JPH0214881A - 複合炭素材料 - Google Patents
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- JPH0214881A JPH0214881A JP63164525A JP16452588A JPH0214881A JP H0214881 A JPH0214881 A JP H0214881A JP 63164525 A JP63164525 A JP 63164525A JP 16452588 A JP16452588 A JP 16452588A JP H0214881 A JPH0214881 A JP H0214881A
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- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光学ガラスレンズのプレス成形用鋳型等の用途
に利用される複合炭素材料に関し、詳細には表面精度並
びに耐熱性゛に優れた複合炭素材料に関するものである
。
に利用される複合炭素材料に関し、詳細には表面精度並
びに耐熱性゛に優れた複合炭素材料に関するものである
。
[従来の技術]
光学ガラスレンズの製造方法の一つとして、鋳型にガラ
ス原料を投入して直接プレス成形する方法があり、経済
的に有利であるところからその利用例が増加している。
ス原料を投入して直接プレス成形する方法があり、経済
的に有利であるところからその利用例が増加している。
この方法に使用される鋳型の材料特性としては、研磨に
よって優れた表面精度が得られること、耐熱性及び耐熱
衝撃性に優れていること、高温下でガラスに対して不活
性であること、鋳型表面が十分に硬く損傷を受けないこ
となどを挙げることができる。こうした特性を満足する
鋳型材料としては、従来、ガラス状炭素材料(特開昭4
7−11277、同49−81419)、シリコンカー
バイド(S i C)やシリコンナイトライド(Sts
N、l)(特開昭52−45613)、タングステンカ
ーバイド(WC)やサーメットあるいはジルコニア等の
如く母材上にダイヤモンド薄膜をコーティングした材料
等が提案されている。
よって優れた表面精度が得られること、耐熱性及び耐熱
衝撃性に優れていること、高温下でガラスに対して不活
性であること、鋳型表面が十分に硬く損傷を受けないこ
となどを挙げることができる。こうした特性を満足する
鋳型材料としては、従来、ガラス状炭素材料(特開昭4
7−11277、同49−81419)、シリコンカー
バイド(S i C)やシリコンナイトライド(Sts
N、l)(特開昭52−45613)、タングステンカ
ーバイド(WC)やサーメットあるいはジルコニア等の
如く母材上にダイヤモンド薄膜をコーティングした材料
等が提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかるに上記鋳型材料のうちガラス状炭素材料は、40
0℃を超える空気中で酸化消耗すると共に、内部には5
−、20μmの閉気孔が残存しているので、研磨しても
満足し得る表面精度は得られず、硬度も不十分であった
。一方SiCや5t3N4は耐熱性に優れ、且つ十分な
硬度を有するものの、結晶粒界の近傍に多くの不純物を
含んでおり、研磨後にこれらが欠陥となる結果、十分な
表面精度を得ることができない。又ダイヤモンド薄膜コ
ーテイング材は粒状に析出し、平滑な表面が得られない
という欠点がある。このように従来の鋳型材料には、前
記要求特性の全てを充足するものがなく、改良あるいは
新たな素材の開発が望まれている。こうした状況の中で
CVDやPVDの技術を利用して鋳型基材の表面に硬質
膜を形成し表面精度等を改良しようとする提案もなされ
ているが、これらの方法では基材に起因する欠陥を消滅
させることはできない。尚欠陥を消滅させるような厚さ
の膜を形成することは工業的に困難である。当分針にお
いてCVDやPVD技術を利用した技術的提案の例とし
ては、特開昭60−176929が挙げられるが、該提
案では基材であるカーボン材料中にボアが多く存在する
のでその表面を研磨しても十分な表面精度が得られない
。従って予め粗研磨を施した上へCVDあるいはPVD
によってβ−5iC層を被覆し、再研磨して鏡面に仕上
げている。尚β−3iC層がガラスレンズと反応すると
いう問題があるので、これを防止すべくβ−S i C
層の表面にざらにα−S i CF!あるいはアモルフ
ァスS i Cmを成膜している。このように、基材に
起因する欠陥の影響を解消することの必要上煩雑な工程
を採用しており、経済性の点で改善の余地が残されてい
ると共に、耐熱性については未だ十分なものでない。
0℃を超える空気中で酸化消耗すると共に、内部には5
−、20μmの閉気孔が残存しているので、研磨しても
満足し得る表面精度は得られず、硬度も不十分であった
。一方SiCや5t3N4は耐熱性に優れ、且つ十分な
硬度を有するものの、結晶粒界の近傍に多くの不純物を
含んでおり、研磨後にこれらが欠陥となる結果、十分な
表面精度を得ることができない。又ダイヤモンド薄膜コ
ーテイング材は粒状に析出し、平滑な表面が得られない
という欠点がある。このように従来の鋳型材料には、前
記要求特性の全てを充足するものがなく、改良あるいは
新たな素材の開発が望まれている。こうした状況の中で
CVDやPVDの技術を利用して鋳型基材の表面に硬質
膜を形成し表面精度等を改良しようとする提案もなされ
ているが、これらの方法では基材に起因する欠陥を消滅
させることはできない。尚欠陥を消滅させるような厚さ
の膜を形成することは工業的に困難である。当分針にお
いてCVDやPVD技術を利用した技術的提案の例とし
ては、特開昭60−176929が挙げられるが、該提
案では基材であるカーボン材料中にボアが多く存在する
のでその表面を研磨しても十分な表面精度が得られない
。従って予め粗研磨を施した上へCVDあるいはPVD
によってβ−5iC層を被覆し、再研磨して鏡面に仕上
げている。尚β−3iC層がガラスレンズと反応すると
いう問題があるので、これを防止すべくβ−S i C
層の表面にざらにα−S i CF!あるいはアモルフ
ァスS i Cmを成膜している。このように、基材に
起因する欠陥の影響を解消することの必要上煩雑な工程
を採用しており、経済性の点で改善の余地が残されてい
ると共に、耐熱性については未だ十分なものでない。
本発明はこうした事情に着目してなされたものであり、
光学ガラスレンズの直接プレス成形用鋳型等に利用し得
る複合材料であって優れた表面精度を有すると共に高い
耐熱性を備えた複合材料を提供することを目的とするも
のである。
光学ガラスレンズの直接プレス成形用鋳型等に利用し得
る複合材料であって優れた表面精度を有すると共に高い
耐熱性を備えた複合材料を提供することを目的とするも
のである。
[課題を解決するための手段]
しかして上記目的を達成した本発明の複合炭素材料は、
高密度ガラス状炭素母材の表面に、残留水素濃度が0.
06 g / cn+’以下、C/ S f原子比が3
.5〜5.5であるアモルファスSiC薄膜を積層して
なる点に要旨を有するものである。
高密度ガラス状炭素母材の表面に、残留水素濃度が0.
06 g / cn+’以下、C/ S f原子比が3
.5〜5.5であるアモルファスSiC薄膜を積層して
なる点に要旨を有するものである。
[作用及び実施例〕
本発明に係る複合炭素材料は、高密度ガラス状炭素材料
を母材とし、その表面に高耐熱性を有する高硬度アモル
ファスSiC薄膜、即ち残留水素濃度が0.06g/c
m3以下、C/ S を原子比が3.5〜5.5である
アモルファス5icfi膜をCVDやPVDの手法によ
って形成してなるものであり、高密度ガラス状炭素材料
の高密度性と上記アモルファスSiC薄膜の耐熱性並び
に高硬度性を結合させることによって前記目的を達成し
たものである。
を母材とし、その表面に高耐熱性を有する高硬度アモル
ファスSiC薄膜、即ち残留水素濃度が0.06g/c
m3以下、C/ S を原子比が3.5〜5.5である
アモルファス5icfi膜をCVDやPVDの手法によ
って形成してなるものであり、高密度ガラス状炭素材料
の高密度性と上記アモルファスSiC薄膜の耐熱性並び
に高硬度性を結合させることによって前記目的を達成し
たものである。
即ち上記高密度ガラス状炭素材料とは、内部に閉気孔を
含まない高密度材料を意味し、好ましくは見掛は密度が
1.80以上、閉気孔率が0.1%以上であるガラス状
の炭素材料である。かかる高密度ガラス状炭素材料は実
買上内部に閉気孔を含まないので研磨後に優れた表面精
度を得ることができ、その表面にアモルファスSiC膜
を形成してなる鋳型に対して満足し得る表面平滑度を与
えることができる。尚見掛は密度が1.80未満あるい
は閉気孔率が0.1%を超える場合には、研磨後に閉気
孔による凹凸が露呈して表面精度が悪化する。
含まない高密度材料を意味し、好ましくは見掛は密度が
1.80以上、閉気孔率が0.1%以上であるガラス状
の炭素材料である。かかる高密度ガラス状炭素材料は実
買上内部に閉気孔を含まないので研磨後に優れた表面精
度を得ることができ、その表面にアモルファスSiC膜
を形成してなる鋳型に対して満足し得る表面平滑度を与
えることができる。尚見掛は密度が1.80未満あるい
は閉気孔率が0.1%を超える場合には、研磨後に閉気
孔による凹凸が露呈して表面精度が悪化する。
又上記炭素材料はガラス状であることを必須要件として
いるが、その理由は結晶に方向性があると密度を高くし
ても気孔を消失させることができず、閉気孔率0.1%
以下を達成することが困難になるからである。
いるが、その理由は結晶に方向性があると密度を高くし
ても気孔を消失させることができず、閉気孔率0.1%
以下を達成することが困難になるからである。
一方高密度ガラス状炭素母材の表面に積層されるアモル
ファスSiC薄膜は、単にアモルファス状態であるだけ
でなく、残留水素濃度及びC/St原子比が前記構成を
満足するものでなければならず、これらを満足すること
によって耐熱性が向上すると共にガラスレンズをプレス
成形した際の型離れ性も大幅に改良することができる。
ファスSiC薄膜は、単にアモルファス状態であるだけ
でなく、残留水素濃度及びC/St原子比が前記構成を
満足するものでなければならず、これらを満足すること
によって耐熱性が向上すると共にガラスレンズをプレス
成形した際の型離れ性も大幅に改良することができる。
又該アモルファスSiCは、モース硬度が8〜9と高硬
度であり、プレス成形時に傷がつきにくく、鋳型として
の寿命も優れたものとなフている。ここで残留水素濃度
が0.06g/cm3を超える場合及びC/ S i原
子比が3.5未満の場合には耐熱性が低下し、一方c/
si原子比を5.5より高くしても耐熟性改善効果が飽
和して耐熱性をそれ以上高めることができない。さらに
アモルファスSiC膜にはアモルファスであるが故に結
晶粒界等の欠陥が存在せず、高密度ガラス状炭素材料の
優れた表面精度を保持することができる。
度であり、プレス成形時に傷がつきにくく、鋳型として
の寿命も優れたものとなフている。ここで残留水素濃度
が0.06g/cm3を超える場合及びC/ S i原
子比が3.5未満の場合には耐熱性が低下し、一方c/
si原子比を5.5より高くしても耐熟性改善効果が飽
和して耐熱性をそれ以上高めることができない。さらに
アモルファスSiC膜にはアモルファスであるが故に結
晶粒界等の欠陥が存在せず、高密度ガラス状炭素材料の
優れた表面精度を保持することができる。
かかる本発明複合炭素材料の製造方法については特に制
限を設けるものではないが4例えば次の方法によって製
造することができる。
限を設けるものではないが4例えば次の方法によって製
造することができる。
まず高密度ガラス状炭素基材を製造するに当たっては、
炭化焼成後にガラス状炭素となる熱硬化性樹脂を所望の
鋳型形状に成形した後、1000〜1500℃の温度で
予備焼成し、成形体中に残存するH、N、O等のガス成
分を除去する。次いでこの予備焼成品を2050〜26
00℃の温度域まで加熱し、1000気圧以上の等方向
圧力で加圧する。これにより予備焼成品中に存在する閉
気孔が消滅して高密度であると共に研磨後の表面精度に
優れたガラス状炭素材料を得ることができる。
炭化焼成後にガラス状炭素となる熱硬化性樹脂を所望の
鋳型形状に成形した後、1000〜1500℃の温度で
予備焼成し、成形体中に残存するH、N、O等のガス成
分を除去する。次いでこの予備焼成品を2050〜26
00℃の温度域まで加熱し、1000気圧以上の等方向
圧力で加圧する。これにより予備焼成品中に存在する閉
気孔が消滅して高密度であると共に研磨後の表面精度に
優れたガラス状炭素材料を得ることができる。
上記炭化焼成後にガラス状炭素となる熱硬化性樹脂とし
ては、フェノール系樹脂、フラン系樹脂、キシレン系樹
脂、メラミン系樹脂、及びアニリン系樹脂等の粉末状の
ものと、レゾール及びノボラック型のフェノールホルム
アルデヒド系樹脂、フラン系樹脂、キシレン系樹脂、メ
ラミン系樹脂、及びアニリン系樹脂等の水性又は油性の
液状のもの等がある。
ては、フェノール系樹脂、フラン系樹脂、キシレン系樹
脂、メラミン系樹脂、及びアニリン系樹脂等の粉末状の
ものと、レゾール及びノボラック型のフェノールホルム
アルデヒド系樹脂、フラン系樹脂、キシレン系樹脂、メ
ラミン系樹脂、及びアニリン系樹脂等の水性又は油性の
液状のもの等がある。
これらの熱硬化性樹脂は、公知の方法により所定の形状
に成形することができる。例えば、液状の熱硬化性樹脂
を枠に流し込んで型造めする方法や粒状の熱硬化性樹脂
を金型を使用して冷間プレス及び熱間ブレスする方法が
ある。また破壊靭性を高めるために、人造黒鉛、天然黒
鉛又はカーボンブラック等の炭素粒を添加し、有機増粘
剤と共に混練しで押出した後、圧延する方法もある。
に成形することができる。例えば、液状の熱硬化性樹脂
を枠に流し込んで型造めする方法や粒状の熱硬化性樹脂
を金型を使用して冷間プレス及び熱間ブレスする方法が
ある。また破壊靭性を高めるために、人造黒鉛、天然黒
鉛又はカーボンブラック等の炭素粒を添加し、有機増粘
剤と共に混練しで押出した後、圧延する方法もある。
尚閉気孔は後述する超高温熱間静水圧加圧(HIP)処
理によって消滅するが、閉気孔は大きな変化を示さない
。そこで熱間ブレスによって成形体の表面層を溶融させ
て緻密化しておくことは極めて有効である。
理によって消滅するが、閉気孔は大きな変化を示さない
。そこで熱間ブレスによって成形体の表面層を溶融させ
て緻密化しておくことは極めて有効である。
次に予備焼成については、上記熱硬化性樹脂成形体を乾
燥した後、N2又はArガス等の不活性ガスの7囲気下
で、1000乃至1500℃の温度に加熱して行なう。
燥した後、N2又はArガス等の不活性ガスの7囲気下
で、1000乃至1500℃の温度に加熱して行なう。
熱硬化性樹脂を1000℃以上に予備焼成するのは前述
した様に成形体中のH,N、O等の残留ガス成分を減少
させるためであるが、一方成形体を1500℃を超える
温度で熱処理すると結晶化が進行してしまい、後工程で
高温下の等方向圧力を加えても材料の緻密化が生じない
。このような理由で予備焼成温度は1000乃至150
0℃とすることが望ましい。
した様に成形体中のH,N、O等の残留ガス成分を減少
させるためであるが、一方成形体を1500℃を超える
温度で熱処理すると結晶化が進行してしまい、後工程で
高温下の等方向圧力を加えても材料の緻密化が生じない
。このような理由で予備焼成温度は1000乃至150
0℃とすることが望ましい。
次に予備焼成品の等方向加圧処理は、超高温熱間静水圧
加圧(HIP)装置により実施することができる。等方
向加圧時の温度が2050℃未満の温度では、高い圧力
を印加しても閉気孔は消滅しない。また2500乃至2
600℃の極めて高い温度になると、この緻密化効果が
飽和するので、このような温度を超えて高い温度に加熱
するのは無駄である。
加圧(HIP)装置により実施することができる。等方
向加圧時の温度が2050℃未満の温度では、高い圧力
を印加しても閉気孔は消滅しない。また2500乃至2
600℃の極めて高い温度になると、この緻密化効果が
飽和するので、このような温度を超えて高い温度に加熱
するのは無駄である。
更に加圧圧力が1000気圧未満では閉気孔が十分に消
滅せず、緻密化が進行しないので加圧圧力を1000気
圧以上としている。このような緻密化が生じるためには
予備焼成品に等方向圧力を印加することが必要であり、
等方向圧力の下では黒鉛結晶の結晶成長が抑制され、非
晶質性を保持したまま上記温度域で塑性変形して緻密化
が進行する。大気圧下又は熱間ブレスのように一軸加圧
の異方的圧力下においては、2000℃以上の温度域に
加熱されると、黒鉛結晶の結晶成長が発生し、一方向へ
の収縮が生じて逆に気孔は増加する。
滅せず、緻密化が進行しないので加圧圧力を1000気
圧以上としている。このような緻密化が生じるためには
予備焼成品に等方向圧力を印加することが必要であり、
等方向圧力の下では黒鉛結晶の結晶成長が抑制され、非
晶質性を保持したまま上記温度域で塑性変形して緻密化
が進行する。大気圧下又は熱間ブレスのように一軸加圧
の異方的圧力下においては、2000℃以上の温度域に
加熱されると、黒鉛結晶の結晶成長が発生し、一方向へ
の収縮が生じて逆に気孔は増加する。
以上の様にして予備焼成、熱間等方向加圧処理を施すこ
とによって高密度ガラス状炭素母材が得られる訳である
が、ここでその物性を規定すると、見掛は比重は1.8
以上、かさ比重は1.7以上であり、閉気孔率が0.1
%以下、曲げ強度も900 kgf/cm”以上を備え
ており、該高密度ガラス状炭素母材の表面を微細なダイ
ヤモンド砥粒を用いて研磨することによって鏡面(例え
ばRmax50A精度で仕上げることができる。
とによって高密度ガラス状炭素母材が得られる訳である
が、ここでその物性を規定すると、見掛は比重は1.8
以上、かさ比重は1.7以上であり、閉気孔率が0.1
%以下、曲げ強度も900 kgf/cm”以上を備え
ており、該高密度ガラス状炭素母材の表面を微細なダイ
ヤモンド砥粒を用いて研磨することによって鏡面(例え
ばRmax50A精度で仕上げることができる。
次にこうして得られた高密度ガラス状炭素母材の表面に
アモルファスSiC薄膜を成膜するに当たっては、例え
ばCH4やC2H4等の炭化水素ガスとSi、Hn系ガ
スからなる成膜雰囲気中でCVD法による成膜を実施す
ればよい。しかるにCVD法によって得られるアモルフ
ァスSiC膜の耐熱性は原料ガスの流量比や基板温度に
大籾な影響を受ける。即ちアモルファスSIC膜の残留
水素濃度及びC/ S i原子比と耐熱温度との間には
、夫々第1,2図に示す様に、残留水素濃度が低い程、
またC/Si比が高い程耐熱性が高くなるという関係が
ある。そしてこうした関係に基づいて本発明におけるア
モルファスSiC膜の物性を前記構成の通り定めた訳で
あるが、該物性を得る為の成膜条件としては原料ガスの
流量比を(炭化水素系ガス/ S f mHy1系ガス
)−3〜8、基板温度を200〜500℃とすることが
望まれる。
アモルファスSiC薄膜を成膜するに当たっては、例え
ばCH4やC2H4等の炭化水素ガスとSi、Hn系ガ
スからなる成膜雰囲気中でCVD法による成膜を実施す
ればよい。しかるにCVD法によって得られるアモルフ
ァスSiC膜の耐熱性は原料ガスの流量比や基板温度に
大籾な影響を受ける。即ちアモルファスSIC膜の残留
水素濃度及びC/ S i原子比と耐熱温度との間には
、夫々第1,2図に示す様に、残留水素濃度が低い程、
またC/Si比が高い程耐熱性が高くなるという関係が
ある。そしてこうした関係に基づいて本発明におけるア
モルファスSiC膜の物性を前記構成の通り定めた訳で
あるが、該物性を得る為の成膜条件としては原料ガスの
流量比を(炭化水素系ガス/ S f mHy1系ガス
)−3〜8、基板温度を200〜500℃とすることが
望まれる。
次に本発明の実施例について説明する。
本発明の要件を満足する複合炭素材料と、市販のガラス
状カーボン、β−5fC,タングステンカーバイド、サ
ーメットを夫々使用して光学レンズ成形用鋳型を作成し
、その表面粗さを調べたところ第1表に示す結果が得ら
れた。
状カーボン、β−5fC,タングステンカーバイド、サ
ーメットを夫々使用して光学レンズ成形用鋳型を作成し
、その表面粗さを調べたところ第1表に示す結果が得ら
れた。
ル
表
第1表に示される様に本発明材料からなる鋳型の表面精
度が優れていることは明らかであった。
度が優れていることは明らかであった。
次に本発明材料からなる鋳型の使用例について説明する
。
。
■高密度ガラス状炭素母材の表面にアモルファスSiC
薄膜を積層してなる光学レンズ成形用鋳型及び■高密度
ガラス状炭素のみで作成した鋳型を夫々用意した。
薄膜を積層してなる光学レンズ成形用鋳型及び■高密度
ガラス状炭素のみで作成した鋳型を夫々用意した。
酸化鉛系光学ガラス(PbOニア0重量部、5i02:
25重量部)を球形状に加工した供給用ガラスを予備加
熱した後、560℃に保持した上記鋳型に夫々投入して
50 kg/cm’の圧力で6分間プレス成形した。3
00回プレス成形テス1−を繰り返した後、夫々の型の
表面状態を電子顕微鏡で観察し、評価した。
25重量部)を球形状に加工した供給用ガラスを予備加
熱した後、560℃に保持した上記鋳型に夫々投入して
50 kg/cm’の圧力で6分間プレス成形した。3
00回プレス成形テス1−を繰り返した後、夫々の型の
表面状態を電子顕微鏡で観察し、評価した。
■のアモルファスSiCを成膜した本発明に係る鋳型の
表面は、300回のプレス成形後でも肌荒れ、すり傷等
は認められず、像形成能力の優れた光学ガラスレンズを
得ることができた。これに対し■の鋳型は酸化による消
耗が著しく300回のプレス成形後には実用に耐え得る
光学ガラスレンズを得ることができなかった。
表面は、300回のプレス成形後でも肌荒れ、すり傷等
は認められず、像形成能力の優れた光学ガラスレンズを
得ることができた。これに対し■の鋳型は酸化による消
耗が著しく300回のプレス成形後には実用に耐え得る
光学ガラスレンズを得ることができなかった。
[発明の効果]
本発明は以上の様に構成されており、表面精度、耐熱性
、耐食性が優れ、軽量で熱膨張係数が小さく、高硬度で
ある複合炭素材料を得ることができた。また本発明複合
炭素材料は高密度ガラス状炭素母材の表面に直接アモル
ファスSiC薄膜を積層したものであるので、製造工程
が簡素であり能率良く生産することができる。
、耐食性が優れ、軽量で熱膨張係数が小さく、高硬度で
ある複合炭素材料を得ることができた。また本発明複合
炭素材料は高密度ガラス状炭素母材の表面に直接アモル
ファスSiC薄膜を積層したものであるので、製造工程
が簡素であり能率良く生産することができる。
そして本発明複合炭素材料で作成した光学ガラスレンズ
成形用鋳型を用C)ると、表面精度の優れたレンズを数
多く製造することができる。
成形用鋳型を用C)ると、表面精度の優れたレンズを数
多く製造することができる。
第1図はアモルファスSiC膜中の水素濃度と耐熱温度
の関係を示すグラフ、第2図はアモルファスSiC膜中
のC/St比と耐熱温度の関係を示すグラフである。 嘗益題ミ (p) 寝篭總駆 CQ)
の関係を示すグラフ、第2図はアモルファスSiC膜中
のC/St比と耐熱温度の関係を示すグラフである。 嘗益題ミ (p) 寝篭總駆 CQ)
Claims (1)
- 高密度ガラス状炭素母材の表面に、残留水素濃度が0.
06g/cm^3以下、C/Si原子比が3.5〜5.
5であるアモルファスSiC薄膜を積層してなることを
特徴とする複合炭素材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164525A JPH0214881A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 複合炭素材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164525A JPH0214881A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 複合炭素材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0214881A true JPH0214881A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15794823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63164525A Pending JPH0214881A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 複合炭素材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0214881A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03217016A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体製造装置用部材 |
CN1039742C (zh) * | 1991-04-17 | 1998-09-09 | 东洋工程公司 | 用于支承特长构件并联组合的方法、系统和装置 |
JP2002097092A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Tokai Carbon Co Ltd | SiC膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63164525A patent/JPH0214881A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03217016A (ja) * | 1990-01-23 | 1991-09-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体製造装置用部材 |
CN1039742C (zh) * | 1991-04-17 | 1998-09-09 | 东洋工程公司 | 用于支承特长构件并联组合的方法、系统和装置 |
JP2002097092A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Tokai Carbon Co Ltd | SiC膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法 |
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