JPS63284285A - 切断および研削用硬質複合粉末砥粒 - Google Patents
切断および研削用硬質複合粉末砥粒Info
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- JPS63284285A JPS63284285A JP62118564A JP11856487A JPS63284285A JP S63284285 A JPS63284285 A JP S63284285A JP 62118564 A JP62118564 A JP 62118564A JP 11856487 A JP11856487 A JP 11856487A JP S63284285 A JPS63284285 A JP S63284285A
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、切削や研削に砥粒として用いるのに適した
硬質複合粉末に関するものである。
硬質複合粉末に関するものである。
一般に、遊離砥粒方式によるマルチバンドソーを用いて
1例えば水晶を切断加工したり、シリコン単結晶ミツド
をスライス加工してウェハを形成したり、さらにガラス
製光学部品を加工したりする場合に、遊離砥粒として炭
化けい素(以下SiCで示す)粉末や、天然および人工
ダイヤモンド粉末が用いられている。
1例えば水晶を切断加工したり、シリコン単結晶ミツド
をスライス加工してウェハを形成したり、さらにガラス
製光学部品を加工したりする場合に、遊離砥粒として炭
化けい素(以下SiCで示す)粉末や、天然および人工
ダイヤモンド粉末が用いられている。
しかし、上記の従来SiC粉末砥粒は、耐摩耗性が低く
、シたがって例えば切断加工に際しては、加工途中で砥
粒自体が摩滅してしまうために、切断進行につれてだん
だんと切断代が小さくなって加工精度に問題が生ずるよ
うになるばかりでなく、切断に長時間を要するよう(:
なり、この傾向はシリコンウェハへの切断で顕著に現わ
れるものであり、一方天然および人工ダイヤモンド粉末
は、すぐれた耐摩耗性を有し、切断や研削加工に遊離砥
粒としてすぐれた性能を発揮するが、天然ダイヤモンド
粉末砥粒は粉砕工程を必要とし、また人工ダイヤモンド
粉末砥粒は、その製造に高温超高圧発生fiffを必要
とすることから、コスト高とならざるを得ないものであ
る。
、シたがって例えば切断加工に際しては、加工途中で砥
粒自体が摩滅してしまうために、切断進行につれてだん
だんと切断代が小さくなって加工精度に問題が生ずるよ
うになるばかりでなく、切断に長時間を要するよう(:
なり、この傾向はシリコンウェハへの切断で顕著に現わ
れるものであり、一方天然および人工ダイヤモンド粉末
は、すぐれた耐摩耗性を有し、切断や研削加工に遊離砥
粒としてすぐれた性能を発揮するが、天然ダイヤモンド
粉末砥粒は粉砕工程を必要とし、また人工ダイヤモンド
粉末砥粒は、その製造に高温超高圧発生fiffを必要
とすることから、コスト高とならざるを得ないものであ
る。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、耐摩耗
性のすぐれた砥粒なコスト安(得べく研究を行なった結
果1通常の化学蒸着装置を用いて。
性のすぐれた砥粒なコスト安(得べく研究を行なった結
果1通常の化学蒸着装置を用いて。
SiC粉末の表面(=、気相合成、法によりダイヤモン
ド被覆層を1スト安く形成することができ、しか。
ド被覆層を1スト安く形成することができ、しか。
もこの結果の複合粉末においては、SIC粉末に対して
ダイヤモンド被覆層が強固;:密着し、かつSiC粉末
の熱膨張係数が3.3X10−6に一’ (293K)
であり、一方ダイヤモンド被覆層のそれが1.0刈0″
に−1(293K)であって、お互いの熱膨張係数がき
わめて近似し、このよう(:近似した熱膨張係数の間で
は、熱膨張係数の差に比例して生ずる歪量は当然小さく
なることから、これを砥粒として用いた場合、ダイヤモ
ンド被覆@(二剥離が生ずることはなく、さらにダイヤ
モンド被覆層が硬質で、耐摩耗性にすぐれていることと
合まって、すぐれた性能を著しく長期C二亘って発揮す
るという知見を得たのである。
ダイヤモンド被覆層が強固;:密着し、かつSiC粉末
の熱膨張係数が3.3X10−6に一’ (293K)
であり、一方ダイヤモンド被覆層のそれが1.0刈0″
に−1(293K)であって、お互いの熱膨張係数がき
わめて近似し、このよう(:近似した熱膨張係数の間で
は、熱膨張係数の差に比例して生ずる歪量は当然小さく
なることから、これを砥粒として用いた場合、ダイヤモ
ンド被覆@(二剥離が生ずることはなく、さらにダイヤ
モンド被覆層が硬質で、耐摩耗性にすぐれていることと
合まって、すぐれた性能を著しく長期C二亘って発揮す
るという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、平均粒径:5〜50μmを有するSiC粉末の表面
に、平均層厚:0.1〜5Q、amのダイヤモンド被覆
層を形成してなる切断および研削用硬質複合粉末砥粒に
特徴を有するものである。
て、平均粒径:5〜50μmを有するSiC粉末の表面
に、平均層厚:0.1〜5Q、amのダイヤモンド被覆
層を形成してなる切断および研削用硬質複合粉末砥粒に
特徴を有するものである。
なお、この発明の硬質複合粉末砥粒において、SiC粉
末の平均粒径な5〜50/7mと定めたのは。
末の平均粒径な5〜50/7mと定めたのは。
その平均粒径が5μm未満では、被覆層の平均層厚が0
.1μmの最低層厚であった場合、砥粒としての作用効
果を発揮できず、長時間の加工時間を必要とし、一方そ
の平均粒径が50μmを越えると、被覆層の最高層厚が
50.amであることと合まって複合粉末の平均粒径が
100μmを越える場合が生じるようになり、このよう
な場合には加工精度の低下をまぬがれることができず、
またダイヤモンド被覆層の平均層厚を0.1〜50μm
c限定したのは、その平均層厚が0.1μm未満では。
.1μmの最低層厚であった場合、砥粒としての作用効
果を発揮できず、長時間の加工時間を必要とし、一方そ
の平均粒径が50μmを越えると、被覆層の最高層厚が
50.amであることと合まって複合粉末の平均粒径が
100μmを越える場合が生じるようになり、このよう
な場合には加工精度の低下をまぬがれることができず、
またダイヤモンド被覆層の平均層厚を0.1〜50μm
c限定したのは、その平均層厚が0.1μm未満では。
所望の耐摩耗性向上効果が発揮できず、この結果加工中
に摩滅するために切れ味が悪くなって長時間の加工を要
するようになり、一方その平均層厚が5077mを越え
ると、被覆層に割れが発生し易くなり、加工精度が低下
するようになるという理由にもとづくものである。
に摩滅するために切れ味が悪くなって長時間の加工を要
するようになり、一方その平均層厚が5077mを越え
ると、被覆層に割れが発生し易くなり、加工精度が低下
するようになるという理由にもとづくものである。
つぎ(=、この発明の複合粉末砥粒を実施例により具体
的に説明する。
的に説明する。
まず、それぞれ第1表に示される平均粒径なもった8i
C扮末を用意し、これを熱電子放射材としてタングステ
ンフィラメントを備えた化学蒸着反応炉内(二装入し1
反応炉内を真空脱気した後、反応カストシテH2トa(
4カスを、H2:2000SCCM 、 CH4: 3
0 SCCMの割合で反応炉内に、全ガス圧を15トル
に保持しながら流入し、一方前記フィラメントの温度を
2000℃に保持し、反応時間を調整して、同じく第1
表喀;示される平均層厚のダイヤモンド被覆層を形成す
ること(二よって本発明複合粉末砥粒1〜7および比較
複合粉末砥粒1〜4をそれぞれ製造した。
C扮末を用意し、これを熱電子放射材としてタングステ
ンフィラメントを備えた化学蒸着反応炉内(二装入し1
反応炉内を真空脱気した後、反応カストシテH2トa(
4カスを、H2:2000SCCM 、 CH4: 3
0 SCCMの割合で反応炉内に、全ガス圧を15トル
に保持しながら流入し、一方前記フィラメントの温度を
2000℃に保持し、反応時間を調整して、同じく第1
表喀;示される平均層厚のダイヤモンド被覆層を形成す
ること(二よって本発明複合粉末砥粒1〜7および比較
複合粉末砥粒1〜4をそれぞれ製造した。
なお、比較複合粉末砥粒1〜4は、いずれもSIC粉末
の平均粒径およびダイヤモンド被覆層の平均層厚のいず
れかがこの発明の範囲から外れたものである。
の平均粒径およびダイヤモンド被覆層の平均層厚のいず
れかがこの発明の範囲から外れたものである。
また、 SiC粉末の平均粒径およびダイヤモンド被覆
層の平均層厚は、X線回折およびレーザーラマン分光分
析(二より求めた。
層の平均層厚は、X線回折およびレーザーラマン分光分
析(二より求めた。
ついで、この結果得られた各種の複合粉末砥粒を用い、
直径:約102−のシリコン単結晶ロツドから、 ブレードの材質: 8に−4゜ ブレードの寸法:厚さ0.2 rm X長さ400曙×
幅6−、 ブレード数:200本、 スト口−り数:最高11000p。
直径:約102−のシリコン単結晶ロツドから、 ブレードの材質: 8に−4゜ ブレードの寸法:厚さ0.2 rm X長さ400曙×
幅6−、 ブレード数:200本、 スト口−り数:最高11000p。
ストローク長さ:120m。
ブレード1本当りの張カニ100KtW/本。
ブレード1本当りの荷重:100KgW/本。
の条件でスライス加工して、200枚のウェハを形成し
、切断に要した時間を測定して切断速度を算出すると共
に、加工精度を評価する目的で、切断されたウェハの表
面(=おける6ケ所、すなわち第1図のA、B、および
C点並びにa、b、お□よびC点の厚さをウェハ:20
0枚について測定し。
、切断に要した時間を測定して切断速度を算出すると共
に、加工精度を評価する目的で、切断されたウェハの表
面(=おける6ケ所、すなわち第1図のA、B、および
C点並びにa、b、お□よびC点の厚さをウェハ:20
0枚について測定し。
これよりA、B、およびC点と、a、b、およびC点の
平均厚さを算出し、かつ計算式:(A、B、C(7)平
均厚さくμm) −a、b、cの平均厚さくμm))÷
80(■) によってつ°エバのテーパ一度(α)を算出した。
平均厚さを算出し、かつ計算式:(A、B、C(7)平
均厚さくμm) −a、b、cの平均厚さくμm))÷
80(■) によってつ°エバのテーパ一度(α)を算出した。
これらの結果を第1表に示した。
第1表(=示される結果から、本発明複合粉末砥粒1〜
7によれば、いずれの場合も速い切断速度で、かつ高い
寸法精度で切断加工することができるのに対して、比較
複合粉末砥粒1〜4に見られるように、 SiC粉末の
平均粒径およびダイヤモンド被覆層のいずれかでもこの
発明の範囲から外れると、切断速度および加工精度のう
ちの少なくともいずれかが劣ったものになることが明ら
かである。
7によれば、いずれの場合も速い切断速度で、かつ高い
寸法精度で切断加工することができるのに対して、比較
複合粉末砥粒1〜4に見られるように、 SiC粉末の
平均粒径およびダイヤモンド被覆層のいずれかでもこの
発明の範囲から外れると、切断速度および加工精度のう
ちの少なくともいずれかが劣ったものになることが明ら
かである。
上述のように、この発明の複合粉末砥粒は。
8iC扮末の表面にダイヤモンド被覆層が強固に密着し
た構造を有し、このダイヤモンド被覆層によってすぐれ
た耐摩耗性が確保されるので、これを各種の切断加工な
ど(=用いた場合に、高い加工精度での切断時間の短縮
化を可能とし、さらに通常の化学蒸着装置を用い、 S
iC粉末の表面にダイヤモンド被覆1を気相合成法にて
形成することにより製造できるので、低コスト化がはか
れるなど工業上有用な特性を有するのである。
た構造を有し、このダイヤモンド被覆層によってすぐれ
た耐摩耗性が確保されるので、これを各種の切断加工な
ど(=用いた場合に、高い加工精度での切断時間の短縮
化を可能とし、さらに通常の化学蒸着装置を用い、 S
iC粉末の表面にダイヤモンド被覆1を気相合成法にて
形成することにより製造できるので、低コスト化がはか
れるなど工業上有用な特性を有するのである。
第1図はウェハの厚さ測定個所を示す平面図である。
Claims (1)
- 平均粒径:5〜50μmを有する炭化けい素粉末の表面
に、平均層厚:0.1〜50μmのダイヤモンド被覆層
を形成してなる切削および研削用硬質複合粉末砥粒。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11856487A JPH0788502B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 切断および研削用硬質複合粉末砥粒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11856487A JPH0788502B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 切断および研削用硬質複合粉末砥粒 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63284285A true JPS63284285A (ja) | 1988-11-21 |
JPH0788502B2 JPH0788502B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=14739718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11856487A Expired - Lifetime JPH0788502B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 切断および研削用硬質複合粉末砥粒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0788502B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01113485A (ja) * | 1987-07-21 | 1989-05-02 | Nippon Plast Seito Kk | 超硬物質をコーティングした砥粒 |
JPH02250772A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-08 | Tipton Mfg Corp | 研磨材、バレル研磨用メディア及び研削砥石 |
JPH0320387A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
US5551959A (en) * | 1994-08-24 | 1996-09-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same |
JP2015086238A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社ユーテック | 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール、研磨部材及び研磨剤の製造方法 |
JP2018100413A (ja) * | 2018-01-29 | 2018-06-28 | 株式会社ユーテック | 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール及び研磨剤の製造方法 |
CN113226647A (zh) * | 2018-12-18 | 2021-08-06 | 3M创新有限公司 | 具有不同加工速度的磨料制品制造机 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56158928U (ja) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | ||
JPS58192509A (ja) * | 1983-04-26 | 1983-11-10 | ヤマハ株式会社 | 室内装飾方法 |
JPS61113411A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 間仕切り装置 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11856487A patent/JPH0788502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56158928U (ja) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | ||
JPS58192509A (ja) * | 1983-04-26 | 1983-11-10 | ヤマハ株式会社 | 室内装飾方法 |
JPS61113411A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 間仕切り装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01113485A (ja) * | 1987-07-21 | 1989-05-02 | Nippon Plast Seito Kk | 超硬物質をコーティングした砥粒 |
JPH02250772A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-08 | Tipton Mfg Corp | 研磨材、バレル研磨用メディア及び研削砥石 |
JPH0320387A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 精密研磨用複合ダイヤモンド砥粒の製造方法 |
US5551959A (en) * | 1994-08-24 | 1996-09-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same |
US5707409A (en) * | 1994-08-24 | 1998-01-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same |
JP2015086238A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 株式会社ユーテック | 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール、研磨部材及び研磨剤の製造方法 |
JP2018100413A (ja) * | 2018-01-29 | 2018-06-28 | 株式会社ユーテック | 研磨剤、研磨用品、研磨剤エアゾール及び研磨剤の製造方法 |
CN113226647A (zh) * | 2018-12-18 | 2021-08-06 | 3M创新有限公司 | 具有不同加工速度的磨料制品制造机 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0788502B2 (ja) | 1995-09-27 |
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