JPS63283858A - 硬質複合粉末研磨材 - Google Patents

硬質複合粉末研磨材

Info

Publication number
JPS63283858A
JPS63283858A JP62118563A JP11856387A JPS63283858A JP S63283858 A JPS63283858 A JP S63283858A JP 62118563 A JP62118563 A JP 62118563A JP 11856387 A JP11856387 A JP 11856387A JP S63283858 A JPS63283858 A JP S63283858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
diamond
mum
polishing
sic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP62118563A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0725033B2 (ja
Inventor
Yoshitaka Tamao
玉生 良孝
Noribumi Kikuchi
菊池 則文
Hiroaki Yamashita
山下 博明
Hideo Oshima
秀夫 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP62118563A priority Critical patent/JPH0725033B2/ja
Publication of JPS63283858A publication Critical patent/JPS63283858A/ja
Publication of JPH0725033B2 publication Critical patent/JPH0725033B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば光学用レンズやシリコンウェハなど
の研磨に用いるのに適した硬質複合粉末研磨材に関する
ものである。
〔従来の技術〕
従来、一般に研磨材として、炭化けい素(以下SiCで
示す)粉末や、ダイヤモンド粉末が広ぐ用いられている
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記の研磨材のうち、 SiC扮末は、安価な
研磨材である反面、耐摩耗性に劣るために。
短かい使用寿命しか示さず、このため研磨中に度々の補
充を欠かすことができず、あるいはまた長い研磨時間を
必要とするなどの問題があり、一方ダイヤモンド粉末は
、地球上に存在する最も硬い物質であるから、これを研
磨材として用いれば。
仕上りが早く、加工変質層も少なくなるため、特に仕上
げ用研磨材として多く利用されているが、このうち粉砕
および分級により製造される天然ダイヤモンド粉末は、
形状が不規則であるために。
被研磨体の仕上げ面に傷がつき易く、さらに研磨用ペー
ストを作る際の媒体への分散性が悪くなるなどの問題が
あり、また高温高圧装置を用いて製造される人工ダイヤ
モンド粉末は、@記製造装置が高価であるためにコスト
高となるのを避けることができないなどの問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで1本発明者等は、上述のような観点から。
すぐれた特性を有する研磨材をコスト安く製造すべく研
究を行なった結果、SiC粉末の表面に1通常の化学蒸
着装置を用いて、気相析出法によりダイヤモンド被覆層
を形成した場合、 SiC粉末に対するダイヤモンド被
覆層の密着性がきわめて高く。
かつSiCの熱膨張係数が293”Kで3.3 X 1
0−6K −’であり、またダイヤモンドのそれが同1
.0X10  Kmであるように、これら両者の熱膨張
係数の値は近似することから、熱膨張係数の差にともな
って発生す6 SiC粉末−ダイヤモンド被覆層間の歪
は比較的小さく、したがってこれを研磨材として用いた
場合にダイヤモンド被覆@(=剥離が生ずることがなく
、しかもこの結果の複合粉末は、ダイヤモンド被覆層に
よってすぐれた耐摩耗性が解保され。
かつ粒度分布が狭く、球状を呈するので分散性にすぐれ
、研磨材としてすぐ□れた性能を発揮し、さらに上記の
ように気相析出法を利用するので、製造コストの安いも
のとなるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、平均粒径:0.01〜5μm未満を有するSiC粉
末の表面に、平均層厚:0.01〜2μmを有するダイ
ヤモンド被覆層を形成してなる硬質複合粉末研磨材に特
徴を有するものである。
なお、この発明の研磨材において、 SiC粉末の平均
粒径を0,01〜5pm未満と限定したのは、その平均
粒径がo、oi、am未満では、所定の研磨効果を期待
することができず、一方その平均粒径が5pm以上にな
ると、粒径が粗すぎて所定の研磨面。
特に仕上げ研磨面を形成することができないという理由
(二よるものであり、またダイヤモンド被覆層の平均層
厚を0.01〜2μmと定めたのは、その平均層厚が0
.01μm未満では、所望のすぐれた耐摩耗性を確保す
ることができず、一方その平均層厚が2pmを越えると
、被覆層に割れが発生し易くなり、この結果として所望
のすぐれた耐摩耗性を長期に亘って確保することができ
なくなるという理由にもとづくものである。
〔実施例〕
つぎに、この発明の研磨材を実施例により具体的に説明
する。
まず、それぞれ第1表に示される平均粒径を有するSi
C粉末を用意し、ついで第1図に概略断面図で示される
ように、このSiC粉末1を高周波プラズマ装置に装入
し。
RF電源2によるRF周波数: 13.56MHz。
ワークコイル3へのRP出カニIKW、の条件で前記装
置内(ニプラズマを発生させ、このプラズマ中に行かれ
たSiC扮末lに対して1反応ガス4として、H2とC
H4とを、装置内全圧力を10トルに保持しながら、H
2: 50mA!/min 、 CH4:0.5rrL
17minの流量で通過させ1反応時間を調整して。
前記SiC粉末の表面に、同じ〈第1表に示される平均
層厚を有するダイヤモンド被覆層を形成することによっ
て本発明研磨材1〜5をそれぞれ製造した。
また、比較の目的で、それぞれ第1表に示される平均粒
径な有するSiC粉末または人工ダイヤモンド粉末から
なる市販の従来研磨材1〜5をそれぞれ用意した。
なお、本発明研磨材における8iC扮末の平均粒径およ
びダイヤモンド被覆層の平均層厚はX線回折およびレー
ザーラマン分光分析(二より測定した。
つぎに、これらの各種の研磨材を、直径:30鴫の石英
ガラス板の研磨に用いたが、その研磨は。
それぞれこれの0.52を2.5dのアルコール媒体中
に分散させた状態で、直径:20cmのナイロンパフ上
に散布し、ラップ盤の回転数を20Orpm、荷重を2
009/litとし、研磨中の平滑性をよくするために
5分おきに前記媒体を0.25 dづつ滴下して加える
ことにより行ない、5時間研磨後の前記石英ガラス板の
面精度を測定した。これらの測定結果を第1表に示した
〔発明の効果〕
第1表に示される結果から1本発明研磨材1〜5は、い
ずれも高価な人工°ダイヤモンド粉末からなる従来研磨
材4,5と同等で、SiC扮末からなる従来研磨材1〜
3に比しては一段とすぐれた研磨特性を発揮することが
明らかである。
上述のように、この発明の研磨材は、 SiC扮末の表
面に通常の気相析出法を用いてダイヤモンド被覆層を形
成することに製造できるので、製造コストが安くなるば
かりでなく、前記ダイヤモンド被覆曖は、ダイヤモンド
と同等;;硬質で、かつ8iC扮末に対する密着性もき
わめて高いことから、従来の人工ダイヤモンド粉末から
なる研磨材と同等のすぐれた研磨作用を発揮するなど工
業上有用な特性を有するのである。
【図面の簡単な説明】
第1図はダイヤモンド被覆層の形成に用いられる高周波
プラズマ装置の概略断面図である。 1・・・SiC扮末、   2・・・RF主電源3・・
・ワークコイル、  4・・・反Cガス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  平均粒径:0.01〜5μm未満を有する炭化けい素
    粉末の表面に、平均層厚:0.01〜2μmを有するダ
    イヤモンド被覆層を形成してなる硬質複合粉末研磨材。
JP62118563A 1987-05-15 1987-05-15 硬質複合粉末研磨材 Expired - Lifetime JPH0725033B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62118563A JPH0725033B2 (ja) 1987-05-15 1987-05-15 硬質複合粉末研磨材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62118563A JPH0725033B2 (ja) 1987-05-15 1987-05-15 硬質複合粉末研磨材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63283858A true JPS63283858A (ja) 1988-11-21
JPH0725033B2 JPH0725033B2 (ja) 1995-03-22

Family

ID=14739690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62118563A Expired - Lifetime JPH0725033B2 (ja) 1987-05-15 1987-05-15 硬質複合粉末研磨材

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0725033B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108105A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Yoichi Hirose ダイヤモンド複合粒
JPH0320387A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法
JP2015086238A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 株式会社ユーテック 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール、研磨部材及び研磨剤の製造方法
JP2018100413A (ja) * 2018-01-29 2018-06-28 株式会社ユーテック 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール及び研磨剤の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01108105A (ja) * 1987-10-20 1989-04-25 Yoichi Hirose ダイヤモンド複合粒
JPH0320387A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法
JP2015086238A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 株式会社ユーテック 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール、研磨部材及び研磨剤の製造方法
JP2018100413A (ja) * 2018-01-29 2018-06-28 株式会社ユーテック 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール及び研磨剤の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0725033B2 (ja) 1995-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI327761B (en) Method for making semiconductor wafer and wafer holding article
CN108527182A (zh) 利用掩膜版制备磨粒有序排布的金刚石磨料工具的方法
JP2015096294A (ja) Cmpパッドのコンディショニングのための平坦かつ一貫した表面トポグラフィーを有する研磨工具及びその製造方法
JP4006535B2 (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
JPS63283858A (ja) 硬質複合粉末研磨材
US6042886A (en) Method for the manufacturing of a coating on a grinding tool
JP2643401B2 (ja) 結合型研磨工具
JPS61174128A (ja) レンズ成形用型
JPS61151097A (ja) 平滑面をもつダイヤモンド薄膜の製法
EP3004432B1 (en) Post-synthesis processing of super-hard materials
JPS63284285A (ja) 切断および研削用硬質複合粉末砥粒
US4514192A (en) Silicon oxide lapping coatings
TW522451B (en) Monitoring wafer for measuring film thickness
JP2738629B2 (ja) 複合部材
Yu et al. Highest Quality and Repeatability for Single Wafer 150mm SiC CMP Designed for High Volume Manufacturing
JPS5855562A (ja) 研磨皿とその製造方法
JPH0832592B2 (ja) 複合材
JPS63237870A (ja) ダイヤモンド被膜砥石
Lu et al. Preparation and Application of Sol-Gel Polishing Pad for Polishing CVD Single Crystal Diamond at High Speed
JPH06262525A (ja) 研削砥石及びその製造方法
JPH0788580B2 (ja) ダイヤモンド被覆超硬合金及びその製造方法
JPH05105587A (ja) 人工ダイヤモンド被覆粉末の製造法
US4355052A (en) Method of preparing an abrasive coated substrate
JPH08290968A (ja) 複合材
US4243395A (en) Method for precision grinding of hard, pointed materials