TWI408119B - A molded film for glass hard disk substrates - Google Patents

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Hiroki Ueyama
Keisaku Inoue
Moriji Nozaki
Toshiaki Yoshida
Tetsuya Aoki
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Description

玻璃製硬碟基板用成形膜
本發明係關於玻璃製硬碟基板用成形模，更詳細而言，係關於含有碳化矽－碳複合陶瓷之玻璃製硬碟基板用成形模，以及利用其之玻璃製硬碟基板之製造方法。
玻璃製硬碟基板係適合使用於資訊記錄裝置之磁性記錄媒體用基板。通常，該玻璃製硬碟基板於成形模之上模及下模之間配置有玻璃原料，利用熱壓而成形為所需形狀，進而，根據須要，對表面進行研磨以製品化。
作為用以成形上述玻璃製硬碟基板之成形模之材料而言，由於陶瓷之熱穩定性優異，因此使用有各種陶瓷(JP 2002－230747)。
另一方面，於JP 2004－67432中揭示有，將特定粒徑之陶瓷材料(碳化矽等)與特定粒徑之碳以特定比例調配而形成之陶瓷複合燒結體，作為對陶瓷、玻璃、金屬等進行成形加工時之成形模之原料。
然而，於玻璃製硬碟基板之製造中，伴隨成形之高速化、高頻化，對於上述JP 2002－230747所記載之成形模材料，其表面易磨耗，玻璃成分與成形模表面在高溫下反應，因此而出現所成形之玻璃之表面精度下降之問題。又，對於JP 2004－67432所記載之陶瓷複合燒結體，由於其所含有之碳粒子之粒徑微小，故玻璃成分與成形模表面牢固地密著而難以從上述成形模剝離，因此出現難以連續成形之問題。
本發明係關於一種玻璃製硬碟基板用成形模(以下，亦稱為「本發明之成形模」)，其係含有碳化矽－碳複合陶瓷之成形模，其中上述碳化矽－碳複合陶瓷中，對於100重量份之碳化矽，含有15重量份~50重量份之碳粒子，且上述碳粒子之平均粒徑為0.3 μm~100 μm之範圍。
本發明係關於一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其係包括於成形模中配置玻璃原料，並對上述玻璃原料進行加壓成形之步驟，且上述成形模係本發明之玻璃製硬碟基板用成形模。
 (玻璃製硬碟基板用成形模)
如上所述，本發明之成形模含有碳化矽－碳複合陶瓷(以下，亦稱為「複合陶瓷」)，該碳化矽－碳複合陶瓷中，對於100重量份之碳化矽，含有15重量份~50重量份之碳粒子，且上述碳粒子之平均粒徑為0.3 μm~100 μm之範圍。
如上所述，對於本發明之成形模而言，於上述複合陶瓷中，對於100重量份之碳化矽，含有15重量份~50重量份之碳粒子，與先前技術中例如上述專利文獻1之碳化矽複合陶瓷之製造中作為燒結助劑而使用之碳量相比，該含有量為較多量。藉由使其具有上述含有量，而可於玻璃成形時抑制與玻璃之反應性，由此成為呈現高耐磨耗性與耐久性之成形模。又，亦可確保如專利文獻2之對於碳含量非常高之陶瓷所無法達成之充分之耐久性。
又，本發明之成形模中，上述複合陶瓷所含有之碳粒子之平均粒徑為0.3 μm~100 μm，與專利文獻2之陶瓷中之碳粒子相比，該平均粒徑為非常大之粒徑。使用上述大粒徑之碳粒子，可降低所成形之玻璃與成形模表面之密著性，以實現良好之脫模性。
又，從確保更良好之脫模性之觀點而言，上述複合陶瓷所含有之碳粒子之平均粒徑較好的是0.5 μm以上，更好的是0.7 μm以上，進而好的是1 μm以上。同樣，從確保更良好之脫模性之觀點而言，上述複合陶瓷所含有之碳粒子之平均粒徑較好的是25 μm以下，更好的是5 μm以下。具體而言，碳粒子之平均粒徑較好的是0.5 μm~25 μm，更好的是0.7 μm~5 μm，進而好的是1 μm~5 μm。上述碳粒子之平均粒徑係藉由雷射繞射/散射式粒徑分布測定裝置(商品名LA720，堀場製作所社製)而測定之體積平均粒徑D50 (以下相同)。
再者，本發明之成形模係玻璃製硬碟基板之製造中所使用之成形模，但玻璃製硬碟基板可為非晶性玻璃(非晶質玻璃)製基板，亦可為結晶化玻璃(玻璃陶瓷)製基板，只要為玻璃系基板，則無特別限制。
從確保更高之耐磨耗性及耐久性之觀點而言，上述複合陶瓷所含有之碳粒子之含有量較好的是，相對於100重量份之碳化矽，為15重量份~45重量份，更好的是15重量份~30重量份。
作為上述碳化矽之原料，可為α、β之任一結晶型。又，碳化矽原料之純度並無特別限制，但從以更高密度燒結，進而提高耐磨耗性及耐久性之觀點而言，較好的是90重量%以上，更好的是95重量%以上。碳化矽原料(粒子)之平均粒徑並無特別限制，但從燒結性更良好之觀點而言，上述原料較好的是0.1 μm~10 μm之粉末。
上述複合陶瓷所含有之碳粒子較好的是碳之單體，由結晶相、非晶相、或者結晶相與非晶相之混合相而組成。該等單體之結晶相較好的是，於藉由雷射拉曼分光法所獲得之測定光譜中，在以1580 cm－1 附近為中心之1450 cm－1 ~1700 cm－1 之範圍內，具有結晶相之峰。該結晶構造並無特別限制，但較好的是，可舉出石墨型平面六角形構造、菱面體形構造等。又，非晶相較好的是，於藉由雷射拉曼分光法所獲得之測定光譜中，在以1360 cm－1 附近為中心之1300 cm－1 ~1450 cm－1 之範圍內，具有結晶相之峰。
上述複合陶瓷所含有之碳粒子，從確保更高之耐摩耗性及耐久性之觀點，進而從達成更高強度及破壞韌性之觀點而言，結晶相與非晶相之雷射拉曼分光強度之峰面積比(結晶相/非晶相)較好的是1~10，更好的是1~5。通常，可認為上述峰面積比相當於碳之石墨化度，只要該值為上述範圍，則可達成更良好之強度及破壞韌性。再者，上述光譜之測定可使用氬雷射拉曼分光裝置(NEC社製)。為成為上述峰面積比，亦可較好地選擇殘碳率30重量%~95重量%，更好地選擇殘碳率40重量%~90重量%之烷基改質酚樹脂、煤焦油瀝青作為碳源。再者，所謂殘碳率，係指根據JIS K 2425而測定之碳源中固定碳之重量百分比。
從確保更高之耐磨耗性及耐久性之觀點而言，上述複合陶瓷所含有之碳化矽之平均粒徑較好的是0.3 μm以上。同樣，從確保更高之耐磨耗性及耐久性之觀點而言，上述複合陶瓷所含有之碳化矽之平均粒徑較好的是100 μm以下，更好的是50 μm以下，進而好的是4 μm以下。具體而言，碳化矽之平均粒徑較好的是0.3 μm~100 μm，更好的是0.3 μm~50 μm，進而好的是0.3 μm~4 μm。再者，碳化矽之平均粒徑可藉由與上述碳粒子之平均粒徑相同之方法而測定。碳化矽係於上述複合陶瓷中成為基質者，其結晶型可為α、β之任一者。
上述複合陶瓷較好的是由上述碳化矽與碳而構成，但在不損及本發明之效果之範圍內，亦可進而含有除碳化矽以外之碳化物等任意成分。
本發明之複合陶瓷含有粒徑較大之碳粒子，並且較好地含有粒徑較大之碳化矽，因而為確保複合陶瓷之強度，較好的是，空隙直徑較小。最大空隙直徑較好的是300 μm以下，更好的是0 μm~100 μm，進而好的是50 μm以下，進而更好的是25 μm以下。再者，最大空隙直徑可以如下方式而測定。即，對於複合陶瓷表面之空隙孔，可藉由keyence社製之VH－8000型而獲得空隙孔之像(照片)，並對所獲得之像進行畫像解析而求出。於畫像解析時，測定隨機定向之空隙孔之長軸徑(mm)與短軸徑(mm)，求出(長軸徑＋短軸徑)/2，並對於上述VH－8000型倍率為100倍時之視野中每一空隙孔，將各自所獲得之值之最大值作為最大空隙直徑。所謂長軸徑與短軸徑，係分別以如下方式而定義。當以2條平行線夾持空隙孔時，將該2條平行線之間隔為最小之空隙孔之寬度稱為短軸徑，另一方面，當以與該平行線成直角方向上之2條平行線來夾持空隙孔時，將該2條平行線之間隔稱為長軸徑。再者，於模具成形、CIP(COLD ISOSTATIC PRESS，冷等靜壓)、HIP(HOT ISOSTATIC PRESS，熱等靜壓)等中，若以0.5 t/cm2 ~5 t/cm2 之壓力而成形，則可使複合陶瓷之最大空隙直徑為300 μm以下。
本發明之成形模由於對於玻璃之脫模性高，因而較好的是，在玻璃成形時玻璃所接觸之表面之至少一部分由上述複合陶瓷而構成，進而好的是，上述接觸表面全部由上述複合陶瓷而構成。又，上述成形模之全體亦可由上述複合陶瓷而構成。其具體例為，當本發明之成形模由模具與沖頭而組成時，模具及沖頭之任一者或二者可由上述複合陶瓷所構成。又，對於模具及沖頭之任一者或二者，其與玻璃之接觸面之一部分或者整個面亦可由上述複合陶瓷所構成。
本發明之成形模之形狀可舉出與先前眾所周知之成形模相同之形狀。本發明之成形模之特徵為，含有上述複合陶瓷，且如上所述，若玻璃所接觸之表面之至少一部分含有上述複合陶瓷，則可提高對玻璃之脫模性，因而該形狀本身無任何限制。
當使用本發明之成形模來製造玻璃製硬碟基板時，上述成形模中與玻璃之接觸表面之形狀可轉印至成形後之玻璃表面，故較好的是，上述接觸表面儘可能平滑。具體而言，從成形後之基板研磨效率之觀點以及上述接觸表面之平滑性之觀點而言，上述接觸表面之中心線平均粗度Ra較好的是0.001 μm~10 μm，更好的是0.01 μm~9.5 μm，進而好的是0.02 μm~9 μm。再者，中心線平均粗度Ra可利用JIS B0651而求出。中心線平均粗度Ra可藉由提高燒結體之密度而設定於上述範圍，因此使用下述鍛燒之粉末(複合陶瓷)即可。
(複合陶瓷之製造方法)
本發明之玻璃製硬碟基板用成形模中之複合陶瓷，可以如下方式而製備。
上述複合陶瓷可藉由將含有碳化矽及碳源之原料混合物根據須要鍛燒之後，成形為所需形狀，並將其燒成而製造。以下將描述，當以該複合陶瓷構成本發明之成形模全體時，可成形為所需成形模形狀，又，當以該複合陶瓷構成本發明之成形模之一部分時，可成形為成形模零件之所需形狀。
上述複合陶瓷較好的是，含有如上所述碳之單體，但該碳之單體較好的是由製造過程中適當之碳源所生成。具體而言，可將碳化矽、下述碳源、以及所需之先前眾所周知之添加劑進行濕式混合後鍛燒。於該鍛燒步驟中，通常碳 源之碳轉變為單體。上述各原料之混合比例可適當設定為，所獲得之複合陶瓷中，對於100重量份之碳化矽，含有15重量份~50重量份之碳粒子。
上述添加劑並無特別限制，可舉出眾所周知之硼化合物、鈦化合物、鋁、氧化銥化合物等之燒結助劑等。
上述濕式混合可使用球磨機、振動式球磨機及行星式球磨機等進行混合。又，濕式混合所使用之溶劑並無特別限制，較好的是，苯、甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲醇、乙醇等醇系溶劑；以及甲基乙基酮等酮系溶劑等有機溶劑。作為其他溶劑，亦可使用水、水與上述有機溶劑之混合溶劑等。
濕式混合後之混合物之鍛燒並無特別限制，可以先前眾所周知之方法而進行，但從使所使用之碳源更充分地轉換為碳單體，並且維持良好分散性之觀點而言，較好的是，於惰性環境氣體(氮氣、氬氣等環境氣體)下，於150℃~800℃進行熱處理。
上述碳源並無特別限制，可使用於濕式混合所使用之上述有機溶劑中具有可溶性或分散性者，且在上述鍛燒條件下可轉換為碳者。當碳源為固體粉末時，從其分散性之觀點而言，較好的是平均粒徑為0.1 μm~100 μm左右之材料。又，為使上述碳源於鍛燒後轉換為碳之轉換率高，故以芳香族碳化氫較佳，具體而言，可舉出呋喃樹脂、酚樹脂及煤焦油瀝青等，其中更好的是酚樹脂及煤焦油瀝青。又，可將鍛燒後之上述物質作為碳源而使用。
作為上述碳化矽原料(粒子)，如上所述，可為α、β之任一結晶型。又，該碳化矽原料之純度並無特別限制，但從以更高密度燒結，進而提高耐磨耗性及耐久性之觀點而言，較好的是90重量%以上，更好的是95重量%以上。碳化矽原料(粒子)之平均粒徑並無特別限制，但從燒結性更良好之觀點而言，較好的是0.1 μm~10 μm之粉末。再者，碳化矽原料(粒子)之平均粒徑係藉由雷射繞射/散射光式粒徑分布測定裝置(商品名LA720，堀場製作所社製)而測定之體積平均粒徑D50 (以下相同)。
其次，對鍛燒後之混合物依所需進行造粒後，成形為所需形狀。成形方法並無特別限制，只要以模具成形法、射出法及CIP(冷等靜壓)法等形成塊，並根據須要對上述塊進行機械加工以製作所需形狀之成形體即可。
繼而，將所獲得之成形體提供於燒成步驟。燒成方法並無特別限制，可以眾所周知之方法而進行，但較好的是，於惰性環境氣體下或真空中，於1800℃~2300℃下進行處理。在上述燒成溫度下進行處理時，可獲得燒結體之密度、強度及硬度等機械特性更良好。為達成高密度化，上述燒成方法進而好的是，採用熱壓、HIP(熱等靜壓)法等。
該複合陶瓷除了容易地加工成形以外，依存於該特性，對賦予本發明欲解決之問題之一的成形模所要求之特性具有較大貢獻，該等特性具體而言，為相對於高溫玻璃之化學穩定性(耐氧化性、耐蝕性、對玻璃之惰性)或耐摩耗 性、與玻璃之脫模性、及表面平滑性等玻璃製硬碟基板用成形模之特性。
為避免上述複合陶瓷中之碳粒子及碳化矽之平均粒徑過度細微，較好的是，於上述適當範圍內調整碳原料之殘碳率及粒徑，並調整鍛燒條件，不過度地進行原料之溶解。又，對於碳化矽，較好的是，調整其燒成條件使結晶性提高，並適當地進行粒子成長。
(本發明之成形模之製造方法)
其次，將說明本發明之成形模之較佳製造方法，但本發明之成形模之製造方法並非限定於該等方法。當由上述複合陶瓷構成本發明之成形模全體時，可於上述複合陶瓷之製造步驟中，將鍛燒之混合物成形為所需成形模形狀，並燒成。又，當由上述複合陶瓷構成本發明之成形模之一部分時，如上所述，可製作由複合陶瓷而組成之零件，並將其作為成形模之一部分而組裝，以製造本發明之成形模。
本發明之成形模較好的是，於玻璃製硬碟基板之製造中與玻璃接觸之表面係如上所述之平滑面。因此較好的是，根據須要，研磨與上述玻璃之接觸表面。研磨方法並無特別限制，但當上述複合陶瓷為高硬度材料時，由於以鑽石以外之研磨料進行研磨時所需之時間變長，因而較好的是，利用鑽石研磨料進行研磨。從充分確保本發明之成形模中與玻璃之接觸表面之表面平滑性之觀點而言，所使用之鑽石研磨料之平均粒徑較好的是2 μm以下。
當構成本發明之成形模之上述複合陶瓷係以HIP法燒成時，可獲得非常高密度之燒結體。藉由所成形之玻璃之表面而賦予更良好之平滑性，故成形模之相對密度較高較佳。具體而言，成形模之相對密度較好的是95%以上，更好的是98%以上。該相對密度可以體積密度除以理論密度(真比重)來計算，體積密度可根據JIS R1634而測定。再者，當陶瓷由複數成分構成時，計算各成分之理論密度×各成分之含有量(重量%)÷100，並將所獲得之各成分之計算值之和，作為上述陶瓷全體之理論密度。
(玻璃製硬碟基板之製造方法)
如上所述，本發明之玻璃製硬碟基板之製造方法係包括下述步驟者，即，將玻璃原料配置於成形模中，並根據須要於加熱條件下，對上述玻璃原料進行加壓成形之步驟，上述成形模係本發明之玻璃製硬碟基板用成形模。如上所述本發明之製造方法中，只要使用本發明之成形模作為成形模，則其他步驟及處理條件等無任何限制。
對於本發明之玻璃製硬碟基板之製造方法之一例，將使用圖1進行說明，但本發明並非限制於此。
圖1係表示本發明之玻璃製硬碟基板用成形模之一例之剖面圖。如該圖所示，成形模具備對向之上模10a與下模10b，以及將該等上模及下模以可上下移動之方式而連結之外周部12，101a係上模10a之加工面(與玻璃之接觸面)，101b係下模10b之加工面(與玻璃之接觸面)。並且，成形模中，至少上模10a之加工面101a與下模10b之加工面101b係由上述複合陶瓷而構成。再者，成形模亦可不具備外周部。
首先，於成形模之上模10a及下模10b之間配置玻璃材料11(例如，配置於下模10b之加工面101b上)。其次，使上模10a與下模10b移動，以此對玻璃材料11加壓，此後，將其冷卻以成形為玻璃製硬碟基板。繼而，將該成形之玻璃製硬碟基板從上述成形模中脫模，獲得玻璃製硬碟基板。再者，本發明之玻璃製硬碟基板用成形模之製造方法之特徵為使用本發明之成形模，而溫度及加重條件等無任何限制，可如先前眾所周知之方式設定。
玻璃材料11中，可將未加熱之玻璃原料(室溫左右)配置於上模10a及下模10b之間，並且一邊加熱一邊進行加壓加工，亦可預先將玻璃原料11加熱至特定溫度而成為熔融玻璃，並使其從熔融玻璃槽通過流出管而向下模10b之加工面流下。加熱處理之溫度並無特別限制，但從成形性之觀點而言，較好的是200℃~1500℃，更好的是400℃~1500℃，進而好的是500℃~1400℃，進而更好的是600℃~1400℃。又，熔融玻璃之溫度只要可使玻璃原料熔融即可，其並無特別限制，但從成形性之觀點而言，較好的是200℃~1500℃，更好的是400℃~1500℃，進而好的是500℃~1400℃，進而更好的是600℃~1400℃。
加壓時所施加之壓力並無特別限制，但較好的是0.2 MPa~50 MPa，由於可進一步縮短加壓時間，故更好的是0.3 MPa~40 MPa，進而好的是0.4 MPa~30 MPa。再者，可使上模10a與下模10b之二者移動而進行加壓，亦可如圖1之箭頭所示，對上模10a施加壓力而進行加壓。
上述玻璃原料之種類亦無任何限制，可為成形後之形態為非晶質玻璃之原料，亦可為成形後之形態為結晶化玻璃(玻璃陶瓷)之原料。
(資訊記錄媒體)
根據本發明，可提供具備上述玻璃製硬碟基板之資訊記錄媒體。於此情形時，只要使用以上述方法而製作之玻璃製硬碟基板即可，資訊記錄媒體之其他構成等無任何限制。
[實施例]
將下述表1所示之碳源、平均粒徑為0.5 μm之β-碳化矽粒子(純度98重量%)、以及燒結助劑B4 C(2重量%)，於振動式球磨機中以乙醇進行濕式混合，乾燥後，於500℃下鍛燒2小時，並將該鍛燒物藉由乙醇進行濕式粉碎而漿料化。利用噴霧乾燥機對該漿料進行造粒以獲得顆粒。使用該等顆粒以CIP法形成為塊，並利用NC(Numerical Control)加工機對所獲得之塊進行加工，以成形為玻璃成形模，進而，於氬氣環境下，於2200℃下燒成4小時。再者，藉由該燒成而形成本發明之碳化矽-碳複合陶瓷。對於燒成後之成形模，以平均粒徑為2 μm之鑽石研磨料對與玻璃接觸之表面進行研磨，最終獲得玻璃製硬碟基板用成形模。再者，於下述表1中，碳含有量表示相對於100重量份之碳化矽，燒成後之碳含有量。
以下述測定方法對所獲得之成形模之各特性進行評價。該等結果一併顯示於下表1中。
(1)雷射拉曼比所謂雷射拉曼比，係指碳粒子之結晶相與非晶相之雷射拉曼分光強度之峰面積比(結晶相/非晶相)，其藉由氬雷射拉曼分光裝置(NEC社製)而測定。
(2)表面粗度使用粗度計(小坂技研製)，根據JIS B 0651而測定上述成形模之與玻璃接觸之表面之中心線平均粗度Ra。
(3)脫模性使用所製作之成形模，於以下條件製作硬碟基板，並以下述方式評價上述硬碟基板之硬碟基板成形模之脫模性。即，於上述成形模中，投入作為原料之玻璃凝塊(Gob塊)(黏度logη：1~4)，並施加20 MPa之壓力，以此製造玻璃製硬碟基板。進而，使用相同成形模，連續製造1000個玻璃製硬碟基板，並根據下述評價標準而評價各玻璃製硬碟基板之脫模性。
(硬碟基板之製作條件)玻璃成分：SiO2 、Li2 O、Al2 O3 、B2 O3 、Na2 O、K2 O即將加壓前之玻璃溫度：1200℃~1400℃(由放射溫度計測定)加壓方法：以直接加壓法，使特定重量之熔融玻璃之溫度降溫至成形溫度區域(logη＝7~10)為止，並利用成形模進行玻璃塊之加壓成形。冷卻條件：加壓中以熱交換用流體(水)來吸收加壓品之熱量。藉此，加壓面冷卻，因而可獲得高品質且高效率之玻璃成形品。
(評價標準)◎：表示1000個均脫模良好○：表示1000個中有1個脫模不良△：表示1000個中有2~4個脫模不良×：表示1000個中有5個以上脫模不良
其中，所謂脫模良好，係指加壓後隨即使成形模之上模脫離加壓品時，加壓品未移動則為良好，所謂脫模不良，係指加壓後隨即使成形模之上模離開加壓品時，加壓品移動，或者加壓品黏附於上模。
(4)耐久性成形模之耐久性係對上述(3)之脫模性測試後之成形模，進行表面外觀及其粗度目視之觀察，以及中心線平均粗度Ra之測定，並根據下述評價標準而進行評價。中心線平均粗度Ra係分別測定成形模(上模)之與玻璃之接觸面(加壓面)的中心部及外周部之一點，並求出兩個測定值之差。圖2中示意性表示成形模之上模。圖2中，圖2(A)係成形模之上模之剖面圖，圖2(B)係成形模之上模之平面圖。如圖2(B)所示，對於上述中心部，測定以成形模(上模)之加壓面之中心點為中心之2 mm(圖中之箭頭X)，對於上述外周部，測定自外周(該圖2(B)中內側之實線)向內側10 mm之更內側2 mm(圖中之箭頭Y)。下述評價標準中，所謂「粗度變化」，係指上述中心部與外周部之差的粗度差異，即，指上述中心部與外周部之差於脫模性測試前後所產生之變化量。再者，當成形模之耐久性評價較高時，同樣可認為耐磨耗性亦良好。
(評價標準)◎：無粗度變化○：認為有若干粗度變化 Ra△10%以下△：認為有粗度變化 Ra△20%以下×：認為有較大粗度變化 Ra△30%以下
如上所述，根據本發明之玻璃製硬碟基板用成形模，其與玻璃之反應性少，耐磨耗性耐久性優異，且成形後之玻璃從上述成形模表面之脫模性良好。因此，即使連續且長期地使用本發明之成形模，亦可抑制成形模加工表面之粗糙或脫模不良，且可高頻率地製造玻璃製硬碟基板。又，所獲得之玻璃製硬碟基板之良率亦提高，故可實現於成形後實質上無需研磨之表面平滑性。因此，根據本發明之成形模，可降低玻璃製硬碟基板之成形成本。
10a．．．上模
10b．．．下模
11．．．材料
12．．．外周部
101a．．．加工面
101b．．．加工面
圖1係表示本發明之玻璃製硬碟基板用成形模之一例之剖面圖。
圖2係本發明之實施例之玻璃製硬碟基板用成形模之上模圖，圖2A係上述上模之剖面圖，圖2B係上述上模之平面圖。
10a．．．上模
10b．．．下模
11．．．材料
12．．．外周部
101a、101b．．．加工面

Claims (9)

  1. 一種玻璃製硬碟基板用成形模，其係含有碳化矽-碳複合陶瓷者，其中上述碳化矽-碳複合陶瓷中，對於100重量份之碳化矽，含有15~50重量份之碳粒子，且上述碳粒子之平均粒徑為0.3 μm~5 μm之範圍。
  2. 如請求項1之玻璃製硬碟基板用成形模，其中上述碳化矽-碳複合陶瓷中碳化矽之平均粒徑為0.3 μm~100 μm之範圍。
  3. 如請求項1之玻璃製硬碟基板用成形模，其中上述碳化矽-碳複合陶瓷中碳化矽之平均粒徑為0.3 μm~4 μm之範圍。
  4. 如請求項2之玻璃製硬碟基板用成形模，其中上述碳化矽-碳複合陶瓷中碳化矽之平均粒徑為0.3 μm~4 μm之範圍。
  5. 如請求項1~4中任一項之玻璃製硬碟基板用成形模，其中上述碳粒子之結晶相與非晶相之雷射拉曼分光強度之峰值面積比(結晶相/非晶相)為1~10。
  6. 如請求項1~4中任一項之玻璃製硬碟基板用成形模，其中上述複合陶瓷之最大空隙直徑為300 μm以下。
  7. 如請求項1~4中任一項之玻璃製硬碟基板用成形模，其中於玻璃製硬碟基板成形時，與玻璃接觸之上述成形模表面之中心線平均粗度Ra為0.001 μm以上、10 μm以下。
  8. 一種玻璃製硬碟基板之製造方法，其係包括於成形模中 配置玻璃原料並對上述玻璃原料進行加壓成形之玻璃成形步驟，且上述成形模係請求項1~7中任一項之玻璃製硬碟基板用成形模。
  9. 如請求項8之玻璃製硬碟基板之製造方法，其中於上述玻璃成形步驟中，在將上述玻璃原料加熱至200℃~1500℃之狀態下，對上述玻璃原料施加0.2~50 MPa之壓力而成形。
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