JPH10180640A - シ−ズニングリング - Google Patents

シ−ズニングリング

Info

Publication number
JPH10180640A
JPH10180640A JP35829896A JP35829896A JPH10180640A JP H10180640 A JPH10180640 A JP H10180640A JP 35829896 A JP35829896 A JP 35829896A JP 35829896 A JP35829896 A JP 35829896A JP H10180640 A JPH10180640 A JP H10180640A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
seasoning
abrasive grains
center
radius
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP35829896A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3159928B2 (ja
Inventor
Jiro Tatsuta
次郎 龍田
Satoshi Maeda
智 前田
Toshiro Kawamoto
敏郎 川本
Motoyuki Kakita
基之 垣田
Susumu Okuto
進 奥藤
Tatsunobu Kobayashi
達宜 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP35829896A priority Critical patent/JP3159928B2/ja
Publication of JPH10180640A publication Critical patent/JPH10180640A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3159928B2 publication Critical patent/JP3159928B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 張り替えた研磨布を平坦にならすことができ
るシーズニングリングを得る。充分な強度を有するシー
ズニングリングを提供する。 【解決手段】 シーズニングリングの中心からar0
距離までの範囲の各々の半径rにおける砥粒のついてい
る割合f(r)が、全周360゜を1としたときに次式
で表される。 0はリングの半径、0.5<a<1である。f(r)
±0.3以内を誤差範囲として含む。ar0からr0まで
では必ずしも全周範囲に砥粒が付着していなくてもよ
い。ar0≦r≦r0における最適な砥粒付着範囲f
(r)は、0.9≦f(r)≦1である。シーズニング
リングにより張り替えた研磨布の表面を平坦にならすこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はシーズニングリン
グ、詳しくは張り替え後の研磨布表面を平坦に整え、目
立てするために使用されるシーズニングリングに関す
る。
【0002】
【従来の技術】シーズニングリングは、シリコンウェー
ハの研磨工程、デバイス作製後のCMPなどにおいて使
用される研磨布を張り替えた際、張り替え後の研磨布表
面を平坦に整え、目立てするために使用される。また
は、研磨布によるウェーハ表面の研磨終了後、次のウェ
ーハ表面を研磨する際に使用される。従来より、このよ
うな目的に使用されるシーズニングリングは、ドーナツ
状であって、ダイヤモンド砥粒がその表面に埋設・付着
されていた。この場合、図4に示すように、そのシーズ
ニングリングでの砥粒付着範囲は表面の全周にわたって
いた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のシーズニングリングにあっては、定盤に張り
替えた研磨布を平坦にならすことができなかった。これ
は、砥粒が環状に分布されているからと考えられる。
【0004】
【発明の目的】この発明の目的は、張り替えた研磨布を
平坦にならすことができるシーズニングリングを得るこ
とである。また、この発明の目的は、充分な強度を有す
るシーズニングリングを提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、表面の所定範囲に砥粒が分布して設けられ、この砥
粒により研磨布の表面をならすシーズニングリングであ
って、シーズニングリングの中心からar0の距離まで
の範囲の各々の半径rにおける上記砥粒のついている割
合f(r)が、全周360゜を1としたときに次式で表
されるシーズニングリングである。すなわち、 である。ただし、r 0はシーズニングリングの中心から
外周までの半径であり、aは定数で0.5<a<1とす
る。そして、この砥粒付着割合f(r)は、f(r)±
0.3以内を誤差範囲として含む。また、上記ar0
らr0までの範囲は、全周(360°)範囲にわたって
砥粒が付着されているが、必ずしも全周範囲に付着して
いなくてもよい。例えば、半径rがar0≦r≦r0にお
ける最適な砥粒付着範囲f(r)は、0.9≦f(r)
≦1である。
【0006】請求項2に記載の発明は、上記シーズニン
グリングを円板で形成するとともに、その円板の一部に
貫通孔を形成した請求項1に記載のシーズニングリング
である。
【0007】
【作用】請求項1,請求項2に記載の発明では、このシ
ーズニングリングにより張り替えた研磨布の表面を平坦
にならすことができる。これは、砥粒の分布がシーズニ
ングリングの放射外周部分のみならず、放射内方側部分
にも適切に分布されているからである。なお、砥粒の分
布密度は、従来と同様とする。また、砥粒としては、ニ
ッケルボンドのダイヤモンド砥粒、Al23砥粒、Si
2砥粒、CBN(Cubic Boron Nitr
ide)砥粒などを用いることができる。また、このよ
うな砥粒とは限られず、表面粗さの大きな硬質プラスチ
ックなどでもよい。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図1はこの発明の一実施例に係るシ
ーズニングリングを示すその平面図である。このシーズ
ニングリングは、研磨工程において、定盤への研磨布の
張り替え後、研磨布表面を平坦に整えるものである。こ
の図に示すように、シーズニングリング11は、例えば
SUSU(ステンレス鋼)製の円板を略4つ葉型に打ち
抜いた形状であって、その表面にはダイヤモンド砥粒が
付着して設けられている。すなわち、シーズニングリン
グ11(円板)の中央部には略4つ葉型の孔12が形成
されており、この孔12の周縁部を形成する4つの突出
部13および円板外周部14の各表面には所定粒径のダ
イヤモンド砥粒15が埋め込まれている。このシーズニ
ングリング11は上記SUS製に限られることはなく、
例えばセラミックス、硬質プラスチックで製造してもよ
い。
【0009】具体的には、このシーズニングリング11
の曲率中心から所定距離(ar0)までの範囲には全面
に砥粒15が埋め込まれているのではなく、その一部に
埋め込まれている。すなわち、各々の半径rにおける上
記砥粒15の埋め込まれている割合f(r)が、その全
周360゜を1としたときに次式で表される。 ただし、r0はシーズニングリング11の曲率中心から
外周縁までの半径であり、aは定数で0.5<a<1と
する。なお、このときの砥粒付着割合f(r)の誤差は
±0.3以内である。
【0010】このようなシーズニングリング11を張り
替えた研磨布の表面に摺接させた結果、以下のようにシ
ーズニング後の研磨布の形状が平坦になった。図2には
この研磨布の表面の高さを縦軸に、横軸に研磨布の中心
から外周縁までを示す。従来例による平坦度も併せて示
す。この測定は、以下のようにして行った。すなわち、
使用するシーズニングリングとしては、図1の形状で、
半径20cm、厚さ3cm、材質がSUSで、ニッケル
ボンドのダイヤモンド砥粒(#400)が半径方向にお
いて上記式においてa=0.9にあたるf(r)の範囲
で分布して固着されたものを用いた。このシーズニング
リングを、回転数20rpm、圧力0.1kgの条件で
運転しながら、研磨布表面に5分間摺接させた。また、
従来のシーズニングリングは図4に示すようなドーナツ
形状であって、これを同様の条件で摺接させた。さら
に、上記研磨布表面の高さの測定では、接触式表面形状
測定器を用いた。
【0011】図3はこの発明の他の実施例に係るシーズ
ニングリング21を示している。この実施例に係るシー
ズニングリング21は、円板に4つの円形孔22を打ち
抜いたものである。そして、ダイヤモンド砥粒23は上
記と同様に分布して円板表面に埋め込まれている。この
結果、このシーズニングリング21にあっては、円板の
中心部にはダイヤモンド砥粒が埋め込まれていないこと
となる。この実施例におけるシーズニングリングでは、
上記図1に示すシーズニングリング11に比べてそのリ
ング中心部、ひいてはリング全体の強度を高めることが
できる。また、そのリング精度を高めることができる。
【0012】
【発明の効果】この発明に係るシーズニングリングでは
研磨布表面を平坦にならすことができる。また、その強
度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るシーズニングリング
を示す平面図である。
【図2】この発明の他の実施例に係るシーズニングリン
グを示す平面図である。
【図3】従来のシーズニングリングを示す平面図であ
る。
【符号の説明】
11 シーズニングリング、15 ダイヤモンド砥粒。
【手続補正書】
【提出日】平成9年3月13日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係るシーズニングリング
を示す平面図である。
【図2】この発明の一実施例に係るシーズニングリング
による研磨布の表面の高さを示すグラフである。
【図3】この発明の他の実施例に係るシーズニングリン
グを示す平面図である。
【図4】従来のシーズニングリングを示す平面図であ
る。
【符号の説明】 11 シーズニングリング、15 ダイヤモンド砥粒。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 敏郎 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 垣田 基之 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 奥藤 進 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 小林 達宜 東京都千代田区大手町1丁目5番1号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面の所定範囲に砥粒が分布して設けら
    れ、この砥粒により研磨布の表面をならすシーズニング
    リングであって、 シーズニングリングの中心からar0の距離までの範囲
    の各々の半径rにおける上記砥粒のついている割合f
    (r)が、全周360゜を1としたときに次式で表され
    るシーズニングリング。 ただし、r0はシーズニングリングの中心から外周まで
    の半径であり、aは定数で0.5<a<1とする。
  2. 【請求項2】 上記シーズニングリングを円板で形成す
    るとともに、その円板の一部に貫通孔を形成した請求項
    1に記載のシーズニングリング。
JP35829896A 1996-12-26 1996-12-26 シ−ズニングリング Expired - Fee Related JP3159928B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35829896A JP3159928B2 (ja) 1996-12-26 1996-12-26 シ−ズニングリング

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35829896A JP3159928B2 (ja) 1996-12-26 1996-12-26 シ−ズニングリング

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10180640A true JPH10180640A (ja) 1998-07-07
JP3159928B2 JP3159928B2 (ja) 2001-04-23

Family

ID=18458576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35829896A Expired - Fee Related JP3159928B2 (ja) 1996-12-26 1996-12-26 シ−ズニングリング

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3159928B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914579B1 (ko) * 2007-12-13 2009-08-31 주식회사 실트론 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5396616B2 (ja) 2008-10-29 2014-01-22 Sumco Techxiv株式会社 シーズニングプレート、半導体研磨装置、研磨パッドのシーズニング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914579B1 (ko) * 2007-12-13 2009-08-31 주식회사 실트론 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3159928B2 (ja) 2001-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6325709B1 (en) Rounded surface for the pad conditioner using high temperature brazing
JP2005262341A (ja) Cmpパッドコンディショナー
WO2007069629A1 (ja) 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法
JP2004319951A (ja) エッジ研磨した窒化物半導体基板とエッジ研磨したGaN自立基板及び窒化物半導体基板のエッジ加工方法
JP2010089170A (ja) 球状体の研磨装置、球状体の研磨方法および球状部材の製造方法
TW509991B (en) Method of manufacturing semiconductor wafer
US3236010A (en) Method for finishing glass surfaces
JPH07314302A (ja) 硬質ウエハ−の研磨方法及び研磨装置
JPH10180640A (ja) シ−ズニングリング
TW200527523A (en) Chemical mechanical polishing system
US3201904A (en) Apparatus for finishing glass surfaces
US3186135A (en) Abrasive disc
US6682405B2 (en) Polishing apparatus having a dresser and dresser adjusting method
EP0826462B1 (en) Flap wheel
JPH11207636A (ja) カップ型砥石
JP5396616B2 (ja) シーズニングプレート、半導体研磨装置、研磨パッドのシーズニング方法
JP2002346927A (ja) Cmpコンディショナ
JPH05269671A (ja) ダイヤモンドホイール
JP2002299296A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JP2004243465A (ja) ダイヤモンドラップ定盤
JPH05152259A (ja) 半導体ウエハの面取方法
JP3695842B2 (ja) ウエハの研磨装置及びウエハの研磨方法
JPH11207634A (ja) カップ型砥石およびウェーハの平面研削方法
JPH11165254A (ja) 超砥粒ラップ定盤
US6746313B1 (en) Polishing head assembly in an apparatus for chemical mechanical planarization

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010130

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees