JPH0692634B2 - ミラー - Google Patents
ミラーInfo
- Publication number
- JPH0692634B2 JPH0692634B2 JP62043957A JP4395787A JPH0692634B2 JP H0692634 B2 JPH0692634 B2 JP H0692634B2 JP 62043957 A JP62043957 A JP 62043957A JP 4395787 A JP4395787 A JP 4395787A JP H0692634 B2 JPH0692634 B2 JP H0692634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- mirror
- coating
- present
- ray diffraction
- Prior art date
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はCVDによるβ‐SiC被膜を形成したミラーに関す
る。
る。
［従来の技術］ 近年、高温高強度材料として、窒化珪素、炭化珪素、サ
イアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラミ
ックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開発
がなされている。
イアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラミ
ックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開発
がなされている。
これらセラミックスのうち、炭化珪素（以下「SiC」と
略記する。）は、 軽い材料である。
略記する。）は、 軽い材料である。
常温から高温まで機械的強度が高く安定している。
熱膨張が小さく熱伝導性が良いため耐スポーリング性
に優れる。
に優れる。
耐食性が極めて大きい。
硬度が高く、耐摩耗性に優れる。
導電性があり電気素子としても使用できる。
などの特徴を有し、極めて重要な工業材料として注目さ
れている。
れている。
とりわけ、CVD法等の気相法によって製造されるSiCは、
緻密で高純度であることから、これらの特性が著しく高
いため、気相法SiC膜で被覆することにより、各種部材
の特性を改良する方法が従来より提案されている。そし
て、例えば特開昭59-99401にはCVDによりβ‐SiC被膜を
形成したミラーが記載されている。
緻密で高純度であることから、これらの特性が著しく高
いため、気相法SiC膜で被覆することにより、各種部材
の特性を改良する方法が従来より提案されている。そし
て、例えば特開昭59-99401にはCVDによりβ‐SiC被膜を
形成したミラーが記載されている。
［発明が解決しようとする問題点］ CVDによるSiC被膜を有するミラーにおいては、基材表面
に形成されたSiC被膜を研磨仕上げしなければならない
のであるが、SiCは極めて硬度が高いので、従来のSiC被
膜を有するミラーでは、良好な反射率、散乱比を得るの
が極めて困難であった。
に形成されたSiC被膜を研磨仕上げしなければならない
のであるが、SiCは極めて硬度が高いので、従来のSiC被
膜を有するミラーでは、良好な反射率、散乱比を得るの
が極めて困難であった。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、理論反射率が高く、光学的特性に優れたCVD-
SiC被膜を有するミラーを提供するものであって、 基材上にCVDにより形成したβ‐SiC被膜を研磨してなる
ミラーであって、該β‐SiC被膜のCuKαによる（111）
面のＸ線回折線積分強度I(111)とその他の任意の格子面
のＸ線回折線積分強度IXとの比I(111)/Ixが30以上であ
り、研磨面の反射率が95％以上で、散乱の信号と雑音の
強度比が10000以上であることを特徴とするミラー、を
要旨とするものである。
SiC被膜を有するミラーを提供するものであって、 基材上にCVDにより形成したβ‐SiC被膜を研磨してなる
ミラーであって、該β‐SiC被膜のCuKαによる（111）
面のＸ線回折線積分強度I(111)とその他の任意の格子面
のＸ線回折線積分強度IXとの比I(111)/Ixが30以上であ
り、研磨面の反射率が95％以上で、散乱の信号と雑音の
強度比が10000以上であることを特徴とするミラー、を
要旨とするものである。
［作用］ 本発明のミラーのSiC被膜は、結晶成長方向が（111）方
向にそろっているところから、高い屈折率が得られる。
このため理論反射率が高く、光学的特性に優れたミラー
が提供される。
向にそろっているところから、高い屈折率が得られる。
このため理論反射率が高く、光学的特性に優れたミラー
が提供される。
［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例に係るSiC被膜を有するミラー
の部分断面図である。図示の如く、本発明のSiC被膜を
有するミラーは、基材１上にSiC被膜２が形成されたミ
ラーであって、該SiCのCuKαによる（111）面のＸ線回
折線積分文強度I(111)とその他の任意の格子面のＸ線回
折線積分強度IXとの比I(111)/IXが30以上であるもので
ある。
の部分断面図である。図示の如く、本発明のSiC被膜を
有するミラーは、基材１上にSiC被膜２が形成されたミ
ラーであって、該SiCのCuKαによる（111）面のＸ線回
折線積分文強度I(111)とその他の任意の格子面のＸ線回
折線積分強度IXとの比I(111)/IXが30以上であるもので
ある。
このように結晶方位がそろっていると屈折率が高く、高
い理論反射率が得られる。しかも、結晶成長方向がそろ
っているため、極めて研磨が容易であり、最終的な仕上
りが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。
い理論反射率が得られる。しかも、結晶成長方向がそろ
っているため、極めて研磨が容易であり、最終的な仕上
りが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。
本発明において、基材１としては金属、セラミック、合
成樹脂等各種のものが採用できる。
成樹脂等各種のものが採用できる。
また、この基材１上に（111）方向に結晶成長方向が配
向したSiC被膜は、CVD法によって形成される。
向したSiC被膜は、CVD法によって形成される。
このCVD法の基本反応は良く知られてるところであり、
例えばSiCl4等のハロゲン化珪素とC3H8等の炭化水素と
をH2をキャリアガスとして流し、SiCを析出させるもの
である。
例えばSiCl4等のハロゲン化珪素とC3H8等の炭化水素と
をH2をキャリアガスとして流し、SiCを析出させるもの
である。
なお、本発明では珪素原料ガス及び炭素原料ガスとし
て、上記以外の各種のものを用い得る。
て、上記以外の各種のものを用い得る。
このSiC被膜を研磨する方法は特に限定されるものでは
なく、ホーニング、超仕上げ、研磨布加工、ラッピン
グ、ポリシング、バレル加工、超音波加工、EEM（エラ
スティックエミッションマシニング）、メカノケミカル
ポリシング、フロートポリシングなど各種の方法が採用
できる。
なく、ホーニング、超仕上げ、研磨布加工、ラッピン
グ、ポリシング、バレル加工、超音波加工、EEM（エラ
スティックエミッションマシニング）、メカノケミカル
ポリシング、フロートポリシングなど各種の方法が採用
できる。
以下、具体例について説明する。
本発明例として、反応焼結SiC製基材に、温度:1500℃、
原料ガス：SiCl4、及び、C3H8、キャリアガス：H2、ガ
ス流量:0.7l/minなる条件の下でβ‐SiC被膜を形成し
た。
原料ガス：SiCl4、及び、C3H8、キャリアガス：H2、ガ
ス流量:0.7l/minなる条件の下でβ‐SiC被膜を形成し
た。
この被膜のCuKαによるＸ線回折チャートは第２図の通
りであり、（111）面の反射強度とその他の反射強度と
の比は第１表の通りである。
りであり、（111）面の反射強度とその他の反射強度と
の比は第１表の通りである。
比較例として、I(111)/IXが30未満のCVD被膜を基材上に
形成した。この被膜のＸ線回折チャートを第３図に示
す。この比較例の被膜の（111）面の反射強度とその他
の反射強度との比は第１表の通りいずれも30未満であ
る。
形成した。この被膜のＸ線回折チャートを第３図に示
す。この比較例の被膜の（111）面の反射強度とその他
の反射強度との比は第１表の通りいずれも30未満であ
る。
各々の部材について、反射特性を調べたところ、本発明
に係る被膜は、屈折率が高く、理論反射率が著しく高い
ため、ミラーとして極めて優れた特性を有することが判
明した。
に係る被膜は、屈折率が高く、理論反射率が著しく高い
ため、ミラーとして極めて優れた特性を有することが判
明した。
しかして、本発明例の被膜を回転研磨法で研磨したとこ
ろ、反射率95％以上、散乱の信号と雑音の強度比が1000
0以上のミラーが得られた。
ろ、反射率95％以上、散乱の信号と雑音の強度比が1000
0以上のミラーが得られた。
また、比較例の被膜を前記と同様に研磨したところ、反
射率は90％以下であり、散乱の信号と雑音の強度比は10
00以下となった。
射率は90％以下であり、散乱の信号と雑音の強度比は10
00以下となった。
このように本発明に係る被膜は、極めて研磨し易い被膜
であることが認められた。
であることが認められた。
［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明のミラーのSiC被膜は、結晶
方位が揃っているため屈折率が高く、理論反射率が著し
く高い。しかも、極めて研磨し易く、良好な反射率、散
乱比のミラーとすることができる。また、表面はSiC層
であるため、SiCの優れた耐食性、耐摩耗性を有する。
方位が揃っているため屈折率が高く、理論反射率が著し
く高い。しかも、極めて研磨し易く、良好な反射率、散
乱比のミラーとすることができる。また、表面はSiC層
であるため、SiCの優れた耐食性、耐摩耗性を有する。
第１図は本発明のSiC被膜を有するミラーの部分断面
図、第２図は本発明に係るSiC被膜のＸ線回折チャー
ト、第３図は従来のSiC被膜のＸ線回折チャートであ
る。 １……基材、２……被膜。
図、第２図は本発明に係るSiC被膜のＸ線回折チャー
ト、第３図は従来のSiC被膜のＸ線回折チャートであ
る。 １……基材、２……被膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基材上にCVDにより形成したβ‐SiC被膜を
研磨してなるミラーであって、該β‐SiC被膜のCuKαに
よる（111）面のＸ線回折線積分強度I(111)とその他の
任意の格子面のＸ線回折線積分強度IXとの比I(111)/Ix
が30以上であり、研磨面の反射率が95％以上で、散乱の
信号と雑音の強度比が10000以上であることを特徴とす
るミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043957A JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62043957A JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210276A JPS63210276A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0692634B2 true JPH0692634B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=12678183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62043957A Expired - Lifetime JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692634B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832591B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1996-03-29 | 日本ピラー工業株式会社 | 複合材 |
| JPH03162593A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板及びその製造法 |
| JPH0832592B2 (ja) * | 1990-09-05 | 1996-03-29 | 日本ピラー工業株式会社 | 複合材 |
| JP2003114313A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Kiyousera Opt Kk | 反射鏡およびこれを用いた映像プロジェクタ装置 |
| WO2014148149A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | イビデン株式会社 | ミラーおよびその製造方法 |
| JP2015052661A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | イビデン株式会社 | 反射ミラー |
| JP2016024310A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | イビデン株式会社 | ミラーおよびその製造方法 |
| CN110965123A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-07 | 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 | 一种致密单晶型SiC涂层的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251528A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Hoya Corp | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP62043957A patent/JPH0692634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210276A (ja) | 1988-08-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |