JPH05107397A - Ｘ線反射用ＳｉＣミラーおよびその製法 - Google Patents
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーおよびその製法Info
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- JPH05107397A JPH05107397A JP27086791A JP27086791A JPH05107397A JP H05107397 A JPH05107397 A JP H05107397A JP 27086791 A JP27086791 A JP 27086791A JP 27086791 A JP27086791 A JP 27086791A JP H05107397 A JPH05107397 A JP H05107397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高真空状態で長時間安定に使用できる耐熱衝
撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうる。 【構成】 真空蒸着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２
段階の方法により全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティング
された、気孔に残留ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よ
りなるＸ線反射用ＳｉＣミラーおよび真空蒸着法または
真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法により多孔質のＳ
ｉＣ焼結体の全面を緻密なＳｉＣ膜でコーティングする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法。
撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうる。 【構成】 真空蒸着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２
段階の方法により全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティング
された、気孔に残留ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よ
りなるＸ線反射用ＳｉＣミラーおよび真空蒸着法または
真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法により多孔質のＳ
ｉＣ焼結体の全面を緻密なＳｉＣ膜でコーティングする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線や放射光などの短
波長の光を反射、集光するＳｉＣミラーおよびその製法
に関する。
波長の光を反射、集光するＳｉＣミラーおよびその製法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線反射用のミラーの一例とし
て、たとえば特開平1-228000号公報に示されたＸ線反射
用ＳｉＣミラーの断面図を図２に示す。前記ＳｉＣミラ
ーは、気孔率３〜30％の気孔２を有する再結晶質のＳｉ
Ｃ１を基材として化学蒸着法によりＳｉＣ膜４をコーテ
ィングして鏡面研磨したものである。前記発明は、長時
間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、また、ＳｉＣ
膜作製時にピンホールが発生しないという特徴を有す
る。
て、たとえば特開平1-228000号公報に示されたＸ線反射
用ＳｉＣミラーの断面図を図２に示す。前記ＳｉＣミラ
ーは、気孔率３〜30％の気孔２を有する再結晶質のＳｉ
Ｃ１を基材として化学蒸着法によりＳｉＣ膜４をコーテ
ィングして鏡面研磨したものである。前記発明は、長時
間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、また、ＳｉＣ
膜作製時にピンホールが発生しないという特徴を有す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーは、以上のように再結晶質のＳｉＣ基材の表面
を化学蒸着法によりＳｉＣ膜でコーティングすることに
より、長時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、ま
た、ピンホールのないミラー面がえられるという特徴が
あった。しかし、Ｘ線ミラーは真空装置内に投入される
ものであり、上記ＳｉＣミラーを真空装置内で使用する
ばあい、再結晶質のＳｉＣ基材が有する気孔からガスが
放出されるという欠点があった。
Ｃミラーは、以上のように再結晶質のＳｉＣ基材の表面
を化学蒸着法によりＳｉＣ膜でコーティングすることに
より、長時間Ｘ線を照射してもＳｉＣ膜が剥離せず、ま
た、ピンホールのないミラー面がえられるという特徴が
あった。しかし、Ｘ線ミラーは真空装置内に投入される
ものであり、上記ＳｉＣミラーを真空装置内で使用する
ばあい、再結晶質のＳｉＣ基材が有する気孔からガスが
放出されるという欠点があった。
【０００４】本発明は、前記のような問題点を解決する
ためになされたもので、高真空状態で長時間安定に使用
できる耐熱衝撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうること
を目的とする。
ためになされたもので、高真空状態で長時間安定に使用
できる耐熱衝撃性に優れたＸ線反射用ミラーをうること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、真空
蒸着法により全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティングされ
た、気孔に残留ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よりな
ることを特徴とするＸ線反射用ＳｉＣミラー真空蒸着法
とＣＶＤ法の２段階の方法により全面が緻密なＳｉＣ膜
でコーティングされた、気孔に残留ガスのない多孔質の
ＳｉＣ焼結体よりなることを特徴とするＸ線反射用Ｓｉ
Ｃミラー真空蒸着法により多孔質のＳｉＣ焼結体の全面
を緻密なＳｉＣ膜でコーティングすることを特徴とする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法および真空蒸着法とＣＶ
Ｄ法の２段階の方法により多孔質のＳｉＣ焼結体の全面
を緻密なＳｉＣ膜でコーティングすることを特徴とする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法に関する。
蒸着法により全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティングされ
た、気孔に残留ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よりな
ることを特徴とするＸ線反射用ＳｉＣミラー真空蒸着法
とＣＶＤ法の２段階の方法により全面が緻密なＳｉＣ膜
でコーティングされた、気孔に残留ガスのない多孔質の
ＳｉＣ焼結体よりなることを特徴とするＸ線反射用Ｓｉ
Ｃミラー真空蒸着法により多孔質のＳｉＣ焼結体の全面
を緻密なＳｉＣ膜でコーティングすることを特徴とする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法および真空蒸着法とＣＶ
Ｄ法の２段階の方法により多孔質のＳｉＣ焼結体の全面
を緻密なＳｉＣ膜でコーティングすることを特徴とする
Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製法に関する。
【０００６】
【作用】本発明においては、Ｘ線反射用ミラーの内部に
残留ガスがないので、Ｘ線反射用ミラーを投入した真空
装置の真空立ち上げ時間を著しく短縮できる。また、Ｘ
線反射用ミラーを高真空状態で長時間安定に使用でき
る。
残留ガスがないので、Ｘ線反射用ミラーを投入した真空
装置の真空立ち上げ時間を著しく短縮できる。また、Ｘ
線反射用ミラーを高真空状態で長時間安定に使用でき
る。
【０００７】
【実施例】本発明のＸ線反射用ＳｉＣミラーは、真空蒸
着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法により
全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティングされた気孔に残留
ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よりなるものである。
コーティング基材となる前記多孔質のＳｉＣ焼結体は、
その気孔率が０％が理想であるが、一般的には１〜５％
程度である。また気孔中の真空度は10-3Pa程度である。
着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法により
全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティングされた気孔に残留
ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よりなるものである。
コーティング基材となる前記多孔質のＳｉＣ焼結体は、
その気孔率が０％が理想であるが、一般的には１〜５％
程度である。また気孔中の真空度は10-3Pa程度である。
【０００８】前記多孔質のＳｉＣ焼結体の材質は、それ
に供される材料の特性として耐熱衝撃性、高熱伝導性、
低熱膨張性などが要求されるが、ＳｉＣのばあい、その
性質は製法にあまり依存しない。
に供される材料の特性として耐熱衝撃性、高熱伝導性、
低熱膨張性などが要求されるが、ＳｉＣのばあい、その
性質は製法にあまり依存しない。
【０００９】前記多孔質のＳｉＣ焼結体をコーティング
しているＳｉＣ膜の厚さは、鏡面化加工する際の加工装
置の精度に応じて決定されるべきものであり、とくに限
定されないが、通常の加工装置を考えると100〜500μｍ
の厚さが好ましく、真空蒸着法とＣＶＤ法の併用により
コーティングされたばあいは、真空蒸着法によるＳｉＣ
膜の厚さが１〜10μｍ程度、ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜の
厚さが100〜500μｍ程度が好ましい。
しているＳｉＣ膜の厚さは、鏡面化加工する際の加工装
置の精度に応じて決定されるべきものであり、とくに限
定されないが、通常の加工装置を考えると100〜500μｍ
の厚さが好ましく、真空蒸着法とＣＶＤ法の併用により
コーティングされたばあいは、真空蒸着法によるＳｉＣ
膜の厚さが１〜10μｍ程度、ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜の
厚さが100〜500μｍ程度が好ましい。
【００１０】前記Ｘ線反射用ＳｉＣミラーは、高強度、
低熱膨張性、高熱伝導性であるため、耐熱衝撃性にすぐ
れる。
低熱膨張性、高熱伝導性であるため、耐熱衝撃性にすぐ
れる。
【００１１】つぎに、真空蒸着法により多孔質ＳｉＣ焼
結体をコーティングする本発明のＸ線反射用ミラーの製
法を説明する。まず目標形状に加工された前記多孔質の
ＳｉＣ焼結体を真空中にしばらく放置し、気孔に存在す
るガスを焼結体外部に放出させる。つぎに焼結体の全面
を真空蒸着法により緻密なＳｉＣ膜でコーティングす
る。
結体をコーティングする本発明のＸ線反射用ミラーの製
法を説明する。まず目標形状に加工された前記多孔質の
ＳｉＣ焼結体を真空中にしばらく放置し、気孔に存在す
るガスを焼結体外部に放出させる。つぎに焼結体の全面
を真空蒸着法により緻密なＳｉＣ膜でコーティングす
る。
【００１２】前記真空蒸着の方法は、前記方法に要する
製造コストを考慮することにより決定されるべきもので
あり、これらの点を考慮すると、たとえばレーザＰＶＤ
法、イオンビームスパッタ法、高周波スパッタ法などの
真空蒸着法が好ましい。
製造コストを考慮することにより決定されるべきもので
あり、これらの点を考慮すると、たとえばレーザＰＶＤ
法、イオンビームスパッタ法、高周波スパッタ法などの
真空蒸着法が好ましい。
【００１３】真空蒸着を行なうばあい、その真空度はミ
ラーを使用する真空装置の要求真空度によって決定され
るものであり、とくに限定されないが、通常の真空装置
のばあいを考えると10-3Pa以下が一般的である。
ラーを使用する真空装置の要求真空度によって決定され
るものであり、とくに限定されないが、通常の真空装置
のばあいを考えると10-3Pa以下が一般的である。
【００１４】多孔質ＳｉＣ焼結体のコーティングを行な
う際、前記真空蒸着法の他、ＣＶＤ法によるコーティン
グを併用してもよい。これは、成膜速度が遅いという真
空蒸着法の欠点を補うもので、成膜速度の速いＣＶＤ法
を併用することにより、短時間でコーティングできる。
う際、前記真空蒸着法の他、ＣＶＤ法によるコーティン
グを併用してもよい。これは、成膜速度が遅いという真
空蒸着法の欠点を補うもので、成膜速度の速いＣＶＤ法
を併用することにより、短時間でコーティングできる。
【００１５】ＣＶＤ法によりコーティングを行なうばあ
い、その原料としては、たとえばSiCl4、CH4およびH2の
組み合わせ、CH3SiCl3およびH2の組み合わせ、SiCl4、C
3H8およびH2の組み合わせなどが好ましく、前記原料を
使用して1000〜1800℃の範囲でコーティングを行なうの
が好ましい。
い、その原料としては、たとえばSiCl4、CH4およびH2の
組み合わせ、CH3SiCl3およびH2の組み合わせ、SiCl4、C
3H8およびH2の組み合わせなどが好ましく、前記原料を
使用して1000〜1800℃の範囲でコーティングを行なうの
が好ましい。
【００１６】また、ＣＶＤ法によるコーティングは、通
常真空蒸着法によるコーティングののち行なう。
常真空蒸着法によるコーティングののち行なう。
【００１７】コーティング処理の終った前記多孔質Ｓｉ
Ｃ焼結体は、研削加工および研磨加工によって鏡面化
し、Ｘ線反射用ミラーをうる。
Ｃ焼結体は、研削加工および研磨加工によって鏡面化
し、Ｘ線反射用ミラーをうる。
【００１８】前記研削加工の際には、ＳｉＣは硬いた
め、最も硬いダイヤモンド砥石を用いることが好まし
い。
め、最も硬いダイヤモンド砥石を用いることが好まし
い。
【００１９】前記研削加工は、たとえば非球面ＮＣ制御
研削装置などを用いて行なうことができる。
研削装置などを用いて行なうことができる。
【００２０】前記研磨加工の際には、粒度が１μｍ以下
のダイヤモンド砥粒を用いることが好ましい。
のダイヤモンド砥粒を用いることが好ましい。
【００２１】前記研磨加工は、たとえば非球面ＮＣ制御
研磨装置などを用いて行なうことができる。
研磨装置などを用いて行なうことができる。
【００２２】以下に、本発明の一実施例であるＸ線反射
用ミラーおよびその製法を説明する。
用ミラーおよびその製法を説明する。
【００２３】［実施例１］図１に、本発明の実施例１で
えられたＸ線反射用ミラーの断面図を示す。図中、１は
残留ガスのない気孔２を有する結晶質のＳｉＣ、３はレ
ーザＰＶＤ法により形成されたＳｉＣ膜、４はＣＶＤ法
により形成されたＳｉＣ膜である。
えられたＸ線反射用ミラーの断面図を示す。図中、１は
残留ガスのない気孔２を有する結晶質のＳｉＣ、３はレ
ーザＰＶＤ法により形成されたＳｉＣ膜、４はＣＶＤ法
により形成されたＳｉＣ膜である。
【００２４】まず、気孔２を有する気孔率が１〜５％の
再結晶質のＳｉＣ１を研削加工で目標形状に加工した。
つぎに、加工した再結晶質のＳｉＣ１をレーザＰＶＤ装
置内に入れ、１×10-3Paの真空中に10時間放置し、気孔
２中の残留ガスを排出した。その後、１×10-3Paの真空
中で再結晶質ＳｉＣのターゲットに出力２ＫＷのCO2レ
ーザを連続発振で照射するレーザＰＶＤ法により再結晶
質のＳｉＣ１の全面を厚さ10μｍのＳｉＣ膜３のコーテ
ィングを施した。さらに、形成温度1300℃でSiCl4とCH4
のガス（SiCl4／CH4（モル比）が１／１）を、H2をキャ
リアガスとして用いた化学蒸着法により、厚さ500μｍ
のＳｉＣ膜４のコーティングを施した。最後に、ミラー
面となるＳｉＣ膜４を研削加工および研磨加工によって
鏡面化し、Ｘ線反射用ミラーをえた。
再結晶質のＳｉＣ１を研削加工で目標形状に加工した。
つぎに、加工した再結晶質のＳｉＣ１をレーザＰＶＤ装
置内に入れ、１×10-3Paの真空中に10時間放置し、気孔
２中の残留ガスを排出した。その後、１×10-3Paの真空
中で再結晶質ＳｉＣのターゲットに出力２ＫＷのCO2レ
ーザを連続発振で照射するレーザＰＶＤ法により再結晶
質のＳｉＣ１の全面を厚さ10μｍのＳｉＣ膜３のコーテ
ィングを施した。さらに、形成温度1300℃でSiCl4とCH4
のガス（SiCl4／CH4（モル比）が１／１）を、H2をキャ
リアガスとして用いた化学蒸着法により、厚さ500μｍ
のＳｉＣ膜４のコーティングを施した。最後に、ミラー
面となるＳｉＣ膜４を研削加工および研磨加工によって
鏡面化し、Ｘ線反射用ミラーをえた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多孔質
のＳｉＣ焼結体を真空中にしばらく放置し、気孔に存在
するガスを焼結体外部に放出させた状態で、焼結体の全
面を真空蒸着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の
方法により緻密なＳｉＣ膜でコーティングするので、Ｘ
線反射用ミラーの内部に残留ガスがなく、Ｘ線反射用ミ
ラーを投入した真空装置の真空立ち上げ時間を著しく短
縮でき、かつ、高真空状態で長時間安定に使用できる。
また、ＳｉＣ膜の形成方法に真空蒸着法とＣＶＤ法を併
用することにより、ＳｉＣ膜の形成時間を短縮できる。
のＳｉＣ焼結体を真空中にしばらく放置し、気孔に存在
するガスを焼結体外部に放出させた状態で、焼結体の全
面を真空蒸着法または真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の
方法により緻密なＳｉＣ膜でコーティングするので、Ｘ
線反射用ミラーの内部に残留ガスがなく、Ｘ線反射用ミ
ラーを投入した真空装置の真空立ち上げ時間を著しく短
縮でき、かつ、高真空状態で長時間安定に使用できる。
また、ＳｉＣ膜の形成方法に真空蒸着法とＣＶＤ法を併
用することにより、ＳｉＣ膜の形成時間を短縮できる。
【図１】実施例１によりえられた本発明のＸ線反射用Ｓ
ｉＣミラーの断面図である。
ｉＣミラーの断面図である。
【図２】従来のＸ線反射用ＳｉＣミラーの断面図であ
る。
る。
１ ＳｉＣ ２ 気孔 ３ 真空蒸着法によるＳｉＣ膜 ４ ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】まず、気孔２を有する気孔率が１〜５％の
再結晶質のＳｉＣ１を研削加工で目標形状に加工した。
つぎに、加工した再結晶質のＳｉＣ１をレーザＰＶＤ装
置内に入れ、１×10-3Paの真空中に10時間放置し、気孔
２中の残留ガスを排出した。その後、１×10-3Paの真空
中で再結晶質ＳｉＣのターゲットに出力２ＫＷのCO2レ
ーザを連続発振で照射するレーザＰＶＤ法により再結晶
質のＳｉＣ１の全面に厚さ10μｍのＳｉＣ膜３のコーテ
ィングを施した。さらに、形成温度1300℃でSiCl4とCH4
のガス（SiCl4／CH4（モル比）が１／１）を、H2をキャ
リアガスとして用いた化学蒸着法により、厚さ500μｍ
のＳｉＣ膜４のコーティングを施した。最後に、ミラー
面となるＳｉＣ膜４を研削加工および研磨加工によって
鏡面化し、Ｘ線反射用ミラーをえた。
再結晶質のＳｉＣ１を研削加工で目標形状に加工した。
つぎに、加工した再結晶質のＳｉＣ１をレーザＰＶＤ装
置内に入れ、１×10-3Paの真空中に10時間放置し、気孔
２中の残留ガスを排出した。その後、１×10-3Paの真空
中で再結晶質ＳｉＣのターゲットに出力２ＫＷのCO2レ
ーザを連続発振で照射するレーザＰＶＤ法により再結晶
質のＳｉＣ１の全面に厚さ10μｍのＳｉＣ膜３のコーテ
ィングを施した。さらに、形成温度1300℃でSiCl4とCH4
のガス（SiCl4／CH4（モル比）が１／１）を、H2をキャ
リアガスとして用いた化学蒸着法により、厚さ500μｍ
のＳｉＣ膜４のコーティングを施した。最後に、ミラー
面となるＳｉＣ膜４を研削加工および研磨加工によって
鏡面化し、Ｘ線反射用ミラーをえた。
Claims (4)
- 【請求項１】 真空蒸着法により全面が緻密なＳｉＣ膜
でコーティングされた、気孔に残留ガスのない多孔質の
ＳｉＣ焼結体よりなることを特徴とするＸ線反射用Ｓｉ
Ｃミラー。 - 【請求項２】 真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法に
より全面が緻密なＳｉＣ膜でコーティングされた、気孔
に残留ガスのない多孔質のＳｉＣ焼結体よりなることを
特徴とするＸ線反射用ＳｉＣミラー。 - 【請求項３】 真空蒸着法により多孔質のＳｉＣ焼結体
の全面を緻密なＳｉＣ膜でコーティングすることを特徴
とするＸ線反射用ＳｉＣミラーの製法。 - 【請求項４】 真空蒸着法とＣＶＤ法の２段階の方法に
より多孔質のＳｉＣ焼結体の全面を緻密なＳｉＣ膜でコ
ーティングすることを特徴とするＸ線反射用ＳｉＣミラ
ーの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27086791A JPH05107397A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | Ｘ線反射用ＳｉＣミラーおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27086791A JPH05107397A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | Ｘ線反射用ＳｉＣミラーおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107397A true JPH05107397A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17492078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27086791A Pending JPH05107397A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | Ｘ線反射用ＳｉＣミラーおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107397A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267054A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及びｅｕｖ露光装置 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27086791A patent/JPH05107397A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267054A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及びｅｕｖ露光装置 |
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