JPS6146271B2 - - Google Patents
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- JPS6146271B2 JPS6146271B2 JP56152021A JP15202181A JPS6146271B2 JP S6146271 B2 JPS6146271 B2 JP S6146271B2 JP 56152021 A JP56152021 A JP 56152021A JP 15202181 A JP15202181 A JP 15202181A JP S6146271 B2 JPS6146271 B2 JP S6146271B2
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- metal layer
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に微細な硬脆性材を研磨加工する
研磨皿とその製造方法に関するものである。
研磨皿とその製造方法に関するものである。
例えば、ビデオデイスクプレーヤにおいて使用
される再生針の先端は、ビデオデイスクのスパイ
ラル溝に圧接し、相対的に高速走行するためダイ
ヤモンド、サフアイヤ等耐磨耗性の高い硬脆性材
により作られている。この再生針の製造過程にお
いて、上記研磨皿を使用する加工工程は数工程あ
るが、その１つに円錐研磨加工がある。これは第
１図に示すように直径0.2mm程度の微細な硬脆性
材１をシヤンク２の先端にロー付けし、このシヤ
ンク２を高速回転する研磨皿３に押し付けて、上
記硬脆性材１を含む先端を円錐状に研磨加工する
工程である。従来の研磨皿は、第２図にその側面
を示すように、台５にダイヤモンド砥粒６と結合
剤７との混合物からなる研磨層８を形成したダイ
ヤモンド砥石が一般的であつた。
される再生針の先端は、ビデオデイスクのスパイ
ラル溝に圧接し、相対的に高速走行するためダイ
ヤモンド、サフアイヤ等耐磨耗性の高い硬脆性材
により作られている。この再生針の製造過程にお
いて、上記研磨皿を使用する加工工程は数工程あ
るが、その１つに円錐研磨加工がある。これは第
１図に示すように直径0.2mm程度の微細な硬脆性
材１をシヤンク２の先端にロー付けし、このシヤ
ンク２を高速回転する研磨皿３に押し付けて、上
記硬脆性材１を含む先端を円錐状に研磨加工する
工程である。従来の研磨皿は、第２図にその側面
を示すように、台５にダイヤモンド砥粒６と結合
剤７との混合物からなる研磨層８を形成したダイ
ヤモンド砥石が一般的であつた。
このダイヤモンド砥石を回転させて、前述した
シヤンク２の先端部のような微細で硬脆性部品を
研磨加工すると、研磨層８におけるダイヤモンド
砥粒の埋設状態のバラツキにより振動・衝撃が発
生し、被加工面に欠けや傷が生じるために加工歩
留が悪くまたダイヤモンド砥粒の脱落等耐磨耗性
にも問題があり、量産が困難な状態であつた。
シヤンク２の先端部のような微細で硬脆性部品を
研磨加工すると、研磨層８におけるダイヤモンド
砥粒の埋設状態のバラツキにより振動・衝撃が発
生し、被加工面に欠けや傷が生じるために加工歩
留が悪くまたダイヤモンド砥粒の脱落等耐磨耗性
にも問題があり、量産が困難な状態であつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、微細な硬脆性部品を歩留よく研磨加工しか
つ耐磨耗性の高い研磨皿とその製造方法を提供す
るにある。
くし、微細な硬脆性部品を歩留よく研磨加工しか
つ耐磨耗性の高い研磨皿とその製造方法を提供す
るにある。
上記目的を達成するため、本発明は、希薄なガ
ス雰囲気中で酸化硅素化合物を加熱し、得られた
蒸気流に高周波電界を重畳してイオン化し金属面
に蒸着させると付着性の強い緻密な酸化硅素化合
物の層が形成されることを利用したもので、被蒸
着面として金属層の表面を有する基台と、この金
属層の表面に上記した方法によつて蒸着した酸化
硅素化合物の層を研磨層とすることを特微として
いる。
ス雰囲気中で酸化硅素化合物を加熱し、得られた
蒸気流に高周波電界を重畳してイオン化し金属面
に蒸着させると付着性の強い緻密な酸化硅素化合
物の層が形成されることを利用したもので、被蒸
着面として金属層の表面を有する基台と、この金
属層の表面に上記した方法によつて蒸着した酸化
硅素化合物の層を研磨層とすることを特微として
いる。
以下本発明の一実施例を第３図〜第６図に基づ
いて具体的に説明する。第３図は金属又は研磨材
を蒸着する装置を示すもので、ベルジヤ９は、ベ
ースプレート１０上に気密に設置されており、ベ
ースプレート１０に設けられた排気口１１から拡
散ポンプ等の真空排気系（図示せず）により排気
して真空室１２が形成される。前記ベースプレー
ト１０の中央部には、蒸着物としてクロム，ニツ
ケル等の金属１３を入れたルツボ１４及び蒸着物
として例えばSiO2等の酸化硅素化合物１５を入
れたルツボ１６、さらにルツボ１４，１６の各々
の近傍には蒸着物加熱用の電子ビーム加熱銃１
７，１８が配置されている。ルツボ１４，１６の
上方には、蒸発した金属１３又は酸化硅素化合物
１５の粒子をイオン化するための高周波コイル１
９が、さらに高周波コイル１９の上方には被蒸着
体である例えば塩化ビニール等の絶縁体２０がホ
ルダ２１により保持されている。
いて具体的に説明する。第３図は金属又は研磨材
を蒸着する装置を示すもので、ベルジヤ９は、ベ
ースプレート１０上に気密に設置されており、ベ
ースプレート１０に設けられた排気口１１から拡
散ポンプ等の真空排気系（図示せず）により排気
して真空室１２が形成される。前記ベースプレー
ト１０の中央部には、蒸着物としてクロム，ニツ
ケル等の金属１３を入れたルツボ１４及び蒸着物
として例えばSiO2等の酸化硅素化合物１５を入
れたルツボ１６、さらにルツボ１４，１６の各々
の近傍には蒸着物加熱用の電子ビーム加熱銃１
７，１８が配置されている。ルツボ１４，１６の
上方には、蒸発した金属１３又は酸化硅素化合物
１５の粒子をイオン化するための高周波コイル１
９が、さらに高周波コイル１９の上方には被蒸着
体である例えば塩化ビニール等の絶縁体２０がホ
ルダ２１により保持されている。
以上の構成により、まず真空室１２内を真空度
８×10-5Torr程度の希薄なガス雰囲気中にした
後、まず電子ビーム加熱銃１７により金属１３を
加熱蒸発させる。この加熱して得られた金属１３
の蒸気流は、第３図の矢印方向に上昇し、高周波
コイル１９にかけられた有効電力2000W周波数
13.56MHzの高周波電界によりイオン化され、絶
縁体２０の被蒸着面２０ａに蒸着する。この工程
を約４分間行ない、被蒸着面２０ａに厚さ5000Å
程度の金属層を形成して、金属１３の蒸着を停止
する。次に電子ビーム加熱銃１８により酸化硅素
化合物１５を加熱蒸発させ、上記した金属１３の
蒸気流と同様の過程を経て、今度は前工程で形成
された金属層の表面に酸化硅素化合物１５を蒸着
させる。この工程を約10分間行ない、前記金属層
の表面に厚さ5000Å程度の酸化硅素化合物の層を
形成して終了する。
８×10-5Torr程度の希薄なガス雰囲気中にした
後、まず電子ビーム加熱銃１７により金属１３を
加熱蒸発させる。この加熱して得られた金属１３
の蒸気流は、第３図の矢印方向に上昇し、高周波
コイル１９にかけられた有効電力2000W周波数
13.56MHzの高周波電界によりイオン化され、絶
縁体２０の被蒸着面２０ａに蒸着する。この工程
を約４分間行ない、被蒸着面２０ａに厚さ5000Å
程度の金属層を形成して、金属１３の蒸着を停止
する。次に電子ビーム加熱銃１８により酸化硅素
化合物１５を加熱蒸発させ、上記した金属１３の
蒸気流と同様の過程を経て、今度は前工程で形成
された金属層の表面に酸化硅素化合物１５を蒸着
させる。この工程を約10分間行ない、前記金属層
の表面に厚さ5000Å程度の酸化硅素化合物の層を
形成して終了する。
以上の方法により得られた研磨皿は、第４図に
示すように、絶縁体２０の表面に下地として金属
層２２が形成され、さらに酸化硅素化合物の研磨
層２３が形成されたものとなる。上述した実施例
においては、表面に金属層を有する基台として絶
縁体２０の表面に金属を蒸着して金属層２２を形
成させたものを使用しているが、第５図に示すよ
うに絶縁体２０の表面に金属板２４を接着剤２５
等で貼り付けたものあるいは、第６図に示すよう
に全てが金属体２６からなるものを基台として使
用し、それぞれの金属表面に上述と同様な方法で
酸化硅素化合物を蒸着させて研磨層２３を形成さ
せてもよい。
示すように、絶縁体２０の表面に下地として金属
層２２が形成され、さらに酸化硅素化合物の研磨
層２３が形成されたものとなる。上述した実施例
においては、表面に金属層を有する基台として絶
縁体２０の表面に金属を蒸着して金属層２２を形
成させたものを使用しているが、第５図に示すよ
うに絶縁体２０の表面に金属板２４を接着剤２５
等で貼り付けたものあるいは、第６図に示すよう
に全てが金属体２６からなるものを基台として使
用し、それぞれの金属表面に上述と同様な方法で
酸化硅素化合物を蒸着させて研磨層２３を形成さ
せてもよい。
このように金属表面にイオン化され蒸着した酸
化硅素化合物の研磨層２３は、対金属への付着性
がよく、かつ、層自体が緻密に形成されるため、
ダイヤモンド等の硬脆性材の研磨加工において耐
磨耗性が高く、さらに被加工面に欠けや傷が生じ
にくい良質の研磨層となる。金属の中でもクロム
やニツケル、特にクロムに対する酸化硅素化合物
の付着性は秀れ、従来のダイヤモンド砥石に比較
し、10倍程度の耐磨耗性を有する。
化硅素化合物の研磨層２３は、対金属への付着性
がよく、かつ、層自体が緻密に形成されるため、
ダイヤモンド等の硬脆性材の研磨加工において耐
磨耗性が高く、さらに被加工面に欠けや傷が生じ
にくい良質の研磨層となる。金属の中でもクロム
やニツケル、特にクロムに対する酸化硅素化合物
の付着性は秀れ、従来のダイヤモンド砥石に比較
し、10倍程度の耐磨耗性を有する。
以上説明したように本発明によれば、高周波電
界を重畳した希薄ガス雰囲気中において、イオン
化され、金属層の表面に蒸着された酸化硅素化合
物は、付着性がよく緻密な層を形成することか
ら、この層を研磨層とすることにより、耐磨耗性
の高い良質の研磨皿を得ることができる。
界を重畳した希薄ガス雰囲気中において、イオン
化され、金属層の表面に蒸着された酸化硅素化合
物は、付着性がよく緻密な層を形成することか
ら、この層を研磨層とすることにより、耐磨耗性
の高い良質の研磨皿を得ることができる。
第１図は研磨加工状態を示す説明図、第２図は
従来の研磨皿を示す側面図、第３図は本発明によ
る研磨皿を製造する蒸着装置の説明図、第４図は
本発明による研磨皿の一実施例を示す側面図、第
５図は本発明による研磨皿の他の実施例を示す側
面図、第６図は本発明による研磨皿のさらに他の
実施例を示す側面図である。 ２２，２４，２６…金属層、２３……研磨層、
２０……絶縁体。
従来の研磨皿を示す側面図、第３図は本発明によ
る研磨皿を製造する蒸着装置の説明図、第４図は
本発明による研磨皿の一実施例を示す側面図、第
５図は本発明による研磨皿の他の実施例を示す側
面図、第６図は本発明による研磨皿のさらに他の
実施例を示す側面図である。 ２２，２４，２６…金属層、２３……研磨層、
２０……絶縁体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に金属層を有する基台と前記金属層の表
面に酸化硅素化合物を蒸着して形成した研磨層と
より構成されることを特微とする研磨皿。 ２ 上記金属層を成す金属がクロムであることを
特微とする特許請求の範囲第１項記載の研磨皿。 ３ 高周波電界を重畳した希薄ガス雰囲気中にお
いて、絶縁体の表面に金属を蒸着して金属層を形
成し、その後、前記金属層の表面に酸化硅素化合
物を蒸着して研磨層を形成することを特微とする
研磨皿の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152021A JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152021A JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855562A JPS5855562A (ja) | 1983-04-01 |
| JPS6146271B2 true JPS6146271B2 (ja) | 1986-10-13 |
Family
ID=15531321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152021A Granted JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454045Y2 (ja) * | 1987-12-09 | 1992-12-18 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201878A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS60201879A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS60201877A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS63103948U (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-06 | ||
| US5743788A (en) * | 1996-12-02 | 1998-04-28 | Motorola, Inc. | Platen coating structure for chemical mechanical polishing and method |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56152021A patent/JPS5855562A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454045Y2 (ja) * | 1987-12-09 | 1992-12-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855562A (ja) | 1983-04-01 |
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