JPH0146454B2 - - Google Patents
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- JPH0146454B2 JPH0146454B2 JP60090887A JP9088785A JPH0146454B2 JP H0146454 B2 JPH0146454 B2 JP H0146454B2 JP 60090887 A JP60090887 A JP 60090887A JP 9088785 A JP9088785 A JP 9088785A JP H0146454 B2 JPH0146454 B2 JP H0146454B2
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- glass lens
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
-
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- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2215/08—Coated press-mould dies
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- C03B2215/22—Non-oxide ceramics
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、ガラスレンズの成形用金型材に関す
るもので、特にプレス成形後における冷間研磨を
不要とした高い面精度と面粗度を有するガラスレ
ンズのプレス成形用金型及びその製造方法に関す
る。 ［従来の技術］ 冷間研磨を不要とするガラスレンズ成形用金型
材の具備条件は、高温でのプレス時に金型面がガ
ラスレンズ面にそのまま転写されるため、金型面
が光学的鏡面研磨可能なこと、ガラスレンズ成形
時の高温下で酸化による肌荒れを起さないこと、
および高温のガラスと接触して融着を起しにくい
こと、さらにはプレス時の衝撃に耐える機械強度
をもつことなどである。 従来ガラスレンズ成形用金型材としては、13ク
ロム鋼が一般的に使用されていた。この金型材は
高温で酸化され易く、成形時の高温で酸化され易
く、成形時の高温でガラスと融着しやすい。また
酸化防止のために不活性ガス雰囲気中で使用する
としても、ガラスの離型が困難であるので研磨不
要のガラスレンズプレス成形用金型材としては不
適当である。さらにモールド表面にガラス状カー
ボンを形成させて研磨不要のガラスレンズ成形用
金型とすること（特開昭47−11277号公報）、或は
表面材としてSiC、Si3N4、SiC＋Ｃを用いること
（特開昭52−45613号公報）も知られている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記のごとく表面材として形成された
ガラス状カーボンは酸化し易く、構造的にも不安
定で、引かき傷が生じやすい欠点をもつ。一方
SiC、Si3N4、SiC＋Ｃは酸化されにくく、引かき
傷を生じにくいという長所はあるが、特開昭52−
45613号公報に記載されているごとく、ホツトプ
レス、スパツター等の手法により、モールド面に
SiC、Si3N4、SiC＋Ｃ等を形成する場合には、次
のような問題点がある。すなわちホツトプレス法
により、モールド面にこれらの材料を形成させる
場合は、材料自身にある「巣」のために光学的鏡
面は得られない。またスパツター法では厚い膜を
得ることは困難であり、スパツター後に所定の光
学的鏡面に仕上げてモールドとして用いるために
は、コーテイング用基体は「巣」のないものにし
なければならない。 さらに、SiC＋Ｃについても、グラフアイト量
の範囲が明記されていないばかりか、本発明者が
行なつた実験によると、グラフアイト量が多くな
ると、モールドの酸化肌荒れが生じ、さらに、ガ
ラスの離型が悪くなるため、研磨不用のガラスレ
ンズ成形用金型材としては適さない。 また、ホツトプレス法によつて得られるSi3N4
には、焼結助剤として酸化物が含まれているた
め、ガラスとの融着が発生するので、化学気相析
出法により得られたSi3N4は、ガラスとの離型が
悪い。 ［発明の目的］ 上述の説明から明らかなように、本発明の目的
は、第１に高圧で能率的なプレス成形に使用し得
るとともに光学的鏡面研磨可能で、ガラスとの融
着のない、すなわち離型しやすい研磨不要のガラ
スレンズのプレス成形用金型材を提供することで
ある。第２には上記の金型材を合成するための条
件を提供することである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は高圧で能率的なプレス成形に使用し得
るとともに、光学的鏡面研磨可能でガラスとの融
着のない、すなわち離型しやすい研磨不要のガラ
スレンズのプレス成形用金型材としてカーボンを
含まず、かつ（111）面配向性を有するβ型炭化
珪素からなる材料が最も有効であることを発見し
てなつたものである。 そして、これらのフリーカーボンを含まない材
料を得るためには、原料ガス中のCi、Siのモル分
率をそれぞれΣC、ΣSiとした場合、ΣC／（ΣC＋
ΣSi）が0.41から0.47の範囲で化学気相析出法に
より合成することができる。ここで、β型炭化珪
素の析出温度をＴ℃、炉内全圧力をPTprrとした
場合、Ｔ＜1500で、かつＴ＜3P＋1200なる条件
のもとで合成することにより、（111）面配向性を
有するβ型炭化珪素を得ることができる。 化学気相析出法により合成されるSiCは、普通
β型の結晶体で、大別すると表面にピラミツド状
の凹凸のあるフアセツト状のものと、滑らかなコ
ーン状のものとがある。フアセツト状のものに
は、一般にフリーカーボンが含まれないという利
点があるものの、研削時にダイヤモンドが大きな
結晶粒の間に入りこみ、この後に鏡面研磨したと
きに、研磨面にダイヤモンドが残存したり、ある
いはこれが脱落して穴になつたり、また脱落した
ダイヤモンドによる引かき傷などのトラブルが発
生する。とくに研磨不要のガラスレンズのプレス
成形用金型としては、これらの問題は、重要な要
素となる。つまり合成されたSiCは研磨不要のガ
ラスレンズのプレス成形用金型としては（111）
配向面を示すコーン状のものが望ましいのであ
る。化学気相析出法により、フリーカーボンを含
まないSiCを高速で合成するための原料ガス系と
してはSi源とＣ源を別々のガスから供給し、かつ
Si源としてはSiH4よりもSiCl4を、またＣ源とし
ては高温で分解しやすいC3H8を用い、SiCl4のキ
ヤリアーガスとしてはH2を用いる方が望ましい。 次に本発明の限定理由を述べる。原料ガス中の
Si、Ｃのモル分率をそれぞれΣSi、ΣCとすると、
第２図に示すように、1200℃、100Torrにおい
て、ΣC／（ΣC＋ΣSi）が0.49以上の値になると、
析出物はSiC＋Ｃになることがわかる。 本発明では、原料ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）
が0.47以上の範囲にある場合にフリーカーボンを
含まないSiCを合成することができることを見い
出した。 また表１は、SiCl4＋H2900ml／min、H2450
ml／min、C3H860ml／min一定で、基体加熱温度
を1150〜1500℃、炉内全圧力を５〜300Torrの範
囲で変化させたときに得られたSiC中のＣ／Si比
を蛍光Ｘ線分析装置を用いて測定したものであつ
て、全温度、全圧力範囲において、測定誤差範囲
内でほぼSi：Ｃ＝１：１であることがわかる。
るもので、特にプレス成形後における冷間研磨を
不要とした高い面精度と面粗度を有するガラスレ
ンズのプレス成形用金型及びその製造方法に関す
る。 ［従来の技術］ 冷間研磨を不要とするガラスレンズ成形用金型
材の具備条件は、高温でのプレス時に金型面がガ
ラスレンズ面にそのまま転写されるため、金型面
が光学的鏡面研磨可能なこと、ガラスレンズ成形
時の高温下で酸化による肌荒れを起さないこと、
および高温のガラスと接触して融着を起しにくい
こと、さらにはプレス時の衝撃に耐える機械強度
をもつことなどである。 従来ガラスレンズ成形用金型材としては、13ク
ロム鋼が一般的に使用されていた。この金型材は
高温で酸化され易く、成形時の高温で酸化され易
く、成形時の高温でガラスと融着しやすい。また
酸化防止のために不活性ガス雰囲気中で使用する
としても、ガラスの離型が困難であるので研磨不
要のガラスレンズプレス成形用金型材としては不
適当である。さらにモールド表面にガラス状カー
ボンを形成させて研磨不要のガラスレンズ成形用
金型とすること（特開昭47−11277号公報）、或は
表面材としてSiC、Si3N4、SiC＋Ｃを用いること
（特開昭52−45613号公報）も知られている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記のごとく表面材として形成された
ガラス状カーボンは酸化し易く、構造的にも不安
定で、引かき傷が生じやすい欠点をもつ。一方
SiC、Si3N4、SiC＋Ｃは酸化されにくく、引かき
傷を生じにくいという長所はあるが、特開昭52−
45613号公報に記載されているごとく、ホツトプ
レス、スパツター等の手法により、モールド面に
SiC、Si3N4、SiC＋Ｃ等を形成する場合には、次
のような問題点がある。すなわちホツトプレス法
により、モールド面にこれらの材料を形成させる
場合は、材料自身にある「巣」のために光学的鏡
面は得られない。またスパツター法では厚い膜を
得ることは困難であり、スパツター後に所定の光
学的鏡面に仕上げてモールドとして用いるために
は、コーテイング用基体は「巣」のないものにし
なければならない。 さらに、SiC＋Ｃについても、グラフアイト量
の範囲が明記されていないばかりか、本発明者が
行なつた実験によると、グラフアイト量が多くな
ると、モールドの酸化肌荒れが生じ、さらに、ガ
ラスの離型が悪くなるため、研磨不用のガラスレ
ンズ成形用金型材としては適さない。 また、ホツトプレス法によつて得られるSi3N4
には、焼結助剤として酸化物が含まれているた
め、ガラスとの融着が発生するので、化学気相析
出法により得られたSi3N4は、ガラスとの離型が
悪い。 ［発明の目的］ 上述の説明から明らかなように、本発明の目的
は、第１に高圧で能率的なプレス成形に使用し得
るとともに光学的鏡面研磨可能で、ガラスとの融
着のない、すなわち離型しやすい研磨不要のガラ
スレンズのプレス成形用金型材を提供することで
ある。第２には上記の金型材を合成するための条
件を提供することである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は高圧で能率的なプレス成形に使用し得
るとともに、光学的鏡面研磨可能でガラスとの融
着のない、すなわち離型しやすい研磨不要のガラ
スレンズのプレス成形用金型材としてカーボンを
含まず、かつ（111）面配向性を有するβ型炭化
珪素からなる材料が最も有効であることを発見し
てなつたものである。 そして、これらのフリーカーボンを含まない材
料を得るためには、原料ガス中のCi、Siのモル分
率をそれぞれΣC、ΣSiとした場合、ΣC／（ΣC＋
ΣSi）が0.41から0.47の範囲で化学気相析出法に
より合成することができる。ここで、β型炭化珪
素の析出温度をＴ℃、炉内全圧力をPTprrとした
場合、Ｔ＜1500で、かつＴ＜3P＋1200なる条件
のもとで合成することにより、（111）面配向性を
有するβ型炭化珪素を得ることができる。 化学気相析出法により合成されるSiCは、普通
β型の結晶体で、大別すると表面にピラミツド状
の凹凸のあるフアセツト状のものと、滑らかなコ
ーン状のものとがある。フアセツト状のものに
は、一般にフリーカーボンが含まれないという利
点があるものの、研削時にダイヤモンドが大きな
結晶粒の間に入りこみ、この後に鏡面研磨したと
きに、研磨面にダイヤモンドが残存したり、ある
いはこれが脱落して穴になつたり、また脱落した
ダイヤモンドによる引かき傷などのトラブルが発
生する。とくに研磨不要のガラスレンズのプレス
成形用金型としては、これらの問題は、重要な要
素となる。つまり合成されたSiCは研磨不要のガ
ラスレンズのプレス成形用金型としては（111）
配向面を示すコーン状のものが望ましいのであ
る。化学気相析出法により、フリーカーボンを含
まないSiCを高速で合成するための原料ガス系と
してはSi源とＣ源を別々のガスから供給し、かつ
Si源としてはSiH4よりもSiCl4を、またＣ源とし
ては高温で分解しやすいC3H8を用い、SiCl4のキ
ヤリアーガスとしてはH2を用いる方が望ましい。 次に本発明の限定理由を述べる。原料ガス中の
Si、Ｃのモル分率をそれぞれΣSi、ΣCとすると、
第２図に示すように、1200℃、100Torrにおい
て、ΣC／（ΣC＋ΣSi）が0.49以上の値になると、
析出物はSiC＋Ｃになることがわかる。 本発明では、原料ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）
が0.47以上の範囲にある場合にフリーカーボンを
含まないSiCを合成することができることを見い
出した。 また表１は、SiCl4＋H2900ml／min、H2450
ml／min、C3H860ml／min一定で、基体加熱温度
を1150〜1500℃、炉内全圧力を５〜300Torrの範
囲で変化させたときに得られたSiC中のＣ／Si比
を蛍光Ｘ線分析装置を用いて測定したものであつ
て、全温度、全圧力範囲において、測定誤差範囲
内でほぼSi：Ｃ＝１：１であることがわかる。
【表】
従来の研究では、高温ほどフリーカーボンが共
析し、低温ほどシリコンが共析するといわれてい
たが、本発明では、生成したSiC中のＣ／Si比
は、析出温度や圧力にはほとんど依存せず、原料
ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）で決まることを見い
出した。例えば、ΣC／（ΣC＋Si）が0.47以下の
ときにはＣ／Si比が１のSiCが、また0.49のとき
にはＣ／Si＝1.2のSiC＋Ｃが生成する。このこと
は、化学量論的なSiCを合成するための有益な知
見である。一方ΣC／（ΣC＋ΣSi）が0.41以下で
はフリーカーボンのない（111）配向をもつβ型
多結晶SiCが得られるがβ型SiCを得ることが出
来なくなるばかりでなく、フリーシリコンが存在
して来る場合もでて来るので望ましい。 また、本発明に於いては実施例４に述べるよう
に、β型炭化珪素の析出温度をＴ＜3p＋1200な
る条件を満さない場合には、表面にピラミツド状
の凹凸のあるフアセツト状の多結晶体が生じ、本
発明の目的の金型材としては適さない。 次にフリーカーボンを含まないSiCを合成する
ための装置の説明図を第１図に示す。縦型の石英
反応管１の一方にガス供給系１０を、他方に真空
排気系１１をそれぞれ配置する。石英反応管１の
内部にセツトしたカーボンヒーターを15Kw、
400KHzの高周波誘導加熱により所定温度に加熱
し、そのカーボンヒーターからの間接加熱で基体
を加熱する。２はワークコイルである。ガス供給
系１０内の原料ガスはそれぞれ流量計８を通つて
下部より反応管１に供給されるが、原料のSiCl4
用バブラー９は、20℃の恒温槽３の中にセツトさ
れ、H2ガスにより反応管１内へキヤリアされる。
原料ガスSiCl4＋H2およびC3H8を混合器４で混合
した後、反応管１内に導入すると共に、全体の
H2量を一定に保つため、別系統のH2ラインを用
意して直接反応管１に供給する。排気は反応管上
部より行ない、油回転ポンプ（リキツドシールド
タイプポンプ）５により行なう。油回転ポンプ５
と反応管１の間に、トラツプ６を設け未反応の
SiCl4および反応副生成物のHClを除去する。ま
た、反応管内の圧力はマノメーター７を用いて制
御する。 実施例 １ 1200℃、100TorrでSiCl4＋H2900ml／min、
H2450ml／minの条件下でC3H8量を10、20、40、
60、80、100ml／minと変えたときのΣC／（ΣC＋
ΣSi）はそれぞれ0.88、0.162、0.279、0.367、
0.436、0.492となりC3H8100mlのときのみがＣ／
Si＝1.20となり、SiC＋Ｃとなつている。 実施例 ２ 1200℃、100TorrでH2総量1040ml／min、
C3H860ml／minの条件下で、SiCl4＋H2量を150、
300、600、900、1200、1500ml／minと変えたと
きのΣC／（ΣC＋ΣSi）はそれぞれ0.777、0.635、
0.466、0.367、0.303となりSiCl4＋H2が150、300
ml／minのときに、Ｃ／Siはそれぞれ2.13、1.23
となりSiC＋Ｃとなつている。 実施例 ３ Ｃ／Siが1.0、1.2、1.5、2.0の各種SiCについ
て、ダイヤモンドペーストを用いて約30ARmax
の鏡面に研磨した後、800℃大気中で45時間酸化
させた後の面粗度の変化を第３図に示した。 これからわかるように、Ｃ／Siつまりフリーカ
ーボン量が増加するにつれて、酸化による肌荒れ
が顕著になり、ガラスが離型しにくくなる。 実施例 ４ SiCl4＋H2900ml／min、H2450ml／min、
C3H860ml／minの条件下で基体加熱温度（Td）
1150〜1500℃、炉内全圧力（Ptot）５〜300Torr
で60分合成したときの析出面の配向性をＸ線回析
で調べた結果が表２に示す。
析し、低温ほどシリコンが共析するといわれてい
たが、本発明では、生成したSiC中のＣ／Si比
は、析出温度や圧力にはほとんど依存せず、原料
ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）で決まることを見い
出した。例えば、ΣC／（ΣC＋Si）が0.47以下の
ときにはＣ／Si比が１のSiCが、また0.49のとき
にはＣ／Si＝1.2のSiC＋Ｃが生成する。このこと
は、化学量論的なSiCを合成するための有益な知
見である。一方ΣC／（ΣC＋ΣSi）が0.41以下で
はフリーカーボンのない（111）配向をもつβ型
多結晶SiCが得られるがβ型SiCを得ることが出
来なくなるばかりでなく、フリーシリコンが存在
して来る場合もでて来るので望ましい。 また、本発明に於いては実施例４に述べるよう
に、β型炭化珪素の析出温度をＴ＜3p＋1200な
る条件を満さない場合には、表面にピラミツド状
の凹凸のあるフアセツト状の多結晶体が生じ、本
発明の目的の金型材としては適さない。 次にフリーカーボンを含まないSiCを合成する
ための装置の説明図を第１図に示す。縦型の石英
反応管１の一方にガス供給系１０を、他方に真空
排気系１１をそれぞれ配置する。石英反応管１の
内部にセツトしたカーボンヒーターを15Kw、
400KHzの高周波誘導加熱により所定温度に加熱
し、そのカーボンヒーターからの間接加熱で基体
を加熱する。２はワークコイルである。ガス供給
系１０内の原料ガスはそれぞれ流量計８を通つて
下部より反応管１に供給されるが、原料のSiCl4
用バブラー９は、20℃の恒温槽３の中にセツトさ
れ、H2ガスにより反応管１内へキヤリアされる。
原料ガスSiCl4＋H2およびC3H8を混合器４で混合
した後、反応管１内に導入すると共に、全体の
H2量を一定に保つため、別系統のH2ラインを用
意して直接反応管１に供給する。排気は反応管上
部より行ない、油回転ポンプ（リキツドシールド
タイプポンプ）５により行なう。油回転ポンプ５
と反応管１の間に、トラツプ６を設け未反応の
SiCl4および反応副生成物のHClを除去する。ま
た、反応管内の圧力はマノメーター７を用いて制
御する。 実施例 １ 1200℃、100TorrでSiCl4＋H2900ml／min、
H2450ml／minの条件下でC3H8量を10、20、40、
60、80、100ml／minと変えたときのΣC／（ΣC＋
ΣSi）はそれぞれ0.88、0.162、0.279、0.367、
0.436、0.492となりC3H8100mlのときのみがＣ／
Si＝1.20となり、SiC＋Ｃとなつている。 実施例 ２ 1200℃、100TorrでH2総量1040ml／min、
C3H860ml／minの条件下で、SiCl4＋H2量を150、
300、600、900、1200、1500ml／minと変えたと
きのΣC／（ΣC＋ΣSi）はそれぞれ0.777、0.635、
0.466、0.367、0.303となりSiCl4＋H2が150、300
ml／minのときに、Ｃ／Siはそれぞれ2.13、1.23
となりSiC＋Ｃとなつている。 実施例 ３ Ｃ／Siが1.0、1.2、1.5、2.0の各種SiCについ
て、ダイヤモンドペーストを用いて約30ARmax
の鏡面に研磨した後、800℃大気中で45時間酸化
させた後の面粗度の変化を第３図に示した。 これからわかるように、Ｃ／Siつまりフリーカ
ーボン量が増加するにつれて、酸化による肌荒れ
が顕著になり、ガラスが離型しにくくなる。 実施例 ４ SiCl4＋H2900ml／min、H2450ml／min、
C3H860ml／minの条件下で基体加熱温度（Td）
1150〜1500℃、炉内全圧力（Ptot）５〜300Torr
で60分合成したときの析出面の配向性をＸ線回析
で調べた結果が表２に示す。
【表】
○：コーン ×：フアセツト
上記表２から明らかなように、化学気相析出法
により合成されるβ―SiCには、大別すると、フ
アセツト状のものとコーン状のものとがある。フ
アセツト状とコーン状の試料を同一条件で研削、
研磨した結果、フアセツト状の試料では、研磨面
にダイヤモンドが残存したり、これが脱落して生
じたと思われる引かき傷が観察された。 従つて、欠陥のない光学的な鏡面をもつたSiC
を得るための化学気相析出条件は、コーン状すな
わち（111）配向のSiCを合成する条件、すなわ
ち析出温度Ｔ℃は1500℃以下、PTorrを炉内圧力
とした場合、Ｔ＜3P＋1200なる条件が適してい
るが、特に低温で高圧ほど適していることがわか
る。 ［本発明の効果］ 本発明によればフリーカーボンのないβ型炭化
珪素を使用するため、酸化による金型の寿命の低
下が防止でき、プレスレンズ成形用金型として好
適である。コーン状の（111）面配向を示すβ型
炭化珪素であるため、金型を加工する際、ダイア
モンドが結晶粒の間に入り込むことなく、平滑な
面が得られ、精度の高い研磨不要のガラスレンズ
を容易に製造することができる。
上記表２から明らかなように、化学気相析出法
により合成されるβ―SiCには、大別すると、フ
アセツト状のものとコーン状のものとがある。フ
アセツト状とコーン状の試料を同一条件で研削、
研磨した結果、フアセツト状の試料では、研磨面
にダイヤモンドが残存したり、これが脱落して生
じたと思われる引かき傷が観察された。 従つて、欠陥のない光学的な鏡面をもつたSiC
を得るための化学気相析出条件は、コーン状すな
わち（111）配向のSiCを合成する条件、すなわ
ち析出温度Ｔ℃は1500℃以下、PTorrを炉内圧力
とした場合、Ｔ＜3P＋1200なる条件が適してい
るが、特に低温で高圧ほど適していることがわか
る。 ［本発明の効果］ 本発明によればフリーカーボンのないβ型炭化
珪素を使用するため、酸化による金型の寿命の低
下が防止でき、プレスレンズ成形用金型として好
適である。コーン状の（111）面配向を示すβ型
炭化珪素であるため、金型を加工する際、ダイア
モンドが結晶粒の間に入り込むことなく、平滑な
面が得られ、精度の高い研磨不要のガラスレンズ
を容易に製造することができる。
第１図は本発明を実施するための装置の説明
図、第２図は原料ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）と
合成されたSiC中のＣ／Si、３比との関係を示す
グラフ、第３図は800℃大気中で45時間処理後の
SiCのＣ／Si比との関係を示すグラフである。
図、第２図は原料ガス中のΣC／（ΣC＋ΣSi）と
合成されたSiC中のＣ／Si、３比との関係を示す
グラフ、第３図は800℃大気中で45時間処理後の
SiCのＣ／Si比との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モールド表面にフリーカーボンを含まず、か
つ（111）面配向性を有するβ―型炭化珪素を形
成させてなるガラスレンズ成形のための金型。 ２ 化学気相析出法によりモールド表面に炭化珪
素層を析出形成させる方法において、原料ガス中
のＣ、Siのモル分率をそれぞれΣC、ΣSiとした場
合、ΣC／（ΣC＋ΣSi）が、0.47以下の範囲で合
成することを特徴とするガラスレンズ成形のため
の金型の製造方法。 ３ ΣC／（ΣC＋ΣSi）が0.47〜0.41である特許請
求の範囲第２項記載のガラスレンズ成形のための
金型の製造方法。 ４ β―型炭化珪素の析出温度をＴ℃、炉内全圧
力をPTprrとした場合、Ｔ＜1500で、かつＴ＜3P
＋1200なる条件のもとで気相析出法により、合成
することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
のガラスレンズ形成のための金型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60090887A JPS61251528A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60090887A JPS61251528A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251528A JPS61251528A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH0146454B2 true JPH0146454B2 (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=14010936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60090887A Granted JPS61251528A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251528A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0692634B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1994-11-16 | 三井造船株式会社 | ミラー |
| JPH0662307B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1994-08-17 | オリンパス光学工業株式会社 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
| CN101454479A (zh) * | 2006-05-31 | 2009-06-10 | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 | 成膜方法、模具及模具的制造方法 |
| JP2008045155A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Konica Minolta Opto Inc | 成膜装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5245613A (en) * | 1975-09-02 | 1977-04-11 | Eastman Kodak Co | Process for molding of optical glass body and body with said process |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60090887A patent/JPS61251528A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5245613A (en) * | 1975-09-02 | 1977-04-11 | Eastman Kodak Co | Process for molding of optical glass body and body with said process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61251528A (ja) | 1986-11-08 |
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