｓｉ材料そのものの特性
改良が図られる一方で、電子写真用光受容部材を設計す
る際に、上記したような問題が解決されるように層構成
、各層の化学的組成、作成法等が総合的な観点から改良
を図ることが必要とされている。

【００１７】本発明は上記の点に鑑みなされたものであ
って、上述のごときシリコン原子を母体とする材料で構
成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものである
。

【００１８】すなわち、本発明の主たる目的は、電気的
、光学的、光電的特性が使用環境にほとんど依存するこ
となく実質的に常時安定ししており、耐光疲労に優れ、
繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、長期の使
用において画像欠陥や画像流れの変化が全くなく、濃度
が高く、特に非常に耐久性、耐湿性に優れ残留電位が殆
ど観測されない、シリコン原子を母体とする材料で構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供す
ることにある。

【００１９】本発明の他の目的は、支持体上に設けられ
る層と支持体との間や積層される層の各層間における密
着性に優れ、均一で層品質の高いシリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。

【００２０】本発明のさらに他の目的は、電子写真用光
受容部材として適用した場合、静電像形成のための帯電
処理の際の電荷保持能力が十分であり、ハーフトーンが
鮮明にでて、かつ解像度の高い高品質画像を容易に得る
ことができ、通常の電子写真法がきわめて有効に適用さ
れ得る優れた電子写真特性を示す、シリコン原子を母体
とする材料で構成された光受容層を有する電子写真用光
受容部材を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の光受容部材は、
導電性支持体上に第２の光導電層、第１の光導電層と表
面層からなる光受容層を有し、前記第２の光導電層はシ
リコン原子（Ｓｉ）を母体とし、少なくとも全層にわた
って炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、弗素原子（Ｆ）
を含有する非単結晶材料（以後「ｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ
）」と表記する）で構成され、該炭素原子の含有率は、
層の厚み方向には不均一であって、膜厚方向の各点いお
いて前記導電性支持体側が高く、前記第１の光導電層側
が低く分布し、かつ前記支持体が設けてある側の表面ま
たは表面近傍で該炭素原子の含有量が０．５〜５０原子
％、前記第１の光導電層が設けてある側の表面または表
面近傍で該炭素含有量が実質的に０原子％であり、かつ
、該水素原子の含有量は、１〜４０原子％、該弗素原子
の含有量が９５原子ｐｐｍ以下である光導電層であり、
また前記第１の光導電層は、シリコン原子（Ｓｉ）を母
体とし、水素原子（Ｈ）を１〜４０原子％含有する非単
結晶材料で構成され、さらに、前記表面層が炭素原子、
窒素原子および酸素原子を同時に含有し、さらに水素原
子およびハロゲン原子を含有し、該炭素原子および酸素
原子および窒素原子の含有量の和が４０〜９０原子％で
あり、該ハロゲン原子の含有量は２０原子％以下、かつ
前記水素原子とハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０
原子％である電子写真用光受容部材が提供される。

【００２２】

【作用】このように、本発明は、第２光導電層において
導電性支持体側から炭素原子を連続的に変化させること
によって、電荷（フォトキャリア）の発生と、該発生し
た電荷の輸送という電子写真用光受容部材にとっての重
要な機能をなめらかに接続させることが可能となり、従
来の電荷発生層と電荷輸送層を分離した、いわゆる機能
分離型光受容部材で問題となる、電荷発生層と電荷輸送
層の間の光学的エネルギーギャップの差による電荷の走
行不良を防ぎ、光感度の向上および残留電位の低減に貢
献する。さらに表面層側に炭素原子を含まない第１の光
導電層を設けることにより、長波光の吸収効率が向上し
、さらなる光感度の向上が達成できる。

【００２３】また、光導電層に炭素が含有されているこ
とにより、光受容層の誘電率を小さくすることができる
ために、層厚当りの静電容量を減少させることができて
高い帯電能と光感度において著しい改善がみられ、さら
に高電圧に対する耐圧性も向上する。

【００２４】そして、炭素を多く含む層を支持体側に設
置することにより、支持体からの電荷の注入を阻止する
ことにより帯電能が改善され、さらに支持体と光導電層
との密着性が向上し、膜の剥離や微少な欠陥の発生を抑
制することができる。

【００２５】さらに加えて、本発明においては、少なく
とも第２の導電層中に弗素原子（Ｆ）を微量（〜９５原
子ｐｐｍ）含有させることによって、堆積膜の均一性を
向上させるため、Ａ−ＳｉＣ中でのキャリアの走行性が
均一化され、ゴーストやガサツキ等の画像特性が改善さ
れる。また酸素原子（Ｏ）を１０〜５０００原子ｐｐｍ
の範囲で含有させてもよく、この場合、弗素原子と酸素
原子の相乗効果によって、堆積膜のストレスをより効果
的に緩和して膜の構造欠陥を抑制するために、Ａ−Ｓｉ
Ｃ中でのキャリアの走行性が改善され、電位シフト等の
表面電位特性が改善される。

【００２６】本発明の光導電層を用いることにより、高
帯電能、高感度、低残留電位で、ゴーストやガサツキの
ない優れた電気特性を維持したままで耐久性を飛躍的に
向上させることができる。

【００２７】すなわち、膜の密着性が向上するため、連
続して大量に画像形成を行なってもクリーニングブレー
ドや分離爪へのダメージが少なく、クリーニング性およ
び転写紙の分離性も良好になる。したがって、画像形成
装置としての耐久性を飛躍的に向上することができる。 さらに誘電率の低下により高電圧に対する耐久性も向上
するため光受容部材の一部が絶縁破壊することによって
起こる「リークポチ」がさらに発生しにくくなる。

【００２８】以上のような効果は、例えばマイクロ波Ｃ
ＶＤ法のような堆積速度を速くして層形成を行なったと
きに特に顕著に現われる。

【００２９】また、本発明の表面層は、炭素原子、酸素
原子、窒素原子を同時に含有させることにより、従来の
表面層にはない、緻密で機械的強度の高い膜質を得るこ
とができる。またッハロゲン原子を〜２０原子％含有す
ることにより、光受容体表面の撥水性を高めているため
耐湿性が向上し、高温、多湿の環境においても画像流れ
が発生にくい。

【００３０】さらに膜質が緻密になるため、帯電処理を
受けた際に表面より電荷が注入されるのを効果的に阻止
でき、帯電能、使用環境特性、耐久性および電気的耐圧
性を向上することができる。また、表面層中での光の吸
収が減少するために感度の向上を図ることができる。さ
らに、光導電層と表面層の界面におけるキャリアの蓄積
が減少させることができるために、帯電能を高い状態に
維持しても画像流れを抑制することができる。

【００３１】

【実施例】以下、図面にしたがって本発明の電子写真用
光受容部材について構成概念および実施例を挙げて詳細
に説明する。

【００３２】図１は、本発明の電子写真用光受容部材の
好適な層構成を説明するために模式的に示した構成図で
ある。図１に示す電子写真用光受容部材１１００は、導
電性の支持体１１０１の上に、ｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）
で構成される第２の光導電層１１０２と、シリコン原子
と水素原子を構成要素とする非単結晶材料（以下ｎｃ−
Ｓｉ：Ｈと記す）とで構成される第１の光導電層１１０
３、保護層や電荷注入阻止層としての表面層１１０４か
らなる層構成を有する光受容層１１０５とを有し、光受
容層１１０５は自由表面１１０６を有する構成のもので
ある。

【００３３】支持体１１０１は、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ
，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレ
ス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミッ
ク等の電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層１１０５
を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いること
ができる。さらに、光導電層を形成する側とは反対側の
表面も導電処理することがより好ましい。

【００３４】支持体１１０１の形状は平滑表面あるいは
凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト状であることが
でき、その厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材を
形成し得るように適宜決定するが、電子写真用光受容部
材としての可撓性が要求される場合には、支持体として
の機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くするこ
とができる。しかしながら、製造上および取り扱い上、
機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。

【００３５】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良を解消するために、支持
体の表面に凹凸を設けてもよい。

【００３６】支持体１１０１の表面に設けられる凹凸は
、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６０−１７８４
５７号公報、同６０−２２５８５４号等に記載された公
知の方法により作成される。

【００３７】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１１０１の
表面が電子写真用光受容部材に要求される解像力よりも
微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪
みによるものである。支持体１の表面に設けられる複数
の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−２３１５６
１号公報に記載された公知の方法により作成される。

【００３８】第２の光導電層１１０２は、支持体１１０
１側より、構成要素としてシリコン原子と炭素原子、水
素原子、弗素原子を含むｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）からな
り、所望の光導電特性、特に電荷保持特性、電荷輸送特
性を有する。

【００３９】前記第２の光導電層１１０２に含有される
炭素原子の分布は、層の厚み方向には不均一であって、
膜厚方向の各点において前記導電性の支持体１１０１側
が高く、前記第１の光導電層１１０３側が低く分布して
いる。炭素原子の含有率は、前記支持体１１０１が設け
られている側の表面または表面近傍で０．５％以下であ
れば前述の支持体１１０１との密着性向上および、電荷
の注入素子の機能が悪化し、さらに静電容量の減少によ
る帯電能向上の効果が無くなる。また５０％以上では残
留電位が発生してしまう。このため、実用的には０．５
〜５０原子％、好ましくは１〜４０原子％であり、最適
には１〜３０原子％とされるのが好ましい。また、本発
明においては光導電層中に水素原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し
、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向
上させるために必須不可欠であるからである。特に炭素
原子が含有された場合、その膜質を維持するためにより
多くの水素原子が必要となるため、炭素含有量にしたが
って含有される水素量が調整されることが望ましい。 よって、支持体表面側の水素原子の含有量は望ましくは
１〜４０原子％、より好ましくは５〜３５原子％、最適
には１０〜３０原子％とされるのが好ましい。第２の光
導電層１１０２に含有される弗素原子については、第２
の光導電層１１０２に含有される炭素原子、水素原子の
凝集を抑制し、バンドギャップ中の局在準位密度を低減
させるため、ゴースト、ガサツキを改善し、層品質の均
一性の向上に効果を発揮する。弗素含有量が１原子ｐｐ
ｍより少ないと、弗素原子によるゴースト、ガサツキの
改善効果が充分発揮されず、また、９５原子ｐｐｍを越
えると逆に膜質が低下し、ゴースト現象を生じるように
なってしまう。したがって、弗素原子の含有量は実用的
には１〜９５原子ｐｐｍ、より好ましくは３〜８０原子
ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐｍとするのが好まし
い。

【００４０】特に、第２の光導電層１１０２に前述のご
とき範囲で炭素原子を含有せしめたときに、弗素原子の
含有量を上記の範囲に設定することにより、光導電特性
、画像特性および耐久性が著しく向上することが実験に
より確認された。

【００４１】さらに、本発明においては前記第２の光導
電層１１０２に酸素原子を含有させることも可能であり
、この場合、相乗効果によって、堆積膜のストレスをよ
り効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。このため
に、Ａ−ＳｉＣ中でのキャリアの走行性が改善されるた
め、特にＡ−ＳｉＣ系の光導電層で問題となる電位にシ
フトが減少する。

【００４２】該酸素原子は、第２の光導電層１１０２中
に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。酸素含有量が１０原子ｐｐｍより
少ないと、より以上の膜の密着性の向上および異常成長
の発生の抑制を図ることが充分にはできず電位シフトも
大きくなる。５０００原子ｐｐｍを越えると電子写真の
高速化に対応するための電気的特性が充分ではなくなる
。したがって、酸素原子の含有量としては１０〜５００
０原子ｐｐｍとするのが好ましい。

【００４３】本発明において、第２の光導電層１１０２
は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるよ
うに適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成
される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶ
Ｄ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交
流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数数の薄膜堆積法によって
形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条
件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される
電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電
子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御
が比較的容易であることからしてグロー放電法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法が好適である。そ
してこれらの方法を同一装置系内で併用して形成しても
よい。例えば、グロー放電法によってｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ
，Ｆ）光導電層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、弗素原子
（Ｆ）を供給し得るＦ供給用の原料ガスとを、内部が減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に
設置されてある所定の支持体表面上にｎｃ−ＳｉＣ（Ｈ
，Ｆ）からなる層を形成すればよい。

【００４４】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２　Ｈ６　，
Ｓｉ３　Ｈ８　，Ｓｉ４　Ｈ１０等のガス状態の、また
はガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易
さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ４　，Ｓｉ２　
Ｈ６　が好ましいものとして挙げられる。また、これら
のＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２　，Ｈｅ，
Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００４５】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。

【００４６】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。

【００４７】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ４　）、エタン（Ｃ２　Ｈ６　）、プロパン（
Ｃ３　Ｈ８　）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４　Ｈ１０），ペ
ンタン（Ｃ５　Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては
、エチレン（Ｃ２　Ｈ４　）、プロピレン（Ｃ３　Ｈ６
）、ブテン−１（Ｃ４　Ｈ８　）、ブテン−２（Ｃ４　
Ｈ８　）、イソブチレン（Ｃ４　Ｈ８　）、ペンテン（
Ｃ５　Ｈ１０）、アセチレン系炭化水素としては、アセ
チレン（Ｃ２　Ｈ２　）、メチルアセチレン（Ｃ３　Ｈ
４　）、ブチン（Ｃ４　Ｈ６　）等が挙げられる。

【００４８】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ３　）４　，Ｓｉ（Ｃ２　Ｈ５
　）４等のケイ化アルキルを挙げることができる。

【００４９】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて
、弗素原子の導入も行なえるという点から、ＣＦ４　，
ＣＦ３　，Ｃ２　Ｆ６　，Ｃ３　Ｆ８　，Ｃ４　Ｆ８　
等のフッ化炭素化合物を挙げることができる。

【００５０】本発明において使用される弗素供給用ガス
として有効なのは、例えば弗素ガス、弗素化物、弗素を
含むハロゲン間化合物、弗素で置換されたシラン誘導体
等のガス状のまたはガス化し得る弗素化合物が好ましく
挙げられる。また、さらにはシリコン原子と弗素原子と
を構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、弗素原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。

【００５１】本発明において好適に使用し得る弗素化合
物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２　），ＢｒＦ，
ＣｌＦ，ＣｌＦ３　，ＢｒＦ３　，ＢｒＦ５　，ＩＦ３
　，ＩＦ７　等のハロゲン間化合物を挙げることができ
る。

【００５２】弗素原子を含む珪素化合物、いわゆる弗素
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
例えばＳｉＦ４　，Ｓｉ２　Ｆ６　等のフッ化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。このような弗素
原子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって
本発明の特徴的な電子写真用光受容部材を形成する場合
には、Ｓｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用し
なくても、所定の支持体上に弗素原子を含む第２の光導
電層を形成することができるが、形成される第２の光導
電層１１０２中に導入される水素原子の導入割合の制御
を一層容易になるように図るために、これらのガスにさ
らに水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも
所望量混合して層形成することが好ましい。また、各ガ
スは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても
差し支えないものである。

【００５３】本発明においては、弗素原子供給用ガスと
して上記されたフッ化物あるいは弗素を含む珪素化合物
が有効なものとして使用されるものであるが、その他に
、ＨＦ，ＳｉＦ３　Ｆ，ＳｉＨ２　Ｆ２　，ＳｉＨＦ３
　等の弗素置換水素化珪素、等々のガス状態のあるいは
ガス化し得る物質も有効な第２の光導電層形成用の原料
物質として挙げることができる。これらの物質の内、水
素原子を含む弗素化物は、第２の光導電層１１０２形成
の際に層中に弗素原子の導入と同時に、電気的あるいは
光電的特性の制御にきわめて有効な水素原子も導入され
るので、本発明においては好適な弗素原子供給用ガスと
して使用される。

【００５４】本発明においては酸素原子（Ｏ）導入用の
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質は
、例えば、酸素（Ｏ２　）、オゾン（Ｏ３　）、一酸化
窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２　）、一二酸化窒素
（Ｎ２　Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ２　Ｏ３　）、四三酸
化窒素（Ｎ２　Ｏ４　）、五二酸化窒素（Ｎ２　Ｏ５　
）等を挙げることができる。

【００５５】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて
、酸素原子の導入も行なえるという点から、ＣＯ，ＣＯ
２　等の化合物を挙げることができる。

【００５６】水素原子（Ｈ）を第２の光導電層１１０２
中に構造的に導入するには、上記の他にＨ２　，あるい
はＳｉＨ４　，Ｓｉ２　Ｈ６　，Ｓｉ３　Ｈ８　，Ｓｉ
４　Ｈ１０等の水素化珪素とＳｉを供給するためのシリ
コンまたはシリコン化合物とを反応容器中に共存させて
放電を生起させることでも行なうことができる。

【００５７】第２の光導電層１１０２中に含有される水
素原子および／または弗素原子の量を制御するには、例
えば支持体温度、水素原子あるいは弗素原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量
、放電電力等を制御すればよい。

【００５８】さらに本発明においては、第２の光導電層
１１０２には必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）
を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は
、第２の光導電層１１０２中に万遍なく均一に分布した
状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均
一な分布状態で含有している部分があってもよい。

【００５９】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ
、ｐ型伝導特性を与える周期律表ＩＩＩ　族に属する原
子（以後「第ＩＩＩ　族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第
Ｖ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００６０】第ＩＩＩ　族原子としては、具体的には、
Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特
にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、
具体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン
）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓが好適で
ある。

【００６１】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０−３〜
５×１０４　原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０−２
〜１×１０４　原子ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜５
×１０３　原子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、光
導電層において炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０３　
原子ｐｐｍ以下の場合は、光導電層に含有される原子（
Ｍ）の含有量としては好ましくは１×１０−３〜１×１
０３　原子ｐｐｍとされるのが望ましく、炭素原子（Ｃ
）の含有量が１×１０３　原子ｐｐｍを越える場合は、
原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０−１
〜５×１０４　原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【００６２】第２の光導電層１１０２中に、伝導性を制
御する原子、例えば、第ＩＩＩ　族原子あるいは第Ｖ族
原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩ
　族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の
原料物質をガス状態で反応容器中に、第２の光導電層を
形成するための他のガスとともに導入してやればよい。 第ＩＩＩ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導
入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガ
ス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第Ｉ
ＩＩ　族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素
原子導入用としては、Ｂ２　Ｈ６　，Ｂ４　Ｈ１０，Ｂ
５　Ｈ９　，Ｂ５　Ｈ１１，Ｂ６　Ｈ１０，Ｂ６　Ｈ１
２，Ｂ６　Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３　，ＢＣｌ３
　，ＢＢｒ３　等のハロゲン化硼素等が挙げられる。。 この他、ＡｌＣｌ３　，ＧａＣｌ３　，Ｇａ（ＣＨ３　
）３　，ＩｎＣｌ３，ＴｌＣｌ３　等も挙げることがで
きる。

【００６３】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ３　，Ｐ２　Ｈ４　等の水素化燐、ＰＨ４　Ｉ
，ＰＦ３　，ＰＦ５　，ＰＣｌ３　，ＰＣｌ５　，ＰＢ
ｒ３　，ＰＢｒ５　，ＰＩ３　等のハロゲン化燐が挙げ
られる。この他、ＡｓＨ３　，ＡｓＦ３　，ＡｓＣｌ３
　，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５　，ＳｂＨ３　，ＳｂＦ３　
，ＳｂＦ５　，ＳｂＣｌ３　，ＳｂＣｌ５　，ＢｉＨ３
　，ＢｉＣｌ３　，ＢｉＢｒ３　等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【００６４】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ２　，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００６５】さらに本発明の光受容部材の第２の光導電
層１１０２には、周期律表第Ｉａ族、ＩＩａ族、ＶＩａ
族、ＶＩＩＩ族から選ばれる少なくとも１種の元素を０
．１〜１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよい。前記
元素は前記第２の光導電層中に万遍なく均一に分布され
てもよいし、あるいは該第２の光導電層中に万遍なく含
有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状
態で含有している部分があってもよい。しかしながら、
いずれの場合においても支持体１１０１の表面と平行な
面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有されて
いることが、面内方向における特性の均一化を図る点か
らも必要である。第Ｉａ族原子としては、具体的には、
Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム
）を挙げることができ、第ＩＩａ族原子としては、Ｂｅ
（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシ
ウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等
を挙げることができる。

【００６６】また、第ＶＩａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第ＶＩＩＩ族原子とし
ては、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル
）等を挙げることができる。

【００６７】本発明において、第２の光導電層１１０２
の層厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済
的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、第２
の光導電層１１０２については、好ましくは５〜５０μ
ｍ、より好ましくは１０〜４０μｍ、最適には２０〜３
０μｍとされるのが望ましい。

【００６８】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｃ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ）からなる第２の光導電層１１０２
を形成するには、支持体の温度、反応容器内のガス圧を
所望にしたがって、適宜設定する必要がある。

【００６９】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合
、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４
８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい
。

【００７０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０−５〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０−４〜１Ｔｏｒ
ｒとするのが好ましい。

【００７１】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する第２の光導電層１１０２を形成すべく相互
的かつ有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの
最適値を決めるのが望ましい。

【００７２】さらに本発明の光受容部材においては、第
２の光導電層１１０２の前記支持体１１０１側に、少な
くともアルミニウム原子、シリコン原子、炭素原子およ
び水素原子が層厚方向に不均一な状態で含有する層領域
を有することが望ましい。

【００７３】第１の光導電層１１０３は、構成要素とし
てシリコン原子、水素原子を含むｎｃ−Ｓｉ：Ｈからな
り、所望の光導電特性、特に電荷発生特性、電荷輸送特
性を有する。

【００７４】第１の光導電層１１０３は、シリコン原子
、水素原子からなる非単結晶質であり、水素原子を１〜
４０原子％含有している。この第１の光導電層１１０３
は光キャリアを効率よく生成し、長波長の光の吸収を高
めるため、感度の向上のために設けられる。また、他の
効果としては、帯電極性と逆極性のキャリアの走行性が
第２の光導電層１１０２よりよいため、ゴーストが軽減
されるという予期せぬ効果も得られる。　　本発明にお
いて、第１の光導電層１１０３は真空堆積膜形成方法に
よって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータ
ーの数値条件が設定されて作成される。具体的には、例
えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法ま
たはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるい
は直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
等の数数の薄膜堆積法によって形成することができる。 これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製
造するに当たっての条件の制御が比較的容易であること
からしてグロー放電法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法が好適である。そしてこれらの方法を同一
装置系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放
電法によってｎｃ−Ｓｉ：Ｈ光導電層を形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用
の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、予め所定の位置に設置されてある所定の支持体
表面上にｎｃ−Ｓｉ：Ｈからなる層を形成すればよい。

【００７５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２　Ｈ６　，
Ｓｉ３　Ｈ８　，Ｓｉ４　Ｈ１０等のガス状態の、また
はガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易
さ、Ｓｉ供給効率のよさ等の点でＳｉＨ４　，Ｓｉ２　
Ｈ６　が好ましいものとして挙げられる。また、これら
のＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２　，Ｈｅ，
Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００７６】形成される第１の光導電層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図る
ために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の
混合比で複数種混合しても差し支えないものである。水
素原子を第１の光導電層１１０３中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ２　，あるいはＳｉＨ４　，Ｓｉ２
　Ｈ６　，Ｓｉ３　Ｈ８　，Ｓｉ４　Ｈ１０等の水素化
珪素とＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコン化
合物とを反応容器中に共存させて放電を生起させること
でも行なうことができる。

【００７７】第１の光導電層１１０３中に含有される水
素原子の量を制御するには、例えば支持体温度、水素原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【００７８】さらに本発明においては、第１の光導電層
１１０３には必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）
を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は
、光導電層中に万遍なく均一に分布した状態で含有され
てもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で
含有している部分があってもよい。

【００７９】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ
、ｐ型伝導特性を与える周期律表ＩＩＩ　族に属する原
子（以後「第ＩＩＩ　族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第
Ｖ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００８０】第ＩＩＩ　族原子としては、具体的には、
Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特
にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、
具体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン
）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓが好適で
ある。

【００８１】第１の光導電層１１０３に含有される伝導
性を制御する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは
１×１０−２〜５×１０４　原子ｐｐｍ、より好ましく
は１×１０−２〜１×１０４　原子ｐｐｍ、最適には１
×１０−１〜５×１０３　原子ｐｐｍとされるのが望ま
しい。

【００８２】第１の光導電層１１０３中に、伝導性を制
御する原子、例えば、第ＩＩＩ　族原子あるいは第Ｖ族
原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩ
　族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の
原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層を形成す
るための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩ
Ｉ　族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用
の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状
のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩ
　族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子
導入用としては、Ｂ２　Ｈ６　，Ｂ４　Ｈ１０，Ｂ５　
Ｈ１１，Ｂ６　Ｈ１０，Ｂ６　Ｈ１２，Ｂ６　Ｈ１４等
の水素化硼素、ＢＦ３　，ＢＣｌ３　，ＢＢｒ３　等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。。この他、ＡｌＣｌ３
　，ＧａＣｌ３　，Ｇａ（ＣＨ３）３　，ＩｎＣｌ３　
，ＴｌＣｌ３　等も挙げることができる。

【００８３】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ３　，Ｐ２　Ｈ４　等の水素化燐、ＰＨ４　Ｉ
，ＰＦ３　，ＰＦ５　，ＰＣｌ３　，ＰＣｌ５　，ＰＢ
ｒ３　，ＰＢｒ５　，ＰＩ３　等のハロゲン化燐が挙げ
られる。この他、ＡｓＨ３　，ＡｓＦ３　，ＡｓＣｌ３
　，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５　，ＳｂＨ３　，ＳｂＦ３　
，ＳｂＦ５　，ＳｂＣｌ３　，ＳｂＣｌ５　，ＢｉＨ３
　，ＢｉＣｌ３　，ＢｉＢｒ３　等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【００８４】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ２　，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００８５】さらに本発明の光受容部材の第２の光導電
層１１０２には、周期律表第Ｉａ族、ＩＩａ族、ＶＩａ
族、ＶＩＩＩ族から選ばれる少なくとも１種の元素を０
．１〜１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよい。前記
元素は前記第１の光導電層１１０３中に万遍なく均一に
分布されてもよいし、あるいは該第１の光導電層１１０
３中に万遍なく含有されてはいるが、層厚方向に対し不
均一に分布する状態で含有している部分があってもよい
。しかしながら、いずれの場合においても支持体１１０
１の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で万
遍なく含有されていることが、面内方向における特性の
均一化を図る点からも必要である。第Ｉａ族原子として
は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム
）、Ｋ（カリウム）を挙げることができ、第ＩＩａ族原
子としては、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム
）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂ
ａ（バリウム）等を挙げることができる。

【００８６】また、第ＶＩａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第ＶＩＩＩ族原子とし
ては、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル
）等を挙げることができる。

【００８７】本発明において、第１の光導電層１１０３
の層厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済
的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、第１
の光導電層については、好ましくは０．５〜１５μｍ、
より好ましくは１〜１０μｍ、最適には１〜５μｍとさ
れるのが望ましい。

【００８８】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｃ−Ｓｉ：Ｈからなる第１の光導電層１１０３を形成す
るには、支持体１１０１の温度、反応容器内のガス圧を
所望にしたがって、適宜設定する必要がある。

【００８９】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合
、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４
８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい
。

【００９０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０−５〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０−４〜１Ｔｏｒ
ｒとするのが好ましい。

【００９１】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する第２の光導電層１１０２を形成すべく相互
的かつ有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの
最適値を決めるのが望ましい。

【００９２】本発明の光受容部材においては、第１の光
導電層１１０３の表面層との間に、組成を連続的に変化
させた層領域を設けてもよい。該層領域を設けることに
より各層間での密着性をより向上させることができる。

【００９３】表面層は１１０４、構成要素としてシリコ
ン原子と炭素原子、窒素原子および酸素原子を同時に含
有し、さらに水素原子およびハロゲン原子とを含有する
非単結晶材料で構成される。表面層１１０４には光導電
層中に含有されるような伝導性を制御する物質は実質的
に含有されない。

【００９４】該表面層１１０４に含有される炭素原子お
よび酸素原子および窒素原子は該層中に万遍なく均一に
分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含
有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有してい
る部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合の
支持体１１０１の表面と平行面内方向においては、均一
な分布で万遍なく含有されることが面内方向における特
性の均一化を図る点からも必要である。

【００９５】本発明における表面層１１０４の全層領域
に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子は、同時に
含有されるときに著しい高暗抵抗化、高硬度化等の効果
を奏する。表面層中１１０４に含有される炭素原子およ
び酸素原子および窒素原子の含有量の和は、好適には４
０〜９０原子％、より好適には４５〜８５原子％、最適
には５０〜８０原子％とされるのが望ましい。本発明に
おける効果をより一層発揮するには、酸素原子、窒素原
子の含有量の和は１０原子％以下が好ましい。

【００９６】また、本発明における表面層１１０４に含
有される水素原子およびハロゲン原子はｎｃ−ＳｉＣ，
Ｏ，Ｎ（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の
向上に効果を奏し、光導電層と表面層１１０４の界面に
トラップされるキャリアーを減少させるため、画像流れ
を改善する。さらにハロゲン原子は表面層１１０４の撥
水性を向上させるので、水蒸気の吸着による高湿流れを
も減少させる。表面層中のハロゲン原子の含有量は２０
原子％以下であり、さらに水素原子とハロゲン原子の含
有量の和は好適には３０〜７０原子％、より好適には３
５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とするのが
望ましい。

【００９７】さらに本発明において表面層１１０４に、
周期律表第Ｉａ族、ＩＩａ族、ＶＩａ族、ＶＩＩＩ族か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を含有してもよい。前
記元素は前記光導電層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは該光導電層中に万遍なく含有されては
いるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有し
ている部分があってもよい。しかしながら、いずれの場
合においても支持体１１０１の表面と平行な面内方向に
おいては、均一な分布で万遍なく含有されていることが
、面内方向における特性の均一化を図る点からも必要で
ある。

【００９８】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第ＩＩａ族原子としては、Ｂｅ（ベ
リリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム
）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を挙
げることができる。

【００９９】また、第ＶＩａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第ＶＩＩＩ族原子とし
ては、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル
）等を挙げることができる。

【０１００】本発明において、表面層１１０４の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好まし
くは０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍと
されるのが望ましい。

【０１０１】本発明においてｎｃ−ＳｉＣ，Ｏ，Ｎ（Ｈ
，Ｘ）で構成される表面層１１０４を形成するには、前
述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用
される。

【０１０２】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成する場合には、支持体１１０１の温
度、ガス圧が前記表面層１１０４の特性を左右する重要
な要因である。支持体温度は適宜最適範囲が選択される
が、好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜
４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望まし
い。

【０１０３】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ、よ
り好ましくは５×１０−５〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×
１０−４〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１０４】本発明においては、表面層１１０４を形成
するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲とし
て前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファク
ターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、
所望の特性を有する表面層１１０４を形成すべく相互的
かつ有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最
適値を決めるのが望ましい。

【０１０５】以下、高周波プラズマＣＶＤ法およびマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するため
の装置および形成方法について詳述する。

【０１０６】図３は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図、図４（ａ）
はマイクロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」
と表記する）法による電子写真用光受容部材の製造装置
の部分縦断面図、図４（ｂ）はその横断面図、図５は図
４に示す堆積装置４１００と原料ガス供給装置３２００
の説明図、図６〜図８は光導電層の炭素含有量の変化パ
ターン、図９、図１０は光導電層の炭素含有量の分布パ
ターンである。

【０１０７】図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別
すると、堆積装置３１００、原料ガスの供給装置３２０
０、反応容器３１１１内を減圧にするための排気装置（
図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の
反応容器３１１１内には円筒状支持体３１１２、支持体
加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設
置され、さらに高周波マッチングボックス３１１５が接
続されている。

【０１０８】原料ガス供給装置３２００、ＳｉＨ４　，
Ｈ２　，ＣＨ４　，ＣＯ２，ＮＨ３　，ＳｉＦ４　等の
原料ガスのボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１
〜３２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６
およびマスフローコントローラー３２１１〜３２１６か
ら構成され、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介
して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続さ
れている。

【０１０９】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
、以下のように行なうことができる。

【０１１０】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、不図示の排気装置例えば真空ポンプ
により反応容器３１１１内を排気する。続いて、支持体
加熱用ヒーター３１１３により円筒状支持体３１１２の
温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。

【０１１１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３６、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ３２４１〜３２４
６、流出バルブ３２５１〜３２５６。補助バルブ３２６
０が開かれていることを確認して、まず、メインバルブ
３１１８を開いて反応容器３１１１およびガス配管内３
１１６を排気する。

【０１１２】次に真空計３１１９の読みが約５×１０−
６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バ
ルブ３２５１〜３２５６を閉じる。

【０１１３】その後、ガスボンベ３２２１〜３２２６よ
り各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、
圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ２　に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３
２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラー３２１１〜３２１６内に導入する。

【０１１４】以上のようにして成膜の準備が完了した後
、円筒状支持体３１１２上に光導電層、表面層の各層の
形成を行なう。

【０１１５】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ３２５１〜３２５６のうち必要な
ものおよび補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ３２２１〜３２２６から所定のガスをガス導入管３１
１４を介して反応容器３１１１内に導入する。次にマス
フローコントローラー３２１１〜３２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器３１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計３１１９を見ながらメインバルブ３
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、Ｒ
Ｆ電源（不図示）を所望の電力に設定し、高周波マッチ
ングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１内にＲ
Ｆ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生させる。この放電
エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが
分解され、円筒状支持体３１１２上に所定のシリコンを
主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の
膜厚の形成が行なわれた後、ＲＦ電力の供給を止め、流
出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積
膜の形成を終える。

【０１１６】同様の操作を複数回繰り返すことによって
、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１１７】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１内、
流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開き
、さらにメインバルブ３１１８を全開にして系内に一旦
高真空を排気する操作を必要に応じて行なう。

【０１１８】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行なっている間は、円筒状支持体３１１２を駆動装
置（不図示）によって所定の速度で回転させる。

【０１１９】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１２０】円筒状支持体３１１２の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミ
ックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤
外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温
媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム
、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を
使用することができる。また、それ以外にも、反応容器
以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内
に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１２１】次に、μＷ−ＰＣＶＤ法によって形成され
る電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。

【０１２２】図３に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置３１００を第図４（ａ）、（ｂ）
に示す堆積装置４１００に交換して原料ガス供給装置３
２００と接続することにより、図５に示すμＷ−ＰＣＶ
Ｄ法による以下の構成の電子写真用光受容部材製造装置
を得ることができる。

【０１２３】この装置は、真空気密化構造をなした減圧
にし得る反応容器４１１１、原料ガスの供給装置３２０
０、および反応容器内を減圧にするための排気装置（不
図示）から構成されている。反応容器４１１１内にはマ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真
空気密を保持し得るような材料例えば石英ガラス、アル
ミナセラミックス等で形成されたマイクロ波導入窓４１
１２、スタブチューナ（図示せず）およびアイソレータ
（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せず）に接
続されているマイクロ波の導波管４１１３、堆積膜を形
成すべき円筒状支持体４１１５、支持体加熱用ヒーター
４１１６、原料ガス導入管４１１７、プラズマ電位を制
御するための外部電気バイアルを与えるための電極４１
１８が設置されており、反応容器４１１１内は排気管４
１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続されている。 原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ４，Ｈ２　，ＣＨ
４　，ＣＯ２，ＮＨ３　，ＳｉＦ４　等の原料ガスのボ
ンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３６，
３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およびマスフ
ローコントローラー３２１１〜３２１６から構成され、
各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応容器
内のガス導入管４１１７に接続されている。また、円筒
状支持体４１１５によって取り囲まれた空間４１３０が
放電空間を形成している。　　μＷ−ＰＣＶＤ法による
この装置での堆積膜の形成は、以下のように行なうこと
ができる。

【０１２４】まず、反応容器４１１１内に円筒状支持体
４１１５を設置し、駆動装置４１２０によって支持体４
１１５を回転し、不図示の排気装置例えば真空ポンプに
より反応容器４１１１内を排気管４１２１を介して排気
し、反応容器４１１１内の圧力を１×１０−６Ｔｏｒｒ
以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター４１１
６により円筒状支持体４１１５の温度を２０℃〜５００
℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１２５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ３２４１〜３２
４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２
６０が開かれていることを確認して、まず、メインバル
ブ（不図示）を開いて反応容器４１１１およびガス配管
４１２２内を排気する。

【０１２６】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出
バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。

【０１２７】その後、ガスボンベ３２２１〜３２２６よ
り各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、
圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を２Ｋｇ
／ｃｍ２　に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３
２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントロー
ラー（３２１１〜３２１６）内に導入する。

【０１２８】以上のようにして成膜の準備が完了した後
、円筒状支持体４１１５上に光導電層、表面層の各層の
形成を行なう。

【０１２９】円筒状支持体４１１５が所定の温度になっ
たところで流出バルブ３２５１〜３２５６のうち必要な
ものおよび補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ３２２１〜３２２６から所定のガスをガス導入管４１
１７を介して反応容器４１１１内の放電空間４１３０に
導入する。次にマスフローコントローラー３２１１〜３
２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調
整する。その際、放電空間４１３０内の圧力が１Ｔｏｒ
ｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見
ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧力
が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波数
５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望の
電力に設定し、導波管４１１３、マイクロ波導入窓４１
１２を介して放電空間４１３０にμＷエネルギーを導入
して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行的
に、電源４１１９から電極４１１８に例えば直流等の電
気バイアスを印加する。かくして支持体４１１５により
取り囲まれた放電空間４１３０において、導入された原
料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて解
離し、円筒状支持体４１１５上に所定の堆積膜が形成さ
れる。このとき、層形成の均一化を図るため支持体回転
モーター４１２０によって、所望の回転速度で回転させ
る。

【０１３０】所望の膜厚の形成が行なわれた後、μＷ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１３１】同様の操作を複数回繰り返すことによって
、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１３２】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられていることは言うまで
もなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１内、
流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器４１１１に
至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ
３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開き
、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内に一
旦高真空を排気する操作を必要に応じて行なう。

【０１３３】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１３４】円筒状支持体４１１５の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミ
ックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤
外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温
媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム
、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を
使用することができる。また、それ以外にも、反応容器
以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内
に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１３５】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１×１０−３Ｔｏｒｒ以上
１×１０−１Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０−
３Ｔｏｒｒ以上５×１０−２Ｔｏｒｒ以下、最も好まし
くは５×１０−３Ｔｏｒｒ以上３×１０−２Ｔｏｒｒ以
下に設定することが望ましい。

【０１３６】放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よ
りも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０−１
Ｔｏｒｒ以下では、また、特に顕著には５×１０−２Ｔ
ｏｒｒ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力
の３倍以上のとき、特に堆積膜特性向上の効果が大きい
。

【０１３７】マイクロ波の反応容器４１１１までの導入
方法としては導波管４１１３による方法が挙げられ、反
応容器４１１１内への導入は、１つまたは複数の誘電体
窓４１１２から導入する方法が挙げられる。このとき、
反応容器４１１１内へのマイクロ波の導入窓４１１３の
材質としてはアルミナ（Ａｌ２　Ｏ３　）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（Ｓ
ｉＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ２　）
、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン
等マイクロ波の損失の少ない材料が通常使用される。

【０１３８】電極４１１８と円筒状支持体４１１５間に
発生させる電界は直流電界が好ましく、また、電界の向
きは電極４１１８から円筒状支持体４１１５に向けるの
がより好ましい。電界を発生させるために電極に印加す
る直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００Ｖ以下
、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直流電
圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形のものが
本発明では有効である。つまり、時間によって電圧の向
きが変化しなければいずれの場合でもよく、例えば、時
間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろん、パル
ス状の電圧、および整流器により整流された時間によっ
て大きさが変化する脈動電圧でも有効である。

【０１３９】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。ただし、このとき電圧
はいずれの場合も実効値を言う。

【０１４０】電極４１１８の大きさおよび形状は、放電
を乱さないならばいずれのものでもよいが、実用上は直
径０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい
。このとき、電極４１１８の長さも、円筒状支持体４１
１５に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定でき
る。

【０１４１】電極４１１８の材質としては、表面が導電
性となるものならばいずれのものでもよく、例えば、ス
テンレス、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ
，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合金
または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラス
チック等が通常使用される。

【０１４２】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらによって何等限定されるも
のではない。 実施例１ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表１に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作
製した。本実施例では、図１に示す第２の光導電層１１
０２中の炭素含有量の変化パターンを図６のように変化
させるために第２の光導電層１１０２の形成時に導入す
るＣＨ４の流量を変化させた。第２の光導電層１１０２
の支持体１１０１側表面での炭素含有量は、３０原子％
となるようにした。なお、炭素含有量の測定にはラザフ
ォード後方散乱法による元素分析を行った。

【０１４３】作製した電子写真用光受容層部材を実験用
に改造した電子写真装置に設置し、帯電能、感度、残留
電位について評価を行った。各項目は、以下の方法で評
価した。 （１）帯電能・感度・残留電位 帯電能　　　　　　：電子写真用光受容部材を実験装置
に設置し、帯電器に＋６ｋＶの高圧を印加しコロナ帯電
を行ない、表面電位計により電子写真用光受容部材の暗
部表面電位を測定する。

【０１４４】感度　　　　　　　　：電子写真用光受容
部材を、一定の暗部表面電位に帯電させる。そして直ち
に光像を照射する。光像はキセノンランプ光源を用い、
フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除い
た光を照射した。このとき表面電位計により電子写真用
光受容部材の明部表面電位を測定する。明部表面電位が
所定の電位になるよう露光量を調整し、このときの露光
量をもって感度とする。

【０１４５】残留電位　　　　：電子写真用光受容部材
を、一定の暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに一
定光量の比較的強い光を照射する。光像はキセノンラン
プ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ以下の波
長域の光を除いた光を照射した。このとき表面電位計に
より電子写真用光受容部材の明部表面電位を測定する。

【０１４６】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を用いて、評価した。

【０１４７】

【表１】 比較例１ 実施例１と同様にして、表２に示す条件で第２の光導電
層１１０２中の炭素量が一定の、いわゆる機能分離型電
子写真用光部材を作製し、得られた電子写真用光受容部
材の評価を実施例１と同様に行なった。

【０１４８】

【表２】 実施例１、比較例１の結果を合わせて表３に示す。本発
明による層構成の電子写真用光受容部材では帯電能、感
度が向上し、なおかつ残留電位は変化していない。

【０１４９】

【表３】 実施例２ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシンダー上に、
さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法を
用いる以外は実施例１と同様にして、表４に示す作製条
件で電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子写
真用光受容部材は実施例１と同様の評価を行なった。

【０１５０】

【表４】 比較例２ 実施例２と同様にして、表５に示す条件で第２の光導電
層中の炭素含有量が一定の、いわゆる機能分離型電子写
真用光受容部材を作製し、得られた電子写真用光受容部
材の評価は実施例２と同様に行なった。

【０１５１】実施例２、比較例２の評価結果は実施例１
の結果と全く同じであった。

【０１５２】

【表５】 実施例３および比較例３ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表６に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作
製した。本実施例では、第１の光導電層１１０３の膜厚
を０〜２０μｍの範囲で変化させた。第１の光導電層１
１０３の膜厚に対する６１０ｎｍの一定光量の光を照射
したときの光感度を、第１の光導電層の膜厚が０μｍの
ときを１００％として、評価した結果を表７に示す。 この結果から、第１の光導電層１１０３を設けると、長
波感度が向上することが判る。

【０１５３】

【表６】

【０１５４】

【表７】 実施例４および比較例４ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、実施例３と同様に
μＷグロー放電法により表８に示す作製条件で電子写真
用光受容部材を作製した。第１の光導電層１１０３の膜
厚に対する６１０ｎｍの一定光量の光を照射したときの
光感度を、第１の光導電層１１０３の膜厚が０μｍのと
きを１００％として、評価した結果は表７と全く同様で
あった。

【０１５５】

【表８】 実施例５ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表９に示す作製条件で電子写真用光受容部材を作
製した。本実施例では第２の光導電層中１１０２の炭素
含有量の変化パターンを図６〜図８のように変化させる
ために、第２の光導電層１１０２の形成時に導入するＣ
Ｈ４の流量を変化させた。いずれのパターンにおいても
第２の光導電層１１０２の支持体１１０１側表面での炭
素含有量は、３０原子％となるようにした。なお、炭素
含有量の測定にはラザフォード後方散乱法による元素分
析で行なった。

【０１５６】作製した電子写真用光受容部材を実験用に
改造した電子写真装置に設置し、帯電能、感度、残留電
位について評価を行なった。各項目は、実施例１と同様
の方法で評価した。

【０１５７】

【表９】 比較例５ 実施例３と同様にして、図９、図１０に示す炭素含有量
パターンで電子写真用光受容部材を作製した。評価は実
施例４と同様に行なった。

【０１５８】実施例５、比較例５の結果を合わせて表１
０に示す。本発明によるところの第２の光導電層１１０
２の炭素量変化パターンでは帯電能、感度が向上し、な
おかつ残留電位は悪化していない。

【０１５９】

【表１０】 実施例６ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
法を用いる以外は実施例５と同様にして、表１１に示す
作製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例
では、第２の光導電層中１１０２の炭素含有量の変化パ
ターンを図６〜図８のように変化させるために、第２の
光導電層１１０２の形成時に導入するＣＨ４　の流量を
変化させた。いずれのパターンにおいても第２の光導電
層の支持体１１０１側表面での炭素含有量は、３０原子
％となるようにした。なお、炭素含有量の測定にはラザ
フォード後方散乱法による元素分析で行なった。作製し
た電子写真用光受容部材は実施例３と同様の評価を行な
った。

【０１６０】

【表１１】 比較例６ 実施例６と同様にして、図９、図１０に示す炭素含有量
パターンで電子写真用光受容部材を作製した。得られた
電子写真用光受容部材の評価は実施例６と同様に行なっ
た。

【０１６１】実施例６、比較例６の評価結果は実施例５
の結果と全く同じであった。 実施例７および比較例７ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表１２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実施例では第２の光導電層中の炭素含有量
の変化パターンを図６を用い、支持体側表面の炭素含有
量を第２の光導電層１１０２の形成時に導入するＣＨ４
　の流量を変化させた。そして第２の光導電層１１０２
の支持体１１０１側表面での炭素含有量は、ラザフォー
ド後方散乱法による元素分析で同定した。

【０１６２】

【表１２】 作製した電子写真用光受容部材を実験用に改造した電子
写真装置に設置し、帯電能、感度、残留電位、白ポチ、
ガサツキ、ゴースト等の電子写真特性および、電子写真
用光受容部材表面の球状突起の発生数について評価を行
なった。各項目は、以下の方法で評価した。 （１）帯電能・感度・残留電位 実施例１と同様にして評価した。 （２）白ポチ・ガサツキ・ゴースト 白ポチ　　　　　　：キャノン製全面黒チャート（部品
番号：ＦＹ９−９０７３）を原稿台に置きコピーしたと
きに得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．２
ｍｍ以下の白ポチについて、評価した。

【０１６３】ガサツキ　　　　：キャノン製中間調チャ
ート（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコ
ピーしたときに得られたコピー画像上で直径０．０５ｍ
ｍの円形領域を１単位として１００点の画像濃度を測定
し、その画像濃度のばらつきを評価した。

【０１６４】ゴースト　　　　：キャノン製ゴーストチ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）に反射濃度１，
１、φ５ｍｍの黒丸を貼り付けたものを原稿台の画像先
端部に置き、その上に、キャノン製中間調チャートを重
ねておいた際のコピー画像において中間調コピー上に認
められるゴーストチャートのφ５ｍｍの反射濃度と中間
調部分の反射濃度との差を測定した。

【０１６５】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表わしている。 （３）球状突起の数 作製した電子写真用光受容部材の表面全域を光学顕微鏡
で観察し、１００ｃｍ２　の面積内での直径２０μｍ以
上の球状突起の個数を調べた。各電子写真用光受容部材
について結果を出し、最も球状突起の数の多かったもの
を１００％として相対比較をした。その結果を以下のよ
うに分類した。

【０１６６】◎は６０％未満 ○は８０〜６０％ △は１００〜８０％ このようにして得た結果をまとめて表１３に示す。この
結果から、第２の光導電層の支持体１１０２側表面の炭
素量としては、０．５〜５０原子％で性能の向上が見ら
れ、さらに１〜３０原子％できわめて良好な結果が得ら
れている。

【０１６７】

【表１３】 実施例８および比較例８ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例７と同様にして、表１４に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実施例で
は第２の光導電層１１０２中の炭素含有量の変化パター
ンを図６を用い、支持体１１０１側表面の炭素含有量を
第２の光導電層１１０２の形成時に導入するＣＨ４　の
流量を変えることにより変化させた。そして実施例７と
同様にして評価した結果、表１３と同じ結果が得られた
。

【０１６８】

【表１４】 実施例９および比較例９ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表１５に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実施例では、光導電層中の弗素含有量を変
化させるように、第２の光導電層１１０２の形成時に導
入するＳｉＦ４　の流量を変化させた。そして第２の光
導電層１１０２中の弗素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥ
ＣＡ　　ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析で行なった。

【０１６９】

【表１５】 （Ｉ）作製した電子写真用光受容部材を実験用に改造し
た電子写真装置に設置し、加速耐久試験を行なう前の白
ポチ、ガサツキ、ゴースト等の電子写真特性について評
価を行なった。各項目は、実施例１および実施例７と同
様の方法で評価した。

【０１７０】この結果を表１６にまとめて示す。

【０１７１】

【表１６】 （ＩＩ）次に、作製した電子写真用光受容部材を実験用
に改造した電子写真装置に設置し２５０万枚相当の加速
耐久試験を行なった。そして、白ポチ、ガサツキ、ゴー
スト等の電子写真特性の評価を（Ｉ）と同様に行なった
。

【０１７２】以上の結果を表１７にまとめて示す。

【０１７３】

【表１７】 表１６、表１７の結果から、光導電層中の弗素含有量を
１〜９５原子ｐｐｍの範囲に設定することが画像特性お
よび耐久性に関して非常に効果的であることが明らかに
なった。 実施例１０および比較例１０ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例９と同様にして、表１８に示す作
製条件で電子写真用光受容部材を作製した。作製した電
子写真用光受容部材は実施例９と同じ手順で評価した。 その結果は表１６，１７と全く同様であった。

【０１７４】

【表１８】 実施例１１ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表１９に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実施例では、第２の光導電層１１０２中の
弗素含有量を３０原子ｐｐｍとし、酸素含有量を変化さ
せるように、第２の光導電１１０２層の形成時に導入す
るＣＯ２の流量を変化させた。そして第２の光導電層１
１０２中の酸素含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ　　
ＩＭＳ−３Ｆ）による元素分析で行なった。

【０１７５】

【表１９】 作製した電子写真用光受容部材を実験用に改造した電子
写真装置に設置し、帯電能、感度、残留電位、電位シフ
ト等の電子写真特性について評価を行なった。 （１）帯電能、感度、残留電位 実施例１と同様に評価した。 （２）電位シフト 電位シフト：電子写真用光受容部材を、実験装置に設置
し帯電器に＋６ｋＶの高電圧を印加しコロナ帯電を行な
い、表面電位計により電子写真用光受容部材の暗部表面
電位を測定する。このとき帯電器に電圧を印加し始めた
ときの暗部表面電位をＶｄ０　とし、２分経過後の暗部
表面電位をＶｄとする。そして、Ｖｄ０　とＶｄとの差
をもって電位シフト量とする。

【０１７６】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を用いて、評価した。

【０１７７】この結果を第２０表にまとめて示す。

【０１７８】

【表２０】 実施例１２ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例１１と同様に、表２１に示す作製
条件で電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子
写真用光受容部材は実施例１１と同じ手順で評価した。 その結果は表２０と全く同様であった。

【０１７９】

【表２１】 実施例１３ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表２２に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実験では表面層に含有される炭素量、酸素
量、窒素量の和が４０〜９０原子％となるよう変化させ
るため、表面層形成時に導入するパワー、ＣＨ４　流量
、ＣＯ２　流量、ＮＨ３　流量を変化させた。

【０１８０】

【表２２】 作製した電子写真用光受容部材を実験用に改造した電子
写真装置に設置して、帯電能、感度、残留電位、画像流
れ、耐久前の画像評価、２５０万枚相当の加速耐久試験
の画像評価を以下に示す方法で行なった。

【０１８１】帯電能：実施例１と同様に行なった。

【０１８２】感　　度：電子写真用光受容部材を、一定
の暗部表面電位に帯電させる。そして直ちに光像を照射
する。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを
用いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。このとき表面電位計により電子写真用光受容部材の
明部表面電位を測定する。表面電位が所定の電位になる
よう露光量を調整し、このときの露光量をもって感度と
する。評価表示は下記とする。

【０１８３】◎　　特に良好 ○　　良好 △　　実用上問題なし ×　　実用上問題あり 残留電位：電子写真用光受容部材を、一定の暗部表面電
位に帯電させる。そして直ちに光像を照射する。光像は
キセノンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０
ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を一定量照射した。こ
のとき表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表
面電位を測定する。評価表示は下記とする。

【０１８４】◎　　特に良好 ○　　良好 △　　実用上問題なし ×　　実用上問題あり 画像流れ：白地に全面文字よりなるキャノン製テストチ
ャート（部品番号：ＦＹ９−９０５８）を原稿台に置き
通常の露光量の２倍の露光量で照射しコピーをとる。得
られたコピー画像を観察し、画像上の細線が途切れずに
つながっているか評価した。ただし、このとき画像上で
むらがあるときは、全画像領域で評価し一番悪い部分の
結果を示した。評価表示は下記とする。

【０１８５】◎　　良好 ○　　一部途切れあり △　　途切れは多いが文字として認識でき、実用上問題
ない ×　　実用上問題あり 画像評価：白ポチ、擦傷それぞれについて５段階の限度
見本を作製し、評価結果の合計を次の４段階に分類した
。

【０１８６】◎　　特に良好 ○　　良好 △　　実用上問題なし ×　　実用上問題あり 比較例１１ 表面層に含有される炭素原子、酸素原子、窒素原子の含
有量の和を４０原子％未満、および９０原子％より多く
した以外は実施例１３と同様にして電子写真用光受容部
材をそれぞれ作製し、実施例１３と同様の評価を行なっ
た。 比較例１２ 表面層形成時にＣＨ４　を用いずに、表面層に含有され
る酸素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした
以外は実施例１３と同様にして電子写真用光受容部材を
それぞれ作製し、実施例１３と同様に評価を行なった。 比較例１３ 表面層形成時にＣＯ２　を用いずに、表面層に含有され
る酸素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした
以外は実施例１３と同様にして電子写真用光受容部材を
それぞれ作製し、実施例１３と同様に評価を行なった。 比較例１４ 表面層形成時にＮＨ３　を用いずに、表面層に含有され
る酸素原子、窒素原子の含有量の和を６０原子％とした
以外は実施例１３と同様にして電子写真用光受容部材を
それぞれ作製し、実施例１３と同様に評価を行なった。

【０１８７】実施例１３および比較例１１〜１４の結果
をまとめて表２３に示す。炭素含有量が４０〜９０原子
％で帯電能、耐久性に著しい改善がみられ、さらに炭素
原子、酸素原子、窒素原子の和が１０原子％以下のとき
にきわめて良好な結果が得られている。

【０１８８】

【表２３】 実施例１４ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例１３と同様に、表２４に示す作製
条件で電子写真用光受容部材を作製した。本実験では表
面層１１０４に含有される炭素量、酸素量、窒素量の和
が４０〜９０原子％となるように変化させるため、表面
層１１０４形成時導入するパワー、ＣＨ４　流量、ＣＯ
２　流量、ＮＨ３　流量を変化させた。評価は実施例１
３と同様に行なった。

【０１８９】

【表２４】 比較例１５ 表面層１１０４に含有される酸素原子、窒素原子の含有
量の和を４０原子％未満、および９０原子％より多くし
た以外は実施例１４と同様にして電子写真用光受容部材
をそれそれ作製し、実施例１４と同様の評価を行なった
。 比較例１６ 表面層１１０４形成時にＣＨ４　を用いずに、表面層１
１０４に含有される酸素原子、窒素原子の含有量の和を
６０原子％とした以外は実施例１４と同様にして電子写
真用光受容部材をそれそれ作製し、実施例１４と同様の
評価を行なった。 比較例１７ 表面層１１０４形成時にＣＯ２　を用いずに、表面層１
１０４に含有される酸素原子、窒素原子の含有量の和を
６０原子％とした以外は実施例１４と同様にして電子写
真用光受容部材をそれそれ作製し、実施例１４と同様の
評価を行なった。 比較例１８ 表面層１１０４形成時にＮＨ３　を用いずに、表面層１
１０４に含有される酸素原子、窒素原子の含有量の和を
６０原子％とした以外は実施例１４と同様にして電子写
真用光受容部材をそれそれ作製し、実施例１４と同様の
評価を行なった。実施例１４および比較例１５〜１８の
結果は、第２３表と全く同様であった。 実施例１５ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表２５の作製条件で電子写真用光受容部材を作製
した。本実験では表面層１１０４に含有される弗素原子
の含有量を２０原子％以下とし、かつ水素原子と弗素原
子の含有量の和が３０〜７０原子％となるように、表面
層１１０４形成時導入するパワー、Ｈ２　および／また
はＳｉＦ４　の流量を変化させた。

【０１９０】作製した電子写真用光受容部材を実験用に
改造した電子写真装置に設置して、実施例９と同様にし
て、残留電位・感度・画像流れの３項目について評価を
行なった。

【０１９１】

【表２５】 比較例１９ 表面層１１０４に含有される水素原子および弗素原子の
含有量の和を３０原子％未満、および７０原子％より多
くした以外は実施例１５と同様にして電子写真用光受容
部材をそれそれ作製し、実施例１５と同様の評価を行な
った。 比較例２０ 表面層１１０４に含有される弗素原子の含有量を２０原
子％より多くした以外は実施例１５と同様にして電子写
真用光受容部材をそれそれ作製し、実施例１５と同様の
評価を行なった。 比較例２１ 表面層１１０４形成時にＳｉＦ４　を用いなかった以外
は実施例１５と同様にして電子写真用光受容部材をそれ
それ作製し、実施例１５と同様の評価を行なった。

【０１９２】実施例１５、および比較例１９〜２１の結
果を表２６に示す。表２６より明らかなように、表面層
中の、水素含有量と弗素含有量の和を３０〜７０原子％
とし、かつ弗素の含有量を２０原子％以下の範囲とする
ことによって、残留電位、感度のいずれも良好な結果が
得られ、さらに強露光での画像流れが大幅に抑制できる
ことが判った。

【０１９３】

【表２６】 実施例１６ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例１５と同様に、表２７に示す作製
条件で電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子
写真用光受容部材は実施例１５と同じ手順で評価した。

【０１９４】

【表２７】 比較例２２ 表面層１１０４に含有される水素原子および弗素原子の
含有量の和を３０原子％未満、および７０原子％以上に
したい以外は実施例１５と同様にして電子写真用光受容
部材をそれそれ作製し、実施例１５と同様の評価を行な
った。 比較例２３ 表面層１１０４に含有される弗素原子の含有量を２０原
子％より多くした以外は実施例１５と同様にして電子写
真用光受容部材をそれそれ作製し、実施例１５と同様の
評価を行なった。 比較例２４ 表面層１１０４形成時にＳｉＦ４　を用いなかった以外
は実施例１５と同様にして電子写真用光受容部材をそれ
それ作製し、実施例１５と同様の評価を行なった。　　
実施例１６、および比較例２２〜２４の結果は、表２６
と全く同様であった 。実施例１７ 図３に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー放電法
により表２８に示す作製条件で電子写真用光受容部材を
作製した。本実験では、第１および第２の光導電層中の
硼素原子含有量を表２９のように変化させた。原料ガス
としては水素ベースのジボラン（１０ｐｐｍ　　Ｂ２　
Ｈ６　／Ｈ２　）を用いた。

【０１９５】

【表２８】

【０１９６】

【表２９】 作製した電子写真用光受容部材を実験用に改造した電子
写真装置に設置し、帯電能・感度・残留電位について評
価を行なった。各項目は、以下の方法で評価した。 （１）帯電能・感度・残留電位 実施例１と同様に評価した。

【０１９７】結果を第３０表に示す、硼素をドーピング
することにより、特に残留電位と感度が向上することが
判る。

【０１９８】

【表３０】 実施例１８ 図５に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、鏡
面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダー上に
、さきに詳述した手順にしたがって、μＷグロー放電法
を用いる以外は実施例１７と同様に、表３１に示す作製
条件で電子写真用光受容部材を作製した。硼素の変化パ
ターンは表２９と同様にした。作製した電子写真用光受
容部材は実施例１７と同じ手順で評価した。その結果、
第３０表と全く同様の結果が得られた。

【０１９９】

【表３１】

【０２００】

【発明の効果】本発明の電子写真用光受容部材を前述の
ごとき特定の層構成としたことにより次のような効果が
ある。Ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することができ、特にきわめて
優れた電気特性、光学特性、光導電特性、画像特性、耐
久性および使用環境特性を示す。

【０２０１】特に本発明に置いては、非結晶質シリコン
からなる第２の光導電層に、炭素原子を導電性支持体側
から第１の光導電層側に向かって連続的に減少するよう
に含有させることによって、電荷（フォトキャリア）の
発生と該発生した電荷の輸送という電子写真用光受容部
材にとっての重要な機能をなめらかに接続でき、光感度
の優れたものができる。また、第２の光導電層に炭素が
含有されていることにより光受容層の誘電率を小さくす
ることができるため、層厚当たりの静電容量を減少させ
ることができて高い帯電能、および光感度において著し
い改善がみられ、さらに高電圧に対する耐圧性も向上し
耐久性も向上する。

【０２０２】また、非結晶質シリコンからなる第１の光
導電層を０．５〜１５μｍ設けることにより、より長波
光の感度が向上し、帯電極性と逆のキャリアの層構成が
向上するのでゴーストをなくする。

【０２０３】さらに加えて、本発明においては、第２の
光導電層中に弗素原子（Ｆ）を微量（〜９５原子ｐｐｍ
）含有させることによって画像特性例えば、前述の「ガ
サツキ」、「ゴースト」に関して著しい改善がみられる
とともに、それらの優れた特性を維持した状態で、電子
写真プロセスの中で飛躍的に耐久性をのばすことができ
る。

【０２０４】また、本発明の表面層は、撥水性に富むた
め、耐湿性が向上し、さらに機械的強度や電気的耐圧性
が向上し、また帯電処理を受けた際に表面より電荷が注
入されるのを効果的に阻止でき、帯電能、使用環境特性
、耐久性および電気的耐圧性を向上することができる。 さらに、表面層中での光の吸収が減少するために感度の
向上を図ることができ、光導電層と表面層の間でのキャ
リの蓄積が減少するために、帯電能を高い状態に維持し
たままで画像流れを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真用光受容部材の好適な実施態
様例の層構成を説明するための模式的層構成図である。

【図２】従来の電子写真用光受容部材の層構成を模式的
に示す断面図である。

【図３】高周波（ＲＦ）を用いたグロー放電法による電
子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。

【図４】（ａ）マイクロ波グロー放電法による電子写真
用光受容部材の製造装置の部分縦断面図、（ｂ）はその
横断面図である。

【図５】図４に示す堆積装置４１００と原料ガス供給装
置３２００の説明図である。

【図６】本発明の光導電層での炭素含有量の変化パター
ンである。

【図７】本発明の光導電層での炭素含有量の変化パター
ンである。

【図８】本発明の光導電層での炭素含有量の変化パター
ンである。

【図９】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パタ
ーンである。

【図１０】本発明外の光導電層での炭素含有量の分布パ
ターンである。

【符号の説明】

１１００，２００　　　　光受容部材 １１０１，２０１　　　　導電性支持体１１０２　　　
　第２の光導電層 ２０２　　　　光導電層 １１０３　　　　第１の光導電層 １１０４　　　　表面層 １１０５　　　　光受容層 １１０６，２０３　　　　自由表面 ３１００　　　　堆積装置 ３１１１　　　　反応容器 ３１１２　　　　円筒状支持体 ３１１３　　　　支持体加熱用ヒーター３１１４　　　
　原料ガス導入管 ３１１５　　　　マッチングボックス ３１１６　　　　原料ガス配管 ３１１７　　　　反応容器リークバルブ３１１８　　　
　マイン排気バルブ ３１１９　　　　真空計 ３２００　　　　原料ガス供給装置 ３２１１〜３２１６　　　　マスフローコントローラ３
２２１〜３２２６　　　　原料ガスボンベ３２３１〜３
２３６　　　　原料ガスボンベバルブ３２４１〜３２４
６　　　　ガス流入バルブ３２５１〜３２５６　　　　
ガス流出バルブ３２６０　　　　バルブ ３２６１〜３２６６　　　　圧力調整器４１００　　　
　堆積装置 ４１１１　　　　反応容器 ４１１２　　　　マイクロ波導入窓 ４１１３　　　　導波管 ４１１４　　　　支持体ホルダー ４１１５　　　　円筒状支持体 ４１１６　　　　支持体加熱用ヒーター４１１７　　　
　原料ガス導入管 ４１１８　　　　バイアス電極 ４１１９　　　　バイアス電源 ４１２０　　　　支持体回転用モーター４１２１　　　
　排気管 ４１３０　　　　放電空間

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　導電性支持体上に、シリコン原子を母
   体とする非単結晶材料で構成された第２の光導電層、第
   １の光導電層、および表面層を順次積層せしめた光受容
   部材であって、前記第２の光導電層は、全層にわたって
   炭素原子を含有し、該炭素原子の含有率は、膜厚方向に
   は、前記導電性支持体側が高く、前記第１の光導電層側
   が低く分布し、かつ前記支持体が設けられている側の表
   面または表面近傍で炭素原子の含有量が０．５〜５０原
   子％、前記第１の光導電層が設けられている側の表面ま
   たは表面近傍で炭素原子の含有量が実質的に０％であり
   、また前記第２の光導電層は水素原子と弗素原子を含有
   し、その含有量は水素原子が１〜４０原子％、弗素原子
   は９５原子ｐｐｍ以下であり、前記第１の光導電層は水
   素原子を１〜４０原子％含有し、前記表面層は炭素原子
   、窒素原子、酸素原子を同時に含有し、さらに水素原子
   およびハロゲン原子を含有し、該炭素原子、酸素原子お
   よび窒素原子の含有量の和は４０〜９０原子％であり、
   ハロゲン原子の含有量は２０原子％以下、かつ水素原子
   とハロゲン原子の含有量の和が３０〜７０原子％である
   光受容部材。
2. 【請求項２】　　前記第１と第２の光導電層とも、また
   は第２の光導電層が、少なくとも一部の周期律表の第Ｉ
   ＩＩ　族または第Ｖ族に属する元素を含有する請求項１
   に記載の光受容部材。
3. 【請求項３】　　前記第２の光導電層が酸素原子を含有
   する請求項１または２に記載の光受容部材。
4. 【請求項４】　　前記酸素原子の含有量が１０〜５００
   ０原子ｐｐｍである請求項３に記載の光受容部材。
5. 【請求項５】　　前記第２の光導電層中の弗素原子含有
   量が５〜５０原子ｐｐｍである請求項１乃至４のいずれ
   か一項に記載の光受容部材。
6. 【請求項６】　　前記表面層中の酸素原子、および窒素
   原子の含有量の和が１０原子％以下である請求項１乃至
   ５のいずれか一項に記載の光受容部材。
7. 【請求項７】　　前記第１、第２の光導電層が、前記第
   ＩＩＩ　族または第Ｖ族に属する元素を、層厚方向に不
   均一な分布状態で含有する部分を有する請求項２乃至６
   のいずれか一項に記載の光受容部材。
8. 【請求項８】　　前記第１の光導電層の膜厚が０．５乃
   至１５μｍであり、前記第２の光導電層の膜厚が５乃至
   ５０μｍである請求項１乃至７のいずれか一項に記載の
   光受容部材。