JPS60178457A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線。

可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザー
としては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜Ｂ２０　ｎｍの発光波長を
有する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８ｆｔ３４１号公報や特開昭５８
−８３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含
む非晶質材料（以後「Ａ−８Ｉ」と略記する）から成る
感光層を有する光受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０１２Ωｃｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定
の景範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計」二の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低
暗抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様
にしたものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４
３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−　
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１Ｈ号、同５８１１３１号の各公報
に記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、
又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造
としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が
提案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長蒙域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面　１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を層厚差で不
均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、この場合反射光は強め場合反射光は弱め合う）の
条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量およ
び透過光量に変化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±　５００人〜±　１００００人の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１８２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を黒
色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着
色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（
例えば９開閉５７−１６５８４５号公報）、アルミニウ
ム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンド
ブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−ＩＥｉ５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、（所謂、滲み現象）実質的な解像度低下の要因となっ
ていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−９
ｉ感光層形成の際のプラズマによってダメージを受けて
、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化
によるその、後のＡ−Ｓｉ感光層の形成に悪影響を与え
ること等の不都合さが有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１ｏは、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１となる。透
過光ＩＩは、支持体３０２の表面に於いて、その一部は
、光散乱されて拡散光に１　＊　Ｋ２　＋　Ｋ３　・・
・・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、そ
の一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く。

従って、反射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が
残留する為、依然として干渉縞模様は完全に消すことが
出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持対３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２の表面での反射光Ｒ２，ｉ２層４０３の表面で
の反射光”Ｉ　、支持体４０１の表面での正反射光Ｒ３
の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたがって干
渉縞模様が生しる。従って、多層構成の光受容部材にお
いては、支持体４０１表面を不規則に荒すことでは、干
渉縞を完全に防止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一性
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランタムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的な電気的ブレークダウン
の原因となっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面５０３と光受容層５０２の凹凸の傾斜面
５０４とが平行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍλまた
は２ｎｄｘ　＝　（ｍ＋’％）入が成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の入 夫々の差の中の最大が一以上である様な層厚のｎ 不均一性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

以上の様な問題点は、例えば銅フタロシアニン、アルミ
ニウムクロライドフタロシアニンなどのフタロシアニン
顔料を含有させた電荷発生層と電荷輸送層の積層構造を
有する有機半導体系電子写真用光受容部材あるいはセレ
ン−テルルやセレン化砒素を用いたカルコゲン系の多層
構成電子写真用の光受容部材に於いても生じ得るもので
あり、Ａ−９ｉ系先光受容材の場合と同様に問題解決か
計られる必要がある。

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明の光受容部材は、少なくとも１つの感光層を有す
る多層構成の光受容層を支持体上に有する光受容部材に
於いて、前記感光層がショートレンジ内に１対以上の非
平行な界面を有し、該非平行な界面が、層厚方向と垂直
な面内の少なくとも一方向に多数配列し、該非平行な界
面が、配列方向に於いて夫々なめらかに連結している事
を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明には装置の要求解像力よりも微小でなめらかな凹
凸形状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜
面に沿って、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受
容層を、第６図の一部に拡大して示しである。第６図に
示されるように、第２層６０２の層厚がｄ５からｄ６　
と連続的に変化している為に、界面６０３と界面６０４
とは互いに傾向きを有している。従って、この微小部分
（ショートレンジ）文に入射した可干渉性光は、該微小
部公文に於て干渉を起し、微小な干＃、縞模様を生ずる
。

又、第７図に示す様に第１層７０１　と８２層７０２の
界面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行
であると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光ＩＯに対す
る反射光Ｒ工と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異
る為、界面７０３と７０４　とが平行な場合（第７図の
ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ（Ｂ）Ｊ）よりも非平行な場合（
ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明暗の差
が無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｄｙ≠　ｄｓ　）でも同様に云え
る為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図の
ｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光量０に対
して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４，１７５が存在す
る。

その為各々の層で第７図を似って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

°本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周
期分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、立≦Ｌで
あることが望ましい。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利用
することが出来、干渉縞の発現をより一層抑制すること
が出来る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
立に於ける層厚の差（ｄｓ　ｄｓ　）は、照射光の波長
を入とすると、 であるのが望ましい（第６図参照）。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が各層の形成の際に微小カラム内に於て制御される
が、この条件を満足するならば該微小カラム内にいずれ
か２つの層界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を光学的レ
ベルで正確に制御できることからプラズマ気相法（ＰＣ
ＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望のなめらかな凹凸形状、
ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によっ
て形成される凹凸が作り出す正弦関数影線状突起部は、
円筒状支持体の中心軸を中心にした螺線構造を有する。

正弦関数膨突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線
構造、又は交叉螺線構造とされても差支えない。

或いは、螺線描造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を
考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に
設定される。

即ち、第１は感光層を、例えばＡ−９ｉ層で構成する場
合には、Ａ−３ｉ層は、層形成される表面の状態に構造
敏感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変化す
る。

従って、ａ−３ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられるなめらかな凹凸のディメンジ
ョンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合。

ブレードのいたみか早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００ルｍ〜
０．３ｇｍ、より好ましくは２００ｐｍ”　１　ｐｍ、
最適には５０ルｍ〜５ｐｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくはＯ，ｌｐｍ〜５ｐＬ
ｍ、より好ましくは０．３７ｉ　ｍ〜３　ｇ　ｍ　。

最適にはＯ，Ｂｐｍ〜２ｐＬｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、隣接する凹部と凸部の各々の極小値点と極大値
点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１０度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピ、。

チ内で好ましくはＯ，ｌｐｍ〜２ｇｍ、より好ましくは
Ｏ，ｌｐｍ　〜１．５ｐＬｍ、最適には　０．２ｇｍ〜
ｌｐｍとされるのがｌ望ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第９図に示される光受容部材ＳＯＯは、本発明の目的を
達成する様に表面切削加工された支持体９０１上に、光
受容層８０２を有し、該光受容層８０２は支持体９０１
側より電荷注入防止層９０３゜感光層８０４で構成され
ている。

支持体９０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
もよい。導電性支持体としては、例えば、Ｎ　ｉＣｒ　
＋　ステンレス、　ＡＩ、　Ｏｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　
Ｎｂ。

Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこ
れ等の合金が上げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用さ
れる。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくと
もその一方の表面を導電処理され、該導電処理された表
面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｄ、ＩｎｚＯ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋５
ｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムチあれば、ＮｉＣｒ、　ＡＩ、　Ａｇ、　Ｐｄ、
　Ｚｎ。

Ｎｉ、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐｔ、等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、又は、前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第９図の光受容部材８００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支鋳体としての機能が十分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。

しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、好ましくはｌＯ用以上と
される。

電荷注入防止層９０３は、感光層８０４への支持体８０
１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化を計る
目的で設けられる。

電荷注入防止層８０３は、水素原子又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（以後ｒＡ−３ｉ　（Ｈ
、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を支配
する物質（Ｃ）が含有される。電荷注入防止層９０３に
含有される伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、いわ
ゆる半導体分野で言われる不純物を挙げることができ、
本発明に於ては、Ｓｉに対して、ｐ型伝導特性を与える
ｐ型不純物及びｎ型伝導性を与えるｎ型不純物を挙げる
ことができる。具体的には、（アルミニウム）、Ｇａ（
ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）　、　ＴＱ　（タリウ
ム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇａ、
である。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ属に属する族 原子（第■属原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）　、　Ｂｉ　（ビスマス）等であり
、殊に好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓ、である。

本発明に於て、電荷注入防止層８０３に含有される伝導
性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷注
入防止特性、或いは該電荷注入防止層８０３が支持体８
０１上に直に接触して設けられる場合には、該支持体８
０１との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来する。又、前記電
荷注入防止層に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該量の層領域との接触界面に於ける特性との関係
も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量
が適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層に含有される伝導性を制
御する物質（Ｃ）の含有量としては、好適には、０．０
０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

より好適には、０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、最適には、１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層８０３に於ける物質（Ｃ
）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以
上、より好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上。

最適には　１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とするこ
とによって、以下に述べる効果をより顕著に得ることが
出来る。例えば含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理
を受けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子の
移動を、より効果的に阻止することが出来、又、前記含
有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光
受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に支持
体側から感光層中へ注入される正孔の移動を、より効果
、的に阻止することが出来る。

電荷注入防止層８０３の層厚は、好ましくは、３０人〜
１０ル、より好適には４０人〜８ＩＬ、最適に１上ｃｎ
：〜罠５．し七勧六箇清（■孝りい一感光層９０４は、
Ａ−３ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され、レーザー光の照射
によってフォトキャリアを発生する電荷発生機能と、該
電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能を有する。

感光層８０４の層厚としては、好ましくは、１〜１００
ｇｍ、より好ましくは１〜８０ｐＬｍ、最適には２〜５
０ｐｍとされるのが望ましい。

感光層９０４には、電荷注入防止層９０３に含有される
伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性
を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同極性
の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層８０３に
含有される実際の量が多い場合には、線量よりも一段と
少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記感光層９０４中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防止
層９０３に含有される前記物質の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは
０．００１〜１０００ａｔｏｆｆｌｌｃ　ＰＰｌ１＋　
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　
、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３及び感光層９０４
に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、
感光層９０４に於ける含有量としては、好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３及び感光層８０４
中に含有される水素原子（）ｌ）の量又はハロゲン原子
（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋
Ｘ）は、好ましくは１〜４０ａｔａｍｉ’ｃ％、より好
適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、α、　Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＪ２が好ましいもの
として挙げられる。

第９図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層９０
３の代りに電気絶縁性材料から成る、所謂、障壁層を設
けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層９０３
とを併用しても差支えない。

障壁層形成材料としては、Ａ！２２０３＋　５ｉ０２　
。

Ｓｉ３Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等
の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−３ｉ　（ｒ　Ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）　Ｊ　、！
ｌ：記す）で構成される感光層を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーテ
ィグ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本的には、
シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して
、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のカスをベースとした
混合ガスの雰囲気中で８１で構成されたターゲットを使
用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈さ
れた水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望の
ガスのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをス
パッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料５ｉ３Ｈ，
，５ｉ４−等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されＳ１２　＆　、が好まし
いものとして拳げられる。

本発明において使用される／＼ロゲン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのｌ＼ロゲン化合物が挙げ
られ１例えば／＼ロゲンガス、／＼　−ロゲン化物、ハ
ロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等
のガス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好まし
く挙げられる。

又、更には、シリコン原子と／＼ロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げること力く出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フ・ン素、塩素、皇去、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、Ｃ文Ｆ　。

ＧＦ３　、　ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ３．　
ＩＦ７．　ＩＣＵ　、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を
挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４　、ＳＩ２　Ｆ６　、　５ＩＣＱａ　＋ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素カスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲン
原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｉ２．Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各カスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｉ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニ斗つム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料カスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ。

ＨＣＩ　、　ＨＢｒ、　ＦＩＩ等のハロゲン化水素、Ｓ
　＋　Ｉ２　Ｆ２　＋ＳｉＨ２’Ｉ２　、５ｉＨ２ＣＱ
２　、５ｉＨＣ，９３、５ｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、等のガス状
態の或いはガス化し得る物質も有効な感光層形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、感
光層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第■族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導る為の他の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成り
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ
ａＨＩｆｉ。

Ｂ５Ｈ９，ＢＡＨ■＋　Ｒ６ＨＬＯ＋　＆　Ｒ１２＋　
８６　ＨＭ等の水素化硼素、　ＢＦ３　、　ＢＣＱｌ　
、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他
、Ｍα３　、　Ｇａα３゜Ｇａ　（（Ｊ（３）３　、Ｉ
ｎＣＲ３，ＴＱα３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　ＰＨ３
、Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、　Ｐ）Ｉ４Ｉ。

ＰＦ３　、　ＰＦ５　、　ＰＣＱ３　、　ＰＣ９，５、
ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３　、　ＰＩ３等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他ＡｓＨ３゜ＡｓＦ３　、ＡｓＣＣＪ
２３　、　ＡｓＢｒ３　、　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３、Ｓ
ｂＦ３　。

ＳｂＦ５，５ｂ０２３　、Ｓｂ［：Ｊ５　、ＢｉＩ３　
、Ｂｉα３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発
物質の有効なものとして挙げることが出来る。

第１５図には、本発明の別の好ましい具体例が示される
。第１５図に示す電子写真用の光受容部材１５００は、
微小でなめらかな凹凸を有する導電性基体１の上に導電
層１５０２と、障壁層１５０３と電荷発生層１５０４及
び電荷輸送層１５０５からなる多層構造の光受容層１５
０６と、を有する。

前述の導電層１５０２としては、例えばアルミニウム、
錫や金などの導電性金属の蒸着膜又は樹脂中に導電性粉
体を分散含有せしめた被膜を用いることができる。この
際に用いる導電性粉体としては、アルミニウム、錫、銀
なｔの金属粉体、カーボン粉体や酸化チタン、硫酸バリ
ウム、酸化亜鉛や酸化錫なζ゛の金属酸化物を主体とし
た導電性顔料などを挙げることができる。

又、この導電層１５０２に光吸収剤を含有させることも
できる。

導電性顔料を分散する樹脂は、（１）基体に対する密着
性が強固であること、（２）粉体の分散性が良好である
こと、（３）耐溶剤性が十分であること、などの条件を
満たすものであれば使用できるが、特に硬化性ゴム、ポ
リウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ポリエ
ステル樹脂、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂
等の熱硬化性樹脂が好適である。導電性顔料も を分散した樹脂の堆積抵抗率は１０１３Ωｃｍ以下、好
ましくは１０１２ΩＣ１１ｌ以下が適している。そのた
め塗膜において、導電性顔料は塗膜中１０〜６０重量％
の割合で含有されていることが好ましい。

導電層１５０２には、シリコンオイルや各種界面活性剤
などの表面エネルギー低下剤を含有させることができ、
これにより塗膜欠陥が小さい均一塗膜面を得ることがで
きる。導電性粉体を樹脂中に分散させる方法としては、
ロールミル、ボールミル、振動ボニルミル、アトライタ
ー、サンドミル、コロイドミルなどの常法によることが
でき、基体がシート状である場合は、ワイヤーバーコー
ド、ブレードコート、ナイフコート、ロールコート、ス
クリーンコートなどが適しており、基体が円筒状である
場合側こは、浸漬塗布法が適している。

導電層１５０２は、一般にｌｐＬｍ〜５０ルｍ、好まし
くは５壓ｍ〜３０ルｍ程度の膜厚で被膜形成することに
よって、導電性基体１の突起体２の高さｈが１００　ｐ
、　ｍ以下の場合で、その表面欠陥を十分に隠蔽するこ
とができる。

導電層１５０２と電荷発生層１５０４との中間には、電
気的な障壁効果を示す障壁機能と接着機能をもつ障壁層
１５０３が設けである・ 障壁層１５０３は、カゼイン、ポリビニルアルコール、
ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、
ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１
０、共重合体ナイロン、アルコキシメチル化ナイロ６ン
など）、ポリウレタン、ゼラチン、などによって形成で
きる。

障壁層１５０３の層厚は、好ましくは０．１川〜５牌、
より好ましくは０．５角〜３島とされるの力く望ましい
。

電荷発生層１５０４は、スーダンレ・ンド、グイアンプ
ル−、ジェナスグリーンＢなどのアゾ顔料、アルコール
イエロー、ピレンキノン、インクンスレンブリリアント
７ヘイオレ・ントＲＲＰなどのキノン顔料、キノシアニ
ン顔料、へ１ルン顔料、インジゴ、チオインジゴ等のイ
ンジョ顔料、インドファーストオレンジトナーなとのヒ
′スペンジイミダゾール顔料、銅フタロシアニン、アル
ミクロル−フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料、
キナクリドン顔料やアズ゛レン化合物から選ばれた電荷
発生性物質を、ポリエステル、ポリスチレン、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルピロリドン、メチルセルロー
ス、ポリアクリル酸エステル類、セルロースエステルな
どの結着剤樹脂に分散して形成される。その厚さは好ま
しくは０．０１ｇ〜　ｌｐＬ、より好ましくは０．０５
ｐ〜０．５ｐ程度とされるのが望ましい。

また、電荷輸送層１５０５は主鎖又は側鎖にアントラセ
ン、ピレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香
族化合物又はインドール、カルバゾール、オキサツール
、インオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラ
ゾール、オギサジアゾール、ピラゾリン、チアジアゾー
ル、トリアゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合
物、ヒドラゾン化合物等の正孔輸送性物質を成膜性のあ
る樹脂に溶解させて形成される。

これは電荷輸送性物質が一般的に低分子量で、それ自身
では成膜性に乏しいためである。そのような樹脂として
は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル類、
ボリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリサ
ルホン、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチ
レン−メタクリル酸メチルコポリマー等が挙げられる。

電荷輸送層１５０５の層厚は好ましくは５ル〜２０ルで
あるのが望ましい。又、前述の電荷発生層１５０４を電
荷輸送層１５０５の上に積層した構造の感光層とするこ
ともできる。

又、前述の感光層としては前述のものに限らＤｅｖｅｌ
ｏｐｍｅｎｔ　、　１９７１年　１月、　Ｐ、７５〜Ｐ
、８９に開示されたポリビニルカルバゾールとトリニト
ロンルオレノンからなる電荷移動錯体、米国特許第４３
１５Ｈ３号公報、米国特許第４３２７１８９号公報など
に記載されたピリリウム系化合物を用いた感光層あるい
はよく知られている酸化亜鉛や硫化カドミウムなどの無
機光導電性物質を樹脂中に分散含有させた感光層やセレ
ン、セレン−テルル、セレン化砒素等の蒸着系の感光層
を使用することも可能である。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット径８０ｇｍの半導体レーザー（波
長？８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−９ｉ：Ｈを
堆積させる円筒状のＡｓＬ支持体（長さく　Ｌ　）　３
５７ｍｍ、径（ｒ　）　８０ｍｍ）上に旋盤でピッチ（
Ｐ）２５ＩＬｍで深さくＤ）０．８ｓで螺線状の溝を作
製した。このときの溝の形を第１０図に示す。

このへ文支持体上に第１１図の装置で電荷注入防止層、
感光層を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１１０１は高周波電源、１
１０２はマツチングホックス、１１０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１１０４はＡ文支持
体回転用モータ、１１０５はＡ文支持体、１１０６はＡ
ｎ支持体加熱用ヒータ、１１０７はガス導入管、１１０
８は高周波導入用カソード電極、１１０９はシールド板
、１１１０はヒータ川電源、１１２１〜１１２５　、１
１４１〜１１４５はバルブ、１１３１〜１１３５はマス
フロコントローラー、１１５１〜１１５５はレキュレー
ター、１１６１は水素（Ｈ２）ボンへ、１１８２はシラ
ン（ＳｉＩ（４）ホンへ、１１６３はジポラン（Ｈ２Ｈ
６）ボンベ、１１６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１１
６７はメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作業手１１「１を説明する。、　Ｉｆｔ（Ｉ　−１
１８５のボンへの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロ
コントローラーおよびバルブを開け、１１０３の拡散ポ
ンプにより堆積装置内を１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧した
。それと同時に１１０８のヒータにより１１０５のＡ文
支持体を２５０℃まで加熱し２５０℃で一定に保った。

１１０５のＡＭ支持体の温度が２５０°Ｃで一定になっ
た後１１２１〜１１２５．１１４１〜１１４５．１１５
１〜１１５５のバルブを閉じ、１１［１１〜１１６５の
ボンベの元栓を開け、＋１０３の拡散ポンプをメカニカ
ルブースターポンプに代える。１１５１〜１１５５のレ
キュレーター伺きバルブの二次圧を１．５ｋｇ／ｃゴに
設定した。１１３１のマスフロコントローラーに設定し
、１１４１のバルブと１１２１のバルブを順に開き堆積
装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１１６１のＳｉＨ４ガスを１１３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０９ｃＧＨに設定して、Ｈ２カ
スの導入と同様の操作で５ｉｌ（４ガスを堆積装置に導
入した。次に１１６３のＢ２Ｈ６カス流量をＳｉＨ４ガ
ス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐｐｍになるように
１１３３のマスフローコントローラーを設定して、Ｈ２
カスの導入と同様な操作でＢ２　Ｈ［ｉガスを堆積装置
内に導入した。

そして堆積装置内の内圧かＱ、２　Ｔｏｒｒで安定した
ら、１１０１の高周波電源のスイッチを入れ１１０２の
マツチングホックスを調節して、１１０５のＡｎ支持体
と１１０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を　１５０Ｗとし５ｐｍ厚にＡ−３ｉ：Ｈ：
８層（Ｂを含むＰ型のＡ−３ｉ　：Ｈ層となる）を堆積
した（電荷注入防止層）。

この様にして５ｇｍ厚のＡ−５ｉ：Ｈ：Ｂ　（Ｐ型）層
を堆積したのち放電を切らずに、１１２３のバルブを閉
めＢ２Ｈ６の流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗ　テ２０　ｐＬｍ厚のＡ−Ｓ
ｉ：Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）
。その後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆
積装置を排気し、Ａｎ支持体の温度を室温まで下げて、
光受容層を形成した支持体を取り出した。

別に、同一の表面性の同筒状ＡＭ支持体上に高周波電力
を５０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製
手順で電荷注入防止層と感光層とを支持体上に形成した
ところ第１２図に示すように感光層１２０３の表面は、
支持体１２０１の平面に対して平行になっていた。この
ときＡＭ支持体の中央と両端部とで全層の層厚の差は１
ｐｍであった。

また、前記の高周波電力を１５０Ｗにした場合には第１
３図のように感光層１３０３の表面と支持体１３０１の
表面とは非平行であった。この場合ＡＭ支持体の中央と
両端部とでの平均層厚の層厚差は２ｐｍであった。

以上２種類の電子写真用の光受容層部材について、波長
？８０ｒ＋ｍの半導体レーザーをスポット径８０ルｍで
第１４図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転
写して画像を得た。層作製時の高周波電力５０Ｗで、第
１４図に示す表面性の光受容部材では、干渉縞模様が観
察された。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材では、
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例２ シリンダー状Ａ文支持体の表面を旋盤で、第１表のよう
に加工した。これ等（Ｎｏ、１０１〜１０８）の円筒状
のＡＪＩ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消えた条
件（高周波電力ＩＦ＞ＯＷ　）と同様の条件で、電子写
真用光受容部材を作製した（Ｎｏ、１１１〜１１８）。

このときの電子写真用光受容部材のＡｎ支持体の中央と
両端部での平均層厚の差はルアｇｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピ・ンチ内での差を測定したところ、第
２表のような結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様に第１５
図の装置で波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使い、ス
ポット径８０ｇｍで画像露光を行ったところ第２表の結
果を得た。

実施例３ 以下の点を除いて実施例°２と同様な条件で光受容部材
を作製した（ＮｏｌＺ１〜１２８）。そのとき電荷注入
防止層の層厚を１０ｇｍとした。このときの電荷注入防
止層の中央と両端部での平均層厚の差は　Ｉｇｍ、感光
層の層厚の中央と両端部での平均の差は２　＝３　ｐ、
　ｍであった。Ｎｏ、ＩＯ１〜１０８の各層の厚さを電
子顕微鏡で測定したところ、第３表のような結果を得た
。これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露
光装置に於いて、画像露光を行った結果、第３表の結果
を得た。

実施例４ 第４表に示す表面性のシリンダー状ＡｆＬ支持体（Ｎｏ
、２０１〜２０７）上に電荷注入防止層として酸化シリ
コン層を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

酸化シリコン層は、ＳｉＨ４の流量を５０３ＣＣＭ、　
ＮＯを６Ｏ８ＣＣＭとして、他の条件は、実施例２の電
荷注入防止層の作製条件と同様にして、　０．２ｐｍ厚
に形成された。

その酸化シリコン層上に実施例２と同様な条件で２０＃
Ｌｍ厚の感光層を形成した。

こうして作製した電子写真用光受容部材の中央と両端の
平均層厚の差はｌＪＬｍあった。

これらの感光体を電子顕微鏡で観察したところＡＭシリ
ンダーの表面のピッチ内で酸化シリコン層の層厚の差は
０．０８ルｍであった。同様にＡ−３ｉ：Ｈ感光層の層
厚の差は第５表に示す結果であった。これらの電子写真
用光受容部材を、実施例１と同様にレーザ光で画像露光
したところ第５表に示す結果を得た。

実施例５ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａ文支持体（Ｎｏ、
２０１〜２０７）上に、電荷注入阻止層として窒化シリ
コン層を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

窒化シリコン層は、実施例４で、ＮＯガスをＮＨ３カス
にかえＳｉＨ４の流量を３０ＳＣＣ：ＪＮＨゴの流量を
２００５ＧＣＭとして、他の条件は実施例２の電荷注入
防止層の作製条件と同様にして、　０．２ｋｍ厚に形成
された。

その窒化シリコン層上に高周波電力　１００Ｗで厚 他の条件は実施例２と同様にして、２０ｇｍｆｆ１に感
光層を形成した。こうして作製した電子写真用光受容部
材の中央と両端の平均層厚の差はｌｐｍであった。

この電子写真用光受容部材の各ピッチ内での層厚差を電
子顕微鏡で測定したところ、窒化シリコン層では、層厚
の差は０．０５ｐｍ以下であった。

一方Ａ−９ｉ：Ｈ感光層では各ピッチ内での層厚の差は
第６表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（Ｎｏ、　２１１〜２１
７）について実施例１と同様にレーザー光で画像露光し
たところ第６表に示す結果を得た。

実施例６ 第４表に示す表面性のシリンダー状Ａ！；Ｌ支持体（Ｎ
ｏ、２０２〜２０７）上に電荷注入防止層として炭化シ
リコン層を設けた光受容部材を以下の様に作製した。

炭化シリコン層は、ＣＨ４ガスとＳｉＨ４ガスを用いて
、ＣＨ４ガスの流量を８０Ｏ９ＣＣＭ、ＳｉＬガス流量
を２０ＳＣＣＭとして、他の条ヂ１．は、実施例２の電
荷注入防止層の作製条件と同様にして０．３ｐｍ厚形成
した。

その炭化シリコン層上に、高周波電力２００Ｗで他の条
件は実施例２と同様にして２０ｐｍＡ−５ｉ：Ｈ感光層
を形成した。

用 こうして作製したａ−３ｉ系電子写真、光受容部材用の
中央と両端の平均の層厚の差は　１．５ｐＬｍであった
。

このＡ−３ｉ茶系電子写真光受容部材を電子顕微鏡で観
察したところ炭化シリコン層では各ピ・ンチ内で層厚の
差は０．０７ｇｍ以下であった。

一方、Ａ−Ｓｉ：Ｈ感光層では、各ピッチ内で層厚の差
は第７表に示す結果であった。

これらの電子写真用光受容部材（Ｎｏ、２２１〜２２７
）について、実施例１と同様にレーザー光で画像露光し
たところ第７表に示す結果を得た。

実施例７ 直径６０１１１ｍ、長さ　２５８ｍｍの円筒状アルミニ
ウム支持体の一方の端部に切刃を深さ１．８ｐｍで切削
する様に押し当ててバイトを旋盤に固定した後に、円筒
状アルミニウム支持体を回転させながら、バイトの切刃
を円筒状アルミニウム　１回転当り　２００　ｇ　ｍの
送り速度で円筒状アルミニウム支持体の他方の端部まで
移動させて切削加工したところ、第１５図に示す断面形
状凹凸が２００ｐｍピッチで形成された。

この様にして切削加工した円筒状アルミニウム支持体の
表面を小板研究所製の万能表面形状測定器ｒＳＥ−３Ｃ
Ｊにより測定したところ、２００ｇｍ幅で１．８ｐｍの
高さをもつ正弦波関数形状の凹凸が２００ｇｍピッチ毎
に規則的に形成されていることが判明した。

次に、チタン工業■製の酸化チタン（Ｅｌ：Ｔ−８２）
２５重量部、堺工業■製の酸化チタン（ＳＲ−ＩＴ）２
５重量部と大日本インキ■製のフェノール樹脂（プライ
オーフェンＪ３２５）をメタノールとメチルセロソルブ
（メタノール／メチルセロソルブ−４重量部／１５重量
部）５００重量部に４昆合し、攪拌した後、直径１ｍｍ
のガラスピーズ５０重量部とともにサンドミル分散機で
１０時間分散した。

この分散液に東芝シリコーン■製のシリコンオイル（５
Ｈ２８９Ａ）を固形分として５０　ｐｐｍ加えてから、
攪拌して導電層形成用塗布液を調整した。

／この導電層形成用塗布液を前述の切削加工した円筒状
アルミニウムの表面に乾燥後の膜厚が２０ルｍとなるよ
うに浸漬塗布し、その後１４０°Ｃで３０分間過熱乾燥
して、導電層を形成した。

次に共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ　−８
０００，東し■製）１０重量部をメタノール６０重量部
とブタノーノ叱４０重量部からなる（二 混合液に溶解し、上記導電層上、浸漬塗布して、１舊厚
のポリアミド樹脂層を設けた。

次にε型銅フタロシアニン（リオフールブルーＥＳ、東
洋インキ■製）１重量部、ブチラール樹脂（エスレック
ＢＭ−２，積水化学■製）１正量部をシクロヘキサノン
１０重量部を１ｍｍφガラスピーズな入れたサンドミル
分散機で２０時間分散した後、２０重量部のメチルエチ
ルケトンで希釈した。この液を先に形成したポリアミド
樹脂層の」二に浸漬塗７１ｊし乾燥させて電荷発生層を
形成した。この時の膜厚は０．３川であった。

次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物１０重量部 およびスチレン−メタクリル酸メチル共工合樹脂（商品
名：ＭＳ２００；製鉄化学■製）１５重量部をトルエン
８０重量部に溶解した。この液を上記電荷発生層上に塗
布して１００°Ｃで１時間の熱風乾燥をして、１６ル厚
の電荷輸送層を形成した。

この様にして作成した電子写真感光体を発振波長７７８
ｎｍの半導体レーザーを備えた反転現像方式の電子写真
方式プリンターであるキャノンレーザビームプリンタＬ
ＢＰ−ＣＸ　（キャノン■製）に装填した後に、全面に
ラインスキャンを行ない全面が黒色トナー像となる画像
を形成したところ、この全黒色画像中には干渉縞模様が
全く現われていなかった。

次に、レーザービームを文字信号に従ってラインスキャ
ンし、画像として文字を形成させる操作を温度１５°Ｃ
で相対湿度１０％の条件下で２０００回繰り返して、　
２０００枚目のコピー文字画像を取り出した。このコピ
ー文字画像中の直径０．２ｍｍ以上の大きさをもつ黒斑
点（黒ポチ）の数を測定したところ、全く黒斑点は見１
．）出せなかった。

実施例８ 微粒子酸化亜鉛（堺化学■製５ａｚｅｘ　２０００）　
１０ｇ、アクリル系樹脂（三菱レーヨン■製ダイヤナー
ルＬＲＯＯ９）　４　ｇ、トルエンＬｏｇと下記構造式
のアズレニウム化合物１０ｍｇをボールミル中で十分に
混合して感光層用値！ａ液を調整した。

アズレニウム化合物 この感光層用塗布液を乾燥後の膜厚力ζ２１ｐＬｍとな
る様に、実施例７で用し）だ電荷発生層と電荷輸送層か
らなる積層構造の感光暦本こイ（えて８ポけたほか、実
施例７と同様の方法で電子写真用光受容部材を調整した
。この光受容部材を実施例７で使用したレーザービーム
プ１ノンター（イ旦し、帯電が正極性、となる様に帯電
器を変更した）に取り付けて、同様の測定を行なったと
ころ、全面黒色画像中には干渉縞模様力（なく、しかも
２０００枚目の文字コピー中には直径０．２ｍｍ以」二
の黒斑点が全く見い出せず、極めて長女子な画像である
こであることが判明した。

実施例９ 実施例７の切削加工した円筒状アルミニウム支持体を常
法により陽極酸化処理して酸化アルミニウムの薄膜を形
成し、その上にセレン化砒素層（テルル：１０重量％）
を真空蒸着法により層厚１５ｐｍに形成した。

この電子写真用光受容部材を実施例８で使用したレーザ
ービームプリンターに取り付けて、同様の測定を行なっ
たところ、同様の結果か得られた。

実施例１０ 直径６０ｍｍ、長さ２５８ｍｍの円筒状アルミニウムの
一方の端部に切刃を深さ０．８７１ｍで切削する様に押
し当ててバイトを旋盤に固定した後に、円筒状アルミニ
、ラム支持体１回転当たり２Ｇ用ｍの送り速度で他方の
端部まで切削加工を施した。

この様にして切削加工した円筒状アルミニウム支持体表
面を小坂研究所の万能表面形状測定器ｒＳＥ−３ＣＪに
より測定したところ、２０７ｉｍｖＡｐｍピッチ毎に規
則的に形成されていることが判明した。

この円筒状アルミニウムの」二に、実施例７で用いた導
電層、ポリアミド樹脂層、電荷発生層と電荷輸送層を順
次塗設して電子写真感光体を作成した。これを実施例８
で用いたレーザービームプリンタに取り付けて、同様の
方法で画像を形成させた。この結果、全面黒色画像を形
成した際には画像中に干渉縞模様は全く現出していなか
った。又、２０００枚目の文字画像を取り出して黒斑点
の有無を観察したところ、文字画像中には黒斑点が全く
存在していなかった。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
成した際に使用したＡｎ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡｎ支持体の表面を粗面化したＡＩ支持体を
採用したほかは前述の実施例１の高周波電力１５０Ｗで
作製した電子写真用光受容部材と全く同様の方法でＡ−
９ｉ電子写真用光受容部材を作成した。この際のサンド
ブラスト法により表面粗面化処理したＡｎ支持体の表面
状態については光受容層を設ける前に小坂研究所の万能
表面形状測定器（ＳＥ−３Ｇ）で測定したが、この時平
均表面粗さは　１．８ｇｍであることか判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
１５図の装置に取り付けて、同様の測定を行なったとこ
ろ、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた
。

第１表 第　２　表 ×　実用には適さない △　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である Ｏ　実用に最適である 第３表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ■　実用に最適である 第　４　表 第　５　表 第　６　表 Ｘ　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ○　実用に最適である 第７表 ×　実用には適さない Δ　実用的に充分である Ｏ　実用的に良好である ■　実用に最適である

【図面の簡単な説明】

第１図は、干＃縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の発現
を説明する為の説明図である。 第３図は散乱光による干渉縞の発現を説明する為の説明
図である。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞の発現を説明する為の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の説明図である
。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合に展開して説明する為の説明
図である。 第９図、第１５図は夫々、光受容部材の説明図である。 第１０図は、実施例１で用いたＡＪＩ支持体の表面状態
の説明図である。 第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１２図、第１３図は夫々、実施例１で作製した（至） 光受容部材の構造である。 八 第１４図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 ８００・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光受容体８０２・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・光受容層９０１．１２０１．１３０１
・・・・・・・・・Ａ文支持体９０３．１２０２．１３
０２・・・・・・・・・電荷注入防止層９０４　、１２
０３　、１３０３・・・・・・・・・感光層１４０１・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電子
写真用光受容部材１４０２・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・半導体レーザー１４０３・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆＯレン
ズ１４０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ポリゴンミラー１４０５・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・露光装置の平面図１４０
６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
露光装置の側面図出願人　キャノン株式会社 組直 ４■　Ｉ １横町０−１７８４５７（１８） （Ａ）　ＣＢ） （Ｃ） ｐ イ［［電。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも１つの感光層を有する多層構成の光受
   容層を支持体上に有する光受容部材に於いて、前記感光
   層がショートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し
   、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも
   一方向に多数配列し、該非平行な界面が配列方向に於い
   て各々なめらかに連結している事を特徴とする光受容部
   材。 （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （４）前記ショートレンジが０．３〜５００ルである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数影線状突起によっ
   て形成されている特許請求の範囲第５項に記載の光受容
   部材。 げ）前記支持体か円筒状である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。 （８）正弦関数影線状突起が前記支持体の面内に於いて
   螺線描造を有する特許請求の範囲第７項に記載の光受容
   部材。 （９）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の範
   囲第８項に記載の光受容部材。 （１０）前記正弦関数影線状突起がその稜線方向に於い
   て区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容
   部材。 （１１）前記正弦関数影線状突起の接線方向が円筒状支
   持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第７項に記載
   の光受容部材。 （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
   の範囲第５項に記載の光受容部材。 （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
   範囲第１２項に記載の光受容部材。 （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
   れたなめらかな凹凸と同一のピ・ンチで配列されたなめ
   らかな凹凸が形成されている特許請求の範囲第５項に記
   載の光受容部材。 （１５）感光層がシリコン原子を含む非晶質材料から成
   る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 （１６）感光層に水素原子が含有されている特許請求の
   範囲第１５項に記載の光受容部材。