JP2738629B2 - 複合部材 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
- C04B41/5057—Carbides
- C04B41/5059—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Structural Engineering (AREA)
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線反射鏡の構成部材
やガラス光学素子の成形型等に好適なセラミック母材の
表面に炭化珪素を化学蒸着して成る複合部材に関するも
のである。
やガラス光学素子の成形型等に好適なセラミック母材の
表面に炭化珪素を化学蒸着して成る複合部材に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＸ線反射鏡としては、銅等の金
属母材を鏡面研磨し、その表面に金を蒸着させたもの等
が良く知られているが、Ｘ線は短波長域の高密度エネル
ギー光であるため使用中に前記鏡面の蒸着膜が剥離した
り、鏡面が歪んだり、金属母材が溶解する等の熱損を受
けやすいという問題があった。
属母材を鏡面研磨し、その表面に金を蒸着させたもの等
が良く知られているが、Ｘ線は短波長域の高密度エネル
ギー光であるため使用中に前記鏡面の蒸着膜が剥離した
り、鏡面が歪んだり、金属母材が溶解する等の熱損を受
けやすいという問題があった。
【０００３】また、ガラス光学素子の成形型としては、
ガラスが成形型に融着するのを防止し、かつ高精度に研
磨加工された成形型表面を保護するために、各種離型膜
が被着形成されているが、例えば、鉛を含有したガラス
材料を成形する際、前記硬質カーボンやダイヤモンドか
ら成る離型膜は、該カーボン膜やダイヤモンド膜の炭素
がガラス材料中に含有する鉛を還元し、ガラス成形体の
表面に極めて小量だが鉛を析出して表面が白濁するとと
もに、表面粗さが低下してしまい、その上、析出した鉛
によって前記離型膜には成形中に微小なスクラッチが多
発し、離型膜の耐久性を著しく劣化させるという問題が
あった。
ガラスが成形型に融着するのを防止し、かつ高精度に研
磨加工された成形型表面を保護するために、各種離型膜
が被着形成されているが、例えば、鉛を含有したガラス
材料を成形する際、前記硬質カーボンやダイヤモンドか
ら成る離型膜は、該カーボン膜やダイヤモンド膜の炭素
がガラス材料中に含有する鉛を還元し、ガラス成形体の
表面に極めて小量だが鉛を析出して表面が白濁するとと
もに、表面粗さが低下してしまい、その上、析出した鉛
によって前記離型膜には成形中に微小なスクラッチが多
発し、離型膜の耐久性を著しく劣化させるという問題が
あった。
【０００４】そこで係る問題を解消せんとして、炭化珪
素等のセラミックスあるいは黒鉛の焼結体等の表面に、
耐熱性や熱伝導性等の物理的特性に優れ、光学的にも短
波長域で高い反射率を有し、化学的にも安定な特性を有
する炭化珪素を、化学蒸着法等により蒸着した複合材と
することが種々研究されている。
素等のセラミックスあるいは黒鉛の焼結体等の表面に、
耐熱性や熱伝導性等の物理的特性に優れ、光学的にも短
波長域で高い反射率を有し、化学的にも安定な特性を有
する炭化珪素を、化学蒸着法等により蒸着した複合材と
することが種々研究されている。
【０００５】しかしながら、前記炭化珪素の蒸着膜は、
結晶面の方位によって硬さが異なり、Ｘ線反射鏡やガラ
ス光学素子の成形型等に要求される、例えば表面粗さが
粗さ曲線の中心線からの凹凸の標準偏差ＲＭＳで１．０
ｎｍ程度の超平滑面を得ようとすると、結晶の配向が充
分に得られない場合、前記方位により研磨速度が異なる
ことから該方位による段差を生じ易く、極めて長時間の
研磨と高度で特殊な研磨技術を必要とし、製造コストが
かかり過ぎ、前述のような超平滑面が簡単に得られない
という問題があった。
結晶面の方位によって硬さが異なり、Ｘ線反射鏡やガラ
ス光学素子の成形型等に要求される、例えば表面粗さが
粗さ曲線の中心線からの凹凸の標準偏差ＲＭＳで１．０
ｎｍ程度の超平滑面を得ようとすると、結晶の配向が充
分に得られない場合、前記方位により研磨速度が異なる
ことから該方位による段差を生じ易く、極めて長時間の
研磨と高度で特殊な研磨技術を必要とし、製造コストが
かかり過ぎ、前述のような超平滑面が簡単に得られない
という問題があった。
【０００６】そこで係る問題を解消するために、蒸着し
た炭化珪素膜の結晶面を研磨加工し易い方位であるミラ
ー指数表示（以下、ミラー指数と記す）の（２２０）面
に配向するようにしたり、あるいは比較的高い硬度を示
す方位である（１１１）面に配向するようにした複合部
材が特開平４−１１４９７１号公報等に提案されてい
る。
た炭化珪素膜の結晶面を研磨加工し易い方位であるミラ
ー指数表示（以下、ミラー指数と記す）の（２２０）面
に配向するようにしたり、あるいは比較的高い硬度を示
す方位である（１１１）面に配向するようにした複合部
材が特開平４−１１４９７１号公報等に提案されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ように炭化珪素蒸着膜の結晶面をミラー指数の（２２
０）面に配向させた場合、（１１１）面に比べて研磨し
易く、非球面研磨をはじめ曲面を有する形状の研磨も比
較的容易にでき、良好な表面粗さが得られるものの、
（２２０）面に配向した蒸着膜は該膜自体の内部応力が
高いため、炭化珪素質焼結体や黒鉛等を母材にすると、
残留応力が高くなる傾向があった。
ように炭化珪素蒸着膜の結晶面をミラー指数の（２２
０）面に配向させた場合、（１１１）面に比べて研磨し
易く、非球面研磨をはじめ曲面を有する形状の研磨も比
較的容易にでき、良好な表面粗さが得られるものの、
（２２０）面に配向した蒸着膜は該膜自体の内部応力が
高いため、炭化珪素質焼結体や黒鉛等を母材にすると、
残留応力が高くなる傾向があった。
【０００８】その結果、母材との熱膨張率の差から常温
に冷却した時、あるいは研削や研磨加工する時に、前記
残留応力が増長されて炭化珪素膜にクラックが発生し易
く、実用的でなかった。
に冷却した時、あるいは研削や研磨加工する時に、前記
残留応力が増長されて炭化珪素膜にクラックが発生し易
く、実用的でなかった。
【０００９】また、前記結晶面を比較的硬度が高い（１
１１）面に配向させた場合、母材が炭化珪素質焼結体で
は蒸着膜への残留応力も低く前述のようなクラックは発
生し難いものの、硬度が高く研磨加工が困難であり、と
りわけ球面研磨や非球面研磨をはじめ、曲面を有する形
状の研磨においては、平面研磨の表面粗さと同程度に研
磨仕上げすることが極めて困難であり、例えば、前記
（１１１）面に配向した蒸着膜を平面研磨すると表面粗
さは最大高さＲｍａｘ．で約９ｎｍ、ＲＭＳで約１ｎｍ
程度の超平滑面が得られるのに対し、非球面研磨すると
せいぜいＲｍａｘ．で約３０ｎｍ、ＲＭＳで４ｎｍ程度
の表面粗さしか実現できないという課題があった。
１１）面に配向させた場合、母材が炭化珪素質焼結体で
は蒸着膜への残留応力も低く前述のようなクラックは発
生し難いものの、硬度が高く研磨加工が困難であり、と
りわけ球面研磨や非球面研磨をはじめ、曲面を有する形
状の研磨においては、平面研磨の表面粗さと同程度に研
磨仕上げすることが極めて困難であり、例えば、前記
（１１１）面に配向した蒸着膜を平面研磨すると表面粗
さは最大高さＲｍａｘ．で約９ｎｍ、ＲＭＳで約１ｎｍ
程度の超平滑面が得られるのに対し、非球面研磨すると
せいぜいＲｍａｘ．で約３０ｎｍ、ＲＭＳで４ｎｍ程度
の表面粗さしか実現できないという課題があった。
【００１０】
【発明の目的】本発明は前記課題に鑑み開発されたもの
で、その目的は蒸着した炭化珪素膜にクラックが発生せ
ず、研磨加工し易く、平面研磨は勿論、非球面研磨等を
はじめ曲面を有する形状の研磨においても超平滑面が得
られ、耐久性に優れた複合部材を提供することにある。
で、その目的は蒸着した炭化珪素膜にクラックが発生せ
ず、研磨加工し易く、平面研磨は勿論、非球面研磨等を
はじめ曲面を有する形状の研磨においても超平滑面が得
られ、耐久性に優れた複合部材を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の複合部材は、セ
ラミック母材の表面に化学蒸着した炭化珪素膜の結晶面
が、ミラー指数で表示した（１１１）面と（２２０）面
の両方に配向して混在し、かつＸ線回折におけるピーク
強度でその強度比が（２２０）面で２０〜９５％であ
り、（１１１）面が５〜８０％であることを特徴とする
ものであり、とりわけ前記強度比が（２２０）面で５０
〜７０％、（１１１）面で３０〜５０％であることが望
ましい。
ラミック母材の表面に化学蒸着した炭化珪素膜の結晶面
が、ミラー指数で表示した（１１１）面と（２２０）面
の両方に配向して混在し、かつＸ線回折におけるピーク
強度でその強度比が（２２０）面で２０〜９５％であ
り、（１１１）面が５〜８０％であることを特徴とする
ものであり、とりわけ前記強度比が（２２０）面で５０
〜７０％、（１１１）面で３０〜５０％であることが望
ましい。
【００１２】
【作用】本発明の複合部材は、セラミック母材の表面に
残留応力が低い（１１１）面に配向した結晶面と、非球
面研磨等をはじめ曲面を有する形状の研磨においても超
平滑面が得やすい（２２０）面に配向した結晶面の両方
を混在させ、かつＸ線回折におけるピーク強度でその強
度比が（２２０）面で２０〜９５％、（１１１）面で５
〜８０％の範囲としたことから、該蒸着膜にクラックの
発生がなく、曲面を有する形状の研磨を容易にする。
残留応力が低い（１１１）面に配向した結晶面と、非球
面研磨等をはじめ曲面を有する形状の研磨においても超
平滑面が得やすい（２２０）面に配向した結晶面の両方
を混在させ、かつＸ線回折におけるピーク強度でその強
度比が（２２０）面で２０〜９５％、（１１１）面で５
〜８０％の範囲としたことから、該蒸着膜にクラックの
発生がなく、曲面を有する形状の研磨を容易にする。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の複合部材を実施例に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】先ず、炭化珪素（ＳｉＣ）を主成分とし、
焼結助剤としてホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）を含有する炭
化珪素質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分
とし、周期律表第３ａ族元素の酸化物等の焼結助剤を含
有する窒化アルミニウム質焼結体及び黒鉛（Ｃ）から成
る３種類の円柱体の平面を、ＲＭＳで０．５μｍ程度の
表面粗さにまで平面研磨した後、アセトン等の溶剤中で
超音波洗浄して蒸着用母材試料とした。
焼結助剤としてホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）を含有する炭
化珪素質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分
とし、周期律表第３ａ族元素の酸化物等の焼結助剤を含
有する窒化アルミニウム質焼結体及び黒鉛（Ｃ）から成
る３種類の円柱体の平面を、ＲＭＳで０．５μｍ程度の
表面粗さにまで平面研磨した後、アセトン等の溶剤中で
超音波洗浄して蒸着用母材試料とした。
【００１５】次に前記蒸着用母材試料を用い、反応ガス
としてメチルトリクロロシラン（ＣＨ3 ＳｉＣｌ4 ）と
水素（Ｈ2 ）を使用し、５０Ｔｏｒｒの減圧下のＣＶＤ
反応炉中、１４００℃の温度で２００〜３００μｍの膜
厚を目標に、炭化珪素を蒸着した。尚、前記炭化珪素の
成膜速度は毎時１０μｍ以上と早い方が望ましい。
としてメチルトリクロロシラン（ＣＨ3 ＳｉＣｌ4 ）と
水素（Ｈ2 ）を使用し、５０Ｔｏｒｒの減圧下のＣＶＤ
反応炉中、１４００℃の温度で２００〜３００μｍの膜
厚を目標に、炭化珪素を蒸着した。尚、前記炭化珪素の
成膜速度は毎時１０μｍ以上と早い方が望ましい。
【００１６】かくして得られた研磨仕上げ前の評価用試
料をＸ線回折装置により前記炭化珪素膜の結晶配向面を
同定し、その結晶配向面のピーク強度の総和を１００と
して各結晶配向面の強度比を算出した。
料をＸ線回折装置により前記炭化珪素膜の結晶配向面を
同定し、その結晶配向面のピーク強度の総和を１００と
して各結晶配向面の強度比を算出した。
【００１７】また、前記炭化珪素膜を被着形成した試料
は、先ずダイヤモンド砥石を使用して該炭化珪素膜をそ
の表面から約３０〜５０μｍ程度の深さまで平面研削盤
により粗研磨した後、微粒のダイヤモンド砥粒を用いて
更に膜厚で約１０μｍ程度、平面ラップ盤で超平滑面と
なるまで研磨仕上げするとともに、一方で平面研磨仕上
げした試料を再度、非球面ラップ盤で曲面形状に超平滑
面となるまで研磨仕上げしてそれぞれ評価用試料とし
た。
は、先ずダイヤモンド砥石を使用して該炭化珪素膜をそ
の表面から約３０〜５０μｍ程度の深さまで平面研削盤
により粗研磨した後、微粒のダイヤモンド砥粒を用いて
更に膜厚で約１０μｍ程度、平面ラップ盤で超平滑面と
なるまで研磨仕上げするとともに、一方で平面研磨仕上
げした試料を再度、非球面ラップ盤で曲面形状に超平滑
面となるまで研磨仕上げしてそれぞれ評価用試料とし
た。
【００１８】次いで前記研磨仕上げした評価用試料を、
光の干渉を利用した非接触の表面粗さ計を使用して該評
価用試料の研磨仕上げ面を計測し、最大高さＲｍａ
ｘ．、平均粗さＲａ及び粗さ曲線の中心線からの凹凸の
標準偏差ＲＭＳを求めた。
光の干渉を利用した非接触の表面粗さ計を使用して該評
価用試料の研磨仕上げ面を計測し、最大高さＲｍａ
ｘ．、平均粗さＲａ及び粗さ曲線の中心線からの凹凸の
標準偏差ＲＭＳを求めた。
【００１９】以上の結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１の結果より明らかなように、炭化珪素
膜の結晶配向面が（１１１）面だけである試料番号１
２、２０、２７では非球面研磨面の表面粗さがＲｍａ
ｘ．で３１．４ｎｍ以上と極めて悪く、それに比べて
（２２０）面だけの試料番号１１、１９、２６では平面
研磨面も非球面研磨面もその表面粗さは非常に良好であ
るが、蒸着した炭化珪素膜にクラックが発生している。
膜の結晶配向面が（１１１）面だけである試料番号１
２、２０、２７では非球面研磨面の表面粗さがＲｍａ
ｘ．で３１．４ｎｍ以上と極めて悪く、それに比べて
（２２０）面だけの試料番号１１、１９、２６では平面
研磨面も非球面研磨面もその表面粗さは非常に良好であ
るが、蒸着した炭化珪素膜にクラックが発生している。
【００２２】また、（１１１）面と（２２０）面が混在
していても、本発明の範囲外の強度比である試料番号
１、１３、２１では、非球面研磨面の表面粗さがＲｍａ
ｘ．で２２．０ｎｍ以上と悪く、試料番号１０、１８、
２５では炭化珪素膜にクラックが認められる。
していても、本発明の範囲外の強度比である試料番号
１、１３、２１では、非球面研磨面の表面粗さがＲｍａ
ｘ．で２２．０ｎｍ以上と悪く、試料番号１０、１８、
２５では炭化珪素膜にクラックが認められる。
【００２３】それに対して、本発明の複合部材では非球
面研磨面の表面粗さがＲｍａｘ．で１９．３ｎｍ以下、
ＲＭＳで２．９５ｎｍ以下と優れており、蒸着した炭化
珪素膜にも全くクラックが認められなかった。
面研磨面の表面粗さがＲｍａｘ．で１９．３ｎｍ以下、
ＲＭＳで２．９５ｎｍ以下と優れており、蒸着した炭化
珪素膜にも全くクラックが認められなかった。
【００２４】
【発明の効果】叙上の如く、本発明の複合部材は、セラ
ミック母材の表面に化学蒸着した炭化珪素膜の結晶面
が、ミラー指数で表示した（１１１）面と（２２０）面
の両方に配向して混在し、かつＸ線回折におけるピーク
強度でその強度比が（２２０）面で２０〜９５％であ
り、（１１１）面が５〜８０％であることから、蒸着膜
にクラックがなく、平面は勿論、曲面を有する形状であ
っても容易に超平滑面を有し、表面硬度が高い耐久性に
優れた複合部材を得ることができる。
ミック母材の表面に化学蒸着した炭化珪素膜の結晶面
が、ミラー指数で表示した（１１１）面と（２２０）面
の両方に配向して混在し、かつＸ線回折におけるピーク
強度でその強度比が（２２０）面で２０〜９５％であ
り、（１１１）面が５〜８０％であることから、蒸着膜
にクラックがなく、平面は勿論、曲面を有する形状であ
っても容易に超平滑面を有し、表面硬度が高い耐久性に
優れた複合部材を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック母材の表面に炭化珪素を化学蒸
着して成る複合部材において、前記化学蒸着した炭化珪
素の結晶面がミラー指数表示の（２２０）面と（１１
１）面の両面に配向し、かつＸ線回折強度比がそのピー
ク強度で（２２０）面が２０〜９５％、（１１１）面が
５〜８０％であることを特徴とする複合部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347503A JP2738629B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 複合部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347503A JP2738629B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 複合部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06191972A JPH06191972A (ja) | 1994-07-12 |
| JP2738629B2 true JP2738629B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=18390671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347503A Expired - Fee Related JP2738629B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 複合部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738629B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3154053B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2001-04-09 | 日本ピラー工業株式会社 | ＳｉＣ複合体およびその製造方法 |
| US6936102B1 (en) * | 1999-08-02 | 2005-08-30 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor |
| JP2001203188A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP2001203190A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP4492116B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2010-06-30 | 日本ゼオン株式会社 | 光学用フィルムの製造方法 |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP4347503A patent/JP2738629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06191972A (ja) | 1994-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |