JPS60257453A - 光受容部材 - Google Patents

光受容部材

Info

Publication number
JPS60257453A
JPS60257453A JP59113175A JP11317584A JPS60257453A JP S60257453 A JPS60257453 A JP S60257453A JP 59113175 A JP59113175 A JP 59113175A JP 11317584 A JP11317584 A JP 11317584A JP S60257453 A JPS60257453 A JP S60257453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
receiving member
support
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59113175A
Other languages
English (en)
Inventor
Keishi Saito
恵志 斉藤
Tetsuo Sueda
末田 哲夫
Kyosuke Ogawa
小川 恭介
Teruo Misumi
三角 輝男
Yoshio Tsuezuki
津江月 義男
Masahiro Kanai
正博 金井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59113175A priority Critical patent/JPS60257453A/ja
Priority to US06/739,867 priority patent/US4705730A/en
Priority to CA000482925A priority patent/CA1254074A/en
Priority to AU43235/85A priority patent/AU589125C/en
Priority to EP85303963A priority patent/EP0167296B1/en
Priority to DE8585303963T priority patent/DE3581121D1/de
Publication of JPS60257453A publication Critical patent/JPS60257453A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14704Cover layers comprising inorganic material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214Silicon-based
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214Silicon-based
    • G03G5/08221Silicon-based comprising one or two silicon based layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10Bases for charge-receiving or other layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10Bases for charge-receiving or other layers
    • G03G5/102Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、光(ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、X線、γ線等を示す)の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。
〔従来の技術〕
デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応して変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより一〇電潜像を形成し、
次いで該潜像を現像、必要に応して転写、定着などの処
理を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。
中でも電子写真7ノ4を使用した画像形成法では、17
−ヂーとしては小型で安価なHe−Neレーデ−あるい
は゛1′導体レーザー(通常は650〜820nmの発
光波長を有する)で像記録を行なうことが一般である。
特に、半導体レーザーを用いる場合に適17た電子写真
用の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他
の種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加え
て、ピンカース硬度が高く、社会的には無公害である点
で、例えば特開昭5/L−86341号公報や特開昭5
6−83746壮公報に開示されているシリコン原子を
含む非晶質材料(以後rA−SiJど略記する)から成
る光受容部材が注目されている。
面乍ら、感光層を単層構成のA−Si層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される1
0′2Ωcm以−Lの暗抵抗の確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成
りの制限がある。
この設3t−1=の許容度を拡大出来る、詰り、ある程
度低IIA抵抗であっても、その高光感度を有効に利用
出来る様にしたものとしては、例えば、44j開閉54
−121743号公報、特開昭57−4053り公報、
特開昭57−4172号公報に記載されである様に光受
容層を伝導特性の異なる層を積層した二層以4二の層構
成として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは
特開昭57−52178号、同52179号、同521
80号、同58159号、同58160号、同5816
1号の各公報に記載されである様に光受容層を支持体と
感光層の間、又は/及び感光層の19部表面に障壁層を
設けた多層構造としたりして、見掛は七の1Mf抵抗を
高めた光受容部材が提案されている。
この様な提案によって、A−Si系先光受容材はその商
品化設計」この許容度に於いで、或いは製造上の管理の
容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向
けての開発スピードが急速化している。
この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の111色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及
び支持体と光受容層との層界面(以後、この自由表面及
び層界面の両者を(Jlせた意味で「界面jと称す)よ
り反射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある
この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる、殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。まして、使用する゛1′−導
体レーザー光の波長領域が長波長になるにつれ感光層に
於ける該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干
渉現象は顕Aである。
この点を図面を以って説明する。
第1図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光IOと」一層界面102で反射した反射光R1
、下部界面101で反射した反射光R7を示している。
層の平均層厚をd、屈折率をn、光の波長を入厚差で不
均一であると、反射光R,、R2が2nd−JII入(
mは整数、反射光は強め合う)と2ndの条f1のどち
らに合うかによって、ある層の吸収光;jYおよび透過
光部に変化を生じる。
多層構成の光受容部材においては、第1図に示す「渉効
果が各層で起り、第2図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該■−渉縞模様
に対応した「渉縞が転写部材1に転写、定着された可視
画像に現われ、不良画像の原因となっていた。
この不都合を解消する方法としては、支持体表o’ii
をダイヤモンド切削して、±500人〜±10000人
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法(例えば特開昭
58−162975号公報)、アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン
、7(色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける
方1人(例えば特開昭57−165845号公報)、ア
ルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり
、サンドブラストにより、砂lI状の微細門西を設けた
すして、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法(
例えば特開昭57−16554号公報)等が提案されて
いる。
自生ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる■2
渉績模様を完全に解消することが出来なかった。
即ち、第1の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光111文乱効果
による干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱
としては依然として正反射光成分か現存している為に、
該正反射光による干渉縞模様が残イfすることに加えて
、支持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡が
りが生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。
第2の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反則光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はA−Si感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が箸しく低下すること、樹脂層がA−S
i系感光層形成の際のブリズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のA−Si系感光層の形成に悪影■を1
j、えること等の不都合がある。
支持体表面を不規則に荒す第3の方法は、第3図に示す
様に、例えば入射光■。は、光受容層3o2の表面でそ
の一部が反則されて反射光R1となり、残りは、光受容
層302の内11に進入して透過光I、となる。透過光
I、は、支持体302の表面に於いて、その〜・部は、
光n11.乱されて拡散光に、、に2、KA−・Φ・と
なり、残りが正反射されて反射光R2となり、その部が
出射光R11となって外部に出て行く。従って、反射光
R1と干渉する成分である出射光R4が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。
又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体301の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡i&してハレーションを生ずる為解像
度が低ドするという欠点もあった。
特に、多層構成の光受容部材においては、第4図に示す
ように、支持体4C1表面を不規則的に荒しても、第1
層402での反射光R7,第2層での反則光R1、支持
体401面での正反射光RAの゛大々が干渉して、光受
容部材の各層厚にしたかって干渉縞模様が生じる。従っ
て、多層構成の光受容部材においては、支持体401表
面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止するこ
とは不可能であった。
又、ザンドブラスhsの方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロンド間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロントに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が、′ごかった。加えて、比較
的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯か
る大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因
となっていた。
又、単に支持体表面501を規則的に荒した場合、第5
図に示すように通常、支持体501表面の凹凸形状に沿
って、光受容層502が堆積するため、支持体501の
凹凸の傾斜面と光受容層502の凹凸の傾胴面とが平行
になる。
したがって、その部分では入射光は2ndl=m入また
は2nd+=(m+y2)λが成立ち、夫々明部または
暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚d、
、d2.d、、d、lの大々−性があるため明暗の縞模
様が現われる。
従って、支持体501表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。
又、表面を規則的に荒した支持体1−に多層構成の光受
容層を堆積さ、せた場合にも、第3図において、−・層
構成の光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。
本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。
本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時に17かも完全に
解消することができる光受容部材を提供することでもあ
る。
本発明のもう1つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。
本発明の更にもう1つの目的は、高光感度性、高SN比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。
本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。
〔発明の概要〕
本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と;シリコン原子を含
む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光性
を有する層と1反射防11機能を有する表面層とから成
る光受容層と;を有する事を特徴としている。
以下、本発明を図面に従って其体的に説明する。
第6図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。
本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体(下図示)−にに、その凹凸の傾斜面に
沿って、1つ以ヒの感光層を有する多層構成の光受容層
は、第6図(A)に拡大して示されるように、第2層6
02の層厚d、からdらと連続的に変化している為に、
界面603と界面604とは互いに傾向きを有している
。従ってこの微小部分(ショートレンジ)文に入射した
可丁渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な
I−渉縞模様を生ずる。
又、第7図に示す様に第1層701と第2層702の界
面703と第2層702の自由表面704とが非平行で
あると、第7図の(A)に示す様に入射光I0にする反
射光R8と出射光R3とはその進行方向が互いに異る□
為、界面703と704とが平行な場合(第7図のr、
(B)」)に較べて干渉の度合が減少する。
従って、第7図の(C)に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合r(B)Jよりも非平行な場合r(A
)Jは干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程
度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光量は平均
化される。
このことは、第6図に示す様に、第2層602の層厚が
マクロ的にも不均一(d7≠do)でも同様に伝える為
、全層領域に於て入射光量が均一になる(第6図のr(
D)J参照) また、光受容層が多層構成である場合に於て照針側から
第2層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第8図に示す様に、入射光I。に対し
て、反射光R,,R,、R,,1,R,1,R1が存在
する。その為各々の層で第7図を以って前記に説明した
こきが生ずる。
その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリフトとし
て働き、そこで回折現像を生じる。
そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。
従って、光受容層全体で考えると七渉は人々の層での相
乗効果となる為1本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。
又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何隻支障を生じない。
へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい
本発明に適した微小部分の大きさ文(凹凸形状の一周1
111分)は、照射光のスポット径をLとすれば、p、
≦Lである。
又、未発すIの目的をより効果的に達成する為には微小
部分りに於ける層厚の差(d、db)Jよ、照射光の波
長を入とすると、 (n:第2層602の屈折率) であるのが望ましい。
本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分立の層
厚内(以後「微小カラム」と称す)に於て、少なくとも
いずれか2つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラー、内にいずれか2つの層界面
が平行な関係にあっても良い。
但し、平行な層界面を形成する層は、任意の2つの位置
に於る層厚の差が、 以下である様に全領域に於て均・層厚に形晟されるのが
望ましい。
光受容層を構成する感光層、電荷注入防IL層、電気絶
縁性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目
的をより効果的目−っ容易に達成する為に、層厚を光学
的レベルで正確に制御できることからプリズマ気相法(
PCVD法)、光CVD法、熱CVD法が採用される。
本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。
たとえば、支持体を旋盤で加Iニする場合、■・字形状
の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工
機械の所定位置に固定し1例えば円筒状支持体をtめ所
望に従って設計されたプロゲラJ、に従って回転させな
がら規則的に所望方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加重することで所望の凹凸形状、ピッ
チ、深さで形成される。この様な切削加工法によって形
成される西凸が作りだす線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構
造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造と
されても差支えない。
或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った遅線描造を導
入しても良い。
本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状とすることが好ましい。
又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を−・層高め、光受容層
と支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数有
することが好ましい。
これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく方向に散乱す
るために、前記凸部がLピークを中心に対称(第9図(
A))またはノ1対称形(f59図(B))に統一・さ
れていることが好ましい。I7かし、支持体の加工管理
の自由度を晶める為には両方が混在しているのが良い。
本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
即ち、第1には感光層を構成するA−Si層は、層形成
される表面の状R;に構造敏感であって、表面状iEに
応じて層品質は人さ・く変化する。
従って、A−Si感光層の層品質の低下を招来し世ない
様に支持体表面に設けられる凹凸のディメン1ジョンを
設定する必要がある。
第2には光受容層の自由表面に極端な凹凸があるど2画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。
また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。
1−記した層堆積J−の問題点、電子写真が、のプロセ
ス1.の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検、i
=Jした結果、支持体表面の四部のピッチは、好ましく
は500JLm〜0.37zm、より好ましくは200
lLm−1p、m、最適には50gm〜5pLmである
のが望ましい。
又四部の最大の深さは、好ましくは0.1gm〜5ノむ
m、より好ましくは0.3km〜3ルm、最適には0.
6gm〜2ILmとされるのが望ましい。支持体表面の
四部のピッチと最大深さが」−記の範囲にある場合、四
部(又は線状突起部)の傾斜面の傾きは、好ましくは1
度〜20度、より好ましくは3度〜15度、最適には4
度〜10度とされるのが望ましい。
又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
・に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは0
.1pLm〜2μm、より好ましくは0.1.gm−1
,51Lm、最適には0.2μm〜Igmとされるのが
望ましい。
反射防止機能を持つ表面層の厚y(士、次のように決定
される。
表面層の材料の屈折率をnとし、照射光の波長を入とす
ると、反射防止機能を持一つ表面層の厚さdは、 入 d=4nm(mは音数) が々了ましいものである。
また、表面層の材料としては、表面層を堆積する感光層
の屈折率をnaとすると、 n=F] の屈折率を有する材料が最適である。
この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、0.05〜2pLmとされるのが好適である。
本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層の材料とり
、て有効に使用されるものとしては、例えば、MgF、
、A1203.ZrO2、Tio。
ZnS、Ce07、CeF7.5i07。
SiO,Ta705、A文FH4,NaF。
Si、、N、1等の無機弗化物、無機酸化物や無機窒化
物、或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が
挙げられる。
これらの材料は、本発明の目的をより効果菌目。
つ容易に達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制
御できることから、蒸着法、スパッタリング法、プラズ
マ気相法(PCVD法)、光CVD法、熱CVD法、塗
布法が採用される。
次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。
第10図に示される光受容部材1000は、未発明の1
−1的を達成する様に表面切削加圧された支持体1,0
01]二に、光受容層1002を有し、該光受容層10
02は支持体1001側より電荷注入防止層1003.
感光層1004.表面層1005で構成されている。
支持体foolとしては、導電性でも゛上気絶縁性であ
ってもよい。導電性支持体としては、例えば、NiCr
、ステンレス、AI、Cr、Mo。
Au、Nb、Ta、V、Ti、Pt、、Pd等の金属又
はこれ等の合金があげられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリーLステル、ポリエチ
レン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポ
リプロピレン、ポリJ14化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミ、り1紙等が通常使用され
る。これ笠の電気絶縁性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面
側の他の層が設けられるのが望ましい。
例えば、ガラスであればその表面にNiCr。
AI、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta。
V、Ti、Pt、Pd、In707.5n07。
ITo(In7o、+SnO+)等から成るVj膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであればNiCr、A
I、Ag、Pd、Zn、Ni。
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、V、Ti、l’
t、等の金属の薄膜を真空法着、Tr1子ビーム!N着
、スパンタリーング等でその表面に設け、又は、前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としてl;l、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状として(11、所望によって
、その形状は決定されるが、例えば、第10図の光受容
部材1000を電r写J′を用像形成部材として使用す
るのであれば連に7d複′り゛の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定されるが
、光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が十分発揮される範囲内であれば可能な
限り薄くされる。しかしながら、この様な場合、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、好まし
くは10、L以1−とされる。
電荷注入防止層1003は、感光層1004への支持体
1001側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。
電荷注入防止層ユ層1003は、水素原子又は/及びハ
ロゲン原子(X)を含有するA−3t(以後rA−Si
(H、X)Jと記す)で構成されると共に伝導性を支配
する物質(C)が含有される。
電荷注入防止層1003に含有される伝導性を支配する
物質(C)としては、いわゆる゛ト導体分野で言われる
不純物を挙げることができ、本発明に於ては、Siに対
して、p型伝導特性を与えるp型不純物及びn型伝導性
を与えるn型不純物を挙げることができる。具体的には
、p型不純物としては周期律表第■族に属する原r(第
■族原子)例えばB(硼素)、Al(アルミニウム)、
Ga(カリウム)、In(インジウム)、TI(タリウ
ム)等があり、殊に好適に用いられるのは、B、Gaで
ある。
n型不純物としては周期律表第■族に属する原子(第V
族原f−)、例えばP(燐)、As(砒素)、Sb(ア
ンチモン)、Bi(ビスマス)等であり、殊に好適に用
いられるのは、P、As。
である。
本発明に於て、電荷注入防止層1003に含有される伝
導性を支配する物質(C)の含有量は、波束される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層1003が支持
体1001上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体tooiとの接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防1に層に直に接触して設けられ条他に層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特f1
との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有
量が適宜選択される。
本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、0.001
〜5X104atomicppm、より好適には0.5
〜lX104atomiCppm、最適には1〜5X1
03atomicppmとされるのが望ましい。
本発明に於て、電荷注入防止層100’3に於ける物質
(C)の含有量は、好ましくは、30atomicpp
m以り、より好適には50at。
micppm以」―、最適にはlOOatomicpp
m以−ヒとすることによって、例えば含有させる物質(
C)が前記のp型不純物の場合には光受容層の自由表面
がΦW性に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中
へ注入される電子の移−動を、より効果的に阻止するこ
とが出来、又、前記含有させる物質(C)が前記のn型
不純物の場合には、光受容層の自由表面が08i性に帯
電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入される
正孔の移動を、より効果的に阻11−することが出来る
電荷注入防止層1003の層厚は、好ましくは30人〜
10JL、より好適には40人〜8JL、最適には50
A〜5uとされるのが望ましい。
感光層1004は、A−Si(H,X)で構成され、レ
ーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する゛重
荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両者を
有する。
感光層1004は層厚としては、好ましくは、1−J、
OOgm、より好ましくは1〜80gm。
最適にC牙2〜50pLmとされるのが望ましい。
感光層1004には、電荷注入防11一層1003に含
有される伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の
伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは
、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層
1003に含有される実際の芋よりも・段と少ない量と
して含有させても良い。
この様な場合、前記感光層1004中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層1003に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは0.001〜1001000atoppm、より好
適には0.05〜500atomicppm、最適には
9.1〜200atomicppmとされるのが望まし
い。
本発明に於て、電荷注入防止層1003及び感光層10
04に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合に
は、感光層1004に於ける含有量としては、好ましく
は30atomicppm以下とするのが望ましい。
本発明に於て、電荷注入防止層1003及び感光層10
04中に含有される水素原子(H)の量又はハロゲン原
子(X)の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和(H
十X)は好ましくは1〜4.0atomic%、より好
適には5〜30atomic%とされるのが望ましい。
ハロゲン原子(X)としては、F、C1,Br。
■が挙げられ、これ等の中でF、CIが好ましいものと
して挙げられる。
第10図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層1
003の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い、或いは、該障壁層と電荷注入防止層
1003とを併用しても差支えない。
障壁層形成相料としては、A文203,5i021Sl
3N4等の無機電気絶縁材料やポリヵーポネ−1・等の
有機電気絶縁材料を挙げることができる。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例1 木実婢例ではスポット系BOgmの半導体レーザー(波
長780nm)を使用した。したがってA−SiH)i
を堆積させる円筒状のAn支持体(長さくL)357m
m、(l(r)80mm)]二に旋盤で螺線状の溝を作
成した。このときの溝の断面形状を第11図(B)に示
す。
このA文支持体上に第12図の装置で電荷往入防市層、
感光層、を次の様にして堆積した。
まず装置の構成を説明する。1201は高周波電源、1
202はマツチングボックス、12o3は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、1204はAM支持
体回転用モータ、1205はA文支持体、1206はA
M支支持体加熱上ヒータ1207はガス導入管、120
8は高周波導入用カソード電極、1209はシールド板
、1210はヒータ用電源、1221〜1225゜12
41〜1245はバルブ、1231〜1235はマスフ
ロコントローラー、1251〜1255はレギュレータ
ー、1261は水素(H2〕ボンベ、1262はシラン
(SiH4)ボンベ、1263はジポラン(B2H6)
ボンベ、1264は酸化窒素(No)ボンベ、1267
はメタン(CH4)ボンベである。
次に作製手順を説明する。1261〜1265のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、1203の拡散ポンプにより堆積
装置内をjo−7Torrまで減圧した。それと同時に
1206のヒータにより1205のAl支持体を250
’Cまで加熱し250℃で一定に保った。1205のA
l支持体の温度が250℃で一定になった後1221〜
1225.1241〜1245.1251〜1255の
バルブを閉じ、1261〜1265のボンベの元栓を開
け、1203の拡散ポンプをメカニカルブースターポン
プに代える。1251〜1255のレギュレーター伺き
バルブの二次圧を15Kg/cm’に設定した。123
1のマスフロコントローラーを3005CCMに設定し
、1241のバルブと1221のバルブを順に開き堆積
装置内にH、カスを導入した。
次に1261の5iHnガスを1232のマスフロコン
トローラーの設定ヲ1503C’CMニ設>iJシて、
H、ガスの導入と同様の操作で5iH71ガスをji積
装置に導入した。次に1263のB2H,、ガス流部を
SiH4ガス流量に対して、1600v01ppmにな
るように1233のマスフローコントa−ラーを設定し
て、H,ガスの導入と同様な操作でB2Hもガスを堆積
装置内に導入した。
そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定し、た
ら、1201の高周波電源のスイッチを入れ1202の
マツチングボックスを調節して、1205のAl支持体
と1208のカソード電極上にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を150Wとし5ルm厚でA−Si:H層(
Bを含むP型のA−Si:H層となる)を堆積した(電
荷注入防止層)e5gm厚のA−Si:H(P型)を堆
積したのち放電を切らずに、1223のバルブを閉めB
2H6の流入を止める。
そして高周波電力150Wで20μm厚のA−3i:H
層(non−doped)を堆積した(感光層)。その
後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装置
を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げて、感光層
まで形成した支持体を取り出した。
同様な方法で支持体上に感光層まで形成したものを、2
2本作製した。
次に、1261の水素(H2)ボンベをアルゴン(A、
r)ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソー
ド電極上に、第1表(条件N0IO1)に示す表面層材
料を一面にはる。前記感光層まで形成したものの1本を
設置し、堆積装置内を拡散ポンプで十分に減圧する。そ
の後、アルゴンカスを0.015Torrまで導入し、
高周波電力150Wでグロー放電を起こし、表面材料を
スパッタリングして、前記支持体上に、第1表(条件間 101)の表面層を堆積した。(サンプルNo1O1)
同様に残りの21本について、第1表(条件No102
〜122)の条件で表面層を堆積した。
(サンプルNo102〜122) これらは第11図(B)、’(C)のように感光層の表
面と支持体の表面とは非平行であった。この場合Al支
持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は2pmで
あった。
以北22種類の電子写真用の光受容部材について、波J
i780nmの反導体レーザーをスポット径807tm
で第13図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、
転写して画像を得た。
この場合、干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電
子写真特性を示すものが得られた。
実施例2 シリンダー状AM支持体22木の表面を旋盤で、第14
図のように加工した。
このシリンダー状AM支持体各々に実施例1と同様な条
件でA−5i+Hの電子写真用光受容部材を作製した。
この電子写真用光受容部材を実施例1と同様に第13図
の装置で画像露光を行い、現像、転写して画像を得た。
この場合の転写画像には、干渉縞はみられず実用ヒ十分
な特性であった。
実施例3 第15図、第16図に示す表面性のシリンダー状A文支
持体りに、第2表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。
これら電子写真用光受容部材に−)いては、実施例1と
同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写、定着して普通紙1−に可視画像を得た。この様な
画像形成プロセスを10万回連続繰返し行った。
この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は見られず
、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と10万
回目の画像の間には、何隻差違はなく、高品質の画像で
あった。
実施例4 第15図、第16図に示す表面性のシリンダー状A9.
支持体上に、第3表に示す条件で電子写真用光受容部材
を形成した。
これら電子写真用光受容部材について、実施例1と同様
な、画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して、普通紙上に可視画像を(11た。
この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に上方な特性であった。
実施例5 第15図、第16に示す表面性のシリンダー状A文支持
体」二に、第4表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。
これら電子写真用光受容部材について、実施例1と同様
な、画像、露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写−1定着して普通紙」−に可視画像を得た。
この場合に得られた画像には、1渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。
実施例6 第15図、第16図に示す表面e1のシリンダー状A!
;L支持体−1−に、第5表に示す条件で電子写真用光
受容部材を形成した。
これら電子写真用光受容部材について、実施例1と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写、
定着して、普通紙トに可視画像を得た。
この場合に得られた画像には、[−渉縞は見られず、実
用に十分な45f性であった。
口し111の効果] 以1:、aY細に説明した様に、本発明によれば、町1
渉性中色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易で
あり、且つ画像形成時に現出する一f−渉縞模様と反転
現像時の斑点の現出を同時にし7かも完/1・に解消す
ることができ、しかも表面における光反射を低減し、入
射光を効率よく利用できる光受容部材を提供することが
できる。た画像形成時
【図面の簡単な説明】
第1図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第2図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第3図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第4図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第5図は、光受容部材の各層の界面が=rz行な場合の
干渉縞の説明図である。 第6図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。 第7図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。 第8図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第9図(A)(B)はそれぞれ代表的な支持体の表面状
態の説明図である。 第10図は、光受容部材の層構成の説明図である。 第12図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第13図は、実施例で使用した画像露光装置である。 第11図、第14図、第15図、第16図は、実施例で
使用したA文支持体の表面状態の説明図である。 1000.1100・・・・・・・・・光受容部材+0
02.、−1106・・・・・・・・・光受容層100
】・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
AJJ支持体1003・・・・・・・・・・・・・・・
・・;・・・・・・電荷注入防止層1004・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・感光層100
5・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
表面層1301・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電子写真用、光受容部材1302・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レー
ザー1303・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・fθレレン1304・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー1305・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露光
装置の平面図1306・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・露光装置の側面図〔≧≦コニ−≧コ ル匝 第3図 第4図 @5t!l イ立3k II6図 (D) イ民1 爾7図 (A)(B) (C) IF? イ装置 w8図 箪9図

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
    クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
    れている支持体と:シリコン原子を含む非晶質材料から
    なり少なくとも一部の層領域が感光性を有する層と、反
    射防止機能を有する表面層とから成る光受容層と;を有
    する!S<を特徴とする光受容部材。
  2. (2)前記層領域が、光導゛重性を有する特許請求の範
    囲第1項に記載の光受容部材。
  3. (3)前記光受容層が多層構造を有する特許請求の範囲
    第1項に記載の光受容部材。
  4. (4)前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
    囲第1項に記載の光受容部材。
  5. (5)前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
    囲第1項に記載の光受容部材。
  6. (6)前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
    る特許請求の範囲第1項に記載の光受容部材。
  7. (7)前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の範
    囲第1項に記載の光受容部材。
  8. (8)前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
    て対称形状である特許請求の範囲第1項に記載の光受容
    部材。
  9. (9)前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
    て非対称形状である特許請求の範囲第1項に記載の光受
    容部材。
  10. (10)前記凸部は、機械的加工によって形成された特
    許請求の範囲第1項に記載の光受容部材。
JP59113175A 1984-06-04 1984-06-04 光受容部材 Pending JPS60257453A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59113175A JPS60257453A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 光受容部材
US06/739,867 US4705730A (en) 1984-06-04 1985-05-31 Light-receiving member
CA000482925A CA1254074A (en) 1984-06-04 1985-05-31 Light-receiving member
AU43235/85A AU589125C (en) 1984-06-04 1985-06-03 Light receiving member
EP85303963A EP0167296B1 (en) 1984-06-04 1985-06-04 Light-receiving member
DE8585303963T DE3581121D1 (de) 1984-06-04 1985-06-04 Photorezeptorelement.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59113175A JPS60257453A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 光受容部材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60257453A true JPS60257453A (ja) 1985-12-19

Family

ID=14605450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59113175A Pending JPS60257453A (ja) 1984-06-04 1984-06-04 光受容部材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4705730A (ja)
EP (1) EP0167296B1 (ja)
JP (1) JPS60257453A (ja)
CA (1) CA1254074A (ja)
DE (1) DE3581121D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06332243A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Canon Inc 画像形成方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5827496B2 (ja) * 1976-07-23 1983-06-09 株式会社リコー 電子写真用セレン感光体
JPS56150754A (en) * 1980-04-24 1981-11-21 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Manufacture of substrate for electrophotographic receptor
JPS574053A (en) * 1980-06-09 1982-01-09 Canon Inc Photoconductive member
US4394425A (en) * 1980-09-12 1983-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer
JPS58172652A (ja) * 1982-04-02 1983-10-11 Ricoh Co Ltd セレン系電子写真感光体の製造方法
JPS5995538A (ja) * 1982-11-24 1984-06-01 Olympus Optical Co Ltd 電子写真感光体
JPS6031144A (ja) * 1983-08-01 1985-02-16 Stanley Electric Co Ltd 感光体およびこれを用いた電子写真装置
US4592983A (en) * 1983-09-08 1986-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member having amorphous germanium and amorphous silicon regions with nitrogen
US4600671A (en) * 1983-09-12 1986-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member having light receiving layer of A-(Si-Ge) and N
US4595644A (en) * 1983-09-12 1986-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member of A-Si(Ge) with nonuniformly distributed nitrogen
US4592981A (en) * 1983-09-13 1986-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Photoconductive member of amorphous germanium and silicon with carbon
US4650736A (en) * 1984-02-13 1987-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Light receiving member having photosensitive layer with non-parallel interfaces

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06332243A (ja) * 1993-05-20 1994-12-02 Canon Inc 画像形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1254074A (en) 1989-05-16
EP0167296A1 (en) 1986-01-08
AU589125B2 (en) 1989-10-05
EP0167296B1 (en) 1990-12-27
US4705730A (en) 1987-11-10
AU4323585A (en) 1985-12-12
DE3581121D1 (de) 1991-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0364062B2 (ja)
JPS60168156A (ja) 光受容部材
JPS60257453A (ja) 光受容部材
JPS60212768A (ja) 光受容部材
EP0161783B1 (en) Light receiving member
JPH0234025B2 (ja)
JPS60211462A (ja) 光受容部材
JPH0234383B2 (ja)
JPH0238944B2 (ja)
JPS6120047A (ja) 光受容部材
JPS6127557A (ja) 光受容部材
JPS60257454A (ja) 光受容部材
JPS612160A (ja) 光受容部材
JPS60260055A (ja) 光受容部材
JPS60225853A (ja) 電子写真用光受容部材
JPH0234027B2 (ja)
JPS60221761A (ja) 光受容部材
JPS61113066A (ja) 光受容部材
JPS6126046A (ja) 光受容部材
JPH0234024B2 (ja) Denshishashinyohikarijuyobuzai
JPS62109060A (ja) 光受容部材
JPH0234026B2 (ja)
JPS60213957A (ja) 光受容部材
JPH0234384B2 (ja)
JPH0234023B2 (ja) Denshishashinyohikarijuyobuzai