JPH11165254A - 超砥粒ラップ定盤 - Google Patents
超砥粒ラップ定盤Info
- Publication number
- JPH11165254A JPH11165254A JP33406997A JP33406997A JPH11165254A JP H11165254 A JPH11165254 A JP H11165254A JP 33406997 A JP33406997 A JP 33406997A JP 33406997 A JP33406997 A JP 33406997A JP H11165254 A JPH11165254 A JP H11165254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superabrasive
- super abrasive
- abrasive grain
- layer
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/14—Zonally-graded wheels; Composite wheels comprising different abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/10—Single-purpose machines or devices
- B24B7/16—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
- B24B7/17—Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研削面最外内周縁の超砥粒層３、４の偏摩耗
を抑制する。 【解決手段】 定盤本体１表面に、超砥粒をボンド材で
結合した超砥粒層２、３、４を所望のパターンで同一高
さに設けた超砥粒ラップ定盤Ｐである。そのペレット状
超砥粒層２を設けた研削面の最外周及び最内周に、全周
に亘る超砥粒をボンド材で結合させたリング状超砥粒層
３、４、又はそのリング状超砥粒層を周方向の所要間隔
で欠如させたセグメント状超砥粒層３、４を形成して、
超砥粒層の固着密度をその内外周縁で囲まれた部分より
高くする。超砥粒層の固着密度が高ければ、それだけ、
超砥粒層の摩耗も少なく、偏摩耗も生じにくい。
を抑制する。 【解決手段】 定盤本体１表面に、超砥粒をボンド材で
結合した超砥粒層２、３、４を所望のパターンで同一高
さに設けた超砥粒ラップ定盤Ｐである。そのペレット状
超砥粒層２を設けた研削面の最外周及び最内周に、全周
に亘る超砥粒をボンド材で結合させたリング状超砥粒層
３、４、又はそのリング状超砥粒層を周方向の所要間隔
で欠如させたセグメント状超砥粒層３、４を形成して、
超砥粒層の固着密度をその内外周縁で囲まれた部分より
高くする。超砥粒層の固着密度が高ければ、それだけ、
超砥粒層の摩耗も少なく、偏摩耗も生じにくい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板、超
硬合金、シリコンウェハー、フェライト、セラミックス
などの超高精度な平面加工及び鏡面加工に用いる超砥粒
ラップ定盤に関するものである。
硬合金、シリコンウェハー、フェライト、セラミックス
などの超高精度な平面加工及び鏡面加工に用いる超砥粒
ラップ定盤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体における高集積化やセラミ
ックス、ガラス、フェライトなどの加工において超精密
化などの急激な技術革新により、極めて高精度な平面加
工又は鏡面加工が要求されている。この平面加工等は、
一般的にラッピング加工と呼ばれる研削方法で行われ、
球状黒鉛鋳鉄で製造されたラップ定盤と工作物（ワー
ク）の間にラップ液に混合した遊離砥粒を供給して、ラ
ップ定盤と工作物に圧力を加えながら擦り合わせ、遊離
砥粒の転動作用と引っかき作用により工作物を削り、高
精度な平面を得るものである。
ックス、ガラス、フェライトなどの加工において超精密
化などの急激な技術革新により、極めて高精度な平面加
工又は鏡面加工が要求されている。この平面加工等は、
一般的にラッピング加工と呼ばれる研削方法で行われ、
球状黒鉛鋳鉄で製造されたラップ定盤と工作物（ワー
ク）の間にラップ液に混合した遊離砥粒を供給して、ラ
ップ定盤と工作物に圧力を加えながら擦り合わせ、遊離
砥粒の転動作用と引っかき作用により工作物を削り、高
精度な平面を得るものである。
【０００３】しかし、この遊離砥粒によるラッピング加
工は、遊離砥粒を多く消費するため、使用済みの遊離砥
粒と切り粉とラップ液の混合物、すなわちスラッジと呼
ばれるものが大量に発生し、作業環境の悪化と公害発生
が大きな問題となっていた。また、ラップ定盤は、通
常、球状黒鉛鋳鉄で製造されており、鋳造欠陥が存在す
ると、工作物にスクラッチを発生させる原因となること
があった。
工は、遊離砥粒を多く消費するため、使用済みの遊離砥
粒と切り粉とラップ液の混合物、すなわちスラッジと呼
ばれるものが大量に発生し、作業環境の悪化と公害発生
が大きな問題となっていた。また、ラップ定盤は、通
常、球状黒鉛鋳鉄で製造されており、鋳造欠陥が存在す
ると、工作物にスクラッチを発生させる原因となること
があった。
【０００４】このような実情の下、上記の遊離砥粒の問
題点を解決する目的で、ダイヤモンド、ＣＢＮ等の超砥
粒をレジンボンド、メタルボンド、ビトリファイドボン
ドなどのボンド材で結合し、円柱状又は円板状に成形し
たペレットと呼ばれるものを、ラップ定盤に固着したも
のが開発され、特定の分野で用いられるようになった。
題点を解決する目的で、ダイヤモンド、ＣＢＮ等の超砥
粒をレジンボンド、メタルボンド、ビトリファイドボン
ドなどのボンド材で結合し、円柱状又は円板状に成形し
たペレットと呼ばれるものを、ラップ定盤に固着したも
のが開発され、特定の分野で用いられるようになった。
【０００５】すなわち、このペレットを固定したラップ
定盤は、超砥粒ラップ定盤Ｐと呼ばれ、図３に示すよう
に、定盤本体１の表面に、超砥粒をボンド材で結合した
超砥粒層のペレット２を所望のパターンで同一高さに設
けたものであり、研削機の回転軸に上下方向に対向して
取付けられ、下定盤Ｐの上にワークＷを穴に入れて保持
したワークキャリアＣを太陽歯車Ｇ1 と内歯歯車Ｇ2 に
噛み合わせて載置し、上定盤Ｐを、ａ矢印のごとくその
ワークキャリアＣ（ワークＷ）を介在して下定盤Ｐに圧
した状態で、定盤Ｐ、Ｐをｂ、ｃ矢印のごとく回すこと
により、ワークキャリアＣを回転させながら公転させ
て、ワークＷの上下両面を上下の定盤Ｐ、Ｐで研摩加工
する。このとき、下定盤Ｐだけの片面研削する場合もあ
る。
定盤は、超砥粒ラップ定盤Ｐと呼ばれ、図３に示すよう
に、定盤本体１の表面に、超砥粒をボンド材で結合した
超砥粒層のペレット２を所望のパターンで同一高さに設
けたものであり、研削機の回転軸に上下方向に対向して
取付けられ、下定盤Ｐの上にワークＷを穴に入れて保持
したワークキャリアＣを太陽歯車Ｇ1 と内歯歯車Ｇ2 に
噛み合わせて載置し、上定盤Ｐを、ａ矢印のごとくその
ワークキャリアＣ（ワークＷ）を介在して下定盤Ｐに圧
した状態で、定盤Ｐ、Ｐをｂ、ｃ矢印のごとく回すこと
により、ワークキャリアＣを回転させながら公転させ
て、ワークＷの上下両面を上下の定盤Ｐ、Ｐで研摩加工
する。このとき、下定盤Ｐだけの片面研削する場合もあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の超砥粒ラップ定
盤Ｐは、特開平６−５５４５９号公報などにおいて、そ
のペレット２を設けた研削面の研削性を高めるべく、種
々の工夫がなされている。しかし、このラップ定盤Ｐに
おいては、研削面の最外周と最内周に配置されたペレッ
ト２のコーナ部（エッジ部）の偏摩耗の問題があるが、
従来では、その有効な解決策が示されていない。
盤Ｐは、特開平６−５５４５９号公報などにおいて、そ
のペレット２を設けた研削面の研削性を高めるべく、種
々の工夫がなされている。しかし、このラップ定盤Ｐに
おいては、研削面の最外周と最内周に配置されたペレッ
ト２のコーナ部（エッジ部）の偏摩耗の問題があるが、
従来では、その有効な解決策が示されていない。
【０００７】すなわち、研削面の最外周及び最内周は、
その外側又は内側においてワークＷを支えるものがない
ため、ワークがミクロ的には下方に傾き、それによっ
て、ペレット２のワークＷ除去量（研削量）が大きくな
り、ペレット２のコーナ部に偏摩耗が生じる。とくに、
ワークＷのオーバーハング量（最内外周のペレット２か
ら外側又は内側にはみ出す量）が大きい場合には、前記
ワークＷの傾きも大きく、偏摩耗も著しくなる。ペレッ
ト２の偏摩耗は、ワークＷの傾きを助長するため、ワー
クキャリアＣ内のワークＷの安定性に問題を生じさせ、
チッピングの発生や加工精度が劣化する等の悪影響を招
いている。
その外側又は内側においてワークＷを支えるものがない
ため、ワークがミクロ的には下方に傾き、それによっ
て、ペレット２のワークＷ除去量（研削量）が大きくな
り、ペレット２のコーナ部に偏摩耗が生じる。とくに、
ワークＷのオーバーハング量（最内外周のペレット２か
ら外側又は内側にはみ出す量）が大きい場合には、前記
ワークＷの傾きも大きく、偏摩耗も著しくなる。ペレッ
ト２の偏摩耗は、ワークＷの傾きを助長するため、ワー
クキャリアＣ内のワークＷの安定性に問題を生じさせ、
チッピングの発生や加工精度が劣化する等の悪影響を招
いている。
【０００８】この発明は、上記研削面の最内外周の超砥
粒層の偏摩耗を抑制すること、及び研削中のワークの安
定性を向上させることを課題とする。
粒層の偏摩耗を抑制すること、及び研削中のワークの安
定性を向上させることを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、この発明は、上記研削面の内外周縁の少なくとも一
方の超砥粒層の固着密度又は超砥粒層の砥粒集中度をそ
の内外周縁で囲まれた部分より高くしたのである。
に、この発明は、上記研削面の内外周縁の少なくとも一
方の超砥粒層の固着密度又は超砥粒層の砥粒集中度をそ
の内外周縁で囲まれた部分より高くしたのである。
【００１０】超砥粒層の固着密度又は砥粒集中度が高け
れば、それだけ、超砥粒層の摩耗も少なく、偏摩耗も生
じにくい。この超砥粒層の高密度化又は砥粒の高集中度
化は、最外周縁のみ、最内周縁のみ、又は両周縁に施し
てもよいが、上記オーバーハング量等を考慮して、適宜
に選択する。
れば、それだけ、超砥粒層の摩耗も少なく、偏摩耗も生
じにくい。この超砥粒層の高密度化又は砥粒の高集中度
化は、最外周縁のみ、最内周縁のみ、又は両周縁に施し
てもよいが、上記オーバーハング量等を考慮して、適宜
に選択する。
【００１１】
【発明の実施の形態】上記超砥粒層の高密度化の実施形
態としては、上記研削面の最外周及び最内周の少なくと
も一方に、全周に亘る超砥粒をボンド材で結合させたリ
ング状超砥粒層、又はそのリング状超砥粒層を周方向の
所要間隔で欠如させたセグメント状超砥粒層を形成した
構成を採用し得る（図１、２参照）。
態としては、上記研削面の最外周及び最内周の少なくと
も一方に、全周に亘る超砥粒をボンド材で結合させたリ
ング状超砥粒層、又はそのリング状超砥粒層を周方向の
所要間隔で欠如させたセグメント状超砥粒層を形成した
構成を採用し得る（図１、２参照）。
【００１２】上記リング状又はセグメント状超砥粒層は
径方向に同心で複数とすることができ、セグメント状超
砥粒層は、リング状超砥粒層を切断加工などにより分割
したり、円弧状チップを別個に作り、そのチップを所要
間隔をあけて定盤本体に設けてもよい。
径方向に同心で複数とすることができ、セグメント状超
砥粒層は、リング状超砥粒層を切断加工などにより分割
したり、円弧状チップを別個に作り、そのチップを所要
間隔をあけて定盤本体に設けてもよい。
【００１３】因みに、ワークの種類、要求される加工精
度によっては、研削面の全面をリング状又はセグメント
状の超砥粒層とすることができる。
度によっては、研削面の全面をリング状又はセグメント
状の超砥粒層とすることができる。
【００１４】上記ペレットのボンド材としては、銅：３
３〜７５重量％、錫：１８〜５５重量％、黒鉛：０〜２
５重量％の組成のものを採用し得る。
３〜７５重量％、錫：１８〜５５重量％、黒鉛：０〜２
５重量％の組成のものを採用し得る。
【００１５】従来、球状黒鉛鋳鉄製ラップ定盤Ｐの場合
は、ダイヤモンドドレスキャリヤを用いる方法や、上下
のラップ定盤Ｐを共擦りする方法によって、比較的容易
に定盤Ｐの面精度を得ることができたが、ペレット２を
固着した超砥粒ラップ定盤Ｐの場合は特に有効なツルー
イング方法がまったくなかった。また、ドレッシング方
法については、上下の超砥粒ラップ定盤の間にＳｉＣ等
の遊離砥粒をばらまいて押し付ける方法や、ワークＷの
代わりにドレッシングに適した結合度の軟らかい在来砥
石で研削する方法が採用されていたが、レジンボンド、
メタルボンド、ビトリファイドボンドは耐摩耗性が優れ
ているため、容易にはこれらのボンド材が後退せず、ド
レッシング作業は面倒で時間がかかるだけでなく、ワー
クＷの加工を一時中断しなければならず能率低下にもつ
ながっていた。しかも、ドレッシング用の遊離砥粒や在
来砥石をペレット２の仕様に合わせて注意深く選択して
も超砥粒が破砕、脱落してしまう傾向が強く、超砥粒の
良好な突出を得ることが非常にむずかしく、超砥粒層を
浪費するだけで、ドレッシングしても十分な切れ味が得
られなかった。
は、ダイヤモンドドレスキャリヤを用いる方法や、上下
のラップ定盤Ｐを共擦りする方法によって、比較的容易
に定盤Ｐの面精度を得ることができたが、ペレット２を
固着した超砥粒ラップ定盤Ｐの場合は特に有効なツルー
イング方法がまったくなかった。また、ドレッシング方
法については、上下の超砥粒ラップ定盤の間にＳｉＣ等
の遊離砥粒をばらまいて押し付ける方法や、ワークＷの
代わりにドレッシングに適した結合度の軟らかい在来砥
石で研削する方法が採用されていたが、レジンボンド、
メタルボンド、ビトリファイドボンドは耐摩耗性が優れ
ているため、容易にはこれらのボンド材が後退せず、ド
レッシング作業は面倒で時間がかかるだけでなく、ワー
クＷの加工を一時中断しなければならず能率低下にもつ
ながっていた。しかも、ドレッシング用の遊離砥粒や在
来砥石をペレット２の仕様に合わせて注意深く選択して
も超砥粒が破砕、脱落してしまう傾向が強く、超砥粒の
良好な突出を得ることが非常にむずかしく、超砥粒層を
浪費するだけで、ドレッシングしても十分な切れ味が得
られなかった。
【００１６】しかし、上記組成のボンド材とすることに
より、その超砥粒ラップ定盤は、砥粒保持力に優れ、良
好な切れ味を長時間にわたって維持できるだけでなく、
ツルーイング性及びドレッシング性に優れたものとな
る。ツルーイングは、ワークキャリヤにダイヤモンド砥
粒を電着等により固着した、ダイヤモンドドレスキャリ
ヤを用いるのが最も高い精度の平面度が得られて適当で
あるが、結合度が硬めの在来砥石で研削する方法でも可
能である。ドレッシングは、結合度が柔らかめのもの
で、例えば、Ｇ又はＨのＷＡ砥石でワークを研削する方
法と同様にして行うことにより容易にできる。このドレ
ッシングの際には、ツルーイングにより得られた高い精
度の平面度を低下させないように、ドレッシングし過ぎ
ないようにすることが極めて重要である。
より、その超砥粒ラップ定盤は、砥粒保持力に優れ、良
好な切れ味を長時間にわたって維持できるだけでなく、
ツルーイング性及びドレッシング性に優れたものとな
る。ツルーイングは、ワークキャリヤにダイヤモンド砥
粒を電着等により固着した、ダイヤモンドドレスキャリ
ヤを用いるのが最も高い精度の平面度が得られて適当で
あるが、結合度が硬めの在来砥石で研削する方法でも可
能である。ドレッシングは、結合度が柔らかめのもの
で、例えば、Ｇ又はＨのＷＡ砥石でワークを研削する方
法と同様にして行うことにより容易にできる。このドレ
ッシングの際には、ツルーイングにより得られた高い精
度の平面度を低下させないように、ドレッシングし過ぎ
ないようにすることが極めて重要である。
【００１７】ワーク一個当たりの加工面積が小さい場
合、又は、より高品位な平面もしくは鏡面と、チッピン
グを極力微小にしたいときは、リング・セグメント状超
砥粒層及びその間のペレットのすき間をその超砥粒の平
均粒径よりも小さい平均粒径のダイヤモンド、ＣＢＮ、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＷＣ−Ｃｏから選ばれた一種類以
上の硬質粒子を含有する、エポキシ樹脂又はフェノール
樹脂で埋めてツルーイングして超砥粒層と面一とする
か、又はさらにドレッシングして超砥粒層よりも２μｍ
〜１０μｍ後退させる。硬質粒子の含有率は５〜５０容
量％で良い結果が得られ、より好ましくは１０〜３０容
量％の範囲である。
合、又は、より高品位な平面もしくは鏡面と、チッピン
グを極力微小にしたいときは、リング・セグメント状超
砥粒層及びその間のペレットのすき間をその超砥粒の平
均粒径よりも小さい平均粒径のダイヤモンド、ＣＢＮ、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＷＣ−Ｃｏから選ばれた一種類以
上の硬質粒子を含有する、エポキシ樹脂又はフェノール
樹脂で埋めてツルーイングして超砥粒層と面一とする
か、又はさらにドレッシングして超砥粒層よりも２μｍ
〜１０μｍ後退させる。硬質粒子の含有率は５〜５０容
量％で良い結果が得られ、より好ましくは１０〜３０容
量％の範囲である。
【００１８】加工能率が重要視される場合には、上記樹
脂層の露出部に溝を形成することができ、この溝を、超
砥粒層の露出部に連なって形成すれば、チップポケット
の役割を果たし、切り粉の排出をスムーズにできる。溝
の深さは超砥粒層の深さよりも深くして、超砥粒層を使
いきるまで有効であるように形成しておくのが最も良い
が、最初は浅い溝を形成しておき、超砥粒層が摩耗した
ら溝を再び形成し直して深くしてもよい。溝幅はワーク
の大きさによって決定しなければならないが、１ｍｍ〜
５ｍｍの範囲である。溝の全体形状は、超砥粒ラップ定
盤の研削面に、同心円状、放射線状、碁盤目状及びこれ
らの組合せにて形成する。
脂層の露出部に溝を形成することができ、この溝を、超
砥粒層の露出部に連なって形成すれば、チップポケット
の役割を果たし、切り粉の排出をスムーズにできる。溝
の深さは超砥粒層の深さよりも深くして、超砥粒層を使
いきるまで有効であるように形成しておくのが最も良い
が、最初は浅い溝を形成しておき、超砥粒層が摩耗した
ら溝を再び形成し直して深くしてもよい。溝幅はワーク
の大きさによって決定しなければならないが、１ｍｍ〜
５ｍｍの範囲である。溝の全体形状は、超砥粒ラップ定
盤の研削面に、同心円状、放射線状、碁盤目状及びこれ
らの組合せにて形成する。
【００１９】
【実施例】図１に実施例の一構成、図２に他の構成を示
し、前者は、研削面の最外周及び最内周にリング状超砥
粒層３、４を形成したものであり、後者は、その超砥粒
層３、４をセグメント状（円弧片３ａ、４ａの集まり）
としたものである。その内外の超砥粒層３、４間には同
心円上に円状の超砥粒層からなるペレット２を設けた。
この構成において、以下の実施例１〜４を製作し、その
性能を調べた。
し、前者は、研削面の最外周及び最内周にリング状超砥
粒層３、４を形成したものであり、後者は、その超砥粒
層３、４をセグメント状（円弧片３ａ、４ａの集まり）
としたものである。その内外の超砥粒層３、４間には同
心円上に円状の超砥粒層からなるペレット２を設けた。
この構成において、以下の実施例１〜４を製作し、その
性能を調べた。
【００２０】なお、内外周縁の超砥粒層３、４の形状と
しては、図１において、最外周をセグメント状又は最内
周をセグメント状とし得る。図中、一部の超砥粒層（ペ
レット）２、３、４にのみ点を施して、超砥粒の存在を
示しているが、全てのものに、同様に超砥粒は存在する
ことは勿論である。
しては、図１において、最外周をセグメント状又は最内
周をセグメント状とし得る。図中、一部の超砥粒層（ペ
レット）２、３、４にのみ点を施して、超砥粒の存在を
示しているが、全てのものに、同様に超砥粒は存在する
ことは勿論である。
【００２１】（実施例１）銅：６５重量％、錫：３２重
量％、黒鉛：３重量％からなるボンド材とダイヤモンド
砥粒♯２００を集中度７５となるように混合し、リング
状およびペレット状（円板状、円柱状）に超砥粒層３、
４、２を成形し、これら２、３、４を鋳鉄製定盤本体１
に接着材又は半田付け等により固着して超砥粒ラップ定
盤Ｐを製作した。リング状外周超砥粒層３のサイズは、
Φ６００−５Ｗ−８Ｔ（Φ：径、Ｗ：幅、Ｔ：厚み、単
位：ｍｍ、以下同じ）、リング状内周超砥粒層４のサイ
ズは、Φ２３０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、
Φ１３−８Ｔである。
量％、黒鉛：３重量％からなるボンド材とダイヤモンド
砥粒♯２００を集中度７５となるように混合し、リング
状およびペレット状（円板状、円柱状）に超砥粒層３、
４、２を成形し、これら２、３、４を鋳鉄製定盤本体１
に接着材又は半田付け等により固着して超砥粒ラップ定
盤Ｐを製作した。リング状外周超砥粒層３のサイズは、
Φ６００−５Ｗ−８Ｔ（Φ：径、Ｗ：幅、Ｔ：厚み、単
位：ｍｍ、以下同じ）、リング状内周超砥粒層４のサイ
ズは、Φ２３０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、
Φ１３−８Ｔである。
【００２２】この超砥粒ラップ定盤Ｐを図３で示す両面
ラップ機（研削機）に取り付け、ダイヤモンドドレスキ
ャリヤでツルーイングして、超砥粒層２、３、４の平面
度を３μｍ以下とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングし
た後、超硬合金をラップ加工するとともに、従来のペレ
ット２を全面に固着した超砥粒ラップ定盤Ｐとの性能比
較によってこの発明の効果を確認した。すなわち、超砥
粒ラップ定盤Ｐの回転数が６５r.p.m 、ワークＷに対す
る加工圧力が０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったと
ころ、この実施例は加工速度が従来品の約４〜５倍、従
来品は加工途中でドレッシングを行う必要があったが、
実施例はドレッシングすることなしに加工を継続するこ
とができた。
ラップ機（研削機）に取り付け、ダイヤモンドドレスキ
ャリヤでツルーイングして、超砥粒層２、３、４の平面
度を３μｍ以下とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングし
た後、超硬合金をラップ加工するとともに、従来のペレ
ット２を全面に固着した超砥粒ラップ定盤Ｐとの性能比
較によってこの発明の効果を確認した。すなわち、超砥
粒ラップ定盤Ｐの回転数が６５r.p.m 、ワークＷに対す
る加工圧力が０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったと
ころ、この実施例は加工速度が従来品の約４〜５倍、従
来品は加工途中でドレッシングを行う必要があったが、
実施例はドレッシングすることなしに加工を継続するこ
とができた。
【００２３】（実施例２）銅：６０重量％、錫：３５重
量％、黒鉛：５重量％からなるボンド材とダイヤモンド
砥粒♯１４０を集中度７５となるように混合し、リング
状およびペレット状に超砥粒層３、４、２を成形し、こ
れら２、３、４を鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラ
ップ定盤Ｐを製作した。リング状外周超砥粒層３のサイ
ズは、Φ６００−５Ｗ−８Ｔ、Φ５８０−５Ｗ−８Ｔ、
リング状内周超砥粒層４のサイズは、Φ２３０−５Ｗ−
８Ｔ、Φ２５０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、
Φ１３−８Ｔである。
量％、黒鉛：５重量％からなるボンド材とダイヤモンド
砥粒♯１４０を集中度７５となるように混合し、リング
状およびペレット状に超砥粒層３、４、２を成形し、こ
れら２、３、４を鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラ
ップ定盤Ｐを製作した。リング状外周超砥粒層３のサイ
ズは、Φ６００−５Ｗ−８Ｔ、Φ５８０−５Ｗ−８Ｔ、
リング状内周超砥粒層４のサイズは、Φ２３０−５Ｗ−
８Ｔ、Φ２５０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、
Φ１３−８Ｔである。
【００２４】この超砥粒ラップ定盤Ｐを同様に両面ラッ
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、アルミナ
系セラミックスをラップ加工するとともに、従来のペレ
ット２を全面に固着した超砥粒ラップ定盤と性能比較に
よってこの発明の効果を確認した。すなわち、超砥粒ラ
ップ定盤の回転数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工
圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、この
実施例は加工速度が従来品の約５倍、従来品はドレッシ
ングを頻繁に行う必要があったが、実施例はドレッシン
グすることなしに加工を継続でき、チッピングも少なく
表面粗さも従来品と同等であった。
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、アルミナ
系セラミックスをラップ加工するとともに、従来のペレ
ット２を全面に固着した超砥粒ラップ定盤と性能比較に
よってこの発明の効果を確認した。すなわち、超砥粒ラ
ップ定盤の回転数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工
圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、この
実施例は加工速度が従来品の約５倍、従来品はドレッシ
ングを頻繁に行う必要があったが、実施例はドレッシン
グすることなしに加工を継続でき、チッピングも少なく
表面粗さも従来品と同等であった。
【００２５】（実施例３）銅：７０重量％、錫：３０重
量％、からなるボンド材とダイヤモンド砥粒♯４０００
を集中度５０となるように混合し、リング状およびペレ
ット状に超砥粒層３、４、２を成形し、これら２、３、
４を鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラップ定盤Ｐを
製作した。リング状外周超砥粒層３のサイズは、Φ６０
０−５Ｗ−８Ｔ、リング状内周超砥粒層４のサイズは、
Φ２３０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、Φ１３
−８Ｔである。
量％、からなるボンド材とダイヤモンド砥粒♯４０００
を集中度５０となるように混合し、リング状およびペレ
ット状に超砥粒層３、４、２を成形し、これら２、３、
４を鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラップ定盤Ｐを
製作した。リング状外周超砥粒層３のサイズは、Φ６０
０−５Ｗ−８Ｔ、リング状内周超砥粒層４のサイズは、
Φ２３０−５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、Φ１３
−８Ｔである。
【００２６】この超砥粒ラップ定盤Ｐを同様に両面ラッ
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、ガラスを
ラップ加工するとともに、従来のペレット２を全面に固
着した超砥粒ラップ定盤と性能比較によってこの発明の
効果を確認した。すなわち、超砥粒ラップ定盤Ｐの回転
数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工圧力が１ｋｇｆ
／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、この実施例は加工速
度が従来品の約４倍、従来品はドレッシングを頻繁に行
う必要があったが、実施例はドレッシングすることなし
に加工を継続でき、チッピングも少なく表面粗さも従来
品と同等であった。
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、ガラスを
ラップ加工するとともに、従来のペレット２を全面に固
着した超砥粒ラップ定盤と性能比較によってこの発明の
効果を確認した。すなわち、超砥粒ラップ定盤Ｐの回転
数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工圧力が１ｋｇｆ
／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、この実施例は加工速
度が従来品の約４倍、従来品はドレッシングを頻繁に行
う必要があったが、実施例はドレッシングすることなし
に加工を継続でき、チッピングも少なく表面粗さも従来
品と同等であった。
【００２７】（実施例４）銅：７０重量％、錫：３０重
量％からなるボンド材とダイヤモンド砥粒♯１５００を
集中度５０となるように混合し、円弧状（セグメント
状）およびペレット状に超砥粒層３、４、２を成形し、
これらを鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラップ定盤
を製作した。円弧状外周超砥粒層３のサイズは、Ｒ３０
０−Ｒ２９０−５Ｗ−８Ｔ（Ｒ：曲率、以下同じ）、円
弧状内周超砥粒層４のサイズは、Ｒ１１５−Ｒ１１０−
５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、Φ１３−８Ｔで、
超砥粒層片３ａ、４ｂ及びペレット２の隙間をＡｌ2 Ｏ
3 粉末を含むエポキシ樹脂５で超砥粒層２、３、４と面
一とした。
量％からなるボンド材とダイヤモンド砥粒♯１５００を
集中度５０となるように混合し、円弧状（セグメント
状）およびペレット状に超砥粒層３、４、２を成形し、
これらを鋳鉄製定盤本体１に固着して超砥粒ラップ定盤
を製作した。円弧状外周超砥粒層３のサイズは、Ｒ３０
０−Ｒ２９０−５Ｗ−８Ｔ（Ｒ：曲率、以下同じ）、円
弧状内周超砥粒層４のサイズは、Ｒ１１５−Ｒ１１０−
５Ｗ−８Ｔ、ペレット２のサイズは、Φ１３−８Ｔで、
超砥粒層片３ａ、４ｂ及びペレット２の隙間をＡｌ2 Ｏ
3 粉末を含むエポキシ樹脂５で超砥粒層２、３、４と面
一とした。
【００２８】この超砥粒ラップ定盤Ｐを同様に両面ラッ
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、ガラスを
ラップ加工するとともに、従来のペレット２を全面に固
着した超砥粒ラップ定盤と性能比較によってこの実施例
の効果を確認した。すなわち、超砥粒ラップ定盤Ｐの回
転数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工圧力が１ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、実施例は加工速度
が従来品の約４倍、従来品はドレッシングを頻繁に行う
必要があったが、実施例はドレッシングすることなしに
加工を継続でき、チッピングも少なく表面粗さも従来品
と同等であった。
プ機に取り付け、ダイヤモンドドレスキャリヤでツルー
イングして、超砥粒層２、３、４の平面度を３μｍ以下
とし、ＧＣ角砥石によりドレッシングした後、ガラスを
ラップ加工するとともに、従来のペレット２を全面に固
着した超砥粒ラップ定盤と性能比較によってこの実施例
の効果を確認した。すなわち、超砥粒ラップ定盤Ｐの回
転数が７０r.p.m 、ワークＷに対する加工圧力が１ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 にて加工を行ったところ、実施例は加工速度
が従来品の約４倍、従来品はドレッシングを頻繁に行う
必要があったが、実施例はドレッシングすることなしに
加工を継続でき、チッピングも少なく表面粗さも従来品
と同等であった。
【００２９】上記実施例（実験例）は超砥粒層の固着密
度を高めたものであったが、内外周の超砥粒層の砥粒集
中度を高めたものにおいても、同様な効果を得ることが
できた。
度を高めたものであったが、内外周の超砥粒層の砥粒集
中度を高めたものにおいても、同様な効果を得ることが
できた。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、研削面の最外周縁、最内周
縁の超砥粒層の固着密度又は砥粒集中度を高めたので、
偏摩耗が抑制されて、チッピングが少なく、また、ワー
クの安定性が向上し、極めて良好な平面加工及び鏡面加
工を行うことができる。
縁の超砥粒層の固着密度又は砥粒集中度を高めたので、
偏摩耗が抑制されて、チッピングが少なく、また、ワー
クの安定性が向上し、極めて良好な平面加工及び鏡面加
工を行うことができる。
【図１】一実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は切
断正面図
断正面図
【図２】他の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は
切断正面図
切断正面図
【図３】超砥粒ラップ定盤研削機の要部斜視図
１ 定盤本体 ２ 超砥粒層ペレット ３ 最外周縁超砥粒層 ３ａ 円弧状超砥粒層片 ４ 最内周縁超砥粒層 ４ａ 円弧状超砥粒層片 ５ 樹脂層 Ｃ ワークキャリア Ｐ 超砥粒ラップ定盤 Ｗ ワーク
Claims (2)
- 【請求項１】 定盤本体１の表面に、超砥粒をボンド材
で結合した超砥粒層２、３、４を所望のパターンで同一
高さに固着し、その超砥粒層を固着した研削面上に、自
転しながら公転するワークキャリアＣでワークＷを保持
して摺接させて研削する超砥粒ラップ定盤Ｐにおいて、 上記超砥粒層を設けた研削面の内外周縁の少なくとも一
方の超砥粒層の固着密度、又は超砥粒層の砥粒集中度を
その内外周縁で囲まれた部分より高くしたことを特徴と
する超砥粒ラップ定盤。 - 【請求項２】 請求項１に記載の超砥粒ラップ定盤にお
いて、上記研削面の最外周及び最内周の少なくとも一方
に、全周に亘る超砥粒をボンド材で結合させたリング状
超砥粒層３、４、又はそのリング状超砥粒層を周方向の
所要間隔で欠如させたセグメント状超砥粒層３、４を形
成して、上記超砥粒層の固着密度をその内外周縁で囲ま
れた部分より高くしたことを特徴とする超砥粒ラップ定
盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33406997A JPH11165254A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 超砥粒ラップ定盤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33406997A JPH11165254A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 超砥粒ラップ定盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11165254A true JPH11165254A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18273172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33406997A Pending JPH11165254A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 超砥粒ラップ定盤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11165254A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564558B1 (ko) * | 1999-10-11 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 표면을 연마하는데 사용되는 연마 패드 |
| JP2008246615A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Noritake Super Abrasive:Kk | 電着ホイール |
| EP2127806A3 (en) * | 2008-05-28 | 2010-03-24 | Sumco Corporation | Method of grinding semiconductor wafers, grinding surface plate, and grinding device |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33406997A patent/JPH11165254A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564558B1 (ko) * | 1999-10-11 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 표면을 연마하는데 사용되는 연마 패드 |
| JP2008246615A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Noritake Super Abrasive:Kk | 電着ホイール |
| JP4610575B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-01-12 | 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ | 電着ホイール |
| EP2127806A3 (en) * | 2008-05-28 | 2010-03-24 | Sumco Corporation | Method of grinding semiconductor wafers, grinding surface plate, and grinding device |
| US8092277B2 (en) | 2008-05-28 | 2012-01-10 | Sumco Corporation | Method of grinding semiconductor wafers, grinding surface plate, and grinding device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5060424A (en) | Surface grinding apparatus | |
| JP3791610B2 (ja) | 鏡面加工用超砥粒ホイール | |
| CN102170999A (zh) | 球状体的研磨装置、研磨方法及球状构件制造方法 | |
| JP2017170554A (ja) | ラップ盤用低圧加工ビトリファイド砥石とそれを用いた研磨加工方法 | |
| JP3050379B2 (ja) | ダイヤモンドラップ定盤 | |
| JP3167097B2 (ja) | 両面砥石ラッピング装置 | |
| JP2000153453A (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
| JPH11165254A (ja) | 超砥粒ラップ定盤 | |
| JP2000024934A (ja) | 鏡面加工用超砥粒砥石 | |
| JP2006218577A (ja) | 研磨布用ドレッサー | |
| JP2005088153A (ja) | ダイヤモンドラップ定盤による硬脆材料の平面研削加工法 | |
| JP2000301468A (ja) | 研削用砥石及び縦軸研削用砥石 | |
| JP2004243465A (ja) | ダイヤモンドラップ定盤 | |
| JP2003039334A (ja) | 平面ホーニング加工用超砥粒ホイール及びそのドレス方法ならびに同ホイールを使用する研削装置 | |
| JP2003225866A (ja) | 薄板加工用メタルボンドダイヤモンドラップ定盤 | |
| JP2010250893A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び固定砥粒ツールの表面修正方法 | |
| JP2000190199A (ja) | 定盤平面修正方法 | |
| JPH04269175A (ja) | 研磨ディスク及びその製造方法 | |
| JPH1058331A (ja) | ラッピング用超砥粒ホイール | |
| JP2005271157A (ja) | ラップホイール | |
| JP2000084856A (ja) | 弾性体を介して超砥粒層を設けた鏡面加工用超砥粒砥石 | |
| JP2000084834A (ja) | 研削加工用キャリア | |
| JP2003117823A (ja) | 研磨パッド用ドレッサ | |
| JP2005238413A (ja) | ラップ盤用回転定盤 | |
| JPH11188642A (ja) | ディスク状研削ホイール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040727 |