JPS58172652A - セレン系電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
セレン系電子写真感光体の製造方法Info
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- JPS58172652A JPS58172652A JP57055114A JP5511482A JPS58172652A JP S58172652 A JPS58172652 A JP S58172652A JP 57055114 A JP57055114 A JP 57055114A JP 5511482 A JP5511482 A JP 5511482A JP S58172652 A JPS58172652 A JP S58172652A
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- JP
- Japan
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- selenium
- grindstone
- receptor
- surface roughness
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン系電子写真感光体の製造方法における導
電性支持体の加工手段に関する。
電性支持体の加工手段に関する。
従来、セレン系電子写真感光体の製造方法としては金属
表面を有する導電性支持体表面を、表面粗さＲｚ（ＪＩ
８−ＢＯ６０１による）が０．０１〜０．４μ篤となる
迄、旋削又はパフ研摩し、ついでエツチング処理した後
、セレン、セレン系合金又はセレン化合物（以下これら
をセレン系という）を蒸着するか、或いは前記支持体表
面を、表面粗さＲｍが０．３〜２．０μ篤となる迄、超
仕上げ加工（砥石の振動及び摺動による加工法）した後
、同様にセレン系蒸着層を設ける方法が知られている。
表面を有する導電性支持体表面を、表面粗さＲｚ（ＪＩ
８−ＢＯ６０１による）が０．０１〜０．４μ篤となる
迄、旋削又はパフ研摩し、ついでエツチング処理した後
、セレン、セレン系合金又はセレン化合物（以下これら
をセレン系という）を蒸着するか、或いは前記支持体表
面を、表面粗さＲｍが０．３〜２．０μ篤となる迄、超
仕上げ加工（砥石の振動及び摺動による加工法）した後
、同様にセレン系蒸着層を設ける方法が知られている。
しかし両方法とも製造土建があり、前者の方法では、（
１）ｌ！面加工の他にエツチング処理を必要とするため
、設備費が大である、（２）エツチング処理の際のエツ
チング液の管理が難かしく、液の濃度変化によりピット
状態が変化するため、外観、接着性等、感光体特性がば
らつ＜、（３）再生加工においては切削代を必要とする
ため、再生回数はせいぜい１回１１度であり、繰返し再
生は困難、（４）蒸着層にＡｓ２Ｓｅ２を用いた場合は
再生加工でエツチング処理の際、再生加工（旋１！ｌ）
Ｌ、た表面以外の面に付着している微量のＡｓ１８・、
が処理液中に溶解し、人体に有害なＡｓＨ３ガスを発生
するので、この有害ガスを処理するための高価な設備を
必要とする。一方、後者の方法ではエツチング処理に伴
う欠点はないが、加工後の支持体表面にＡｓ２Ｓｅ３蒸
着層を設けると、蒸着層表面に突起物が多数発生し、電
子写真複写機とのマツチングの際、トナークリーニング
用のブレードを傷つける結果、コピーの品質を劣化させ
る。突起−の発生数は支持体の表面粗さに依存し、Ｒｚ
ｏ、 ３〜２．０μ票の粗さでは蒸着層を加工しても
電子写真複写機とのマツチングの点で許容できない。
１）ｌ！面加工の他にエツチング処理を必要とするため
、設備費が大である、（２）エツチング処理の際のエツ
チング液の管理が難かしく、液の濃度変化によりピット
状態が変化するため、外観、接着性等、感光体特性がば
らつ＜、（３）再生加工においては切削代を必要とする
ため、再生回数はせいぜい１回１１度であり、繰返し再
生は困難、（４）蒸着層にＡｓ２Ｓｅ２を用いた場合は
再生加工でエツチング処理の際、再生加工（旋１！ｌ）
Ｌ、た表面以外の面に付着している微量のＡｓ１８・、
が処理液中に溶解し、人体に有害なＡｓＨ３ガスを発生
するので、この有害ガスを処理するための高価な設備を
必要とする。一方、後者の方法ではエツチング処理に伴
う欠点はないが、加工後の支持体表面にＡｓ２Ｓｅ３蒸
着層を設けると、蒸着層表面に突起物が多数発生し、電
子写真複写機とのマツチングの際、トナークリーニング
用のブレードを傷つける結果、コピーの品質を劣化させ
る。突起−の発生数は支持体の表面粗さに依存し、Ｒｚ
ｏ、 ３〜２．０μ票の粗さでは蒸着層を加工しても
電子写真複写機とのマツチングの点で許容できない。
本発明の目的はエツチング処理に伴う欠点を除去すると
共に蒸着層表面の突起物の発生を抑制して電子写真複写
機とのマツチング性を改良すると共に、電子写真プロセ
スに適合した表面平滑性及び接着性を有するセレン系電
子写真感光体の製造方法を提供することである。
共に蒸着層表面の突起物の発生を抑制して電子写真複写
機とのマツチング性を改良すると共に、電子写真プロセ
スに適合した表面平滑性及び接着性を有するセレン系電
子写真感光体の製造方法を提供することである。
即ち本発明方法は金属表面を有する導電性支持体表面を
物理的又は化学的に加工後、その上にセレン、セレン系
合金又はセレン化合物の蒸着層を設けるセレン系電子写
真感光体の製造方法において、前記表面加工を、砥石の
振動及び摺動によって表面粗さＲｓ （ＪＩＳ−ＢＯ６
０１にょる）が０．０ｓ趨以上０．３４ｍ未満となる迄
、行なうことを特徴とするものである。
物理的又は化学的に加工後、その上にセレン、セレン系
合金又はセレン化合物の蒸着層を設けるセレン系電子写
真感光体の製造方法において、前記表面加工を、砥石の
振動及び摺動によって表面粗さＲｓ （ＪＩＳ−ＢＯ６
０１にょる）が０．０ｓ趨以上０．３４ｍ未満となる迄
、行なうことを特徴とするものである。
本発明者は従来の支持体の表面加工法のうち、超仕上げ
加工法が種々の欠点を伴うエツチング処理を必要としな
いことに着目し、超仕上げ加工法について種々検討した
結果、表面粗さＲｚが０．０５μｍ以上０．３μｍ未満
の範囲に加工すれば突起物の発生が少なく、このため蒸
着後、表層加工すれば電子写真複写機とのマツチング上
、許容できることを見出した。またこうして表ｉＥ加工
した支持体を用いれば電子写真のプロセス面から要求さ
れる表面平滑性及び支持体と蒸」層との接着性に適合し
たセレン系、特にＡｓ２ Ｓｅ３感光体が得られること
を見出した。本発明はこれらの知見に基づくものである
。
加工法が種々の欠点を伴うエツチング処理を必要としな
いことに着目し、超仕上げ加工法について種々検討した
結果、表面粗さＲｚが０．０５μｍ以上０．３μｍ未満
の範囲に加工すれば突起物の発生が少なく、このため蒸
着後、表層加工すれば電子写真複写機とのマツチング上
、許容できることを見出した。またこうして表ｉＥ加工
した支持体を用いれば電子写真のプロセス面から要求さ
れる表面平滑性及び支持体と蒸」層との接着性に適合し
たセレン系、特にＡｓ２ Ｓｅ３感光体が得られること
を見出した。本発明はこれらの知見に基づくものである
。
本発明方法はまず峰、ステンレス等の金属表面を有する
導電性支持体表面を好ましくは１〜６μｍＲｓの粗さに
切削加工した後、表面粗さＲｚが０，０５〜０．３μｍ
に加工できる粒度の砥石を振動させながら、支持体表面
を摺動させて研削加工を行なう。なお摺動は砥石自体を
移動させて行なってもよいし、また支持体を移動させて
行なってもよい。また支持体の表面粗さは主として砥石
の粒度によって決定されるが（第１図参照、例えば粒度
す５０００の砥石を用いれば最小０００５μのＲｚが得
られる。、）、その他に加工時の砥石の振巾、圧力及び
移動速度（又は支持体の移動速度）によりコントロール
できる。次にこうして所定表面粗さに加工された支持体
に常法によりＳｅ 、 ５ｓ−ＴＩ合金、Ａｓ２ Ｓ＠
３等のセレン系材料を厚さ４０〜８０μ諷程度に真空蒸
着せしめる。
導電性支持体表面を好ましくは１〜６μｍＲｓの粗さに
切削加工した後、表面粗さＲｚが０，０５〜０．３μｍ
に加工できる粒度の砥石を振動させながら、支持体表面
を摺動させて研削加工を行なう。なお摺動は砥石自体を
移動させて行なってもよいし、また支持体を移動させて
行なってもよい。また支持体の表面粗さは主として砥石
の粒度によって決定されるが（第１図参照、例えば粒度
す５０００の砥石を用いれば最小０００５μのＲｚが得
られる。、）、その他に加工時の砥石の振巾、圧力及び
移動速度（又は支持体の移動速度）によりコントロール
できる。次にこうして所定表面粗さに加工された支持体
に常法によりＳｅ 、 ５ｓ−ＴＩ合金、Ａｓ２ Ｓ＠
３等のセレン系材料を厚さ４０〜８０μ諷程度に真空蒸
着せしめる。
本発明で使用される砥石は黒色炭化珪素、緑色炭化珪儂
、褐色酸化アルミナ、白色酸化アルミナ等の粒子をポリ
ビニルアルコール及び熱硬化性樹脂よりなる結合剤で固
めて作られる。
、褐色酸化アルミナ、白色酸化アルミナ等の粒子をポリ
ビニルアルコール及び熱硬化性樹脂よりなる結合剤で固
めて作られる。
本発明の超仕上げ加工法による支持体表面は研削軌跡が
交差し合って複雑な形状を有し、他の切削による物理的
又は化学的加工法で得られる同レベルの表面粗さのもの
と比べると、蒸着層との接着力が著しく改善される（第
２図参照）。
交差し合って複雑な形状を有し、他の切削による物理的
又は化学的加工法で得られる同レベルの表面粗さのもの
と比べると、蒸着層との接着力が著しく改善される（第
２図参照）。
またこうして表面粗さ０．０５μｍ以上０，３μｍ未満
に超仕上げ加工された支持体を用いて得られるセレン系
感光体表面の突起物発生数は表面加工後、電子写真複写
機とのマツチング上、許容できる程度に少ない（第３図
参照、図はＡｓ２ Ｓｅｇ系感光感光体用した例で、測
定面積：０．８ｍ、突起物：直径２０μ以上の条件で測
定した場合である）。なお支持体の表面粗さＲｚがＯ，
ＯＳμｍ未満では表面加工に時間を要し、量産に適さな
い。
に超仕上げ加工された支持体を用いて得られるセレン系
感光体表面の突起物発生数は表面加工後、電子写真複写
機とのマツチング上、許容できる程度に少ない（第３図
参照、図はＡｓ２ Ｓｅｇ系感光感光体用した例で、測
定面積：０．８ｍ、突起物：直径２０μ以上の条件で測
定した場合である）。なお支持体の表面粗さＲｚがＯ，
ＯＳμｍ未満では表面加工に時間を要し、量産に適さな
い。
また０、３μ風以上では突起物の発生が多いため、電子
写真複写機とのマツチングの点で問題がある。
写真複写機とのマツチングの点で問題がある。
以下に本発明を実施例により説明する。
実施例
Ｉパイプ（ＪＩＳ−Ａ３００ＴＤ）の表面をまず表面粗
さ４〜６μ５ｉＲｉとなる迄、切削加工した後、その上
を、砥石粒度す４０００の砥石の振体の加工面に、支持
体温度２３０℃、蒸発源温度４００℃の条件でＡｓ２Ｓ
ｅ３を真空蒸着して厚さ６５ＩｎｒＬの蒸着層を設けた
、得られたセレン系電子写真感光体は支持体−蒸着層間
の接着性に優れ、しかも表面の突起発生数は電子写真複
写機とのマツチング上、許容し得る程度に少なかった。
さ４〜６μ５ｉＲｉとなる迄、切削加工した後、その上
を、砥石粒度す４０００の砥石の振体の加工面に、支持
体温度２３０℃、蒸発源温度４００℃の条件でＡｓ２Ｓ
ｅ３を真空蒸着して厚さ６５ＩｎｒＬの蒸着層を設けた
、得られたセレン系電子写真感光体は支持体−蒸着層間
の接着性に優れ、しかも表面の突起発生数は電子写真複
写機とのマツチング上、許容し得る程度に少なかった。
比較例
研削加工を、ナ１０００の砥石を用いて表面粗さＲｚ
＝ ０．３〜２．０μ風となる照性なった他は実施例１
と同じ方法でセレン系電子写真感光体を作成した。この
感光体は支持体−蒸着層間の接着性は優れていたが、表
面の突起発生数は電子写真複写機とのマツチング上、許
容できない程多かった。
＝ ０．３〜２．０μ風となる照性なった他は実施例１
と同じ方法でセレン系電子写真感光体を作成した。この
感光体は支持体−蒸着層間の接着性は優れていたが、表
面の突起発生数は電子写真複写機とのマツチング上、許
容できない程多かった。
第１図は本発明方法で用いられる砥石の粒度と、この砥
石の研削加工によって得られる縛支持体表面の粗さとの
関係図、第２図は縛支持体表向の加工法の相違による２
種の感光体の支持体の表面粗さと蒸着層−支持体間の接
着強度との関係図、第３図は本発明方法で研削加工した
縛支持体の表面粗さとこの支持体上にＡｓ２５ ｅ３蒸
着層を設けて得られた感光体の表面加工後の突起発生数
との関係図である。 特許出願人 株式会社 リ コ − 甥１ 図 石へ石′ｎ度（井） 見２図 ５主）虜９菖ネ斐形成さ戯ｔｅａ普眉が゛合シかＢす４
す＾匣Ｕい〆１凋り麦せず゛次菅生州杯 ２１発明の名称 セレン系電子写真感光体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４７株式会社 リ コ − 代表置火＄Ｉｌ［武士 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及び１囲６、補正の
内容 １７ 明細★第４頁下から第２行ｒ、 ０．０５〜０
３μｍｌ ｆ ｒｏ、ｏ ５ μｍ以上０．３μｍ未満
ＪＫ組正ｆる。 ２）同第５頁第５行ｒｏ、００５．Ｊ會ｒＯ，０５Ｊに
訂正する。 ３ノ 同第５頁第６行「μのＲｚＪを「μＲｚ表圓粗さ
」に訂正する。 ４ノ 回′＃！Ｊ６頁第１行「表ｌ１ｉｎ＠さ」の俊Ｋ
ｒ Ｒｘか」を方口人する。 ５）同第６頁下から第２行「表囲祖さ」の恢にｒＲｚが
」を加入する。 ６）同第６頁末行ｒＲｚＪ ＩＩ−削除する。 υ 第３図を添付１圓と入れ代える。 ７、 添付書類の目録
石の研削加工によって得られる縛支持体表面の粗さとの
関係図、第２図は縛支持体表向の加工法の相違による２
種の感光体の支持体の表面粗さと蒸着層−支持体間の接
着強度との関係図、第３図は本発明方法で研削加工した
縛支持体の表面粗さとこの支持体上にＡｓ２５ ｅ３蒸
着層を設けて得られた感光体の表面加工後の突起発生数
との関係図である。 特許出願人 株式会社 リ コ − 甥１ 図 石へ石′ｎ度（井） 見２図 ５主）虜９菖ネ斐形成さ戯ｔｅａ普眉が゛合シかＢす４
す＾匣Ｕい〆１凋り麦せず゛次菅生州杯 ２１発明の名称 セレン系電子写真感光体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４７株式会社 リ コ − 代表置火＄Ｉｌ［武士 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及び１囲６、補正の
内容 １７ 明細★第４頁下から第２行ｒ、 ０．０５〜０
３μｍｌ ｆ ｒｏ、ｏ ５ μｍ以上０．３μｍ未満
ＪＫ組正ｆる。 ２）同第５頁第５行ｒｏ、００５．Ｊ會ｒＯ，０５Ｊに
訂正する。 ３ノ 同第５頁第６行「μのＲｚＪを「μＲｚ表圓粗さ
」に訂正する。 ４ノ 回′＃！Ｊ６頁第１行「表ｌ１ｉｎ＠さ」の俊Ｋ
ｒ Ｒｘか」を方口人する。 ５）同第６頁下から第２行「表囲祖さ」の恢にｒＲｚが
」を加入する。 ６）同第６頁末行ｒＲｚＪ ＩＩ−削除する。 υ 第３図を添付１圓と入れ代える。 ７、 添付書類の目録
Claims (1)
- １、 金属表面を有する導電性支持体表面を物理的又は
化学的に加工後、その上にセレン、セレン合金又はセレ
ン化合物の蒸着層を設けるセレン系電子写真感光体の製
造方法において、前記表面加工を、砥石の振動及び摺動
によって表面粗さＲｓが０．０５μ以上０．３μ重未満
となる迄、行なうことを４ＩＩＩｋとするセレン系電子
写真感光体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055114A JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
| US06/480,601 US4514483A (en) | 1982-04-02 | 1983-03-30 | Method for preparation of selenium type electrophotographic element in which the substrate is superfinished by vibrating and sliding a grindstone |
| DE19833311913 DE3311913A1 (de) | 1982-04-02 | 1983-03-31 | Elektrophotographisches selen-aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055114A JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172652A true JPS58172652A (ja) | 1983-10-11 |
| JPH0462070B2 JPH0462070B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12989720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055114A Granted JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514483A (ja) |
| JP (1) | JPS58172652A (ja) |
| DE (1) | DE3311913A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1254433A (en) * | 1984-02-13 | 1989-05-23 | Tetsuo Sueda | Light receiving member |
| US4696884A (en) * | 1984-02-27 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having photosensitive layer with series of smoothly continuous non-parallel interfaces |
| US4675263A (en) * | 1984-03-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate and light-receiving layer of A-Si:Ge film and A-Si film with non-parallel interface with substrate |
| US4720443A (en) * | 1984-04-05 | 1988-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with nonparallel interfaces |
| JPS60212768A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Canon Inc | 光受容部材 |
| US4705733A (en) * | 1984-04-24 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections |
| US4705732A (en) * | 1984-04-27 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with projecting portions at surface and light receiving layer of amorphous silicon |
| JPS60257453A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Canon Inc | 光受容部材 |
| US4705731A (en) * | 1984-06-05 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with protruding surface light receiving layer of amorphous silicon and surface reflective layer |
| DE3580939D1 (de) * | 1984-06-05 | 1991-01-31 | Canon Kk | Lichtempfangselement. |
| US4705735A (en) * | 1984-06-07 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with protruding surface portions and light receiving layer with amorphous silicon matrix |
| US4696883A (en) * | 1984-07-09 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly connected non-parallel interfaces and surface reflective layer |
| US4696881A (en) * | 1984-07-10 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly connected interfaces |
| US4696882A (en) * | 1984-07-12 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly interconnecting nonparallel interfaces |
| US4678733A (en) * | 1984-10-15 | 1987-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer of A-Si: Ge (C,N,O) A-Si/surface antireflection layer with non-parallel interfaces |
| US4735883A (en) * | 1985-04-06 | 1988-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface treated metal member, preparation method thereof and photoconductive member by use thereof |
| JPS6236676A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Canon Inc | 光導電部材用の支持体及び該支持体を有する光導電部材 |
| JPS62163058A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0727267B2 (ja) * | 1986-10-04 | 1995-03-29 | ミノルタ株式会社 | 電子写真の感光体 |
| JPS644754A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Minolta Camera Kk | Photosensitive body |
| JP2595574B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1997-04-02 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
| JPH01207756A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH07102505B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1995-11-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 研磨テープ |
| JPH0282262A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH031157A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及び画像形成方法 |
| DE69403680T2 (de) * | 1993-01-04 | 1997-12-18 | Xerox Corp | Metallbeschichteter Photorezeptorträger |
| US5302485A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-12 | Xerox Corporation | Method to suppress plywood in a photosensitive member |
| JPH09103940A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-04-22 | Ricoh Co Ltd | 電解インプロセスドレッシング研削砥石および電解インプロセスドレッシング研削方法および電解インプロセスドレッシング研削装置 |
| US5955231A (en) * | 1997-12-15 | 1999-09-21 | Konica Corporation | Electrophotographic apparatus and electrophotographic photoreceptor employed by the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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