JPH01228000A - 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー - Google Patents
放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラーInfo
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- JPH01228000A JPH01228000A JP5469488A JP5469488A JPH01228000A JP H01228000 A JPH01228000 A JP H01228000A JP 5469488 A JP5469488 A JP 5469488A JP 5469488 A JP5469488 A JP 5469488A JP H01228000 A JPH01228000 A JP H01228000A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は放射光、Ｘ線の反射用ミラーに関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
従来の放射光４Ｘ線の反射用ミラーとしては、カーボン
基材に５ｉＣ（炭化珪素）膜をコーティングしたものが
知られている。
基材に５ｉＣ（炭化珪素）膜をコーティングしたものが
知られている。
しかしながら、′このものは放射光 Ｘ線のエネルギー
が強くなるにしたがって、カーボンとＳｉＣ膜の材質の
違いによってコーティングした炭化珪素膜が剥離し、変
形するおそれがあった。
が強くなるにしたがって、カーボンとＳｉＣ膜の材質の
違いによってコーティングした炭化珪素膜が剥離し、変
形するおそれがあった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、上記実情に鑑み、種々研究した結果気孔率３
〜３０％の気孔を有する古語品質の炭化珪素（Ｓｉｎ）
を基材にして化学蒸着法により、ＳｉＣ膜３をコーティ
ングしてミラー研磨したものであり、同じＳｉＣであっ
て膨張率が同じく、剥離して変形するおそれのないもの
である。
〜３０％の気孔を有する古語品質の炭化珪素（Ｓｉｎ）
を基材にして化学蒸着法により、ＳｉＣ膜３をコーティ
ングしてミラー研磨したものであり、同じＳｉＣであっ
て膨張率が同じく、剥離して変形するおそれのないもの
である。
［課題を解決するためのｆ段］
本発明はコーティングしたＳｉＣ膜の剥離変形するのを
防止するため、化学蒸着するＳｉＣ膜と同じ材質のＳｊ
Ｃを基材に使用し、かつ該基材は：３〜３０％の気孔を
何する再結晶質ＳｉＣを基材にしたものである。
防止するため、化学蒸着するＳｉＣ膜と同じ材質のＳｊ
Ｃを基材に使用し、かつ該基材は：３〜３０％の気孔を
何する再結晶質ＳｉＣを基材にしたものである。
一般的に知られているＳｉＣにＳｉを含滲した５ｉＣ−
３ｉや、はう素−炭素（Ｂ−Ｃ）等の焼結助剤を用いて
焼結した焼結ＳｉＣは気孔が殆ど０に等しく、化’Ｉｆ
ｆしてＳｉＣ膜をコーティングした場合は、コーテイン
グ膜の密着が悪＜ＳｉＣ膜が剥離するおそれがある。
３ｉや、はう素−炭素（Ｂ−Ｃ）等の焼結助剤を用いて
焼結した焼結ＳｉＣは気孔が殆ど０に等しく、化’Ｉｆ
ｆしてＳｉＣ膜をコーティングした場合は、コーテイン
グ膜の密着が悪＜ＳｉＣ膜が剥離するおそれがある。
そこで、本発明で３％以上の気孔率をｎする再結晶質Ｓ
ｉＣを使用する。３％以下のときは密着性が悪く、コー
テイング膜が剥離し、３０％以上の気孔率を有するもの
は気孔が多く吸蔵ガスが多いため、ビンボールが全面に
発生するおそれがあり好ましくない。
ｉＣを使用する。３％以下のときは密着性が悪く、コー
テイング膜が剥離し、３０％以上の気孔率を有するもの
は気孔が多く吸蔵ガスが多いため、ビンボールが全面に
発生するおそれがあり好ましくない。
本発明は再結晶質ＳｉＣを基材に使用するものであり、
かつ、気孔のあるＳｉＣである。そして気孔に化？蒸着
したコーティングＳｉＣが喰い込み、ＳｉＣ基材とコー
ティングＳｉＣｇｉとが一体となって剥離するおそれが
ないものである。
かつ、気孔のあるＳｉＣである。そして気孔に化？蒸着
したコーティングＳｉＣが喰い込み、ＳｉＣ基材とコー
ティングＳｉＣｇｉとが一体となって剥離するおそれが
ないものである。
これを図面についで説明する。
ｌは再結晶質ＳｉＣ基材で、気孔率が３〜３０％有して
いるものであり、２は基材ｌの気孔を示す、このＳｉＣ
基材ｌの表面に化学蒸着したＳｉＣコーテイング膜３が
コーティングされる。そしてコーテイング膜３の表面を
ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨する。
いるものであり、２は基材ｌの気孔を示す、このＳｉＣ
基材ｌの表面に化学蒸着したＳｉＣコーテイング膜３が
コーティングされる。そしてコーテイング膜３の表面を
ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨する。
次に本発明の実施例について説明する。
［実施例］
実施例１
気孔率１８％で大きさ４０Ｘ ｌ ７０Ｘ４００ｍｍの
再結晶質ＳｉＣ基材に、温度１３５０°ＣでＳ ｉＣｌ
ａとトルエンとＩＬのガスを用いて化学蒸着法により
、厚さ５００μのＳｉＣ膜のコーティングを実施した後
、ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨を行なった。
再結晶質ＳｉＣ基材に、温度１３５０°ＣでＳ ｉＣｌ
ａとトルエンとＩＬのガスを用いて化学蒸着法により
、厚さ５００μのＳｉＣ膜のコーティングを実施した後
、ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨を行なった。
得られたＳｉＣミラーに１０時間、Ｘ線照射を行なった
が、ＳｉＣ膜の剥離がなく使用条件を満たした。
が、ＳｉＣ膜の剥離がなく使用条件を満たした。
これに対して気孔率１％の焼結ＳｉＣ基材に上記と同じ
方法条件で５ｉＣＩｌｉをコーティングし、ミラー研磨
した後、得られたＳｉＣミラーに５時間Ｘ線照射を行な
ったところ、ＳｉＣ膜の一部が剥離した。
方法条件で５ｉＣＩｌｉをコーティングし、ミラー研磨
した後、得られたＳｉＣミラーに５時間Ｘ線照射を行な
ったところ、ＳｉＣ膜の一部が剥離した。
また、気孔率４０％の再結晶質ＳｉＣ基材に上記と同じ
方法０条件でＳｉＣ膜をコーティングし、ミラー研磨し
たところ、気孔が多く、かつ吸蔵ガスが多いため、ピン
ホールが全面に発生しミラー面にならなかった。
方法０条件でＳｉＣ膜をコーティングし、ミラー研磨し
たところ、気孔が多く、かつ吸蔵ガスが多いため、ピン
ホールが全面に発生しミラー面にならなかった。
［発明の効果］
従来カーボンに化学蒸ｎ法によりＳｉＣ膜をコーティン
グする場合、使用するカーボン基材の熱膨張率をＳｉＣ
の熱膨張率４．５Ｘ １０−’ ／ Ｃｏに合せること
が非常に困難であったが、ＳｉＣ基材であれば同材質で
あるため問題はなく、基材の気孔率が３％以下のとさは
、５ｉＣ１ｌｉのコーティングの：！Ｆ：眉性が悪く、
５ｉＣｙＡが剥離するおそれがあり、気孔率３０％以上
のときは吸蔵ガスが多いためピンホールが発生し、ミラ
ー面にならないものである。
グする場合、使用するカーボン基材の熱膨張率をＳｉＣ
の熱膨張率４．５Ｘ １０−’ ／ Ｃｏに合せること
が非常に困難であったが、ＳｉＣ基材であれば同材質で
あるため問題はなく、基材の気孔率が３％以下のとさは
、５ｉＣ１ｌｉのコーティングの：！Ｆ：眉性が悪く、
５ｉＣｙＡが剥離するおそれがあり、気孔率３０％以上
のときは吸蔵ガスが多いためピンホールが発生し、ミラ
ー面にならないものである。
第１図は本発明の断面図である。
１、、、ＳｉＣ基材 ２６１．気孔
３０６．コーテング膜
第１図
Claims (1)
- 放射光・Ｘ線の反射用ミラーにおいて、気孔率３〜３０
％の気孔を有する再結晶質ＳｉＣ基材に化学蒸着法でＳ
ｉＣ膜コーティングし、ミラー研磨したことを特徴とす
る放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054694A JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054694A JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228000A true JPH01228000A (ja) | 1989-09-12 |
| JPH0778559B2 JPH0778559B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=12977905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054694A Expired - Lifetime JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778559B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416401U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-10 | ||
| JPH0587991A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｓｏｒ用ミラー |
| JPH05346497A (ja) * | 1992-06-16 | 1993-12-27 | Nkk Corp | 光学素子基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444898A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Canon Kk | Reflecting mirror or its base plate fox x ray and vacuum ultraviolet ray, and manufacture thereof |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054694A patent/JPH0778559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444898A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Canon Kk | Reflecting mirror or its base plate fox x ray and vacuum ultraviolet ray, and manufacture thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416401U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-10 | ||
| JPH0587991A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Ｓｏｒ用ミラー |
| JPH05346497A (ja) * | 1992-06-16 | 1993-12-27 | Nkk Corp | 光学素子基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0778559B2 (ja) | 1995-08-23 |
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