JPH07307377A - 静電チャック付セラミックスヒーター - Google Patents
静電チャック付セラミックスヒーターInfo
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- JPH07307377A JPH07307377A JP31637494A JP31637494A JPH07307377A JP H07307377 A JPH07307377 A JP H07307377A JP 31637494 A JP31637494 A JP 31637494A JP 31637494 A JP31637494 A JP 31637494A JP H07307377 A JPH07307377 A JP H07307377A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体プロセスにおける昇降温プロセスに使
用しても接合部に剥離の起らない静電チャック付セラミ
ックスヒーターの提供。 【構成】 電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の
表面に導電性セラミックスからなる静電チャック用電極
を接合すると共に、裏面に導電性セラミックスからなる
発熱層を接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックス
からなる被覆層を設けてなる静電チャック付セラミック
スヒーターにおいて、該支持基材、該静電チャック用電
極および該発熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上と
してなる。
用しても接合部に剥離の起らない静電チャック付セラミ
ックスヒーターの提供。 【構成】 電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の
表面に導電性セラミックスからなる静電チャック用電極
を接合すると共に、裏面に導電性セラミックスからなる
発熱層を接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックス
からなる被覆層を設けてなる静電チャック付セラミック
スヒーターにおいて、該支持基材、該静電チャック用電
極および該発熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上と
してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は静電チャック付セラミッ
クスヒーター、特には半導体プロセスにおける昇降温工
程に使用される静電チャック付セラミックスヒーターに
関するものである。
クスヒーター、特には半導体プロセスにおける昇降温工
程に使用される静電チャック付セラミックスヒーターに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程における半導
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されていたが、これについては半導体ウエハへの金属
汚染の問題があるため、セラミックス薄膜を発熱体とし
て使用したセラミックス一体型ヒーターの使用が提案さ
れている（特開平4-124076号公報参照）。また、この半
導体ウエハの加熱に当たってはヒーター上に半導体ウエ
ハを固定するために減圧雰囲気では静電チャックが使用
されているが、プロセスの高温化に伴ってその材質が樹
脂からセラミックスに移行されており（特開昭52-67353
号公報、特開昭59-124140 号公報参照）、また最近では
これらのセラミックスヒーターと静電チャックを合体し
た静電チャック付セラミックスヒーターも提案されてい
る（特開平4-358074号公報、特開平5-109876号公報、特
開平5-129210号公報参照）。
体ウエハの加熱には、従来金属線を巻いたヒーターが使
用されていたが、これについては半導体ウエハへの金属
汚染の問題があるため、セラミックス薄膜を発熱体とし
て使用したセラミックス一体型ヒーターの使用が提案さ
れている（特開平4-124076号公報参照）。また、この半
導体ウエハの加熱に当たってはヒーター上に半導体ウエ
ハを固定するために減圧雰囲気では静電チャックが使用
されているが、プロセスの高温化に伴ってその材質が樹
脂からセラミックスに移行されており（特開昭52-67353
号公報、特開昭59-124140 号公報参照）、また最近では
これらのセラミックスヒーターと静電チャックを合体し
た静電チャック付セラミックスヒーターも提案されてい
る（特開平4-358074号公報、特開平5-109876号公報、特
開平5-129210号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この静電チャ
ック付セラミックスヒーターは、基本的に異種類のセラ
ミックスを接合した構造、例えば窒化硼素の基材にグラ
ファイトの導電体層と窒化硼素の絶縁層を接合した構造
であるため、これらの素材の熱膨張率の違いにより昇降
温を繰り返しているうちに熱応力によって接合部の剥離
が起きるという問題点がある。
ック付セラミックスヒーターは、基本的に異種類のセラ
ミックスを接合した構造、例えば窒化硼素の基材にグラ
ファイトの導電体層と窒化硼素の絶縁層を接合した構造
であるため、これらの素材の熱膨張率の違いにより昇降
温を繰り返しているうちに熱応力によって接合部の剥離
が起きるという問題点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した静電チャック付セラミックスヒータ
ーに関するもので、これは電気絶縁性セラミックスから
なる支持基材の表面に導電性セラミックスからなる静電
チャック用電極を接合すると共に、裏面に導電性セラミ
ックスからなる発熱層を接合し、それらの上に電気絶縁
性セラミックスからなる被覆層を設けてなる静電チャッ
ク付セラミックスヒーターにおいて、該支持基材、該静
電チャック用電極および該発熱層の表面粗さRmaxをとも
に５μｍ以上としてなることを特徴とするもの、またこ
れは該被覆層上に拡散防止層が接合されてなることを特
徴とするものである。
利、欠点を解決した静電チャック付セラミックスヒータ
ーに関するもので、これは電気絶縁性セラミックスから
なる支持基材の表面に導電性セラミックスからなる静電
チャック用電極を接合すると共に、裏面に導電性セラミ
ックスからなる発熱層を接合し、それらの上に電気絶縁
性セラミックスからなる被覆層を設けてなる静電チャッ
ク付セラミックスヒーターにおいて、該支持基材、該静
電チャック用電極および該発熱層の表面粗さRmaxをとも
に５μｍ以上としてなることを特徴とするもの、またこ
れは該被覆層上に拡散防止層が接合されてなることを特
徴とするものである。
【０００５】すなわち、本発明者らは従来公知の静電チ
ャック付セラミックスヒーターにおける接合部の剥離を
防止する方法について種々検討した結果、これについて
は電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導
電性セラミックスからなる静電チャック用電極を接合す
ると共に、裏面に導電性セラミックスからなる発熱層を
接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックスからなる
被覆層を設けた公知の静電チャック付セラミックスヒー
ターにおいて、この支持基材、静電チャック用電極およ
び発熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上とすればこ
の接合部での剥離が起らなくなることを見出し、このも
のを半導体プロセスに使用するときの電気絶縁性セラミ
ックス部材、導電性セラミックスの種類、この表面粗さ
の作製方法などについての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
ャック付セラミックスヒーターにおける接合部の剥離を
防止する方法について種々検討した結果、これについて
は電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導
電性セラミックスからなる静電チャック用電極を接合す
ると共に、裏面に導電性セラミックスからなる発熱層を
接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックスからなる
被覆層を設けた公知の静電チャック付セラミックスヒー
ターにおいて、この支持基材、静電チャック用電極およ
び発熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上とすればこ
の接合部での剥離が起らなくなることを見出し、このも
のを半導体プロセスに使用するときの電気絶縁性セラミ
ックス部材、導電性セラミックスの種類、この表面粗さ
の作製方法などについての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
【０００６】
【作用】本発明は静電チャック付セラミックスヒーター
に関するものであり、これは電気絶縁性セラミックスか
らなる支持基材の表面に導電性セラミックスからなる静
電チャック用電極を接合すると共に、裏面に導電性セラ
ミックスからなる発熱層を接合し、それらの上に電気絶
縁性セラミックスからなる被覆層を設けてなる静電チャ
ック付セラミックスヒーターにおいて、該支持基材、該
静電チャック用電極および該発熱層の表面粗さRmaxをと
もに５μｍ以上としてなることを特徴とするものである
が、これによれば支持基材、静電チャック用電極、発熱
層および被覆層がその接合部で剥離することがなくなる
ので、この静電チャック付セラミックスヒーターは寿命
の長いものになるという有利性が与えられる。
に関するものであり、これは電気絶縁性セラミックスか
らなる支持基材の表面に導電性セラミックスからなる静
電チャック用電極を接合すると共に、裏面に導電性セラ
ミックスからなる発熱層を接合し、それらの上に電気絶
縁性セラミックスからなる被覆層を設けてなる静電チャ
ック付セラミックスヒーターにおいて、該支持基材、該
静電チャック用電極および該発熱層の表面粗さRmaxをと
もに５μｍ以上としてなることを特徴とするものである
が、これによれば支持基材、静電チャック用電極、発熱
層および被覆層がその接合部で剥離することがなくなる
ので、この静電チャック付セラミックスヒーターは寿命
の長いものになるという有利性が与えられる。
【０００７】本発明の静電チャック付セラミックスヒー
ターは、電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の表
面に導電性セラミックスからなる静電チャック用電極を
接合すると共に、裏面に導電性セラミックスからなる発
熱層を接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックスか
らなる被覆層を設けてなるものであるので、この構成自
体は公知のものである。しかし、この公知の静電チャッ
ク付セラミックスヒーターでは支持基材、静電チャック
用電極、発熱層および被覆層が接合一体化されているも
のの、これらは熱膨張係数に差があるために室温から加
熱温度である 1,100℃までの昇温、降温を繰り返してい
ると、この温度の変化によって支持基材、静電チャック
用電極、発熱層および被覆層がその接合部で剥離してこ
の構成が崩れ使用に耐えなくなるという重大な欠点があ
る。
ターは、電気絶縁性セラミックスからなる支持基材の表
面に導電性セラミックスからなる静電チャック用電極を
接合すると共に、裏面に導電性セラミックスからなる発
熱層を接合し、それらの上に電気絶縁性セラミックスか
らなる被覆層を設けてなるものであるので、この構成自
体は公知のものである。しかし、この公知の静電チャッ
ク付セラミックスヒーターでは支持基材、静電チャック
用電極、発熱層および被覆層が接合一体化されているも
のの、これらは熱膨張係数に差があるために室温から加
熱温度である 1,100℃までの昇温、降温を繰り返してい
ると、この温度の変化によって支持基材、静電チャック
用電極、発熱層および被覆層がその接合部で剥離してこ
の構成が崩れ使用に耐えなくなるという重大な欠点があ
る。
【０００８】しかるに本発明にしたがって、この支持基
材、静電チャック用電極および発熱層の表面を粗さRmax
が５μｍ以上である粗面とすると、この支持基材とこの
支持基材に接合された静電チャック用電極および発熱層
との間の物理的結合力と静電チャック用電極および発熱
層とこれらに接合された被覆層との間の物理的結合力が
アンカー効果によって増大するために、これによればこ
の静電チャック付セラミックスヒーターを常法により常
温から 1,100℃までの昇温、降温を繰り返してもその温
度変化によってこの支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することがなくなり、
したがってこの静電チャック付セラミックスヒーターは
寿命の長いものになるという有利性が与えられる。
材、静電チャック用電極および発熱層の表面を粗さRmax
が５μｍ以上である粗面とすると、この支持基材とこの
支持基材に接合された静電チャック用電極および発熱層
との間の物理的結合力と静電チャック用電極および発熱
層とこれらに接合された被覆層との間の物理的結合力が
アンカー効果によって増大するために、これによればこ
の静電チャック付セラミックスヒーターを常法により常
温から 1,100℃までの昇温、降温を繰り返してもその温
度変化によってこの支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することがなくなり、
したがってこの静電チャック付セラミックスヒーターは
寿命の長いものになるという有利性が与えられる。
【０００９】本発明の静電チャック付セラミックスヒー
ターは図１に示したように支持基材、静電チャック用電
極、発熱層および被覆層からなるものとされる。この支
持基材は電気絶縁性セラミックスからなるものとされる
が、本発明の静電チャック付セラミックスヒーターが特
に半導体プロセスへの使用を目的とするものであり、こ
の半導体プロセスにはＳｉ半導体のみではなく III−Ｖ
族化合物半導体も含まれることから、これはそれとは同
族元素で構成される窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニ
ウムの混合物、窒化珪素からなるものとすることがよい
が、この窒化硼素は公知の方法で焼結させて得たものと
しても、また例えばアンモニアと三塩化硼素とを 1,900
〜 2,000℃、10Torrの条件下で反応させて得た化学気相
蒸着法によるものとすればよい。この窒化硼素と窒化ア
ルミニウムの混合物は公知の方法で焼結させて得たもの
とすればよく、この窒化珪素は公知の方法で焼結させて
得たものとしても、また例えばアンモニアと四塩化珪素
とを 1,400〜 1,500℃、５Torrの条件下で反応させて得
た化学気相蒸着法によるものとすればよい。
ターは図１に示したように支持基材、静電チャック用電
極、発熱層および被覆層からなるものとされる。この支
持基材は電気絶縁性セラミックスからなるものとされる
が、本発明の静電チャック付セラミックスヒーターが特
に半導体プロセスへの使用を目的とするものであり、こ
の半導体プロセスにはＳｉ半導体のみではなく III−Ｖ
族化合物半導体も含まれることから、これはそれとは同
族元素で構成される窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニ
ウムの混合物、窒化珪素からなるものとすることがよい
が、この窒化硼素は公知の方法で焼結させて得たものと
しても、また例えばアンモニアと三塩化硼素とを 1,900
〜 2,000℃、10Torrの条件下で反応させて得た化学気相
蒸着法によるものとすればよい。この窒化硼素と窒化ア
ルミニウムの混合物は公知の方法で焼結させて得たもの
とすればよく、この窒化珪素は公知の方法で焼結させて
得たものとしても、また例えばアンモニアと四塩化珪素
とを 1,400〜 1,500℃、５Torrの条件下で反応させて得
た化学気相蒸着法によるものとすればよい。
【００１０】また、ここに使用される静電チャック用電
極および発熱層は導電性セラミックスからなるものとさ
れるが、これは支持基材としての窒化硼素などと熱膨張
係数が近く付着性が比較的良いということから、熱分解
グラファイトからなるものとすればよく、このものは例
えばメタンガスを 1,900〜 2,200℃、５Torrという条件
下で熱分解することによって得られたものとすればよい
が、これはメチルトリクロロシランなどの有機珪素化合
物を 1,250℃、３Torrの条件下で反応させて得た化学気
相蒸着法による炭化珪素としてもよい。なお、ここに使
用される被覆層は電気絶縁性セラミックスからなるもの
とされるが、これは支持基材と同じものとしてよく、し
たがってこれが窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニウム
の混合物、窒化珪素であるときには支持基材と同じ方法
で作られたものとすればよいが、純度の面から好ましく
は化学気相蒸着法によるものとすればよい。
極および発熱層は導電性セラミックスからなるものとさ
れるが、これは支持基材としての窒化硼素などと熱膨張
係数が近く付着性が比較的良いということから、熱分解
グラファイトからなるものとすればよく、このものは例
えばメタンガスを 1,900〜 2,200℃、５Torrという条件
下で熱分解することによって得られたものとすればよい
が、これはメチルトリクロロシランなどの有機珪素化合
物を 1,250℃、３Torrの条件下で反応させて得た化学気
相蒸着法による炭化珪素としてもよい。なお、ここに使
用される被覆層は電気絶縁性セラミックスからなるもの
とされるが、これは支持基材と同じものとしてよく、し
たがってこれが窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニウム
の混合物、窒化珪素であるときには支持基材と同じ方法
で作られたものとすればよいが、純度の面から好ましく
は化学気相蒸着法によるものとすればよい。
【００１１】本発明ではこの支持基材、静電チャック用
電極および発熱層はその表面の表面粗さが５μｍ以上の
ものとすることが必要とされるのであるが、これはこの
支持基材、静電チャック用電極および発熱層の表面を例
えばサンドブラスト処理すればよく、これによればこの
支持基材としての窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニウ
ムの混合物、窒化珪素、静電チャック用電極および発熱
層としてのグラファイト、炭化珪素の表面の粗さRmaxを
容易に５〜50μｍのものとすることができる。このよう
にして支持基材の表面の表面粗さRmaxを５μｍ以上とし
てから静電チャック用電極および発熱層を接合し、これ
に静電チャック用電極および発熱層の表面粗さRmaxを５
μｍ以上としてから被覆層を接合して得られた本発明の
静電チャック付セラミックスヒーターは、これらの接合
部における物理的接合力がこの表面粗さによるアンカー
効果によって増大したものとなっているので、これを例
えば常温から 1,100℃までの昇温、降温を繰り返すテス
トを行ってもこの温度変化によって支持基材、静電チャ
ック用電極、発熱層、被覆層がその接合部で剥離するこ
とはなく、したがって寿命の長いものとなる。
電極および発熱層はその表面の表面粗さが５μｍ以上の
ものとすることが必要とされるのであるが、これはこの
支持基材、静電チャック用電極および発熱層の表面を例
えばサンドブラスト処理すればよく、これによればこの
支持基材としての窒化硼素、窒化硼素と窒化アルミニウ
ムの混合物、窒化珪素、静電チャック用電極および発熱
層としてのグラファイト、炭化珪素の表面の粗さRmaxを
容易に５〜50μｍのものとすることができる。このよう
にして支持基材の表面の表面粗さRmaxを５μｍ以上とし
てから静電チャック用電極および発熱層を接合し、これ
に静電チャック用電極および発熱層の表面粗さRmaxを５
μｍ以上としてから被覆層を接合して得られた本発明の
静電チャック付セラミックスヒーターは、これらの接合
部における物理的接合力がこの表面粗さによるアンカー
効果によって増大したものとなっているので、これを例
えば常温から 1,100℃までの昇温、降温を繰り返すテス
トを行ってもこの温度変化によって支持基材、静電チャ
ック用電極、発熱層、被覆層がその接合部で剥離するこ
とはなく、したがって寿命の長いものとなる。
【００１２】なお、本発明の静電チャック付セラミック
スヒーターはこの被覆層を窒化硼素または窒化硼素と窒
化アルミニウムの混合物からなるものとすると III−Ｖ
族化合物半導体と同族化合物であるので化合物半導体へ
のIV族元素による汚染は起らないし、窒化珪素からなる
ものとするとＳｉ半導体への III族元素による汚染が起
こらない。また、プロセスによっては静電チャックのリ
ーク電流によるデバイスの破壊が問題となるため、この
被覆層に窒化硼素のもつ高い絶縁抵抗が必要となる場合
がある。しかし、この被覆層を窒化硼素からなるものと
したときに、特に高温プロセスにおいてこの被覆層中の
硼素の拡散によるシリコン半導体の汚染が発生する場合
があるが、この被覆層の上に酸化珪素または窒化珪素な
どの拡散防止層を設けることによりこの汚染を防止する
ことができる。また、この窒化硼素、窒化珪素、グラフ
ァイトおよび炭化珪素を化学気相蒸着法でつくられたも
のすると、焼結法で製造されたものに比べてバインダー
などの不純物が含まれていない高純度のものであるの
で、これは半導体プロセスに使用しても不純物によって
汚染される恐れはないという有利性が与えられる。
スヒーターはこの被覆層を窒化硼素または窒化硼素と窒
化アルミニウムの混合物からなるものとすると III−Ｖ
族化合物半導体と同族化合物であるので化合物半導体へ
のIV族元素による汚染は起らないし、窒化珪素からなる
ものとするとＳｉ半導体への III族元素による汚染が起
こらない。また、プロセスによっては静電チャックのリ
ーク電流によるデバイスの破壊が問題となるため、この
被覆層に窒化硼素のもつ高い絶縁抵抗が必要となる場合
がある。しかし、この被覆層を窒化硼素からなるものと
したときに、特に高温プロセスにおいてこの被覆層中の
硼素の拡散によるシリコン半導体の汚染が発生する場合
があるが、この被覆層の上に酸化珪素または窒化珪素な
どの拡散防止層を設けることによりこの汚染を防止する
ことができる。また、この窒化硼素、窒化珪素、グラフ
ァイトおよび炭化珪素を化学気相蒸着法でつくられたも
のすると、焼結法で製造されたものに比べてバインダー
などの不純物が含まれていない高純度のものであるの
で、これは半導体プロセスに使用しても不純物によって
汚染される恐れはないという有利性が与えられる。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１、比較例１ アンモニアと三塩化硼素とを 2,000℃、10Torrの条件下
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの熱分解窒化硼素製
円板を作ったのち、サンドブラスト処理してその表面と
裏面の表面粗さRmaxが５μｍのものとした。ついでこの
上にメタンガスを 2,200℃、５Torrの条件下で熱分解し
てこの上に厚さ40μｍの熱分解グラファイト層を形成
し、表面に電極パターン、裏面にヒーターパターンを加
工してそれぞれ静電チャック用電極、発熱層としたの
ち、サンドブラスト処理してこれらの表面の表面粗さRm
axを５μｍのものとした。
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの熱分解窒化硼素製
円板を作ったのち、サンドブラスト処理してその表面と
裏面の表面粗さRmaxが５μｍのものとした。ついでこの
上にメタンガスを 2,200℃、５Torrの条件下で熱分解し
てこの上に厚さ40μｍの熱分解グラファイト層を形成
し、表面に電極パターン、裏面にヒーターパターンを加
工してそれぞれ静電チャック用電極、発熱層としたの
ち、サンドブラスト処理してこれらの表面の表面粗さRm
axを５μｍのものとした。
【００１４】つぎにこの上でアンモニアと三塩化硼素と
を 2,000℃、10Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 100μｍの熱分解窒化硼素被覆層を設けて静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、このものを室温から
1,100℃まで 100回昇温、降温を繰り返したが、このも
のは支持基材、静電チャック用電極、発熱層、被覆層が
その接合部で剥離することはなかった。しかし、比較の
ためにこの支持基材、静電チャック用電極および発熱層
の表面の表面粗さRmaxを３μｍのものとしたほかはこの
実験例と同じように処理して静電チャック付セラミック
スヒーターを作り、これについて同様の剥離試験を行な
ったところ、このものは室温、 1,100℃の昇温、降温を
９回繰り返した時点で接合部に剥離が発生した。
を 2,000℃、10Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 100μｍの熱分解窒化硼素被覆層を設けて静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、このものを室温から
1,100℃まで 100回昇温、降温を繰り返したが、このも
のは支持基材、静電チャック用電極、発熱層、被覆層が
その接合部で剥離することはなかった。しかし、比較の
ためにこの支持基材、静電チャック用電極および発熱層
の表面の表面粗さRmaxを３μｍのものとしたほかはこの
実験例と同じように処理して静電チャック付セラミック
スヒーターを作り、これについて同様の剥離試験を行な
ったところ、このものは室温、 1,100℃の昇温、降温を
９回繰り返した時点で接合部に剥離が発生した。
【００１５】実施例２、比較例２ アンモニアと四塩化珪素とを 1,400℃、５Torrの条件下
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの化学気相蒸着法に
よる窒化珪素製円板を作ったのち、サンドブラスト処理
してその表面と裏面の表面粗さRmaxが６μｍのものとし
た。ついでこの上でメチルトリクロロシランを 1,250
℃、３Torrの条件下で熱分解してこの上に厚さ 100μｍ
の化学気相蒸着法による炭化珪素層を形成し、表面に電
極パターン、裏面にヒーターパターンを加工してそれぞ
れ静電チャック用電極、発熱層としたのち、サンドブラ
スト処理してこれらの表面の表面粗さRmaxを７μｍのも
のとした。
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの化学気相蒸着法に
よる窒化珪素製円板を作ったのち、サンドブラスト処理
してその表面と裏面の表面粗さRmaxが６μｍのものとし
た。ついでこの上でメチルトリクロロシランを 1,250
℃、３Torrの条件下で熱分解してこの上に厚さ 100μｍ
の化学気相蒸着法による炭化珪素層を形成し、表面に電
極パターン、裏面にヒーターパターンを加工してそれぞ
れ静電チャック用電極、発熱層としたのち、サンドブラ
スト処理してこれらの表面の表面粗さRmaxを７μｍのも
のとした。
【００１６】つぎにこの上でアンモニアと四塩化珪素と
を 1,400℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 150μｍの化学気相蒸着法による窒化珪素被覆層を設
けて静電チャック付セラミックスヒーターを作り、この
ものを室温から 1,100℃まで100回昇温、降温を繰り返
したが、このものは支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することはなかった。
しかし、比較のためにこの支持基材、静電チャック用電
極および発熱層の表面の表面粗さRmaxを２μｍのものと
したほかはこの実施例と同じように処理して静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、これについて同様の
剥離試験を行なったところ、このものは室温、 1,100℃
の昇温、降温を５回繰り返した時点で接合部に剥離が発
生した。
を 1,400℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 150μｍの化学気相蒸着法による窒化珪素被覆層を設
けて静電チャック付セラミックスヒーターを作り、この
ものを室温から 1,100℃まで100回昇温、降温を繰り返
したが、このものは支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することはなかった。
しかし、比較のためにこの支持基材、静電チャック用電
極および発熱層の表面の表面粗さRmaxを２μｍのものと
したほかはこの実施例と同じように処理して静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、これについて同様の
剥離試験を行なったところ、このものは室温、 1,100℃
の昇温、降温を５回繰り返した時点で接合部に剥離が発
生した。
【００１７】実施例３、比較例３ アンモニアと四塩化珪素とを 1,400℃、５Torrの条件下
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの化学気相蒸着法に
よる窒化珪素製円板を作ったのち、サンドブラスト処理
してその表面と裏面の表面粗さRmaxが９μｍのものとし
た。ついでこの上でメタンガスを 2,200℃、５Torrの条
件下で熱分解してこの上に厚さ60μｍの熱分解グラファ
イト層を形成し、表面に電極パターン、裏面にヒーター
パターンを加工してそれぞれ静電チャック用電極、発熱
層としたのち、サンドブラスト処理してこれらの表面の
表面粗さRmaxを９μｍのものとした。
で反応させて直径 160mm、厚さ１mmの化学気相蒸着法に
よる窒化珪素製円板を作ったのち、サンドブラスト処理
してその表面と裏面の表面粗さRmaxが９μｍのものとし
た。ついでこの上でメタンガスを 2,200℃、５Torrの条
件下で熱分解してこの上に厚さ60μｍの熱分解グラファ
イト層を形成し、表面に電極パターン、裏面にヒーター
パターンを加工してそれぞれ静電チャック用電極、発熱
層としたのち、サンドブラスト処理してこれらの表面の
表面粗さRmaxを９μｍのものとした。
【００１８】つぎにこの上でアンモニアと四塩化珪素と
を 1,400℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 100μｍの化学気相蒸着法による窒化珪素被覆層を設
けて静電チャック付セラミックスヒーターを作り、この
ものを室温から 1,100℃まで100回昇温、降温を繰り返
したが、このものは支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することはなかった。
しかし、比較のためにこの支持基材、静電チャック用電
極および発熱層の表面の表面粗さRmaxを４μｍのものと
したほかはこの実施例と同じように処理して静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、これについて同様の
剥離試験を行ったところ、このものは室温、 1,100℃の
昇温、降温を26回繰り返した時点で接合部に剥離が発生
した。
を 1,400℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 100μｍの化学気相蒸着法による窒化珪素被覆層を設
けて静電チャック付セラミックスヒーターを作り、この
ものを室温から 1,100℃まで100回昇温、降温を繰り返
したが、このものは支持基材、静電チャック用電極、発
熱層、被覆層がその接合部で剥離することはなかった。
しかし、比較のためにこの支持基材、静電チャック用電
極および発熱層の表面の表面粗さRmaxを４μｍのものと
したほかはこの実施例と同じように処理して静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、これについて同様の
剥離試験を行ったところ、このものは室温、 1,100℃の
昇温、降温を26回繰り返した時点で接合部に剥離が発生
した。
【００１９】実施例４、比較例４ 窒化硼素粉末と窒化アルミニウム粉末を３対１の割合で
混合したのち、 1,900℃、200kgf/cm2の条件下で焼結
し、直径 200mm、厚さ１mmの窒化硼素と窒化アルミニウ
ムの混合焼結体からなる円板を作ったのち、サンドブラ
スト処理してその表面と裏面の表面粗さRmaxが20μｍの
ものとした。ついでこの上にメタンガスを 2,200℃、５
Torrの条件下で熱分解してこの上に厚さ 100μｍの熱分
解グラファイト層を形成し、表面に電極パターン、裏面
にヒーターパターンを加工してそれぞれ静電チャック用
電極、発熱層としたのち、サンドブラスト処理してこれ
らの表面の表面粗さRmaxを７μｍのものとした。
混合したのち、 1,900℃、200kgf/cm2の条件下で焼結
し、直径 200mm、厚さ１mmの窒化硼素と窒化アルミニウ
ムの混合焼結体からなる円板を作ったのち、サンドブラ
スト処理してその表面と裏面の表面粗さRmaxが20μｍの
ものとした。ついでこの上にメタンガスを 2,200℃、５
Torrの条件下で熱分解してこの上に厚さ 100μｍの熱分
解グラファイト層を形成し、表面に電極パターン、裏面
にヒーターパターンを加工してそれぞれ静電チャック用
電極、発熱層としたのち、サンドブラスト処理してこれ
らの表面の表面粗さRmaxを７μｍのものとした。
【００２０】つぎにこの上でアンモニアと三塩化硼素と
を 1,800℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 200μｍの熱分解窒化硼素被覆層を設けて静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、このものを室温から
1,100℃まで 100回昇温、降温を繰り返したが、このも
のは支持基材、静電チャック用電極、発熱層、被覆層が
その接合部で剥離することはなかった。しかし、比較の
ためにこの支持基材、静電チャック用電極および発熱層
の表面の表面粗さRmaxを４μｍのものとしたほかはこの
実施例と同じように処理して静電チャック付セラミック
スヒーターを作り、これについて同様の剥離試験を行っ
たところ、このものは室温、 1,100℃の昇温、降温を３
回繰り返した時点で接合部に剥離が発生した。
を 1,800℃、５Torrの条件下で反応させて、この上に厚
さ 200μｍの熱分解窒化硼素被覆層を設けて静電チャッ
ク付セラミックスヒーターを作り、このものを室温から
1,100℃まで 100回昇温、降温を繰り返したが、このも
のは支持基材、静電チャック用電極、発熱層、被覆層が
その接合部で剥離することはなかった。しかし、比較の
ためにこの支持基材、静電チャック用電極および発熱層
の表面の表面粗さRmaxを４μｍのものとしたほかはこの
実施例と同じように処理して静電チャック付セラミック
スヒーターを作り、これについて同様の剥離試験を行っ
たところ、このものは室温、 1,100℃の昇温、降温を３
回繰り返した時点で接合部に剥離が発生した。
【００２１】
【発明の効果】本発明は静電チャック付セラミックスヒ
ーターに関するものであり、これは前記したように電気
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスからなる静電チャック用電極を接合すると共
に、裏面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、それらの上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆
層を設けてなる静電チャック付セラミックスヒーターに
おいて、該支持基材、該静電チャック用電極および該発
熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上としてなること
を特徴とするものであるが、このものは支持基材、静電
チャック用電極および発熱層の表面の表面粗さRmaxが５
μｍ以上とされているので、支持基材と静電チャック用
電極および発熱層との間の物理的結合力と静電チャック
用電極および発熱層と被覆層との間の物理的結合力がア
ンカー効果によって増大されることから、この静電チャ
ック付セラミックスヒーターはこれを常温から 1,100℃
までの昇温、降温を繰り返してもこの支持基材、静電チ
ャック用電極、発熱層、被覆層がその接合部で剥離する
ことがなく、したがって寿命の極めて長いものになると
いう有利性が与えられる。
ーターに関するものであり、これは前記したように電気
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスからなる静電チャック用電極を接合すると共
に、裏面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、それらの上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆
層を設けてなる静電チャック付セラミックスヒーターに
おいて、該支持基材、該静電チャック用電極および該発
熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以上としてなること
を特徴とするものであるが、このものは支持基材、静電
チャック用電極および発熱層の表面の表面粗さRmaxが５
μｍ以上とされているので、支持基材と静電チャック用
電極および発熱層との間の物理的結合力と静電チャック
用電極および発熱層と被覆層との間の物理的結合力がア
ンカー効果によって増大されることから、この静電チャ
ック付セラミックスヒーターはこれを常温から 1,100℃
までの昇温、降温を繰り返してもこの支持基材、静電チ
ャック用電極、発熱層、被覆層がその接合部で剥離する
ことがなく、したがって寿命の極めて長いものになると
いう有利性が与えられる。
【図１】本発明の静電チャック付セラミックスヒーター
の一例の縦断面図を示したものである。
の一例の縦断面図を示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 41/89 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/265 21/027 21/324 Ｍ Ｈ０２Ｎ 13/00 Ｄ Ｈ０５Ｂ 3/14 Ｄ 7512−3Ｋ (72)発明者 萩原 浩二 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 新井 延男 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 荒見 淳一 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 石川 賢治 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 電気絶縁性セラミックスからなる支持基
材の表面に導電性セラミックスからなる静電チャック用
電極を接合すると共に、裏面に導電性セラミックスから
なる発熱層を接合し、それらの上に電気絶縁性セラミッ
クスからなる被覆層を設けてなる静電チャック付セラミ
ックスヒーターにおいて、該支持基材、該静電チャック
用電極および該発熱層の表面粗さRmaxをともに５μｍ以
上としてなることを特徴とする静電チャック付セラミッ
クスヒーター。 - 【請求項２】 該支持基材と該被覆層が窒化硼素、窒化
硼素と窒化アルミニウムの混合物または窒化珪素であ
り、該静電チャック用電極および該発熱層がグラファイ
トまたは炭化珪素である請求項１記載の静電チャック付
セラミックスヒーター。 - 【請求項３】 該静電チャック用電極、該発熱層および
該被覆層が化学気相蒸着法で製造される請求項２記載の
静電チャック付セラミックスヒーター。 - 【請求項４】 該被覆層上に拡散防止層が接合されてな
る請求項１又は２記載の静電チャック付セラミックスヒ
ーター。 - 【請求項５】 該拡散防止層が酸化珪素または窒化珪素
である請求項４記載の静電チャック付セラミックスヒー
ター。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31637494A JPH07307377A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-20 | 静電チャック付セラミックスヒーター |
| US08/364,196 US5665260A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Ceramic electrostatic chuck with built-in heater |
| KR1019940037555A KR950021343A (ko) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | 정전척크 부착 세라믹 히터 |
| TW084100158A TW287294B (ja) | 1993-12-27 | 1995-01-10 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-330764 | 1993-12-27 | ||
| JP33076493 | 1993-12-27 | ||
| JP31637494A JPH07307377A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-20 | 静電チャック付セラミックスヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307377A true JPH07307377A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=26568634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31637494A Pending JPH07307377A (ja) | 1993-12-27 | 1994-12-20 | 静電チャック付セラミックスヒーター |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5665260A (ja) |
| JP (1) | JPH07307377A (ja) |
| KR (1) | KR950021343A (ja) |
| TW (1) | TW287294B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0803900A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| JP2001077182A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-03-23 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
| WO2001039551A1 (fr) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
| US6887316B2 (en) * | 2000-04-14 | 2005-05-03 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| KR100794960B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2008-01-16 | (주)나노테크 | 하이브리드형 히터 제조방법 |
| US7397648B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-07-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Electrostatic chuck including a heater mechanism |
| JP2010238789A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
| JP2013120835A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板温調固定装置及びその製造方法 |
| CN103428909A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-12-04 | 罗日良 | 一种发热管成型工艺 |
| JP2018026427A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
| JP2020025101A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| WO2020171179A1 (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3208029B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-09-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその作製方法 |
| JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
| US6037572A (en) * | 1997-02-26 | 2000-03-14 | White Consolidated Industries, Inc. | Thin film heating assemblies |
| US5901030A (en) * | 1997-12-02 | 1999-05-04 | Dorsey Gage, Inc. | Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling |
| JPH11157953A (ja) | 1997-12-02 | 1999-06-15 | Nhk Spring Co Ltd | セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 |
| JPH11260534A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-09-24 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置およびその製造方法 |
| US5886866A (en) * | 1998-07-06 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing |
| JP3725430B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2005-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 電極およびプラズマ処理装置 |
| US6490146B2 (en) | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
| US6462928B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved electrical connector and method |
| US6310755B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
| JP2001118664A (ja) | 1999-08-09 | 2001-04-27 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
| US6835916B2 (en) | 1999-08-09 | 2004-12-28 | Ibiden, Co., Ltd | Ceramic heater |
| WO2001011921A1 (fr) * | 1999-08-09 | 2001-02-15 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif de chauffe en ceramique |
| US6452137B1 (en) | 1999-09-07 | 2002-09-17 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US6410172B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-06-25 | Advanced Ceramics Corporation | Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition |
| JP2001297857A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-10-26 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
| EP1137321A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-09-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| JP4209057B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | セラミックスヒーターならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
| US6884972B2 (en) | 1999-12-09 | 2005-04-26 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/inspecting apparatus |
| US6494955B1 (en) | 2000-02-15 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| JP2001253777A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
| US6693789B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-02-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Susceptor and manufacturing method thereof |
| JP2002141257A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-05-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ |
| JP3516392B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2004-04-05 | イビデン株式会社 | 半導体製造・検査装置用ホットプレート |
| US6809299B2 (en) | 2000-07-04 | 2004-10-26 | Ibiden Co., Ltd. | Hot plate for semiconductor manufacture and testing |
| EP1304729A1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-04-23 | Ibiden Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing/testing ceramic heater, production method for the ceramic heater and production system for the ceramic heater |
| US20030062358A1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-04-03 | Atsushi Ito | Semiconductor manufacturing/testing ceramic heater |
| US20040035846A1 (en) * | 2000-09-13 | 2004-02-26 | Yasuji Hiramatsu | Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspecting equipment |
| AU2002239522A1 (en) | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Mattson Technology, Inc. | Apparatuses and methods for resistively heating a thermal processing system |
| WO2002043441A1 (fr) * | 2000-11-24 | 2002-05-30 | Ibiden Co., Ltd. | Element chauffant en ceramique et procede de production |
| JP2002170651A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
| US6623563B2 (en) * | 2001-01-02 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with bi-metal effect |
| US6554907B2 (en) | 2001-01-02 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Susceptor with internal support |
| US6538872B1 (en) | 2001-11-05 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having heater and method |
| US6730175B2 (en) | 2002-01-22 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| AU2003235268A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-02 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Cooking top plate |
| JP3963788B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2007-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
| JP2004146567A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用セラミックスヒーター |
| JP4302428B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2009-07-29 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置 |
| JP4077430B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2008-04-16 | 佳知 高石 | 骨密度評価装置および骨密度評価方法 |
| JP4309714B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2009-08-05 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
| US7697260B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
| US20060088692A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic plate for a semiconductor producing/examining device |
| US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| US7589950B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
| CN102308380B (zh) * | 2009-02-04 | 2014-06-04 | 马特森技术有限公司 | 用于径向调整衬底的表面上的温度轮廓的静电夹具系统及方法 |
| WO2010116809A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | Anbe Yoshinobu | Ｘ線検査用加熱装置 |
| CN103369750A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-10-23 | 罗日良 | 一种发热管成型工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345019A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用処理部材 |
| JPH04358074A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ホットプレート |
| JPH0513555A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Toto Ltd | 静電チヤツク及び静電チヤツクに対する電圧印加方法 |
| JPH0513558A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-01-22 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900396A (en) * | 1987-08-19 | 1990-02-13 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of forming modified layer and pattern |
| KR950013501B1 (ko) * | 1990-10-05 | 1995-11-08 | 스미토모 일렉트릭 인더스트리즈, 엘티디. | 다이아몬드피복 경질재료, 드로우어웨이 인서트 및 그 제조방법 |
| US5166856A (en) * | 1991-01-31 | 1992-11-24 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with diamond coating |
| US5155652A (en) * | 1991-05-02 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck |
| US5343022A (en) * | 1992-09-29 | 1994-08-30 | Advanced Ceramics Corporation | Pyrolytic boron nitride heating unit |
| US5384682A (en) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP31637494A patent/JPH07307377A/ja active Pending
- 1994-12-27 KR KR1019940037555A patent/KR950021343A/ko active IP Right Grant
- 1994-12-27 US US08/364,196 patent/US5665260A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-10 TW TW084100158A patent/TW287294B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513558A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-01-22 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱装置及びその製造方法 |
| JPH04345019A (ja) * | 1991-05-22 | 1992-12-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用処理部材 |
| JPH04358074A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ホットプレート |
| JPH0513555A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | Toto Ltd | 静電チヤツク及び静電チヤツクに対する電圧印加方法 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0803900A3 (en) * | 1996-04-26 | 1999-12-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| EP0803900A2 (en) * | 1996-04-26 | 1997-10-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| JP2001077182A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-03-23 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
| WO2001039551A1 (fr) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
| US6887316B2 (en) * | 2000-04-14 | 2005-05-03 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
| DE112004001044B4 (de) * | 2003-11-10 | 2016-12-15 | General Electric Co. | Elektrostatische Aufspannvorrichtung mit Heizvorrichtung |
| US7397648B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-07-08 | Momentive Performance Materials Inc. | Electrostatic chuck including a heater mechanism |
| CN100444349C (zh) * | 2003-11-10 | 2008-12-17 | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 | 包括加热器装置的静电卡盘 |
| KR100794960B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2008-01-16 | (주)나노테크 | 하이브리드형 히터 제조방법 |
| JP2010238789A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
| JP2013120835A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板温調固定装置及びその製造方法 |
| CN103428909A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-12-04 | 罗日良 | 一种发热管成型工艺 |
| JP2018026427A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
| JP2020025101A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2020025073A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-13 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| WO2020171179A1 (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
| KR20210109609A (ko) * | 2019-02-21 | 2021-09-06 | 교세라 가부시키가이샤 | 시료 유지구 |
| JPWO2020171179A1 (ja) * | 2019-02-21 | 2021-12-09 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950021343A (ko) | 1995-07-26 |
| TW287294B (ja) | 1996-10-01 |
| US5665260A (en) | 1997-09-09 |
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| TWI308366B (ja) | ||
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