JP2000153453A - ガラス基板の研磨方法 - Google Patents
ガラス基板の研磨方法Info
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- JP2000153453A JP2000153453A JP32973098A JP32973098A JP2000153453A JP 2000153453 A JP2000153453 A JP 2000153453A JP 32973098 A JP32973098 A JP 32973098A JP 32973098 A JP32973098 A JP 32973098A JP 2000153453 A JP2000153453 A JP 2000153453A
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- Japan
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- glass substrate
- polishing
- thickness
- abrasive grains
- flatness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の厚み加工を１工程に短縮するこ
とにより、原材料費、加工設備費、加工消耗材料費、加
工時間等の大幅な節減を可能とするガラス基板の研磨方
法を提供する。 【解決手段】 固定砥粒で形成された上定盤１１及び下
定盤１２との間にキャリア１３により保持されたガラス
基板１５を挟み込み、上下定盤１１，１２により圧力と
回転運動を加えて、ガラス基板１５の両面を研磨するガ
ラス基板の研磨方法である。研磨されたガラス基板１５
の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ（Ｒａ）を０．
０００５〜０．０５μｍにする。
とにより、原材料費、加工設備費、加工消耗材料費、加
工時間等の大幅な節減を可能とするガラス基板の研磨方
法を提供する。 【解決手段】 固定砥粒で形成された上定盤１１及び下
定盤１２との間にキャリア１３により保持されたガラス
基板１５を挟み込み、上下定盤１１，１２により圧力と
回転運動を加えて、ガラス基板１５の両面を研磨するガ
ラス基板の研磨方法である。研磨されたガラス基板１５
の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ（Ｒａ）を０．
０００５〜０．０５μｍにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、主にコンピュー
タの情報記録媒体として使用されるハードディスク用の
ガラス基板の研磨方法に関する。
タの情報記録媒体として使用されるハードディスク用の
ガラス基板の研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 近年、コンピュータの普及が急激に進
み、コンピュータの操作性を左右するオペレーションシ
ステム等のＯＳソフトや、ＯＳ上で作動する種々のプロ
グラムソフト等のソフトウエアが高容量化する傾向にあ
り、更に、これらのプログラムを用いて作成されるデー
タも、高容量化する傾向にある。
み、コンピュータの操作性を左右するオペレーションシ
ステム等のＯＳソフトや、ＯＳ上で作動する種々のプロ
グラムソフト等のソフトウエアが高容量化する傾向にあ
り、更に、これらのプログラムを用いて作成されるデー
タも、高容量化する傾向にある。
【０００３】 これに伴い、このような大量の情報を高
速に記録／読出することのできる情報記録媒体としての
ハードディスクの開発においては、従来のアルミニウム
金属を用いた基板に変えて、硬度や平滑性に優れるガラ
ス基板、特に結晶化ガラスを用いたガラス基板を用いる
動きが活発になっている。
速に記録／読出することのできる情報記録媒体としての
ハードディスクの開発においては、従来のアルミニウム
金属を用いた基板に変えて、硬度や平滑性に優れるガラ
ス基板、特に結晶化ガラスを用いたガラス基板を用いる
動きが活発になっている。
【０００４】 上記のようなガラス基板を作製する場
合、通常、ガラス基板の厚み精度、高い平坦度を得るた
めに、粗ラッピング、精ラッピング、一次ポリッシング
（粗ポリッシング）の３工程の厚み加工が行われてき
た。しかしながら、ガラス基板の反りやねじれを修正し
ようとすると、加工負荷による変形を防止するため、ガ
ラス基板（ブランク）に十分な厚みが必要であるととも
に、ラッピングにより生じる局部的な砂目（ピット）を
完全に除去するため、ポリッシングによる取り代が少な
くとも５０〜６０μｍ必要であった。このため、製品た
るガラス基板（サブストレート）の肉厚にするために
は、ガラス基板の取り代が多くなり、長い加工時間が必
要であった。
合、通常、ガラス基板の厚み精度、高い平坦度を得るた
めに、粗ラッピング、精ラッピング、一次ポリッシング
（粗ポリッシング）の３工程の厚み加工が行われてき
た。しかしながら、ガラス基板の反りやねじれを修正し
ようとすると、加工負荷による変形を防止するため、ガ
ラス基板（ブランク）に十分な厚みが必要であるととも
に、ラッピングにより生じる局部的な砂目（ピット）を
完全に除去するため、ポリッシングによる取り代が少な
くとも５０〜６０μｍ必要であった。このため、製品た
るガラス基板（サブストレート）の肉厚にするために
は、ガラス基板の取り代が多くなり、長い加工時間が必
要であった。
【０００５】 そこで、本出願人は、予め反りの無いガ
ラス基板（ブランク）を用い、ラッピング工程のかわり
に研削工程を行う方法を開発、提案した。これにより、
厚み加工でガラス基板の平面度を得る必要がないため、
ガラス基板の肉厚を極限まで薄くできるとともに、ガラ
ス基板の厚み加工も効率良く行うことができる。しかし
ながら、ガラス基板の厚み加工の工程数（粗研削、精研
削、粗ポリッシング）には変化がないため、加工工程の
短縮及び効率化が十分であるとはいえなかった。
ラス基板（ブランク）を用い、ラッピング工程のかわり
に研削工程を行う方法を開発、提案した。これにより、
厚み加工でガラス基板の平面度を得る必要がないため、
ガラス基板の肉厚を極限まで薄くできるとともに、ガラ
ス基板の厚み加工も効率良く行うことができる。しかし
ながら、ガラス基板の厚み加工の工程数（粗研削、精研
削、粗ポリッシング）には変化がないため、加工工程の
短縮及び効率化が十分であるとはいえなかった。
【０００６】 これを解消するためには、厚み加工を１
つの工程で行うことが好ましいが、反りを有したガラス
基板（ブランク）を用いた場合、二次ポリッシング（精
ポリッシング）前のガラス基板の品質にするためには、
少なくとも３時間以上必要であり、現実的ではなかっ
た。
つの工程で行うことが好ましいが、反りを有したガラス
基板（ブランク）を用いた場合、二次ポリッシング（精
ポリッシング）前のガラス基板の品質にするためには、
少なくとも３時間以上必要であり、現実的ではなかっ
た。
【０００７】 一方、反りの無いガラス基板（ブラン
ク）を用いた場合、ウレタンパットと酸化セリウムによ
るポリッシングは、二次ポリッシング前のガラス基板に
必要な平面度及び表面粗さ（Ｒａ）を得ることができる
が、微小うねり及びロールオフ（ガラス基板の内外径部
の形状）の品質を達成することができなかった。また、
ガラス基板を片面ずつ研削するロータリー平面研削は、
二次ポリッシング前のガラス基板に必要な微小うねり、
ロールオフだけでなく、表面粗さ（Ｒａ）も得ることが
できなかった。更に、ガラス基板の両面を同時に研削す
るダイヤモンドペレット研削は、二次ポリッシング前の
ガラス基板に必要な平面度、微小うねり、ロールオフを
得ることができるが、ダイヤモンド砥粒の分級精度とノ
ンドレス加工を維持するため、表面粗さ（Ｒａ）を０．
２μｍにすることが限界であり、二次ポリッシング前の
ガラス基板の表面粗さ（Ｒａ）の規格である０．０５μ
ｍ以下にすることができなかった。
ク）を用いた場合、ウレタンパットと酸化セリウムによ
るポリッシングは、二次ポリッシング前のガラス基板に
必要な平面度及び表面粗さ（Ｒａ）を得ることができる
が、微小うねり及びロールオフ（ガラス基板の内外径部
の形状）の品質を達成することができなかった。また、
ガラス基板を片面ずつ研削するロータリー平面研削は、
二次ポリッシング前のガラス基板に必要な微小うねり、
ロールオフだけでなく、表面粗さ（Ｒａ）も得ることが
できなかった。更に、ガラス基板の両面を同時に研削す
るダイヤモンドペレット研削は、二次ポリッシング前の
ガラス基板に必要な平面度、微小うねり、ロールオフを
得ることができるが、ダイヤモンド砥粒の分級精度とノ
ンドレス加工を維持するため、表面粗さ（Ｒａ）を０．
２μｍにすることが限界であり、二次ポリッシング前の
ガラス基板の表面粗さ（Ｒａ）の規格である０．０５μ
ｍ以下にすることができなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、このよう
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、ガラス基板の厚み加工を１工
程に短縮することができるため、原材料費、加工設備
費、加工消耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能と
なり、結果として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減
することができるガラス基板の研磨方法を提供するもの
である。
な従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、ガラス基板の厚み加工を１工
程に短縮することができるため、原材料費、加工設備
費、加工消耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能と
なり、結果として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減
することができるガラス基板の研磨方法を提供するもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、固定砥粒で形成された上定盤及び下定盤との間に
キャリアにより保持されたガラス基板を挟み込み、上下
定盤により圧力と回転運動を加えて、前記ガラス基板の
両面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨さ
れたガラス基板の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ
（Ｒａ）を０．０００５〜０．０５μｍにすることを特
徴とするガラス基板の研磨方法が提供される。
れば、固定砥粒で形成された上定盤及び下定盤との間に
キャリアにより保持されたガラス基板を挟み込み、上下
定盤により圧力と回転運動を加えて、前記ガラス基板の
両面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨さ
れたガラス基板の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ
（Ｒａ）を０．０００５〜０．０５μｍにすることを特
徴とするガラス基板の研磨方法が提供される。
【００１０】 また、本発明においては、固定砥粒が、
酸化セリウム、酸化マンガン、酸化アルミニウム、窒化
珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムからなる群より選択
した１又は２以上の砥粒を含有した弾性砥石であること
が好ましく、固定砥粒に用いる砥粒の平均粒子径が１．
０〜８．０μｍであることが好ましい。更に、本発明に
おいては、ガラス基板が研磨中に自転、公転することが
好ましい。
酸化セリウム、酸化マンガン、酸化アルミニウム、窒化
珪素、炭化珪素、酸化ジルコニウムからなる群より選択
した１又は２以上の砥粒を含有した弾性砥石であること
が好ましく、固定砥粒に用いる砥粒の平均粒子径が１．
０〜８．０μｍであることが好ましい。更に、本発明に
おいては、ガラス基板が研磨中に自転、公転することが
好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】 本発明のガラス基板の研磨方法
は、固定砥粒で形成された上定盤及び下定盤との間にキ
ャリアにより保持されたガラス基板を挟み込み、上下定
盤により圧力と回転運動を加えて、前記ガラス基板の両
面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨され
たガラス基板の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ
（Ｒａ）を０．０００５〜０．０５μｍにするものであ
る。これにより、ガラス基板の厚み加工を１工程に短縮
することができるため、原材料費、加工設備費、加工消
耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能となり、結果
として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減することが
できる。
は、固定砥粒で形成された上定盤及び下定盤との間にキ
ャリアにより保持されたガラス基板を挟み込み、上下定
盤により圧力と回転運動を加えて、前記ガラス基板の両
面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、研磨され
たガラス基板の平面度を１０μｍ以下、且つ表面粗さ
（Ｒａ）を０．０００５〜０．０５μｍにするものであ
る。これにより、ガラス基板の厚み加工を１工程に短縮
することができるため、原材料費、加工設備費、加工消
耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能となり、結果
として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減することが
できる。
【００１２】 以下、図面に基づき本発明を詳細に説明
する。図１は、本発明で用いる研削加工装置の一例を示
す概略説明図である。まず、図１〜２に示す研削加工装
置は、固定砥粒により形成された上定盤１１と、この上
定盤１１に対向するように配置され、モータ（図示せ
ず）等により回転駆動される固定砥粒により形成された
下定盤１２と、これら上下定盤１１，１２の間に挟み込
まれる円盤形状のキャリア１３と、切り屑や砥粒の排除
と研削熱の発生を抑制するための研削液を供給する研削
液供給手段１４とを有し、主に上定盤１１の自重により
圧力Ｆが加えられるようになっている。また、図２に示
すように、キャリア１３には、複数個（図２では４個）
の保持孔１３ａが形成されており、被研削材であるガラ
ス基板１５は、前記保持孔１３ａに保持された状態で、
上下定盤１１，１２の間に挟み込まれる。
する。図１は、本発明で用いる研削加工装置の一例を示
す概略説明図である。まず、図１〜２に示す研削加工装
置は、固定砥粒により形成された上定盤１１と、この上
定盤１１に対向するように配置され、モータ（図示せ
ず）等により回転駆動される固定砥粒により形成された
下定盤１２と、これら上下定盤１１，１２の間に挟み込
まれる円盤形状のキャリア１３と、切り屑や砥粒の排除
と研削熱の発生を抑制するための研削液を供給する研削
液供給手段１４とを有し、主に上定盤１１の自重により
圧力Ｆが加えられるようになっている。また、図２に示
すように、キャリア１３には、複数個（図２では４個）
の保持孔１３ａが形成されており、被研削材であるガラ
ス基板１５は、前記保持孔１３ａに保持された状態で、
上下定盤１１，１２の間に挟み込まれる。
【００１３】 下定盤１２と独立して回転駆動されるサ
ンギヤ１６は、上下定盤１１，１２の中央部に設けられ
ており、キャリア外周のギヤ１３ｃが噛み合っている。
また、キャリア外周のギヤ１３ｃは、下定盤１２の周辺
に別個配置したインターナルギヤ１７にも噛み合ってい
る。このようなサンギヤ１６、インターナルギヤ１７等
からなるキャリア回転手段によりキャリア１３を回転さ
せると、上下定盤１１，１２およびキャリア１３の回転
運動に従って、上下定盤１１，１２との間で相対的な遊
星回転運動が生じ、被研削材であるガラス基板１５は、
上下定盤１１，１２全面を覆う遊星軌道を描いて移動す
る。尚、キャリアの保持孔１３ａ内におけるガラス基板
１５は、キャリア１３の回転方向に対してスムーズなつ
れ周り（自転、公転）をすることが、ガラス基板１５の
外周部の損傷を大幅に抑制することができるため好まし
い。
ンギヤ１６は、上下定盤１１，１２の中央部に設けられ
ており、キャリア外周のギヤ１３ｃが噛み合っている。
また、キャリア外周のギヤ１３ｃは、下定盤１２の周辺
に別個配置したインターナルギヤ１７にも噛み合ってい
る。このようなサンギヤ１６、インターナルギヤ１７等
からなるキャリア回転手段によりキャリア１３を回転さ
せると、上下定盤１１，１２およびキャリア１３の回転
運動に従って、上下定盤１１，１２との間で相対的な遊
星回転運動が生じ、被研削材であるガラス基板１５は、
上下定盤１１，１２全面を覆う遊星軌道を描いて移動す
る。尚、キャリアの保持孔１３ａ内におけるガラス基板
１５は、キャリア１３の回転方向に対してスムーズなつ
れ周り（自転、公転）をすることが、ガラス基板１５の
外周部の損傷を大幅に抑制することができるため好まし
い。
【００１４】 ここで、本発明の研磨方法の主な特徴
は、上下定盤１１，１２を形成する固定砥粒として、酸
化セリウム、酸化マンガン、酸化アルミニウム、窒化珪
素、炭化珪素、酸化ジルコニウムからなる群より選択し
た１又は２以上の砥粒を含有する弾性砥石を用いる点に
ある。これにより、反りの無いガラス基板（ブランク）
を用いた場合、上記に示す研削加工の１工程のみで、二
次ポリッシング（精ポリッシング）前のガラス基板の平
面度、表面粗さ、微小うねり、ロールオフ等の品質を得
ることができる。
は、上下定盤１１，１２を形成する固定砥粒として、酸
化セリウム、酸化マンガン、酸化アルミニウム、窒化珪
素、炭化珪素、酸化ジルコニウムからなる群より選択し
た１又は２以上の砥粒を含有する弾性砥石を用いる点に
ある。これにより、反りの無いガラス基板（ブランク）
を用いた場合、上記に示す研削加工の１工程のみで、二
次ポリッシング（精ポリッシング）前のガラス基板の平
面度、表面粗さ、微小うねり、ロールオフ等の品質を得
ることができる。
【００１５】 また、本発明では、上記固定砥粒に用い
る砥粒の平均粒子径が、１．０〜８．０μｍであること
が好ましい。これは、ガラス基板の表面粗さ（Ｒａ）を
０．０００５〜０．０５μｍの範囲で自由に選択するこ
とができるからである。
る砥粒の平均粒子径が、１．０〜８．０μｍであること
が好ましい。これは、ガラス基板の表面粗さ（Ｒａ）を
０．０００５〜０．０５μｍの範囲で自由に選択するこ
とができるからである。
【００１６】 更に、本発明では、固定砥粒として弾性
砥石を用いることにより、砥粒切込が均一化され、研磨
面に深い傷をつけることなく、ガラス基板の凹凸面にも
よくなじむため、すぐれた仕上げ面（鏡面仕上げ）と加
工精度が得られるとともに、研削熱の発生や目詰りを抑
制することができるため、安定した長時間の連続研磨が
できる。
砥石を用いることにより、砥粒切込が均一化され、研磨
面に深い傷をつけることなく、ガラス基板の凹凸面にも
よくなじむため、すぐれた仕上げ面（鏡面仕上げ）と加
工精度が得られるとともに、研削熱の発生や目詰りを抑
制することができるため、安定した長時間の連続研磨が
できる。
【００１７】
【実施例】 以下、本発明の実施例を示すが、本発明は
これに限定されるものではない。ここで、二次ポリッシ
ング（精ポリッシング）前のガラス基板の規格は、以下
に示す通りである。 平面度：１０μｍ以下 表面粗さ（Ｒａ）：０．０５μｍ以下 微小うねり：０．０５μｍ以下［４ｍｍの距離におい
て］ ロールオフ：＋０．０５〜−０．１μｍ
これに限定されるものではない。ここで、二次ポリッシ
ング（精ポリッシング）前のガラス基板の規格は、以下
に示す通りである。 平面度：１０μｍ以下 表面粗さ（Ｒａ）：０．０５μｍ以下 微小うねり：０．０５μｍ以下［４ｍｍの距離におい
て］ ロールオフ：＋０．０５〜−０．１μｍ
【００１８】（実施例１）平均粒子径１．０μｍの酸化
セリウムにポリエステルを結合剤として所定の温度でホ
ットプレス成形した弾性砥石を鋳鉄定盤に貼り付けたも
のを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用い
て、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工した
ガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表１に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
セリウムにポリエステルを結合剤として所定の温度でホ
ットプレス成形した弾性砥石を鋳鉄定盤に貼り付けたも
のを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用い
て、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工した
ガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表１に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】（実施例２）平均粒子径８．０μｍの炭化
珪素７０％と平均粒子径３．０μｍの酸化セリウム３０
％の混合砥粒にポリエステルを結合剤として所定の温度
でホットプレス成形した弾性砥石を鋳鉄定盤に貼り付け
たものを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用
いて、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工し
たガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表２に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
珪素７０％と平均粒子径３．０μｍの酸化セリウム３０
％の混合砥粒にポリエステルを結合剤として所定の温度
でホットプレス成形した弾性砥石を鋳鉄定盤に貼り付け
たものを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用
いて、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工し
たガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表２に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】（比較例１）ポリウレタンに酸化セリウム
を含浸させたパットを鋳鉄定盤に貼り付けたものを上下
定盤とした。ポリッシング装置を用いて、酸化セリウム
スラリーを流しながら、反りの無い（平面度：５μｍ未
満）内外径加工したガラス基板（厚さ：０．７００ｍ
ｍ、内径２０．０ｍｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが
０．６４０ｍｍになるまで、表５に示す条件でポリッシ
ングを行った。その結果を表６に示す。
を含浸させたパットを鋳鉄定盤に貼り付けたものを上下
定盤とした。ポリッシング装置を用いて、酸化セリウム
スラリーを流しながら、反りの無い（平面度：５μｍ未
満）内外径加工したガラス基板（厚さ：０．７００ｍ
ｍ、内径２０．０ｍｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが
０．６４０ｍｍになるまで、表５に示す条件でポリッシ
ングを行った。その結果を表６に示す。
【００２３】（比較例２）ダイヤモンドペレット（＃１
５００）を鋳鉄定盤に所定の隙間を開けて貼り付けたも
のを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用い
て、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工した
ガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表４に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
５００）を鋳鉄定盤に所定の隙間を開けて貼り付けたも
のを上下定盤とした。図１に示す研削加工装置を用い
て、反りの無い（平面度：５μｍ未満）内外径加工した
ガラス基板（厚さ：０．７００ｍｍ、内径２０．０ｍ
ｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６４０ｍｍにな
るまで、表４に示す条件で研削加工を行った。その結果
を表６に示す。
【００２４】（比較例３）ダイヤモンドペレットを鋳鉄
定盤に所定の隙間を開けて貼り付けたものを上下定盤と
した。図１に示す研削加工装置を用いて、反りのあるガ
ラス基板（厚さ：１．３０ｍｍ、内径１９．０ｍｍ、外
径６６．０ｍｍφ）の厚さが０．８６０ｍｍになるま
で、表３に示す条件で粗研削を行った後、内外径のチャ
ンファリング加工及びエッジポリッシュを行った。次い
で、上記ガラス基板（厚さ：０．８６０ｍｍ、内径２
０．０ｍｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６９０
ｍｍになるまで、表４に示す条件で精研削を行った。最
後に、上記ガラス基板の厚さが０．６４０ｍｍになるま
で、表５に示す条件で一次ポリッシング（粗ポリッシン
グ）を行った。以上の結果を表６に示す。
定盤に所定の隙間を開けて貼り付けたものを上下定盤と
した。図１に示す研削加工装置を用いて、反りのあるガ
ラス基板（厚さ：１．３０ｍｍ、内径１９．０ｍｍ、外
径６６．０ｍｍφ）の厚さが０．８６０ｍｍになるま
で、表３に示す条件で粗研削を行った後、内外径のチャ
ンファリング加工及びエッジポリッシュを行った。次い
で、上記ガラス基板（厚さ：０．８６０ｍｍ、内径２
０．０ｍｍ、外径６５．０ｍｍφ）の厚さが０．６９０
ｍｍになるまで、表４に示す条件で精研削を行った。最
後に、上記ガラス基板の厚さが０．６４０ｍｍになるま
で、表５に示す条件で一次ポリッシング（粗ポリッシン
グ）を行った。以上の結果を表６に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】
【表５】
【００２８】
【表６】
【００２９】（考察：実施例１〜２、比較例１〜３）表
６の結果から、実施例１〜２は、二次ポリッシング（精
ポリッシング）後の製品たるガラス基板の規格を十分に
満足することができるだけでなく、厚み加工時における
ガラス基板の取り代や加工時間を大幅に低減することが
できた。一方、比較例１は、二次ポリッシング前のガラ
ス基板に必要な平面度及び表面粗さ（Ｒａ）を得ること
ができるが、上下定盤に貼り付けたパットが柔らかすぎ
るため、加工前のガラス基板の形状に沿ってポリッシン
グされてしまい、微小うねり及びロールオフの品質を達
成することができなかった。また、比較例２は、ガラス
基板の平面度、微小うねり、ロールオフの品質を得るこ
とができるが、ダイヤモンド砥粒の分級精度とノンドレ
ス加工を維持するため、表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ
にすることが限界であり、二次ポリッシング前のガラス
基板の表面粗さ（Ｒａ）の規格である０．０５μｍ以下
にすることができなかった。更に、比較例３は、二次ポ
リッシング前のガラス基板の規格を十分に満足すること
ができるが、ガラス基板の厚み加工を行うために３工程
を要するため、加工工程の短縮及び効率化が十分である
とはいえなかった。
６の結果から、実施例１〜２は、二次ポリッシング（精
ポリッシング）後の製品たるガラス基板の規格を十分に
満足することができるだけでなく、厚み加工時における
ガラス基板の取り代や加工時間を大幅に低減することが
できた。一方、比較例１は、二次ポリッシング前のガラ
ス基板に必要な平面度及び表面粗さ（Ｒａ）を得ること
ができるが、上下定盤に貼り付けたパットが柔らかすぎ
るため、加工前のガラス基板の形状に沿ってポリッシン
グされてしまい、微小うねり及びロールオフの品質を達
成することができなかった。また、比較例２は、ガラス
基板の平面度、微小うねり、ロールオフの品質を得るこ
とができるが、ダイヤモンド砥粒の分級精度とノンドレ
ス加工を維持するため、表面粗さ（Ｒａ）を０．２μｍ
にすることが限界であり、二次ポリッシング前のガラス
基板の表面粗さ（Ｒａ）の規格である０．０５μｍ以下
にすることができなかった。更に、比較例３は、二次ポ
リッシング前のガラス基板の規格を十分に満足すること
ができるが、ガラス基板の厚み加工を行うために３工程
を要するため、加工工程の短縮及び効率化が十分である
とはいえなかった。
【００３０】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明のガラス
基板の研磨方法によれば、ガラス基板の厚み加工を１工
程に短縮することができるため、原材料費、加工設備
費、加工消耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能と
なり、結果として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減
することができる。
基板の研磨方法によれば、ガラス基板の厚み加工を１工
程に短縮することができるため、原材料費、加工設備
費、加工消耗材料費、加工時間等の大幅な節減が可能と
なり、結果として、ガラス基板の製品価格を大幅に低減
することができる。
【図１】 本発明で用いる研削加工装置の一例を示す概
略説明図である。
略説明図である。
【図２】 図１に示す上定盤、下定盤およびキャリア等
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
１１…上定盤、１２…下定盤、１３…キャリア、１３ａ
…保持孔、１３ｂ…面取部、１３ｃ…キャリア外周のギ
ヤ、１４…研削液供給手段、１５…ガラス基板、１６…
サンギヤ、１７…インターナルギヤ。
…保持孔、１３ｂ…面取部、１３ｃ…キャリア外周のギ
ヤ、１４…研削液供給手段、１５…ガラス基板、１６…
サンギヤ、１７…インターナルギヤ。
Claims (4)
- 【請求項１】 固定砥粒で形成された上定盤及び下定盤
との間にキャリアにより保持されたガラス基板を挟み込
み、上下定盤により圧力と回転運動を加えて、前記ガラ
ス基板の両面を研磨するガラス基板の研磨方法であっ
て、 研磨されたガラス基板の平面度を１０μｍ以下、且つ表
面粗さ（Ｒａ）を０．０００５〜０．０５μｍにするこ
とを特徴とするガラス基板の研磨方法。 - 【請求項２】 固定砥粒が、酸化セリウム、酸化マンガ
ン、酸化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、酸化ジル
コニウムからなる群より選択した１又は２以上の砥粒を
含有した弾性砥石である請求項１に記載のガラス基板の
研磨方法。 - 【請求項３】 固定砥粒に用いる砥粒の平均粒子径が、
１．０〜８．０μｍである請求項１又は２に記載のガラ
ス基板の研磨方法。 - 【請求項４】 ガラス基板が、研磨中に自転、公転する
請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス基板の研磨
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32973098A JP2000153453A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ガラス基板の研磨方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32973098A JP2000153453A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ガラス基板の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000153453A true JP2000153453A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18224643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32973098A Withdrawn JP2000153453A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | ガラス基板の研磨方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN1254633A (ja) |
| SG (1) | SG81327A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-11-11 SG SG9905623A patent/SG81327A1/en unknown
- 1999-11-19 CN CN 99124462 patent/CN1254633A/zh active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1254633A (zh) | 2000-05-31 |
| SG81327A1 (en) | 2001-06-19 |
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