JPH0570267A - Ｘ線反射用ミラーおよびその製法 - Google Patents
Ｘ線反射用ミラーおよびその製法Info
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- JPH0570267A JPH0570267A JP3233185A JP23318591A JPH0570267A JP H0570267 A JPH0570267 A JP H0570267A JP 3233185 A JP3233185 A JP 3233185A JP 23318591 A JP23318591 A JP 23318591A JP H0570267 A JPH0570267 A JP H0570267A
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- sic
- film
- sic film
- amorphous
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 粒界段差がミラー面に生じて表面粗さが粗く
なるのを解決し、表面が超平滑で高反射率であり、耐熱
衝撃性に優れたＸ線反射用ミラーおよびその製法を提供
する。 【構成】 再結晶質のＳｉＣ基材に多結晶のＳｉＣ膜を
コーティングして研削加工および鏡面研磨し、再度その
表面に単結晶またはアモルファスのＳｉＣ膜をコーティ
ングして研磨加工により鏡面としたＸ線反射用ミラーの
製法。
なるのを解決し、表面が超平滑で高反射率であり、耐熱
衝撃性に優れたＸ線反射用ミラーおよびその製法を提供
する。 【構成】 再結晶質のＳｉＣ基材に多結晶のＳｉＣ膜を
コーティングして研削加工および鏡面研磨し、再度その
表面に単結晶またはアモルファスのＳｉＣ膜をコーティ
ングして研磨加工により鏡面としたＸ線反射用ミラーの
製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線や放射光などの短
波長の光を反射および集光するミラーおよびその製法に
関するものである。
波長の光を反射および集光するミラーおよびその製法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、たとえば特開平1-228000号公報
に開示された従来のＸ線反射用ＳｉＣミラーの断面図で
ある。気孔率３〜30％の気孔２を有する再結晶質のＳｉ
Ｃ １を基材として化学蒸着法によりＳｉＣ膜３をコー
ティングして鏡面研磨したものである。これにより、長
時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、また、作製
時にピンホールが発生しないというものである。
に開示された従来のＸ線反射用ＳｉＣミラーの断面図で
ある。気孔率３〜30％の気孔２を有する再結晶質のＳｉ
Ｃ １を基材として化学蒸着法によりＳｉＣ膜３をコー
ティングして鏡面研磨したものである。これにより、長
時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、また、作製
時にピンホールが発生しないというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーは、以上のように、再結晶質のＳｉＣ基材の表
面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜をコーティングすること
により、長時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、
また、ピンホールのないミラー面がえられるという特徴
がある。しかし、化学蒸着法によりコーティングされた
ＳｉＣ膜は多結晶であり、この膜をＸ線反射用ミラーに
供するために研磨加工を施したばあい、加工異方性のた
め、粒界段差がミラー面に生じ、表面粗さが悪化し、反
射率が低くなるという欠点がある。
Ｃミラーは、以上のように、再結晶質のＳｉＣ基材の表
面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜をコーティングすること
により、長時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、
また、ピンホールのないミラー面がえられるという特徴
がある。しかし、化学蒸着法によりコーティングされた
ＳｉＣ膜は多結晶であり、この膜をＸ線反射用ミラーに
供するために研磨加工を施したばあい、加工異方性のた
め、粒界段差がミラー面に生じ、表面粗さが悪化し、反
射率が低くなるという欠点がある。
【０００４】本発明は、前述のような問題を解決するた
めになされたもので、高反射率で耐熱衝撃性に優れたＸ
線反射用ミラーを提供することを目的とする。
めになされたもので、高反射率で耐熱衝撃性に優れたＸ
線反射用ミラーを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線反射用ミラ
ーは、多結晶ＳｉＣの表面を単結晶またはアモルファス
のＳｉＣ膜でコーティングし、研削加工および研磨加工
によって鏡面加工したものである。
ーは、多結晶ＳｉＣの表面を単結晶またはアモルファス
のＳｉＣ膜でコーティングし、研削加工および研磨加工
によって鏡面加工したものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、単結晶または、アモルファ
スのＳｉＣ膜を多結晶ＳｉＣの表面に形成しているた
め、鏡面加工に供される面は単結晶またはアモルファス
であり、研磨加工を施しても粒界段差を生じない。した
がって、加工面の表面粗さが細かくなり、Ｘ線に対して
高反射率で動作し、かつ耐熱衝撃性に優れ、長時間の使
用に対してもＳｉＣ膜の剥離が生じない。
スのＳｉＣ膜を多結晶ＳｉＣの表面に形成しているた
め、鏡面加工に供される面は単結晶またはアモルファス
であり、研磨加工を施しても粒界段差を生じない。した
がって、加工面の表面粗さが細かくなり、Ｘ線に対して
高反射率で動作し、かつ耐熱衝撃性に優れ、長時間の使
用に対してもＳｉＣ膜の剥離が生じない。
【０００７】
【実施例】 ［実施例１］図１に、本発明の一実施例である自由曲面
形状のＸ線反射用ミラーの製法を示す。まず、気孔２を
有する再結晶質のＳｉＣ基材１を準備し（ａ工程）、５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工を行い、目標の形
状を創成した（ｂ工程）。つぎに、反応炉にＳｉＣｌ4
を50容量％とＣＨ4を50容量％の混合ガスをキャリヤガ
スのＨ2ガスとともに導入し、1300℃で反応させて化学
蒸着法により、厚さ500μｍのＳｉＣ膜３をコーティン
グした（ｃ工程）。さらに、その膜を５軸同時制御ＣＮ
Ｃ研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＭＣ研磨装置
で微小工具研磨により鏡面加工を行った（ｄ工程）。さ
らに、形成温度400℃でＳｉＣターゲットを直接高周波
スパッタし、鏡面加工した面に10μｍのアモルファスの
ＳｉＣ膜４を形成した（ｅ工程）。最後に、その膜を５
軸研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＮＣ研磨装置
で微小工具研磨加工を行い、鏡面の目標の形状を有する
ミラーをえた（ｆ工程）。
形状のＸ線反射用ミラーの製法を示す。まず、気孔２を
有する再結晶質のＳｉＣ基材１を準備し（ａ工程）、５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工を行い、目標の形
状を創成した（ｂ工程）。つぎに、反応炉にＳｉＣｌ4
を50容量％とＣＨ4を50容量％の混合ガスをキャリヤガ
スのＨ2ガスとともに導入し、1300℃で反応させて化学
蒸着法により、厚さ500μｍのＳｉＣ膜３をコーティン
グした（ｃ工程）。さらに、その膜を５軸同時制御ＣＮ
Ｃ研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＭＣ研磨装置
で微小工具研磨により鏡面加工を行った（ｄ工程）。さ
らに、形成温度400℃でＳｉＣターゲットを直接高周波
スパッタし、鏡面加工した面に10μｍのアモルファスの
ＳｉＣ膜４を形成した（ｅ工程）。最後に、その膜を５
軸研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＮＣ研磨装置
で微小工具研磨加工を行い、鏡面の目標の形状を有する
ミラーをえた（ｆ工程）。
【０００８】前記実施例ではＣＶＤ法による多結晶Ｓｉ
Ｃ膜を形成して鏡面加工後、アモルファスのＳｉＣ膜を
形成する例で説明したが、アモルファスのＳｉＣ膜の代
りに単結晶のＳｉＣ膜を形成しても粒界段差の生じない
鏡面がえられる。
Ｃ膜を形成して鏡面加工後、アモルファスのＳｉＣ膜を
形成する例で説明したが、アモルファスのＳｉＣ膜の代
りに単結晶のＳｉＣ膜を形成しても粒界段差の生じない
鏡面がえられる。
【０００９】また、前記実施例においては、コーティン
グをする基材に再結晶質のＳｉＣを用いているが、再結
晶質のＳｉＣ以外に常温焼結のＳｉＣ、Ｓｉ含浸のＳｉ
Ｃ、グラファイト、Ｓｉや焼結ダイヤモンド、焼結Ｓｉ
3Ｎ4などのセラミックスなどを使用することができ、ミ
ラーの用途による要求材料特性に応じて決定されるもの
であり、本実施例に限定されるものではない。また、Ｓ
ｉＣ膜の厚さは加工装置が有する加工精度に応じて決定
されるべきものであり、本実施例に限定されるものでは
ない。
グをする基材に再結晶質のＳｉＣを用いているが、再結
晶質のＳｉＣ以外に常温焼結のＳｉＣ、Ｓｉ含浸のＳｉ
Ｃ、グラファイト、Ｓｉや焼結ダイヤモンド、焼結Ｓｉ
3Ｎ4などのセラミックスなどを使用することができ、ミ
ラーの用途による要求材料特性に応じて決定されるもの
であり、本実施例に限定されるものではない。また、Ｓ
ｉＣ膜の厚さは加工装置が有する加工精度に応じて決定
されるべきものであり、本実施例に限定されるものでは
ない。
【００１０】さらに、アモルファスＳｉＣ膜の形成方法
の条件は、それに供される膜の要求特性に応じて決定さ
れるべきものであり、本実施例に限定されるものではな
い。また、同様に化学蒸着法の条件も適宜変更できる。
の条件は、それに供される膜の要求特性に応じて決定さ
れるべきものであり、本実施例に限定されるものではな
い。また、同様に化学蒸着法の条件も適宜変更できる。
【００１１】また、コーティングをする基材の加工方法
およびＳｉＣ膜の加工方法はそれぞれに供される要求精
度に応じて決定されるべきものであり、本実施例に限定
されるものではない。
およびＳｉＣ膜の加工方法はそれぞれに供される要求精
度に応じて決定されるべきものであり、本実施例に限定
されるものではない。
【００１２】さらに、ミラーの形状はそれの供される使
用目的に応じて決定されるべきものであり、本実施例に
限定されるものではない。また、加工装置もミラーの目
標形状によって決定されるべきものであり、本実施例に
限定されるものではない。
用目的に応じて決定されるべきものであり、本実施例に
限定されるものではない。また、加工装置もミラーの目
標形状によって決定されるべきものであり、本実施例に
限定されるものではない。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明によればミラーの
表面をアモルファスまたは単結晶のＳｉＣで形成して研
磨加工するので、粒界段差のない超平滑で、かつ、加工
変質層のない加工面となり、高反射率で、かつ、耐熱衝
撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうることができる。
表面をアモルファスまたは単結晶のＳｉＣで形成して研
磨加工するので、粒界段差のない超平滑で、かつ、加工
変質層のない加工面となり、高反射率で、かつ、耐熱衝
撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうることができる。
【図１】本発明の一実施例である自由曲面形状のＸ線反
射用ＳｉＣミラーの製法を示すフローチャートである。
射用ＳｉＣミラーの製法を示すフローチャートである。
【図２】従来のＸ線反射用ＳｉＣミラーの断面図であ
る。
る。
１ ＳｉＣ基材 ３ コーティング膜 ４ アモルファスＳｉＣ膜
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【作用】本発明においては、単結晶または、アモルファ
スのＳｉＣ膜を多結晶ＳｉＣの表面に形成しているた
め、鏡面加工に供される面は単結晶またはアモルファス
であり、研磨加工を施しても粒界段差を生じない。した
がって、加工面の表面粗さが小さくなり、Ｘ線に対する
反射率が高くなり、かつ耐熱衝撃性に優れ、長時間の使
用に対してもＳｉＣ膜の剥離が生じない。
スのＳｉＣ膜を多結晶ＳｉＣの表面に形成しているた
め、鏡面加工に供される面は単結晶またはアモルファス
であり、研磨加工を施しても粒界段差を生じない。した
がって、加工面の表面粗さが小さくなり、Ｘ線に対する
反射率が高くなり、かつ耐熱衝撃性に優れ、長時間の使
用に対してもＳｉＣ膜の剥離が生じない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【実施例】 ［実施例１］図１に、本発明の一実施例である自由曲面
形状のＸ線反射用ミラーの製法を示す。まず、気孔２を
有する再結晶質のＳｉＣ基材１を準備し（ａ工程）、５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工を行い、目標の形
状を創成した（ｂ工程）。つぎに、反応炉にＳｉＣｌ4
を50容量％とＣＨ4を50容量％の混合ガスをキャリヤガ
スのＨ2ガスとともに導入し、1300℃で反応させて化学
蒸着法により、厚さ500μｍのＳｉＣ膜３をコーティン
グした（ｃ工程）。さらに、その膜を５軸同時制御ＣＮ
Ｃ研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＮＣ研磨装置
で微小工具研磨により鏡面加工を行った（ｄ工程）。さ
らに、形成温度400℃でＳｉＣターゲットを直接高周波
スパッタし、鏡面加工した面に10μｍのアモルファスの
ＳｉＣ膜４を形成した（ｅ工程）。最後に、その膜を５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工後、５軸同時制御
ＣＮＣ研磨装置で微小工具研磨加工を行い、鏡面の目標
の形状を有するミラーをえた（ｆ工程）。
形状のＸ線反射用ミラーの製法を示す。まず、気孔２を
有する再結晶質のＳｉＣ基材１を準備し（ａ工程）、５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工を行い、目標の形
状を創成した（ｂ工程）。つぎに、反応炉にＳｉＣｌ4
を50容量％とＣＨ4を50容量％の混合ガスをキャリヤガ
スのＨ2ガスとともに導入し、1300℃で反応させて化学
蒸着法により、厚さ500μｍのＳｉＣ膜３をコーティン
グした（ｃ工程）。さらに、その膜を５軸同時制御ＣＮ
Ｃ研削装置で研削加工後、５軸同時制御ＣＮＣ研磨装置
で微小工具研磨により鏡面加工を行った（ｄ工程）。さ
らに、形成温度400℃でＳｉＣターゲットを直接高周波
スパッタし、鏡面加工した面に10μｍのアモルファスの
ＳｉＣ膜４を形成した（ｅ工程）。最後に、その膜を５
軸同時制御ＣＮＣ研削装置で研削加工後、５軸同時制御
ＣＮＣ研磨装置で微小工具研磨加工を行い、鏡面の目標
の形状を有するミラーをえた（ｆ工程）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、前記実施例においては、コーティン
グをする基材に再結晶質のＳｉＣを用いているが、再結
晶質のＳｉＣ以外に反応焼結のＳｉＣ、Ｓｉ含浸のＳｉ
Ｃ、グラファイト、Ｓｉや焼結ダイヤモンド、焼結Ｓｉ
3Ｎ4などのセラミックスなどを使用することができ、ミ
ラーの用途による要求材料特性に応じて決定されるもの
であり、本実施例に限定されるものではない。また、Ｓ
ｉＣ膜の厚さは加工装置が有する加工精度に応じて決定
されるべきものであり、本実施例に限定されるものでは
ない。
グをする基材に再結晶質のＳｉＣを用いているが、再結
晶質のＳｉＣ以外に反応焼結のＳｉＣ、Ｓｉ含浸のＳｉ
Ｃ、グラファイト、Ｓｉや焼結ダイヤモンド、焼結Ｓｉ
3Ｎ4などのセラミックスなどを使用することができ、ミ
ラーの用途による要求材料特性に応じて決定されるもの
であり、本実施例に限定されるものではない。また、Ｓ
ｉＣ膜の厚さは加工装置が有する加工精度に応じて決定
されるべきものであり、本実施例に限定されるものでは
ない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】さらに、アモルファスＳｉＣ膜の形成方法
の条件は、それに供される膜の要求特性に応じて決定さ
れるべきものであり、本実施例に限定されるものではな
い。また、同様に化学蒸着法の原料ガスおよび条件も適
宜変更できる。
の条件は、それに供される膜の要求特性に応じて決定さ
れるべきものであり、本実施例に限定されるものではな
い。また、同様に化学蒸着法の原料ガスおよび条件も適
宜変更できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １ ＳｉＣ基材２ 気孔 ３ コーティング膜 ４ アモルファスＳｉＣ膜
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 多結晶のＳｉＣの表面に、単結晶または
アモルファスのＳｉＣ膜をコーティングした構造を有す
ることを特徴とするＸ線反射用ミラー。 - 【請求項２】 目標の形状を創成した多結晶材料の表面
に、単結晶またはアモルファスの膜をコーティングし、
その膜を研削加工または研磨加工により鏡面化すること
を特徴とするＸ線反射用ミラーの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233185A JPH0570267A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線反射用ミラーおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3233185A JPH0570267A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線反射用ミラーおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570267A true JPH0570267A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16951072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3233185A Pending JPH0570267A (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Ｘ線反射用ミラーおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528126A (ja) * | 2003-07-18 | 2006-12-14 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | 組成勾配のある熱構造複合材料構造体およびその製造のための方法 |
| CN102214492A (zh) * | 2011-06-10 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作凹面型x射线聚焦小孔的方法 |
| JP2011256062A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| WO2016010151A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | イビデン株式会社 | ミラー |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3233185A patent/JPH0570267A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528126A (ja) * | 2003-07-18 | 2006-12-14 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | 組成勾配のある熱構造複合材料構造体およびその製造のための方法 |
| JP4903563B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2012-03-28 | スネクマ・プロピュルシオン・ソリド | 組成勾配のある熱構造複合材料構造体およびその製造のための方法 |
| JP2011256062A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| CN102214492A (zh) * | 2011-06-10 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作凹面型x射线聚焦小孔的方法 |
| WO2016010151A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | イビデン株式会社 | ミラー |
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