JPH0769479B2 - シンクロトロン放射光用反射ミラー - Google Patents
シンクロトロン放射光用反射ミラーInfo
- Publication number
- JPH0769479B2 JPH0769479B2 JP28192290A JP28192290A JPH0769479B2 JP H0769479 B2 JPH0769479 B2 JP H0769479B2 JP 28192290 A JP28192290 A JP 28192290A JP 28192290 A JP28192290 A JP 28192290A JP H0769479 B2 JPH0769479 B2 JP H0769479B2
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- Japan
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- film
- mirror
- sor
- reflection mirror
- carbon
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はシンクロトロン放射光用反射ミラーに関する。
近年、シンクロトロン放射光（SOR）の応用研究が急速
な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造、医
学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、SOR
装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきてい
る。この結果SOR用の反射ミラーに対する要求もますま
す厳しくなってきている。
な進歩を遂げている。その応用分野は、半導体製造、医
学、化学及び物理と広範囲にわたっている。また、SOR
装置の大型化、高エネルギー化も著しくなってきてい
る。この結果SOR用の反射ミラーに対する要求もますま
す厳しくなってきている。
従来、この用途の反射ミラーとしては、黒鉛、SiCなど
の耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜を被覆して
その表面を光学研磨したもの、及び前記SiC膜上に更に
金属膜を蒸着したものが用いられている。
の耐熱性セラミック基材にCVD法によりSiC膜を被覆して
その表面を光学研磨したもの、及び前記SiC膜上に更に
金属膜を蒸着したものが用いられている。
しかし、高エネルギーのSORを照射するとミラー面の温
度が著しく上昇するため、従来の反射ミラーでは基材と
SiC膜との界面に熱応力が発生し、SiC膜が変形して反射
率が低下するという問題があった。しかも、金属膜の設
けたものでは、金属膜が脱離しやすくなり、実質的に高
エネルギーのSOR用ミラーとしては使用できないという
問題があった。
度が著しく上昇するため、従来の反射ミラーでは基材と
SiC膜との界面に熱応力が発生し、SiC膜が変形して反射
率が低下するという問題があった。しかも、金属膜の設
けたものでは、金属膜が脱離しやすくなり、実質的に高
エネルギーのSOR用ミラーとしては使用できないという
問題があった。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
り、高エネルギーのSORが照射されても反射率の低下が
少ないシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供するこ
とを目的とする。
り、高エネルギーのSORが照射されても反射率の低下が
少ないシンクロトロン放射光用反射ミラーを提供するこ
とを目的とする。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、耐熱性
セラミック基材にCVD法によるSiC膜を被覆し、少なくと
もミラー面にCVD法による膜厚２〜20μｍのカーボン膜
を被覆したことを特徴とするものである。
セラミック基材にCVD法によるSiC膜を被覆し、少なくと
もミラー面にCVD法による膜厚２〜20μｍのカーボン膜
を被覆したことを特徴とするものである。
本発明に係るシンクロトロン放射光用反射ミラーは、黒
鉛、SiCなどの耐熱性セラミック基材表面に、CVD法によ
りSiC膜を被覆し、このSiC膜の表面を表面粗さRmsが10
Å以下となるように光学研磨した後、CVD法による少な
くともミラー面にカーボン膜を被覆することにより製造
される。
鉛、SiCなどの耐熱性セラミック基材表面に、CVD法によ
りSiC膜を被覆し、このSiC膜の表面を表面粗さRmsが10
Å以下となるように光学研磨した後、CVD法による少な
くともミラー面にカーボン膜を被覆することにより製造
される。
カーボン膜は、メタンなどの炭素源となるガスと水素ガ
スとを、マイクロ波放電、熱分解などの手段で分解・励
起して炭素を析出させることにより形成される。このよ
うにCVD法で形成されるカーボン膜は、ダイヤモンド状
カーボン、イオンカーボン、無定形カーボンなどといわ
れるものである。これらのカーボン膜は、優れた熱伝導
率を有する。
スとを、マイクロ波放電、熱分解などの手段で分解・励
起して炭素を析出させることにより形成される。このよ
うにCVD法で形成されるカーボン膜は、ダイヤモンド状
カーボン、イオンカーボン、無定形カーボンなどといわ
れるものである。これらのカーボン膜は、優れた熱伝導
率を有する。
本発明において、カーボン膜の膜厚を範囲としたのは以
下のような理由による。すなわち、膜厚が２μｍ未満で
は、ミラー面で発生した熱を伝導して外部へ逃がすこと
が充分に行われず、基材とSiC膜との界面に熱応力が発
生し、SiC膜が変形するため反射率が低下してしまう。
一方、膜厚が20μｍを超えると、下地のSiC膜の表面が
滑らかであっても、カーボン膜を構成するカーボン粒子
が大きくなりその表面粗さが粗くなるため、やはり反射
率が低下してしまう。
下のような理由による。すなわち、膜厚が２μｍ未満で
は、ミラー面で発生した熱を伝導して外部へ逃がすこと
が充分に行われず、基材とSiC膜との界面に熱応力が発
生し、SiC膜が変形するため反射率が低下してしまう。
一方、膜厚が20μｍを超えると、下地のSiC膜の表面が
滑らかであっても、カーボン膜を構成するカーボン粒子
が大きくなりその表面粗さが粗くなるため、やはり反射
率が低下してしまう。
本発明のシンクロトロン放射光用反射ミラーは、ミラー
面に滑らかで充分に熱を伝導することができるカーボン
膜が形成されているので、高エネルギーのSORが照射さ
れても反射率の低下を防止することができる。
面に滑らかで充分に熱を伝導することができるカーボン
膜が形成されているので、高エネルギーのSORが照射さ
れても反射率の低下を防止することができる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図に本発明に係るSOR用反射ミラーの断面図を示
す。この反射ミラーは以下のようにして製造された。10
0m×200mm×30mmのSiC基材１の表面にCVD法により膜厚5
00μｍのSiC膜２を形成した後、その表面を表面粗さRms
が10Å以下となるように光学研磨した。次に、CVD装置
内にSiC膜２を被覆したSiC基材１を設置し、CH4ガスとH
2ガスとの混合ガス（体積比でCH4/H2＝1:9）を供給して
圧力を50Torrに設定し、650℃において2.45GHzのマイク
ロ波で放電を起こさせ、100mm×200mmのミラー面にカー
ボン膜３を形成した。カーボン膜３の膜厚は、反応時間
を調整することにより、１、２、５、10、20、25、30μ
ｍの７種とした。
す。この反射ミラーは以下のようにして製造された。10
0m×200mm×30mmのSiC基材１の表面にCVD法により膜厚5
00μｍのSiC膜２を形成した後、その表面を表面粗さRms
が10Å以下となるように光学研磨した。次に、CVD装置
内にSiC膜２を被覆したSiC基材１を設置し、CH4ガスとH
2ガスとの混合ガス（体積比でCH4/H2＝1:9）を供給して
圧力を50Torrに設定し、650℃において2.45GHzのマイク
ロ波で放電を起こさせ、100mm×200mmのミラー面にカー
ボン膜３を形成した。カーボン膜３の膜厚は、反応時間
を調整することにより、１、２、５、10、20、25、30μ
ｍの７種とした。
カーボン膜を形成していないSOR用反射ミラー、及びカ
ーボン膜の膜厚が異なる７種のSOR用反射ミラーについ
て、以下のようにした評価した。
ーボン膜の膜厚が異なる７種のSOR用反射ミラーについ
て、以下のようにした評価した。
10-3Torrの圧力下で100mm×20mmのミラー面の中央部50m
m×100mmの範囲に垂直方向から1W/mm2のSORを照射し
た。ミラー面の表面温度の経時変化を第２図に示ず。ま
た、カーボン膜の膜厚と、SORを４分間照射したときの
反射率との関係を第３図に示す。
m×100mmの範囲に垂直方向から1W/mm2のSORを照射し
た。ミラー面の表面温度の経時変化を第２図に示ず。ま
た、カーボン膜の膜厚と、SORを４分間照射したときの
反射率との関係を第３図に示す。
第２図から明らかなように、ミラー面にカーボン膜を被
覆したSOR用反射ミラーは、カーボン膜を被覆していな
いもの（従来例）と比較して、ミラー面の表面温度があ
まり上昇しない。このことから、ミラー面にカーボン膜
を被覆すれば、SCRの照射によって発生する熱を外部へ
逃がしてミラー面の温度を防止できることがわかる。
覆したSOR用反射ミラーは、カーボン膜を被覆していな
いもの（従来例）と比較して、ミラー面の表面温度があ
まり上昇しない。このことから、ミラー面にカーボン膜
を被覆すれば、SCRの照射によって発生する熱を外部へ
逃がしてミラー面の温度を防止できることがわかる。
また、第３図から明らかなように、カーボン膜の膜厚が
２〜20μｍのものでは反射率が高いが、カーボン膜の膜
厚が１μｍ、25μｍ及び30μｍのものでは反射率が低
い。カーボン膜の膜厚が１μｍのものでは、ミラー面で
発生した熱を充分に外部へ逃がすことができず、基材と
SiC膜との界面に熱応力が発生し、SiC膜が変形するた
め、反射率が低下すると考えられる。膜厚が25μｍ及び
30μｍのものでは成膜されたカーボン膜の表面粗さが粗
くなるため、反射率が低下すると考えられる。
２〜20μｍのものでは反射率が高いが、カーボン膜の膜
厚が１μｍ、25μｍ及び30μｍのものでは反射率が低
い。カーボン膜の膜厚が１μｍのものでは、ミラー面で
発生した熱を充分に外部へ逃がすことができず、基材と
SiC膜との界面に熱応力が発生し、SiC膜が変形するた
め、反射率が低下すると考えられる。膜厚が25μｍ及び
30μｍのものでは成膜されたカーボン膜の表面粗さが粗
くなるため、反射率が低下すると考えられる。
以上詳述したように本発明のシンクロトロン放射光用反
射ミラーは、ミラー面に滑らかで充分に熱を伝導するこ
とができるカーボン膜が形成されているので、高エネル
ギーのSORが照射されても反射率の低下を防止すること
ができる。
射ミラーは、ミラー面に滑らかで充分に熱を伝導するこ
とができるカーボン膜が形成されているので、高エネル
ギーのSORが照射されても反射率の低下を防止すること
ができる。
第１図に本発明に係るSOR用反射ミラーの断面図、第２
図は本発明に係るSOR用反射ミラーにSORを照射したとき
のミラー面の表面温度の経時変化を示す図、第３図は本
発明に係るSOR用反射ミラーのカーボン膜の膜厚とSORを
照射したときの反射率との関係を示す図である。 １……SiC基材、２……SiC膜、３……カーボン膜。
図は本発明に係るSOR用反射ミラーにSORを照射したとき
のミラー面の表面温度の経時変化を示す図、第３図は本
発明に係るSOR用反射ミラーのカーボン膜の膜厚とSORを
照射したときの反射率との関係を示す図である。 １……SiC基材、２……SiC膜、３……カーボン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 茂男 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者 田添 春夫 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (72)発明者 小池 弘明 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミックス株式会社小国製造所内 (56)参考文献 特開 平１−228000（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】耐熱性セラミック基材にCVD法によるSiC膜
を被覆し、少なくともミラー面にCVD法による膜厚２〜2
0μｍのカーボン膜を被覆したことを特徴とするシンク
ロトロン放射光用反射ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28192290A JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28192290A JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158298A JPH04158298A (ja) | 1992-06-01 |
| JPH0769479B2 true JPH0769479B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17645821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28192290A Expired - Lifetime JPH0769479B2 (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | シンクロトロン放射光用反射ミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769479B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0720293A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Canon Inc | Ｘ線ミラー及びこれを用いたｘ線露光装置とデバイス製造方法 |
| FR2856078B1 (fr) * | 2003-06-16 | 2006-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Revetement pour une piece mecanique comprenant au moins du carbone amorphe hydrogene et procede de depot d'un tel revetement. |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28192290A patent/JPH0769479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04158298A (ja) | 1992-06-01 |
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