JPH06281795A - 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 - Google Patents
放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法Info
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- JPH06281795A JPH06281795A JP7162693A JP7162693A JPH06281795A JP H06281795 A JPH06281795 A JP H06281795A JP 7162693 A JP7162693 A JP 7162693A JP 7162693 A JP7162693 A JP 7162693A JP H06281795 A JPH06281795 A JP H06281795A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用中にＳｉＣ膜の剥離・変形およびピンホ
ールが生じ難く長寿命であり、且つ使用中に周囲の真空
度を低下させる恐れが極めて少ない放射光・Ｘ線反射用
ＳｉＣミラーを提供する。 【構成】 純度が９９％以上、粒径が０．０１〜０．２
μｍ、表面積が３０ｍ2／ｇ以上のＳｉＣ超微粉末を焼
結助剤を添加せずにカーボン型に入れ、その超微粉末に
５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加えながら１９００〜２
２００゜Ｃの温度で不活性雰囲気中で焼成して焼結Ｓｉ
Ｃ基材を形成する。その後、前記焼結ＳｉＣ基材の表面
に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成し、その膜をミラー
研磨する。
ールが生じ難く長寿命であり、且つ使用中に周囲の真空
度を低下させる恐れが極めて少ない放射光・Ｘ線反射用
ＳｉＣミラーを提供する。 【構成】 純度が９９％以上、粒径が０．０１〜０．２
μｍ、表面積が３０ｍ2／ｇ以上のＳｉＣ超微粉末を焼
結助剤を添加せずにカーボン型に入れ、その超微粉末に
５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加えながら１９００〜２
２００゜Ｃの温度で不活性雰囲気中で焼成して焼結Ｓｉ
Ｃ基材を形成する。その後、前記焼結ＳｉＣ基材の表面
に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成し、その膜をミラー
研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基材の表面に形成し
たＳｉＣ膜により放射光やＸ線を反射する放射光・Ｘ線
反射用ＳｉＣミラーの製造方法に関する。
たＳｉＣ膜により放射光やＸ線を反射する放射光・Ｘ線
反射用ＳｉＣミラーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーとして
は、従来より、カーボンやＳｉＣ（炭化珪素）の基材に
ＳｉＣ膜をコーティングしたものが知られている。
は、従来より、カーボンやＳｉＣ（炭化珪素）の基材に
ＳｉＣ膜をコーティングしたものが知られている。
【０００３】従来の放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーと
しては、カーボン基材あるいは気孔率３〜３０％の気孔
を有する再結晶質ＳｉＣ基材の表面にＳｉＣ膜をコーテ
ィングしたミラーがある。
しては、カーボン基材あるいは気孔率３〜３０％の気孔
を有する再結晶質ＳｉＣ基材の表面にＳｉＣ膜をコーテ
ィングしたミラーがある。
【０００４】また、特開平４―１３１０１号公報には、
シンクロトロン放射光用反射ミラーの一例が開示されて
いる。このミラーでは、耐熱性セラミック基材が、Ｓｉ
Ｃが９９〜５５ｗｔ％、ハフニウム、ボロン、チタン、
アルミニウム、ＳｉＣウィスカーおよび金属シリコンの
群から選択される少なくとも１種が０．１〜４５ｗｔ％
の組成を有している。このセラミック基材の表面には、
化学蒸着法（ＣＶＤ）によりＳｉＣ膜がコーティングさ
れ、その膜の表面はミラー研磨されている。
シンクロトロン放射光用反射ミラーの一例が開示されて
いる。このミラーでは、耐熱性セラミック基材が、Ｓｉ
Ｃが９９〜５５ｗｔ％、ハフニウム、ボロン、チタン、
アルミニウム、ＳｉＣウィスカーおよび金属シリコンの
群から選択される少なくとも１種が０．１〜４５ｗｔ％
の組成を有している。このセラミック基材の表面には、
化学蒸着法（ＣＶＤ）によりＳｉＣ膜がコーティングさ
れ、その膜の表面はミラー研磨されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】カーボン基材を用いた
上記従来の放射光・Ｘ線反射用ミラーでは、放射光やＸ
線のエネルギーが強くなるにしたがって、カーボンとＳ
ｉＣの熱膨張係数の違いによってコーティングしたＳｉ
Ｃ膜が剥離したり変形したりする恐れがあるという問題
がある。
上記従来の放射光・Ｘ線反射用ミラーでは、放射光やＸ
線のエネルギーが強くなるにしたがって、カーボンとＳ
ｉＣの熱膨張係数の違いによってコーティングしたＳｉ
Ｃ膜が剥離したり変形したりする恐れがあるという問題
がある。
【０００６】再結晶質ＳｉＣ基材を用いた上記従来の放
射光・Ｘ線反射用ミラーでは、基材とコーティング膜に
いずれもＳｉＣを使用しているため、ＳｉＣ膜の剥離や
変形の恐れはない。しかし、基材が多くの気孔を有する
ため、コーティングされたＳｉＣ膜の表面をミラー研磨
すると、その膜に多数の微細なピンホール（開気孔）が
発生することが多いという問題がある。
射光・Ｘ線反射用ミラーでは、基材とコーティング膜に
いずれもＳｉＣを使用しているため、ＳｉＣ膜の剥離や
変形の恐れはない。しかし、基材が多くの気孔を有する
ため、コーティングされたＳｉＣ膜の表面をミラー研磨
すると、その膜に多数の微細なピンホール（開気孔）が
発生することが多いという問題がある。
【０００７】また、これら両ミラーでは基材がかなりの
気孔を含むため、高温高真空の使用条件下において基材
中の気孔に吸着されていたガスが周囲に放出され、真空
度を低下させてしまうという問題もある。
気孔を含むため、高温高真空の使用条件下において基材
中の気孔に吸着されていたガスが周囲に放出され、真空
度を低下させてしまうという問題もある。
【０００８】特開平４―１３１０１号公報に開示された
上記放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーでは、基材とコー
ティング膜にいずれもＳｉＣを使用しているため、Ｓｉ
Ｃ膜の剥離や変形が生じる恐れはない。しかし、前記Ｓ
ｉＣセラミック基材は通常、硼素（Ｂ）、炭素（Ｃ）等
の焼結助剤を用いて焼結するため、基材中には焼結助剤
が残存する。この種ミラーは高温高真空下で使用される
ので、使用中に基材中に残存している焼結助材が気化し
て周囲の真空度を下げるという問題がある。
上記放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーでは、基材とコー
ティング膜にいずれもＳｉＣを使用しているため、Ｓｉ
Ｃ膜の剥離や変形が生じる恐れはない。しかし、前記Ｓ
ｉＣセラミック基材は通常、硼素（Ｂ）、炭素（Ｃ）等
の焼結助剤を用いて焼結するため、基材中には焼結助剤
が残存する。この種ミラーは高温高真空下で使用される
ので、使用中に基材中に残存している焼結助材が気化し
て周囲の真空度を下げるという問題がある。
【０００９】さらに、気孔の存在により十分な基材の熱
伝導が得られないため、温度分布の不均一によってＳｉ
Ｃ膜の剥離や変形等が生じやすく、寿命が短いという問
題がある。
伝導が得られないため、温度分布の不均一によってＳｉ
Ｃ膜の剥離や変形等が生じやすく、寿命が短いという問
題がある。
【００１０】そこで、この発明の目的は、使用中にＳｉ
Ｃ膜の剥離・変形およびピンホールが生じ難く、長寿命
のミラーが得られる放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの
製造方法を提供することにある。
Ｃ膜の剥離・変形およびピンホールが生じ難く、長寿命
のミラーが得られる放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの
製造方法を提供することにある。
【００１１】この発明の他の目的は、使用中に周囲の真
空度を低下させる恐れが極めて少ないミラーが得られる
放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法を提供する
ことにある。
空度を低下させる恐れが極めて少ないミラーが得られる
放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の放射光・Ｘ線
反射用ＳｉＣミラーの製造方法は、純度が９９％以上、
粒径が０．０１〜０．２μｍ、表面積が３０ｍ2／ｇ以
上のＳｉＣ超微粉末を焼結助剤を添加せずに成形型に入
れ、その超微粉末に５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加え
ながら１９００〜２２００゜Ｃの温度で不活性雰囲気中
で焼成して焼結ＳｉＣ基材を形成する工程と、前記焼結
ＳｉＣ基材の表面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成す
る工程と、前記ＳｉＣ膜をミラー研磨する工程とを具備
することを特徴とする。
反射用ＳｉＣミラーの製造方法は、純度が９９％以上、
粒径が０．０１〜０．２μｍ、表面積が３０ｍ2／ｇ以
上のＳｉＣ超微粉末を焼結助剤を添加せずに成形型に入
れ、その超微粉末に５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加え
ながら１９００〜２２００゜Ｃの温度で不活性雰囲気中
で焼成して焼結ＳｉＣ基材を形成する工程と、前記焼結
ＳｉＣ基材の表面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜を形成す
る工程と、前記ＳｉＣ膜をミラー研磨する工程とを具備
することを特徴とする。
【００１３】前記基材用のＳｉＣ超微粉末の純度を９９
％以上とするのは、ミラー使用中のガス発生の原因とな
る恐れがある不純物をできるだけ少なくするためであ
る。
％以上とするのは、ミラー使用中のガス発生の原因とな
る恐れがある不純物をできるだけ少なくするためであ
る。
【００１４】前記基材用のＳｉＣ超微粉末の粒径を０．
０１〜０．２μｍとするのは、０．０１μｍよりも小さ
いと、ＳｉＣ超微粉末の取り扱いが困難となり、その結
果、焼結時に十分な緻密化が達成できないためである。
また、高純度処理および成形等も難しくなるためであ
る。他方、粒径が０．２μｍを越えると、ホットプレス
によっても焼結が困難となり、所望の基材強度および密
度が得られない。
０１〜０．２μｍとするのは、０．０１μｍよりも小さ
いと、ＳｉＣ超微粉末の取り扱いが困難となり、その結
果、焼結時に十分な緻密化が達成できないためである。
また、高純度処理および成形等も難しくなるためであ
る。他方、粒径が０．２μｍを越えると、ホットプレス
によっても焼結が困難となり、所望の基材強度および密
度が得られない。
【００１５】前記基材用のＳｉＣ超微粉末の表面積を３
０ｍ2／ｇ以上とするのは、３０ｍ2／ｇよりも小さい
と、ＳｉＣ粒子同士の接触面積が小さくなるため、ホッ
トプレスによっても焼結が困難となり、その結果、所望
の基材強度および密度が得られないからである。
０ｍ2／ｇ以上とするのは、３０ｍ2／ｇよりも小さい
と、ＳｉＣ粒子同士の接触面積が小さくなるため、ホッ
トプレスによっても焼結が困難となり、その結果、所望
の基材強度および密度が得られないからである。
【００１６】焼成工程で、前記基材用ＳｉＣ超微粉末を
５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加えながら１９００〜２
２００゜Ｃの不活性雰囲気中で焼成するのは、この条件
を外れると、所望の基材強度および密度が得られない。
５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加えながら１９００〜２
２００゜Ｃの不活性雰囲気中で焼成するのは、この条件
を外れると、所望の基材強度および密度が得られない。
【００１７】
【作用】この発明の方法で製造される放射光・Ｘ線反射
用ＳｉＣミラーでは、基材と膜が同じＳｉＣであるの
で、ＳｉＣ膜の剥離や変形の恐れはない。
用ＳｉＣミラーでは、基材と膜が同じＳｉＣであるの
で、ＳｉＣ膜の剥離や変形の恐れはない。
【００１８】また、この発明の方法では、ＳｉＣ基材の
気孔率が極めて小さくなるため、その基材の表面に形成
したＳｉＣ膜と基材との密着性が良好となると共に、緻
密なＳｉＣ膜が形成されるので、そのＳｉＣ膜の表面を
ミラー研磨しても、微細なピンホールは発生しない。
気孔率が極めて小さくなるため、その基材の表面に形成
したＳｉＣ膜と基材との密着性が良好となると共に、緻
密なＳｉＣ膜が形成されるので、そのＳｉＣ膜の表面を
ミラー研磨しても、微細なピンホールは発生しない。
【００１９】得られるＳｉＣ基材が気孔をほとんど含ま
ず、熱伝導性が良好ないので、気孔中に吸着したガスが
使用中に放出されて周囲の真空度を低下させたり、使用
中に温度の不均一に起因してＳｉＣ膜が剥離あるいは変
形する恐れもない。
ず、熱伝導性が良好ないので、気孔中に吸着したガスが
使用中に放出されて周囲の真空度を低下させたり、使用
中に温度の不均一に起因してＳｉＣ膜が剥離あるいは変
形する恐れもない。
【００２０】得られるＳｉＣ基材が焼結助剤を含んでい
ないため、焼結助剤に起因する真空度低下の恐れもな
い。
ないため、焼結助剤に起因する真空度低下の恐れもな
い。
【００２１】
【実施例】以下、実施例に基づいてこの発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２２】［実施例］まず、純度が９９．８％、粒径
が０．０３μｍ、表面積が５０ｍ2／ｇのＳｉＣ超微粉
末を、焼結助剤を添加せずにカーボンモールド内に入
れ、上下方向から１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えなが
ら２１００゜Ｃのアルゴンガス雰囲気中で焼成して、焼
結ＳｉＣ基材を得た。この焼結ＳｉＣ基材の大きさは直
径６０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円筒形である。、次に、シ
ラン（ＳｉＣ１4）とトルエン（Ｃ6Ｈ5ＣＨ3）と水素
（Ｈ2）の混合ガスを用いた化学蒸着法（ＣＶＤ）によ
り、前記基材の表面に厚さ５００μｍのＳｉＣ膜を形成
した後、ダイヤモンド研磨剤を用いてそのＳｉＣ膜のミ
ラー研磨を行なった。こうして、この発明の放射光・Ｘ
線反射用ＳｉＣミラーを得た。
が０．０３μｍ、表面積が５０ｍ2／ｇのＳｉＣ超微粉
末を、焼結助剤を添加せずにカーボンモールド内に入
れ、上下方向から１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えなが
ら２１００゜Ｃのアルゴンガス雰囲気中で焼成して、焼
結ＳｉＣ基材を得た。この焼結ＳｉＣ基材の大きさは直
径６０ｍｍ、高さ１０ｍｍの円筒形である。、次に、シ
ラン（ＳｉＣ１4）とトルエン（Ｃ6Ｈ5ＣＨ3）と水素
（Ｈ2）の混合ガスを用いた化学蒸着法（ＣＶＤ）によ
り、前記基材の表面に厚さ５００μｍのＳｉＣ膜を形成
した後、ダイヤモンド研磨剤を用いてそのＳｉＣ膜のミ
ラー研磨を行なった。こうして、この発明の放射光・Ｘ
線反射用ＳｉＣミラーを得た。
【００２３】こうして得られたミラーでは、表１に示す
ように、ＳｉＣ基材のＳｉＣ含有量が９９．８ｗｔ％、
密度が３．１５ｇ／ｃｍ3であった。また、５００゜
Ｃ、１０ー10Ｔｏｒｒという高温高真空下でのガス放出
量は、１００ｇ当り０．５ｍｌであり、極めて少なかっ
た。
ように、ＳｉＣ基材のＳｉＣ含有量が９９．８ｗｔ％、
密度が３．１５ｇ／ｃｍ3であった。また、５００゜
Ｃ、１０ー10Ｔｏｒｒという高温高真空下でのガス放出
量は、１００ｇ当り０．５ｍｌであり、極めて少なかっ
た。
【００２４】［比較例１］まず、純度９９．０％、粒径
０．６μｍ、表面積１５ｍ2／ｇのＳｉＣ微粉末を、焼
結助剤を添加せずにカーボンモールド内に入れ、上記実
施例と同様にして焼結ＳｉＣ基材を得た。この焼結Ｓｉ
Ｃ基材の大きさは、４０×１７０×４００ｍｍの直方体
である。
０．６μｍ、表面積１５ｍ2／ｇのＳｉＣ微粉末を、焼
結助剤を添加せずにカーボンモールド内に入れ、上記実
施例と同様にして焼結ＳｉＣ基材を得た。この焼結Ｓｉ
Ｃ基材の大きさは、４０×１７０×４００ｍｍの直方体
である。
【００２５】次に、上記実施例と同様にして、ＳｉＣ基
材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、そ
の膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣ
ミラーを得た。
材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、そ
の膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣ
ミラーを得た。
【００２６】比較例１では、ＳｉＣ微粉末の粒径が０．
６μｍと大きいため、表１に示すように、上記実施例に
比べてＳｉＣ基材のＳｉＣ含有量および密度が共に小さ
くなっている。これは、上記実施例に比べて基材の気孔
率が高いことを意味する。また、その気孔率に応じてガ
ス放出量が多くなっているが、これは気孔中に吸着され
たガスが放出されたためと解される。
６μｍと大きいため、表１に示すように、上記実施例に
比べてＳｉＣ基材のＳｉＣ含有量および密度が共に小さ
くなっている。これは、上記実施例に比べて基材の気孔
率が高いことを意味する。また、その気孔率に応じてガ
ス放出量が多くなっているが、これは気孔中に吸着され
たガスが放出されたためと解される。
【００２７】［比較例２］比較例１と同じＳｉＣ微粉末
に、焼結助剤として硼素（Ｂ）０．４ｗｔ％、炭素
（Ｃ）３ｗｔ％を添加したものをカーボンモールド内に
入れ、２１００゜Ｃの常圧アルゴンガス雰囲気中で焼成
して、比較例１と同じ形状の焼結ＳｉＣ基材を得た。
に、焼結助剤として硼素（Ｂ）０．４ｗｔ％、炭素
（Ｃ）３ｗｔ％を添加したものをカーボンモールド内に
入れ、２１００゜Ｃの常圧アルゴンガス雰囲気中で焼成
して、比較例１と同じ形状の焼結ＳｉＣ基材を得た。
【００２８】その後、上記実施例と同様にして、ＳｉＣ
基材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、
その膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーを得た。
基材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、
その膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーを得た。
【００２９】比較例２では、ＳｉＣ基材の密度は上記実
施例と同じであるが、焼結助剤を添加しているためＳｉ
Ｃ含有量が比較例１よりも低下している。また、上記実
施例と密度（気孔率）が同じであるのに、ガス放出量が
多くなっているのは、基材中に残存する焼結助剤に起因
すると解される。
施例と同じであるが、焼結助剤を添加しているためＳｉ
Ｃ含有量が比較例１よりも低下している。また、上記実
施例と密度（気孔率）が同じであるのに、ガス放出量が
多くなっているのは、基材中に残存する焼結助剤に起因
すると解される。
【００３０】［比較例３］比較例１と同じＳｉＣ微粉末
に、焼結助剤としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）１０ｗｔ％を
添加したものをカーボンモールド内に入れ、１９００゜
Ｃの常圧アルゴンガス雰囲気中で焼成して、比較例１と
同じ形状の焼結ＳｉＣ基材を得た。
に、焼結助剤としてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）１０ｗｔ％を
添加したものをカーボンモールド内に入れ、１９００゜
Ｃの常圧アルゴンガス雰囲気中で焼成して、比較例１と
同じ形状の焼結ＳｉＣ基材を得た。
【００３１】その後、上記実施例と同様にして、ＳｉＣ
基材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、
その膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーを得た。
基材の表面へのＳｉＣ膜（厚さ５００μｍ）の形成と、
その膜のミラー研磨を行ない、放射光・Ｘ線反射用Ｓｉ
Ｃミラーを得た。
【００３２】比較例３では、ＳｉＣ基材の密度は上記実
施例よりも大きくなっているが、焼結助剤を多く添加し
ているためＳｉＣ含有量が上記実施例よりも大きく低下
している。また、ガス放出量が多くなっているのは、基
材中に残存する焼結助剤に起因すると解される。
施例よりも大きくなっているが、焼結助剤を多く添加し
ているためＳｉＣ含有量が上記実施例よりも大きく低下
している。また、ガス放出量が多くなっているのは、基
材中に残存する焼結助剤に起因すると解される。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】この発明の放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミ
ラーの製造方法によれば、使用中にＳｉＣ膜の剥離・変
形およびピンホールが生じ難く、長寿命であり、且つ使
用中に周囲の真空度を低下させる恐れが極めて少ないミ
ラーが得られる。
ラーの製造方法によれば、使用中にＳｉＣ膜の剥離・変
形およびピンホールが生じ難く、長寿命であり、且つ使
用中に周囲の真空度を低下させる恐れが極めて少ないミ
ラーが得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 純度が９９％以上、粒径が０．０１〜
０．２μｍ、表面積が３０ｍ2／ｇ以上のＳｉＣ超微粉
末を焼結助剤を添加せずに成形型に入れ、その超微粉末
に５０ｋｇ／ｃｍ2以上の圧力を加えながら１９００〜
２２００゜Ｃの温度で不活性雰囲気中で焼成して焼結Ｓ
ｉＣ基材を形成する工程と、 前記焼結ＳｉＣ基材の表面に化学蒸着法によりＳｉＣ膜
を形成する工程と、 前記ＳｉＣ膜をミラー研磨する工程とを具備することを
特徴とする放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162693A JPH06281795A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7162693A JPH06281795A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06281795A true JPH06281795A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13466057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7162693A Pending JPH06281795A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06281795A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980202A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 光学要素構成材 |
| JP2006308836A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | スキャンミラー、その製造方法およびレーザ加工機 |
| JP2010537235A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | オプトシク ゲーエムベーハー | 炭化ケイ素の走査および光学ミラーの製造および加工方法 |
| CN106890724A (zh) * | 2017-03-12 | 2017-06-27 | 郑州睿科生化科技有限公司 | 一种碳化硅微粉的生产工艺 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7162693A patent/JPH06281795A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0980202A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 光学要素構成材 |
| JP2006308836A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | スキャンミラー、その製造方法およびレーザ加工機 |
| JP4522315B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-08-11 | 三菱電機株式会社 | スキャンミラー、その製造方法およびレーザ加工機 |
| JP2010537235A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | オプトシク ゲーエムベーハー | 炭化ケイ素の走査および光学ミラーの製造および加工方法 |
| CN106890724A (zh) * | 2017-03-12 | 2017-06-27 | 郑州睿科生化科技有限公司 | 一种碳化硅微粉的生产工艺 |
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