KR100914579B1 - 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법 - Google Patents

시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법

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KR100914579B1 KR1020070130227A KR20070130227A KR100914579B1 KR 100914579 B1 KR100914579 B1 KR 100914579B1 KR 1020070130227 A KR1020070130227 A KR 1020070130227A KR 20070130227 A KR20070130227 A KR 20070130227A KR 100914579 B1 KR100914579 B1 KR 100914579B1
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 양면 연마기의 연마패드를 보정하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 관한 것이다. 웨이퍼 양면 연마 공정 후, 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우와 오목한 경우에 따라, 세라믹 재질로 된 시즈닝 플레이트에 가하는 압력, 시즈닝 시간, 연마제 온도를 설정하고, 시즈닝 단계를 수행함으로써 웨이퍼의 평탄도를 제어한다. 본 발명의 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법을 사용함으로써, 웨이퍼 형상이 볼록한 경우와 오목한 경우 모두, 최적화된 시즈닝 단계의 압력, 시간, 온도 설정값에 따라 웨이퍼의 평탄도가 제어되는 효과가 있다.

Description

시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법 {Method for Controlling Wafer Flatness Using Seasoning Plate}
본 발명은 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 웨이퍼 양면 연마기에 의한 연마 과정에서 연마궤적에 따라 발생된 연마패드의 형상 변형을 보정하는 시즈닝 플레이트를 이용한 시즈닝 단계에서의 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 기술은 생산원가 절감 및 제품 성능 향상을 위해 보다 고집적화 공정으로 급속하게 발전하고 있다. 이에 따라 실리콘 웨이퍼에 요구되는 평탄도 조건은 더욱 엄격해지고 있다.
기존 탭핑, 에칭, 폴리싱으로 대표되던 실리콘 웨이퍼 제조 공정은 엄격한 평탄도 조건을 만족할 수 없는 한계를 가지고 있다. 이러한 한계를 극복하게 위해 적용하고 있는 공정은 단면 및 양면 연마 등을 들 수 있다.
양면 연삭의 경우는 웨이퍼 전후의 요철면을 동시에 제거하므로 단면 연마에 비해 웨이퍼 전체 형상 및 평탄도가 매우 우수하고, 나노토포그라피의 수준도 매우 양호하게 나타난다.
다음의 일반적인 웨이퍼 양면 연마에 사용되는 양면 연마기를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 웨이퍼 양면 연마기를 예시한 분해 사시도이다. 도 2는 웨이퍼 양면 연마기에 의한 연마궤적 및 손상영역을 나타낸 개략도이다.
웨이퍼 양면 연마기(100)는, 상측에서 웨이퍼(W)를 회전 가압하는 상정반(110), 상정반(110)과 반대방향으로 회전하며 하방에서 웨이퍼를 회전가압하는 하정반(120), 및 상정반(110)과 하정반(120)의 사이에 놓여져 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 캐리어(130)를 포함한다.
상정반(110)과 하정반(120)에는 웨이퍼(W) 표면의 연마를 위한 연마패드(140)가 구비되고, 웨이퍼(W)를 회전가압하기 위한 동력이 회전축을 통해 전달된다.
웨이퍼 캐리어(130)에는 웨이퍼(W)를 지지할 수 있는 웨이퍼 홀이 원주를 따라 다수개가 형성되어 있다. 또한 웨이퍼 캐리어(130)는 상정반(110)과 하정반(120) 본체보다 큰 반경을 가지며, 상정반(110)과 하정반(120)이 각각 회전축을 중심으로 회전하는 동안에 상정반(110)과 하정반(120)의 회전축에 대한 일정한 편심을 가지고 편심회전하게 된다.
웨이퍼 캐리어(130)의 외주 4개소에는 각각 편심핀(131)이 하방으로 설치되어 있고, 그 하방에는 편심핀(131)의 원운동을 가이드하는 편심가이드(132)가 구비되어 있다. 따라서, 상정반(110)과 하정반(120)이 각각 반대방향으로 회전하게 되면, 웨이퍼 캐리어(130)는 상하정반(110,120)으로부터 회전력을 전달받아 편심가이드(132)를 따라 편심회전하게 된다.
이와 같은 상하정반(110,120)의 축방향의 회전과 웨이퍼 캐리어(130)의 편심회전에 의해 웨이퍼(W)의 전체 표면이 고르게 연마된다.
그러나, 상기와 같은 구성을 가지는 종래의 양면 연마기는 다음과 같은 문제점이 있다.
상하정반(110,120)과 웨이퍼 캐리어(130)의 회전에 의해, 일정한 형태의 연마궤적이 형성된다. 그런데, 상하정반(110,120)과 웨이퍼 캐리어(130)의 회전에 의해 연마패드(140)의 특정 부분은 웨이퍼(W)와 반복되게 접촉하게 되며, 이 특정부분은 도 2에서와 같이 원형 고리모양으로 패여지게 된다.
그리고, 연마 회수가 누적됨에 따라 손상영역(X)인 원형 고리모양은 점점 뚜렷해지고, 이 손상영역(X)은 연마패드(140)의 평탄도를 심하게 해하는 요소로 작용한다. 이와 같은 형상변형이 발생한 연마패드(140)로 웨이퍼(W)의 연마를 수행하게 되면, 손상영역(X)의 외측 가장자리에 접촉되는 웨이퍼(W) 부분은 중앙부분에 비하여 연마압력을 강하게 받는다. 이처럼 연마압력을 강하게 받는 웨이퍼(W)의 에지 부분에는 연마 압력에 의해 다른 부분보다 더 과도하게 연마되는 롤오프현상이 심화되게 된다.
연마패드(140)에 손상영역(X)이 발생하게 되면, 그에 의해 연마되는 웨이퍼(W)의 평탄도가 악화되기 때문에, 연마패드(140)를 교체해 주어야 하므로 연마패드(140)의 사용기간을 단축하는 요소로 작용하게 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 일반적인 웨이퍼 양면 연마기(100)의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 연마패드의 손상영역 주변을 보정하는 시즈닝 플레이트를 이용하여, 웨이퍼 형상에 따라 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간, 연마제 온도를 설정함으로써 웨이퍼의 평탄도를 개선하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은, 양면 연마기에 의한 웨이퍼 형상이 볼록한 경우뿐만 아니라, 오목한 경우에도 시즈닝 플레이트를 이용하여 웨이퍼의 평탄도를 개선할 수 있는 웨이퍼 평탄도 제어 방법을 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법은, 상정반, 하정반 및 웨이퍼 캐리어로 구성된 양면 연마기에 의한 웨이퍼 양면 연마 공정을 수행하는 단계, 웨이퍼를 모니터링하는 단계, 세라믹 재질로 이루어진 시즈닝 플레이트를 상정반과 하정반 사이에 위치시키는 단계, 모니터링한 웨이퍼 형상에 따라 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계, 및 상정반과 하정반이 시즈닝 플레이트를 가압하여 연마 패드의 평탄도를 고르게 하는 시즈닝 단계를 포함한다.
시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우와 오목한 경우로 나누어, 그에 따라 압력, 시간 및 온도값을 설정하는 것이 바람직하다.
바람직하게, 모니터링한 웨이퍼 형상이 볼록한 경우, 압력은 250g/cm2 내지 300g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간은 3분 내지 5분으로 설정하며, 연마제 온도는 26℃ 내지 28℃로 설정한다.
바람직하게, 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우, 압력을 300g/cm2 내지 400g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 5분 내지 7분으로 설정하며, 연마제 온도를 28℃ 내지 30℃로 설정한다.
바람직하게, 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우, 압력을 450g/cm2 내지 550g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 7분 내지 9분으로 설정하며, 연마제 온도를 30℃ 내지 32℃로 설정한다.
바람직하게, 모니터링한 웨이퍼의 형상이 오목한 경우, 압력을 200g/cm2 내지 250g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 2분 내지 3분으로 설정하며, 연마제 온도를 23℃ 내지 25℃로 설정한다.
바람직하게, 모니터링한 웨이퍼의 형상이 오목한 경우, 압력을 100g/cm2 내지 200g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 1분 내지 2분으로 설정하며, 연마제 온도를 20℃ 내지 23℃로 설정한다.
본 발명에 따르면, 양면 연마 공정 후의 웨이퍼 형상을 모니터링함으로써 웨이퍼 형상에 따라 연마 압력, 시간, 온도를 설정하여, 설정값에 따라 시즈닝 플레이트를 이용하여 시즈닝함으로써 최적화된 형태로 웨이퍼의 평탄도가 제어되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 의하면, 양면 연마 공정 후 웨이퍼 형상이 볼록한 경우뿐만 아니라 오목한 경우에도 웨이퍼의 평탄도를 보정할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 양면 연마기를 예시한 분해 사시도이다;
도 2는 웨이퍼 양면 연마기에 의한 연마궤적 및 손상영역을 나타낸 개략도이다;
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 사용되는 시즈닝 플레이트를 포함하는 연마패드 보정장치의 사시도이다;
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 사용되는 시즈닝 플레이트를 포함하는 연마패드 보정장치의 평면도이다;
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 평탄도 제어 방법의 흐름도이다;
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 평탄도 제어 방법 중 압력, 시간, 온도값을 설정하는 단계를 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 웨이퍼 양면 연마기 110 : 상정반
120 : 하정반 130 : 웨이퍼 캐리어
131 : 편심핀 132 : 편심가이드
140 : 연마패드 230 : 시즈닝 캐리어
231 : 플레이트 홀 232 : 관통홀
240 : 시즈닝 플레이트 241 : 공동
X : 손상영역 W : 웨이퍼
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 평탄도 제어 방법에 사용되는 시즈닝 플레이트를 포함하는 연마패드 보정장치의 사시도이고, 도 4는 이의 평면도이다. 이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 사용되는 시즈닝 플레이트(240) 및 시즈닝 캐리어(230)에 대해 설명한다.
본 실시예의 연마패드 보정장치는, 웨이퍼 연마과정에서 연마패드에 형성된 연마궤적을 고르게 다지는 시즈닝 플레이트(240), 시즈닝 플레이트(240)를 상정반과 하정반 사이에 위치시키는 시즈닝 캐리어(230)를 포함한다.
시즈닝 플레이트(240)는 연마과정에서 웨이퍼(W)와의 반복 마찰에 의해 손상영역(X) 주변을 평평하게 다지기 위한 것이므로, 손상영역(X)보다 큰 반경의 원형 블록으로 형성된다. 또한, 손상영역(X)에 대해서는 다질 필요가 없고 그 주변을 다져야 하는 것이므로, 시즈닝 플레이트(240)의 손상영역 해당 부분은 동심원모양의 공동(241)을 형성시켜, 시즈닝 플레이트(240)에 의한 연마패드(140)의 추가 손상을 방지할 수 있도록 하고 있다. 또한, 시즈닝 플레이트(240)는 세라믹 재질로 형성되어 있다.
시즈닝 캐리어(230)는 연마패드(140)의 형상에 대응하는 원판형상이고, 시즈닝 플레이트(240)를 보유하기 위한 다수개의 플레이트 홀(231)이 관통되게 형성되어 있다. 플레이트 홀(231)은 시즈닝 플레이트(240)에 대응하는 형상인 원형 홀로서, 시즈닝 플레이트(240)의 반경보다 약간 큰 반경으로 형성된다. 또한, 시즈닝 과정 중에 상정반(110)에서 공급된 초순수가 하정반(120)으로 쉽게 전달되도록 하는 관통홀(232)이 시즈닝 캐리어(230)에 형성되어 있다.
도 5는 본 발명의 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼 평탄도 제어 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 6은 압력, 시간, 온도값을 설정하는 단계를 더욱 구체적으로 나타낸 흐름도이다. 이하에서는 도면을 참조하여 웨이퍼 평탄도 제어 방법을 상세히 설명한다.
우선, 상정반(110), 하정반(120), 및 웨이퍼 캐리어(130)로 구성된 양면 연마기(100)에 의해 웨이퍼(W)의 양면 연마가 이루어지고, 이어서 양면 연마 공정에 의해 연마된 웨이퍼(W)의 형상을 모니터링하는 공정이 이루어진다. 연마패드(140)의 시즈닝을 수행하기 위해, 세라믹 재질로 이루어진 시즈닝 플레이트(240)를 보유하고 있는 시즈닝 캐리어(230)를 상정반(110)과 하정반(120) 사이에 위치시켜서 시즈닝 공정을 수행할 준비를 한다.
상정반(110)과 하정반(120)이 시즈닝 플레이트(240)를 가압하여 시즈닝 단계를 수행하기 이전에, 시즈닝 플레이트(240)를 가압하는 압력, 시즈닝 시간, 및 연마제의 온도를 설정하는 공정이 이루어져야 한다. 이 때, 압력, 시간, 온도값들은 앞서 모니터링한 웨이퍼(W)의 형상에 근거하여 이루어지게 된다. 일반적으로, 웨이퍼(W)의 형상은 손상영역(X)에 의해 볼록한 경우가 대부분이지만, 웨이퍼(W)의 형상이 항상 볼록한 경우만 있는 것은 아니다. 즉, 웨이퍼(W)가 오목한 형상을 가지는 경우도 있는데, 이는 양면 연마 공정시 상정반(110)과 하정반(120)에 가해진 온도에 따라 연마되는 영역이 가변되어 연마패드(140)가 웨이퍼(W)의 가장자리 부분에 비해 중앙 부분을 보다 많이 반복 연마함으로써 발생하게 되는 것이다.
웨이퍼(W)의 형상이 볼록한 경우, 시즈닝 플레이트(240)에 가해지는 압력은 250g/cm2보다 크고, 시즈닝 시간은 3분보다 크며, 연마제 온도를 26℃보다 크게 설정한다. 이 때, 피가공물인 웨이퍼(W)의 가장자리는 올라가게 된다. 왜냐하면, 웨이퍼(W) 가장자리 부위와 접촉되는 연마패드(140) 부위를 세라믹으로 구성된 시즈닝 플레이트(240)가 깎아 내는 효과를 보여주기 때문이다. 이러한 반응은 압력, 시간, 온도값을 크게 설정할수록 더욱 촉진되어 더 큰 변화를 발생시킨다.
웨이퍼(W) 형상이 오목한 경우, 시즈닝 플레이트(240)에 가해지는 압력을 250g/cm2보다 작게, 시즈닝 시간은 3분보다 작게, 연마제 온도를 25℃보다 작게 설정한다. 이 때, 웨이퍼(W)의 가장자리는 내려가게 된다. 왜냐하면, 시즈닝 플레이트(240)는 세라믹 계열의 재질로 이루어지므로, 이러한 압력, 시간, 온도값에 의해 시즈닝 공정을 수행하게 되면, 웨이퍼(W) 가장자리 부위와 접촉되는 연마패드(140) 부위가 세라믹 재질로 구성된 시즈닝 플레이트(240)에 의해 활성화되어, 오히려 올라가기 때문이다. 이는 종래의 다이아몬드 드레싱에 의한 경우와는 달리, 시즈닝 플레이트(240)가 세라믹 재질로 이루어져 있기 때문에 가능하다. 이러한 반응은 시즈닝 플레이트(240)에 가하는 압력, 시즈닝 시간, 및 연마제 온도값을 감소시킬수록 더욱 큰 효과를 얻을 수 있다.
따라서, 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 본 발명에 따라, 시즈닝 플레이트(240)를 가압하는 압력, 시즈닝 시간, 및 시즈닝 온도를 설정하는 단계는 양면 연마 공정 후 웨이퍼(W)의 형상이 볼록한 경우와 오목한 경우에 따라 달라진다.
웨이퍼(W) 형상이 볼록한 경우, 압력을 250g/cm2 내지 300g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 3분 내지 5분으로 설정하며, 연마제 온도를 26℃ 내지 28℃로 설정하는 것이 바람직하다. 또는, 압력을 300g/cm2 내지 400g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 5분 내지 7분으로 설정하며, 연마제 온도를 28℃ 내지 30℃로 설정하는 것이 바람직하다. 또는, 압력을 500g/cm2 이상으로 설정하고, 시즈닝 시간을7분 이상으로 설정하며, 연마제 온도를 30℃ 이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
반면에, 웨이퍼(W) 형상이 오목한 경우, 압력을 200g/cm2 내지 250g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 2분 내지 3분으로 설정하며, 연마제 온도를 23℃ 내지 25℃로 설정하는 것이 바람직하다. 또는, 압력을 100g/cm2 내지 200g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 1분 내지 2분으로 설정하며, 연마제 온도를 20℃ 내지 23℃로 설정하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 모니터링한 웨이퍼(W)의 형상에 따라 설정된 시즈닝 플레이트(240)에 가해지는 압력, 시즈닝 시간, 및 연마제 온도를 바탕으로, 시즈닝 플레이트(240)를 상정반(110)과 하정반(120)이 가압하여 연마패드(140)를 시즈닝하는 공정을 수행한다.
본 발명에 따른 시즈닝 공정에 의해 연마패드(140)의 평탄도가 고르게 되어, 결과적으로 양면 연마 공정에 의한 웨이퍼(W)의 평탄도가 개선된다. 즉, 이와 같은 과정을 통해, 연마 과정으로 인해 연마패드(140)에 발생될 수 있는 손상영역(X)의 단차의 정도가 완화되고, 손상영역(X)의 단차에 의한 웨이퍼(W)의 롤오프현상을 완화시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서 내에 포함되어 있음.

Claims (7)

  1. 상정반, 하정반 및 웨이퍼 캐리어로 구성된 양면 연마기에 의한 웨이퍼의 양면 연마 공정을 수행하는 단계;
    상기 웨이퍼를 모니터링하는 단계;
    세라믹 재질로 이루어진 시즈닝 플레이트를 상기 상정반과 하정반 사이에 위치시키는 단계;
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상에 근거하여, 상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계; 및
    상기 상정반과 하정반이 상기 시즈닝 플레이트를 가압하여 연마 패드의 평탄도를 고르게 하는 시즈닝 단계;
    를 포함하고,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는, 상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우와 오목한 경우로 나누어 압력, 시간 및 온도값을 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는,
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우, 압력을 250g/cm2 내지 300g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 3분 내지 5분으로 설정하며, 연마제 온도를 26℃ 내지 28℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는,
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우, 압력을 300g/cm2 내지 400g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 5분 내지 7분으로 설정하며, 연마제 온도를 28℃ 내지 30℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시간 및 온도를 설정하는 단계는,
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 볼록한 경우, 압력을 450g/cm2 내지 550g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 7분 내지 9분으로 설정하며, 연마제 온도를 30℃ 내지 32℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는,
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 오목한 경우, 압력을 200g/cm2 내지 250g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 2분 내지 3분으로 설정하며, 연마제 온도를 23℃ 내지 25℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 시즈닝 플레이트를 가압하는 압력, 시즈닝 시간 및 연마제 온도를 설정하는 단계는,
    상기 모니터링한 웨이퍼의 형상이 오목한 경우, 압력을 100g/cm2 내지 200g/cm2로 설정하고, 시즈닝 시간을 1분 내지 2분으로 설정하며, 연마제 온도를 20℃ 내지 23℃로 설정하는 것을 특징으로 하는 시즈닝 플레이트를 이용한 웨이퍼의 평탄도 제어 방법.
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