JPH04158298A - シンクロトロン放射光用反射ミラー - Google Patents
シンクロトロン放射光用反射ミラーInfo
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- JPH04158298A JPH04158298A JP28192290A JP28192290A JPH04158298A JP H04158298 A JPH04158298 A JP H04158298A JP 28192290 A JP28192290 A JP 28192290A JP 28192290 A JP28192290 A JP 28192290A JP H04158298 A JPH04158298 A JP H04158298A
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 title claims description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光用反射ミラーに関する。
近年、シンクロトロン放射光（Ｓ ＯＲ）の応用研究が
急速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造
、医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、
ＳＯＲ装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってき
ている。この結果ＳＯＲ用の反射ミラーに対する要求も
ますます厳しくなってきている。
急速な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造
、医学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、
ＳＯＲ装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってき
ている。この結果ＳＯＲ用の反射ミラーに対する要求も
ますます厳しくなってきている。
従来、この用途の反射ミラーとしては、黒鉛、ＳｉＣな
どの耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を
被覆してその表面を光学研磨したもの、及び前記ＳｉＣ
膜上に更に金属膜を蒸着したものが用いられている。
どの耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を
被覆してその表面を光学研磨したもの、及び前記ＳｉＣ
膜上に更に金属膜を蒸着したものが用いられている。
しかし、高エネルギーのＳＯＲを照射するとミラー面の
温度が著しく上昇するため、従来の反射ミラーでは基材
とＳｉＣ膜との界面に熱応力が発生し、ＳｉＣ膜が変形
して反射率が低下するという問題があった。しかも、金
属膜を設けたものでは、金属膜が脱離しやすくなり、実
質的に高エネルギーのＳＯＲ用ミラーとしては使用でき
ないという問題があった。
温度が著しく上昇するため、従来の反射ミラーでは基材
とＳｉＣ膜との界面に熱応力が発生し、ＳｉＣ膜が変形
して反射率が低下するという問題があった。しかも、金
属膜を設けたものでは、金属膜が脱離しやすくなり、実
質的に高エネルギーのＳＯＲ用ミラーとしては使用でき
ないという問題があった。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、高エネルギーのＳＯＲが照射されても反射率の低下
が少ないシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供する
ことを目的とする。
り、高エネルギーのＳＯＲが照射されても反射率の低下
が少ないシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供する
ことを目的とする。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、耐熱性
セラミック基材にＣＶＤ法によるＳｉＣ膜を被覆し、少
なくともミラー面にＣＶＤ法による膜厚２〜２０卯のカ
ーボン膜を被覆したことを特徴とするものである。
セラミック基材にＣＶＤ法によるＳｉＣ膜を被覆し、少
なくともミラー面にＣＶＤ法による膜厚２〜２０卯のカ
ーボン膜を被覆したことを特徴とするものである。
本発明に係るシンクロトロン放射光用反射ミラーは、黒
鉛、ＳｉＣなどの耐熱性セラミック基材表面に、ＣＶＤ
法によりＳｉＣ膜を被覆し、このＳｉＣ膜の表面を表面
粗さＲｆｆｉ、が１０Å以下となるように光学研磨した
後、ＣＶＤ法による少なくともミラー面にカーボン膜を
被覆することにより製造される。
鉛、ＳｉＣなどの耐熱性セラミック基材表面に、ＣＶＤ
法によりＳｉＣ膜を被覆し、このＳｉＣ膜の表面を表面
粗さＲｆｆｉ、が１０Å以下となるように光学研磨した
後、ＣＶＤ法による少なくともミラー面にカーボン膜を
被覆することにより製造される。
カーボン膜は、メタンなどの炭素源となるガスと水素ガ
スとを、マイクロ波放電、熱分解などの手段で分解・励
起して炭素を析出させることにより形成される。このよ
うにＣＶＤ法で形成されるカーボン膜は、ダイヤモンド
状カーボン、イオンカーボン、無定形カーボンなどとい
われるものである。これらのカーボン膜は、優れた熱伝
導率を有する。
スとを、マイクロ波放電、熱分解などの手段で分解・励
起して炭素を析出させることにより形成される。このよ
うにＣＶＤ法で形成されるカーボン膜は、ダイヤモンド
状カーボン、イオンカーボン、無定形カーボンなどとい
われるものである。これらのカーボン膜は、優れた熱伝
導率を有する。
本発明において、カーホン膜の膜厚を範囲としたのは以
下のような理由による。すなわち、膜厚が２−未満ては
、ミラー面で発生した熱を伝導して外部へ逃がすことが
充分に行われず、基材とＳｉＣ膜との界面に熱応力か発
生し、ＳｉＣ膜か変形するため反射率が低下してしまう
。一方、膜厚か２０ｎを超えると、下地のＳｉＣ膜の表
面が滑らかであっても、カーボン膜を構成するカーボン
粒子が大きくなりその表面粗さか粗くなるため、やはり
反射率か低下してしまう。
下のような理由による。すなわち、膜厚が２−未満ては
、ミラー面で発生した熱を伝導して外部へ逃がすことが
充分に行われず、基材とＳｉＣ膜との界面に熱応力か発
生し、ＳｉＣ膜か変形するため反射率が低下してしまう
。一方、膜厚か２０ｎを超えると、下地のＳｉＣ膜の表
面が滑らかであっても、カーボン膜を構成するカーボン
粒子が大きくなりその表面粗さか粗くなるため、やはり
反射率か低下してしまう。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、ミラー
面に滑らかで充分に熱を伝導することができるカーボン
膜が形成されているので、高エネルギーのＳＯＲが照射
されても反射率の低下を防止することができる。
面に滑らかで充分に熱を伝導することができるカーボン
膜が形成されているので、高エネルギーのＳＯＲが照射
されても反射率の低下を防止することができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図に本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーの断面図を示
す。この反射ミラーは以下のようにして製造された。１
００＋ｗＸ２００＋ｏｍＸ３０＋ｎ＋＋＋のＳｉＣ基材
１の表面にＣＶＤ法により膜厚５００ｎのＳｉＣ膜２を
形成した後、その表面を表面粗さＲｍｓが１０Å以下と
なるように光学研磨した。次に、ＣＶＤ装置内にＳｉＣ
膜２を被覆したＳｉＣ基材１を設置し、ＣＨ４ガスとＨ
２ガスとの混合ガス（体積比でＣＨ４／Ｈ２−Ｌ：９）
を供給して圧力を５０Ｔｏｒｒに設定し、６５０℃にお
いて２．４５Ｇ Ｈｚのマイクロ波で放電を起こさせ、
１００ｍｍＸ２００ｍｍのミラー面にカーボン膜３を形
成した。カーボン膜３の膜厚は、反応時間を調整するこ
とにより、■、２．５、■０．２０．２５．３０μｍ７
種とした。
す。この反射ミラーは以下のようにして製造された。１
００＋ｗＸ２００＋ｏｍＸ３０＋ｎ＋＋＋のＳｉＣ基材
１の表面にＣＶＤ法により膜厚５００ｎのＳｉＣ膜２を
形成した後、その表面を表面粗さＲｍｓが１０Å以下と
なるように光学研磨した。次に、ＣＶＤ装置内にＳｉＣ
膜２を被覆したＳｉＣ基材１を設置し、ＣＨ４ガスとＨ
２ガスとの混合ガス（体積比でＣＨ４／Ｈ２−Ｌ：９）
を供給して圧力を５０Ｔｏｒｒに設定し、６５０℃にお
いて２．４５Ｇ Ｈｚのマイクロ波で放電を起こさせ、
１００ｍｍＸ２００ｍｍのミラー面にカーボン膜３を形
成した。カーボン膜３の膜厚は、反応時間を調整するこ
とにより、■、２．５、■０．２０．２５．３０μｍ７
種とした。
カーボン膜を形成していないＳＯＲ用反射ミラー、及び
カーボン膜の膜厚が異なる７種のＳＯＲ用反射ミラーに
ついて、以下のようにして評価した。
カーボン膜の膜厚が異なる７種のＳＯＲ用反射ミラーに
ついて、以下のようにして評価した。
１０−’Ｔｏｒｒの圧力下でｌｏｈｍＸ２００ｍｍのミ
ラー面の中央部５０ｍ＋＊ Ｘ ｌ ００ｍ１１の範囲
に垂直方向からＩＷ／Ｗ２Ｏ３ＯＲを照射した。ミラー
面の表面温度の経時変化を第２図に示す。また、カーボ
ン膜の膜厚と、ＳＯＲを４分間照射したときの反射率と
の関係を第３図に示す。
ラー面の中央部５０ｍ＋＊ Ｘ ｌ ００ｍ１１の範囲
に垂直方向からＩＷ／Ｗ２Ｏ３ＯＲを照射した。ミラー
面の表面温度の経時変化を第２図に示す。また、カーボ
ン膜の膜厚と、ＳＯＲを４分間照射したときの反射率と
の関係を第３図に示す。
第２図から明らかなように、ミラー面にカーボン膜を被
覆したＳＯＲ用反射ミラーは、カーボン膜を被覆してい
ないもの（従来例）と比較して、ミラー面の表面温度が
あまり上昇しない。このことから、ミラー面にカーボン
膜を被覆すれば、ＳＯＲの照射によって発生する熱を外
部へ逃がしてミラー面の温度上昇を防止できることがわ
かる。
覆したＳＯＲ用反射ミラーは、カーボン膜を被覆してい
ないもの（従来例）と比較して、ミラー面の表面温度が
あまり上昇しない。このことから、ミラー面にカーボン
膜を被覆すれば、ＳＯＲの照射によって発生する熱を外
部へ逃がしてミラー面の温度上昇を防止できることがわ
かる。
また、第３図から明らかなように、カーボン膜の膜厚か
２〜２０μ覆のものでは反射率が高いが、カーボン膜の
膜厚が１顔、２５μｍ及び３０μｍのものでは反射率が
低い。カーボン膜の膜厚が１μｍのものでは、ミラー面
で発生した熱を充分に外部へ逃がすことができず、基材
とＳｉＣ膜との界面に熱応力か発生し、ＳｉＣ膜が変形
するため、反射率が低下すると考えられる。膜厚が２５
即及び３０周のものでは成膜されたカーボン膜の表面粗
さが粗くなるため、反射率が低下すると考えられる。
２〜２０μ覆のものでは反射率が高いが、カーボン膜の
膜厚が１顔、２５μｍ及び３０μｍのものでは反射率が
低い。カーボン膜の膜厚が１μｍのものでは、ミラー面
で発生した熱を充分に外部へ逃がすことができず、基材
とＳｉＣ膜との界面に熱応力か発生し、ＳｉＣ膜が変形
するため、反射率が低下すると考えられる。膜厚が２５
即及び３０周のものでは成膜されたカーボン膜の表面粗
さが粗くなるため、反射率が低下すると考えられる。
以上詳述したように本発明のシンクロトロン放射光用反
射ミラーは、ミラー面に滑らかで充分に熱を伝導するこ
とができるカーボン膜が形成されているので、高エネル
ギーのＳＯＲが照射されても反射率の低下を防止するこ
とができる。
射ミラーは、ミラー面に滑らかで充分に熱を伝導するこ
とができるカーボン膜が形成されているので、高エネル
ギーのＳＯＲが照射されても反射率の低下を防止するこ
とができる。
第１図に本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーの断面図、第
２図は本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーにＳＯＲを照射
したときのミラー面の表面温度の経時変化を示す図、第
３図は本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーのカーボン膜の
膜厚とＳＯＲを照射したときの反射率との関係を示す図
である。 １・・・ＳｉＣ基材、２・・・ＳｉＣ膜、３・・・カー
ボン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 □−１丁 、η、う、 ６ｉ（、間第１図 第２図
２図は本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーにＳＯＲを照射
したときのミラー面の表面温度の経時変化を示す図、第
３図は本発明に係るＳＯＲ用反射ミラーのカーボン膜の
膜厚とＳＯＲを照射したときの反射率との関係を示す図
である。 １・・・ＳｉＣ基材、２・・・ＳｉＣ膜、３・・・カー
ボン膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 □−１丁 、η、う、 ６ｉ（、間第１図 第２図
Claims (1)
- 耐熱性セラミック基材にＣＶＤ法によるＳｉＣ膜を被覆
し、少なくともミラー面にＣＶＤ法による膜厚２〜２０
μｍカーボン膜を被覆したことを特徴とするシンクロト
ロン放射光用反射ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28192290A JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28192290A JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158298A true JPH04158298A (ja) | 1992-06-01 |
| JPH0769479B2 JPH0769479B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17645821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28192290A Expired - Lifetime JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769479B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461657A (en) * | 1993-06-30 | 1995-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mirror, and x-ray exposure apparatus and device manufacturing method employing the same |
| JP2006527791A (ja) * | 2003-06-16 | 2006-12-07 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 少なくとも一つの水素含有アモルファスカーボンを含んでなる、機械部品用コーティング、およびコーティングの堆積方法 |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28192290A patent/JPH0769479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461657A (en) * | 1993-06-30 | 1995-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mirror, and x-ray exposure apparatus and device manufacturing method employing the same |
| JP2006527791A (ja) * | 2003-06-16 | 2006-12-07 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 少なくとも一つの水素含有アモルファスカーボンを含んでなる、機械部品用コーティング、およびコーティングの堆積方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0769479B2 (ja) | 1995-07-31 |
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