JP2000044345A

JP2000044345A - 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置

Info

Publication number: JP2000044345A
Application number: JP10209452A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Araki; 清新木; Yuji Katsuta; 祐司勝田; Sadanori Shimura; 禎徳志村; Haruaki Ohashi; 玄章大橋
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1998-07-24
Filing date: 1998-07-24
Publication date: 2000-02-15
Anticipated expiration: 2018-07-24
Also published as: US6239402B1; JP4641569B2

Abstract

(57)【要約】【課題】窒化アルミニウム質焼結体の耐蝕性、特にハロ
ゲン系腐食性ガスのプラズマに対する耐蝕性を、一層向
上させる。【解決手段】窒化アルミニウム質焼結体は、窒化アルミ
ニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構
造を有しており、マグネシウムを含有している。本焼結
体は、好ましくは、マグネシウムを酸化物換算で０．１
重量％以上、２０重量％以下含有しており、７００℃に
おける体積抵抗率が１×１０⁷Ω・ｃｍ以上であり、熱
伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、マグネシウムの少
なくとも一部が窒化アルミニウム結晶に固溶しており、
Ｘ線線回折により、実質的に構成相が窒化アルミニウム
単相と見なされており、マグネシウムを除く金属不純物
量が６００ｐｐｍ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウム
質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】超ＬＳＩのメモリー容量の拡大に伴な
い、微細加工化がますます進行するに従って、ケミカル
な反応を必要とするプロセスが拡大してきている。特
に、スーパークリーン状態を必要とする半導体製造用装
置ではデポジション用ガス、エッチング用ガス、クリー
ニング用ガスとして、塩素系ガス、弗素系ガス等のハロ
ゲン系腐蝕性ガスが使用されている。

【０００３】これらの腐蝕性ガスに接触させた状態で加
熱するための加熱装置として、例えば、熱ＣＶＤ装置等
の半導体製造装置においては、デポジション後にClF₃、
NF₃、CF₄、HF、HCl 等のハロゲン系腐蝕性ガスからな
る半導体クリーニングガスを用いている。また、デポジ
ション段階においても、WF₆、SiH₂Cl₂等のハロゲン系
腐蝕性ガスを成膜用ガスとして使用している。

【０００４】本出願人は、特願平３−１５０９３２号明
細書 (１９９１年５月２８日出願) 、特願平４−５８７
２７号明細書 (１９９２年２月１３日出願) において、
表面にフッ化アルミニウム層を有する窒化アルミニウム
焼結体が、上記のハロゲン系腐蝕性ガスのプラズマに対
して高い耐蝕性を備えていることを開示した。即ち、例
えばClF₃ガスに対して１時間窒化アルミニウム焼結体を
曝露しても、その表面状態は変化が見られなかった。

【０００５】また、本出願人は、窒化アルミニウム焼結
体の表面に、ＣＶＤ法等の気相法によってフッ化アルミ
ニウム膜を形成することを開示した（特開平５−２５１
３６５号公報）。また、特開平７−２７３０５３号公報
においては、半導体ウエハー用静電チャックの表面の腐
食を防止するために、静電チャックの表面を、予めフッ
素で置換する表面処理を施し、静電チャックの表面にＡ
ｌＦ₃を生成させておくことが開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、窒化アルミニ
ウム質焼結体についての上記の技術は、いずれも耐蝕性
の表面層を形成するものであり、作製プロセスが複雑で
ある。

【０００７】本発明の課題は、窒化アルミニウム質焼結
体の耐蝕性、特にハロゲン系腐食性ガスのプラズマに対
する耐蝕性を、一層向上させることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、窒化アルミニ
ウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造
を有しており、マグネシウムを含有していることを特徴
とする、窒化アルミニウム質焼結体に係るものである。

【０００９】また、本発明は、前記窒化アルミニウム質
焼結体によって少なくとも一部が構成されていることを
特徴とする、耐蝕性部材に係るものである。

【００１０】また、本発明は、耐蝕性部材と、耐蝕性部
材中に埋設されている金属部材とを備えている金属埋設
品であって、耐蝕性部材の少なくとも一部が、前記窒化
アルミニウム質焼結体によって構成されていることを特
徴とする、金属埋設品に係るものである。

【００１１】また、本発明は、半導体を保持する保持装
置であって、ハロゲンガスプラズマに曝される耐食面と
背面とを備えるサセプターと、サセプターの背面に設け
られており、サセプターからの熱流を制限する熱遮蔽部
とを備えており、前記熱遮蔽部の少なくとも一部が、前
記窒化アルミニウム質焼結体によって構成されているこ
とを特徴とする、半導体保持装置に係るものである。

【００１２】本発明者は、窒化アルミニウム焼結体中に
マグネシウムを含有させることによって、焼結体そのも
のの耐蝕性、特にハロゲン系腐食性ガスに対する耐蝕性
が著しく向上することを発見し、本発明に到達した。

【００１３】本発明の焼結体におけるアルミニウムの含
有量は、窒化アルミニウム粒子が主相として存在し得る
だけの量である必要があり、好ましくは３０重量％以上
である。マグネシウムを酸化物換算で０．１重量％以
上、更には０．５重量％以上添加したときに、耐蝕性の
向上が特に顕著であった。また、０．５重量％以上添加
したときに、焼結体の高抵抗化が顕著である。こうした
高抵抗の窒化アルミニウム質焼結体は、例えばハロゲン
プガスラズマに曝される環境下で使用されるヒーター、
静電チャック、サセプターなどに特に好適である。なぜ
なら、高い耐蝕性と共に、リーク電流を阻止できるから
である。

【００１４】窒化アルミニウム質焼結体中におけるマグ
ネシウムの含有量は、限定しない。しかし、酸化物に換
算して、製造上は３０重量％以下とすることが好まし
い。また、マグネシウムの含有量が増えると、焼結体の
熱膨張係数が増大するので、本発明の窒化アルミニウム
質焼結体の熱膨張係数を、マグネシウムを添加していな
い窒化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数に近づけるた
めには、２０重量％以下とすることが好ましい。

【００１５】本発明の窒化アルミニウム質焼結体は、ハ
ロゲン系腐食性ガスのプラズマ、特に塩素プラズマ、フ
ッ素プラズマを含むハロゲンガスプラズマに対して、高
い耐蝕性を示した。

【００１６】また、窒化アルミニウム質焼結体のマグネ
シウムの含有量を１重量％、更には５重量％以上とする
ことによって、焼結体の熱伝導率が著しく低下すること
を見いだした。こうした焼結体は、特に断熱効果を必要
とする用途に対して好適である。熱伝導率低下の原因
は、酸化マグネシウムが窒化アルミニウム粒子の格子中
に固溶し、フォノンの散乱が大きくなるためと推察され
る。

【００１７】焼結体の構成相は、窒化アルミニウム単相
の場合と、酸化マグネシウム相が析出している場合とが
ある。窒化アルミニウム相単相の場合には、焼結体の熱
膨張係数が、マグネシウムを含有しない窒化アルミニウ
ム焼結体と近いため、従来の窒化アルミニウム焼結体と
一体化させる場合に、熱応力が緩和されるし、酸化マグ
ネシウム相が破壊の起点となることもない。

【００１８】一方、酸化マグネシウム相が析出している
場合には、耐蝕性が一層向上する。一般的には、絶縁体
に第２相が分散している場合、第２相の抵抗率が低い
と、全体の抵抗率が低下する。しかし、焼結体の構成相
がAlN ＋MgO の場合は、MgO 自身が体積抵抗率が高いた
め、全体的に体積抵抗率が低くなるという問題も起きな
い。

【００１９】本発明の焼結体を製造する際には、Mgの添
加はAlN の焼結を阻害する( 窯業協会誌第89号第６号
1981年 P330-336) ので、ホットプレス焼成、ホットア
イソスタティックプレス焼成が望ましい。

【００２０】半導体製造用途において、本発明の焼結体
を、マグネシウムを含有しない窒化アルミニウム焼結体
と一体化した場合には、この窒化アルミニウム焼結体中
の金属不純物量は、1000ｐｐｍ以下であることが好まし
い。

【００２１】本発明の焼結体を含む耐蝕性部材中に金属
部材を埋設する場合には、この耐蝕性部材の被焼成体の
内部に金属部材を埋設し、この被焼成体を50kgf/ｃｍ２
以上の圧力下でホットプレス焼結させることが好まし
い。

【００２２】以下、本発明の焼結体を製造し、その各種
特性を評価した。表１−表５の各実施例、比較例に従っ
て、各窒化アルミニウム原料粉末、マグネシウム源を配
合した。ＡｌＮ粉末は、還元窒化粉又は直接窒化粉であ
り、マグネシウム源は、酸化マグネシウム、Mg(NO3)2,M
gCl2,MgSO4であった。必要に応じて、その他の添加助剤
(Y2O3,C,Li )を秤量した。その後、イソプロピルアルコ
ールを溶媒として、ポットミル混合し、乾燥し、各表に
示す組成の混合粉を得た。実施例45〜48において、Liは
硝酸Liを出発原料として、酸化物換算で0.1,0.3 重量％
となるように秤量し、同様に作製した。

【００２３】各混合粉を、200kgf/cm2の圧力で一軸成形
することにより、直径φ１００ｍｍの円盤状成形体を作
製した。この成形体を黒鉛モールドに収納して、窒素雰
囲気下でホットプレス焼成を行った。焼成時の最高温度
を1700〜2000℃とし、最高温度での保持時間はいずれも
４時間であった。得られた焼結体について以下に評価し
た。

【００２４】 (金属不純物量) 湿式化学分析による。（高温体積抵抗率）真空中において、JIS2141 に基づ
いた絶縁物の体積抵抗率測定法による。（外観）目視による。（熱伝導率）レーザーフラッシュ法による。（嵩密度）純水を媒体としたアルキメデス法による。（CTE ）窒素中、室温から800 ℃までの熱膨張におけ
る平均膨脹係数。5 ℃／分で昇温した。（構成相） XRD により確認した。2 θ=20-80度 (エッチングレート）焼結体を、735 ℃に保持したチ
ャンバ内に設置し、Cl2ガスを300sccm, N2 ガスを100sc
cm 流して、チャンバ内圧力を0.1torr に保持した後、8
00Wの電力を投入して、ICP 方式の高周波プラズマを発
生させ、２時間暴露させた後の重量変化から求めた。

【００２５】

【表１】

【００２６】

【表２】

【００２７】

【表３】

【００２８】

【表４】

【００２９】

【表５】

【００３０】比較例１−４は、還元窒化粉または直接窒
化粉を使用しており、炭素またはイットリアを助剤とし
て添加している。実施例５−９は、還元窒化粉を使用
し、酸化マグネシウムを０．１−１０重量％添加してい
るが、エッチングレートが著しく減少しており、熱伝導
率が低下し、高温における体積抵抗率も上昇することが
わかった。

【００３１】実施例１０−２４は、実施例５−９に対し
て、焼成温度を変化させたものであるが、同様の結果を
得た。実施例２５−４０は、直接窒化粉を使用したもの
であるが、やはり同様の結果を得ている。実施例４２−
４４は、焼成前の原料として、酸化マグネシウムの代わ
りに硝酸塩、塩化物、硫酸塩を使用したものであるが、
酸化マグネシウムの場合と同様の結果を得た。実施例４
５−４８は、マグネシウム以外にリチウムを添加したも
のである。マグネシウム以外のリチウムの含有量は、
０．５重量％以下であることが好ましい。

【００３２】本発明の窒化アルミニウム質焼結体は、そ
の高い耐蝕性から、各種の耐蝕性部材、特にハロゲン系
腐食性ガスに対する耐蝕性を必要とする耐蝕性部材に適
しており、特に半導体製造装置用のサセプター等の耐蝕
性部材に適している。また、この耐蝕性部材中に金属部
材を埋設してなる金属埋設品に対して好適である。耐蝕
性部材としては、例えば半導体製造装置中に設置される
サセプター、リング、ドーム等に好適である。サセプタ
ー中には、抵抗発熱体、静電チャック電極、高周波発生
用電極等を埋設できる。

【００３３】例えば図１（ａ）に示すように、本発明の
耐蝕性部材１Ａの全体が、本発明の焼結体からなってい
る。２は、主としてハロゲン系腐食性ガスに対してさら
される耐蝕面である。

【００３４】また、例えば図１（ｂ）に示すように、耐
蝕性部材１Ｂが、基体３と、基体３の表面の少なくとも
一部を覆う表面層４とを備えている。この場合には、特
に耐蝕性を重視する場合には、表面層４が、本発明の焼
結体からなる。基体３は、好ましくはセラミックスから
なり、特に好ましくは、マグネシウムを含有しない窒化
アルミニウム焼結体からなる。半導体製造用途において
は、耐蝕性部材の一部を構成する窒化アルミニウムは、
アルミニウム以外の金属元素の含有量が１０００ｐｐｍ
以下であることが好ましい。

【００３５】また、他の好適な実施形態においては、図
１（ｂ）において、基体３が、本発明の焼結体からな
る。特に、耐蝕性の表面層に対して、使用温度における
体積抵抗率が低いことが求められる場合には、相対的に
体積抵抗率の高い本発明の焼結体によって基体を構成
し、他の耐蝕性材料によって表面層４を形成する。表面
層を形成する材料は、好ましくは窒化アルミニウムであ
り、特に好ましくはアルミニウム以外の金属元素の含有
量が１０００ｐｐｐｍ以下の窒化アルミニウムである。

【００３６】また、耐蝕性部材の全周ないし全表面にわ
たって、高い耐蝕性が要求される場合には、図１（ｃ）
に示す耐蝕性部材１Ｃのように、基体５の全表面が表面
層６によって被覆されており、表面層６が本発明の焼結
体からなる。

【００３７】以下、特に金属埋設品に対して本発明を適
用した実施形態について更に述べる。

【００３８】耐蝕性部材中に埋設される金属部材、特に
導電性機能部品は、印刷によって形成された導電性膜で
あってもよいが、面状の金属バルク材であることが特に
好ましい。ここで、「面状の金属バルク材」とは、金属
線や金属板を、一体の二次元的に延びるバルク体として
形成したものを言う。

【００３９】金属部材は、高融点金属で形成することが
好ましく、こうした高融点金属としては、タンタル，タ
ングステン，モリブデン，白金，レニウム、ハフニウム
及びこれらの合金を例示できる。被処理物としては、半
導体ウエハーの他、アルミニウムウエハー等を例示でき
る。

【００４０】本発明の金属埋設品は、耐蝕性部材と、こ
の中に埋設された金属部材からなる。一実施形態におい
ては、耐蝕性部材の全体が、本発明の焼結体からなる。
図２はこの実施形態に係るサセプターを概略的に示す断
面図であり、図３は抵抗発熱体の埋設パターンを示す模
式図である。

【００４１】金属埋設品１０Ａの耐蝕性部材１７中に
は、コイル状の抵抗発熱体７および電極９が埋設されて
いる。抵抗発熱体７は背面８側に埋設されており、電極
９は加熱面２側に埋設されている。抵抗発熱体７の平面
的な埋設形状は、図３に模式的に示すようにした（図３
では巻回体のパターンのみを示している）。即ち、モリ
ブデン線を巻回して巻回体を得、巻回体の両端に端子１
８Ａ、１８Ｂを接合した（図２では端子を図示しな
い）。

【００４２】抵抗発熱体７の全体は、図３において紙面
に垂直な線に対して、ほぼ線対称に配置されている。互
いに直径の異なる複数の同心円状部分７ａが、線対称を
なすように配置されており、同心円の直径方向に隣り合
う各同心円状部分７ａが、それぞれ連結部分７ｄによっ
て連絡している。最外周の同心円状部分７ａが、連結部
分７ｂを介して、ほぼ一周する円形部分７ｃに連結され
ている。

【００４３】電力供給用の高周波電源１１を、電線１
２、１４を介して抵抗発熱体７に接続し、かつアース１
５に接続した。電極９も電線１３を介してアース１５に
接続した。

【００４４】（実施例４９）図２、図３に示す形態のサ
セプター１０Ａを作製した。具体的には、イソプロピル
アルコール中に、所定量の還元窒化法により得られた窒
化アルミニウム粉末と、MgO 粉末１．０重量％と、アク
リル系樹脂バインダーを適量添加し、ポットミルで混合
後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を得
た。この造粒顆粒の中に、モリブデン製のコイル状の抵
抗発熱体７および電極９を埋設した。電極９としては、
直径φ０．４ｍｍのモリブデン線を、１インチ当たり24
本の密度で編んだ金網を使用した。端子１８Ａ、１８Ｂ
は、共に一つの保護管（図示しない）内に収容した。こ
の状態で顆粒を一軸加圧成形し、円盤状の成形体を得
た。

【００４５】この成形体をホットプレス型中に収容し、
密封した。昇温速度300℃／時間で温度を上昇させ、こ
の際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行った。この温
度の上昇と同時に、圧力を上昇させた。最高温度を1800
℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプレス圧力を
200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を得
た。この焼結体を機械加工し、さらに仕上加工してサセ
プターを得た。基体の直径をφ２４０ｍｍとし、厚さを
１８ｍｍとし、抵抗発熱体と加熱面との間隔を６ｍｍと
した。

【００４６】このサセプターについて、耐蝕性試験を行
った。サセプターを、ハロゲンガス雰囲気下（塩素ガ
ス：300sccm,窒素ガス：100sccm,チャンバ内圧力0.1tor
r)のチャンバー内におき、抵抗発熱体に電力を投入し、
加熱面の温度を735℃に保持し、誘導結合プラズマ方式
の高周波プラズマを加熱面上に発生させ、24時間暴露さ
せた後の重量変化から、エッチレートを求めた。この結
果、エッチレートは2.3 μm/hrであった。

【００４７】（比較例５０）実施例４９と同様にして加
熱装置を作製し、上記と同様の実験を行った。ただし、
原料は窒化アルミニウムのみとし、MgO 粉末は加えなか
った。この結果、エッチレートは4.8 μｍ／時間であっ
た。

【００４８】また、本発明の他の実施形態に係る金属埋
設品においては、抵抗発熱体と電極との間に、本発明の
窒化アルミニウム質焼結体からなる高抵抗層を介在させ
る。これによって、抵抗発熱体から電極への電流リーク
に伴う動作不安定を防止できる。

【００４９】即ち、窒化アルミニウム基体中に抵抗発熱
体と高周波電極とを埋設して高周波発生用の電極装置を
作製し、これを例えば６００℃以上の高温領域で稼働さ
せて見ると、高周波の状態、あるいは高周波プラズマの
状態が不安定になることがあった。また、窒化アルミニ
ウム基体中に抵抗発熱体と静電チャック電極とを埋設し
て静電チャック装置を作製し、これを例えば６００℃以
上の高温領域で稼働させて見た場合にも、静電吸着力に
局所的にあるいは経時的に不安定が生ずることがあっ
た。本発明者は、サセプター内の発熱体と高周波電極の
間で電流が流れ、このリーク電流が高周波の状態に擾乱
をもたらすことを見いだした。

【００５０】そして、加熱面と発熱体との間に、本発明
の焼結体からなる高抵抗層を設けることによって、リー
ク電流による影響を抑制し、あるいは制御できることを
見いだした。

【００５１】特に窒化アルミニウムの体積抵抗率は、半
導体的な挙動を示し、温度の上昇と共に低下することが
知られている。本発明によれば、例えば６００℃−１２
００℃の領域においても、高周波の状態や静電吸着力を
安定化させることができる。

【００５２】図４は、この実施形態に係る金属埋設品１
０Ｂを概略的に示す断面図である。図２に示した部分と
同じ部分には同じ符号を付け、その説明を省略する。こ
の金属埋設品１０Ｂでは、電極９と抵抗発熱体７との間
に高抵抗層２０が介在している。

【００５３】本発明の他の実施形態に係る金属埋設品で
は、耐蝕性部材が、基体と、基体の表面の少なくとも一
部を覆う表面層とを備えている。この場合、表面層を、
本発明の焼結体によって形成でき、これによって最も高
い耐蝕性が得られる。この場合には、好ましくは、基体
が窒化アルミニウムからなり、更には窒化アルミニウム
中に含有されているアルミニウム以外の金属の含有量が
１０００ｐｐｍ以下である。

【００５４】また、別の実施形態においては、耐蝕性部
材が、基体と、基体の表面の少なくとも一部を覆う表面
層とを備えており、基体が、本発明の焼結体からなる。
この場合には、基体側の熱伝導率を減少させて熱の逃げ
を抑えることができ、また基体側の高温時の体積抵抗率
が高いことから、基体側への電流の漏れを防止できる。
この場合には、好ましくは、表面層が窒化アルミニウム
からなり、更には窒化アルミニウム中に含有されている
アルミニウム以外の金属の含有量が１０００ｐｐｍ以下
である。

【００５５】また、いずれの場合においても、基体と表
面層とが一体焼結されていることが好ましい。この場合
には、基体と表面層との熱膨張係数差による応力を緩和
するためには、本発明の焼結体中におけるマグネシウム
の含有量（酸化物換算値）を、５重量％以下とすること
が好ましい。

【００５６】好ましくは、抵抗発熱体は基体中に埋設さ
れており、電極は、基体中または表面層中に埋設されて
いる。

【００５７】図５、図６は、それぞれ、本実施形態に係
る各金属埋設品１０Ｃ、１０Ｄを概略的に示す断面図で
ある。図５においては、基体２１中に抵抗発熱体７およ
び電極９が埋設されており、電極９と加熱面２との間に
表面層２２が形成されている。図６においては、基体２
３中に抵抗発熱体７が埋設されており、表面層２４中に
電極９が埋設されている。

【００５８】（実施例５１、５２）図５に示す金属埋設
品（実施例５１）、および図６に示す金属埋設品（実施
例５２）を作製した。ただし、イソプロピルアルコール
中に、所定量の還元窒化法により得られた窒化アルミニ
ウム粉末と、MgO 粉末を５．０重量％と、アクリル系樹
脂バインダーを適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧
造粒装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を得た。図５の
例においては、造粒顆粒中に、実施例４９に示したモリ
ブデン製のコイル状の抵抗発熱体７および電極９を埋設
した。図６の例においては、この抵抗発熱体７のみを埋
設した。各造粒顆粒を一軸加圧成形し、各基体２１、２
３に対応する各成形体を得た。

【００５９】更に、イソプロピルアルコール中に、所定
量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウム粉末
と、炭素換算で０．０５重量％のフェノール樹脂と、さ
らにアクリル系樹脂バインダーを適量添加し、ポットミ
ルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、造粒顆
粒を得た。図５、図６に示すように、前記した基体の成
形体に積層し、一軸加圧成形し、表面層２２、２４を成
形した。図６においては、表面層２４内に電極９を埋設
した。

【００６０】これらの成形体をホットプレス型中に収容
し、密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇さ
せた。この際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行っ
た。この温度の上昇と同時に、圧力を上昇させた。最高
温度を1800℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプ
レス圧力を200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、各
焼結体を得た。各焼結体を機械加工し、さらに仕上加工
して、加熱装置を得た。基体の直径をφ２４０ｍｍと
し、厚さを18ｍｍとし、抵抗発熱体７と加熱面２との間
隔を６ｍｍとした。

【００６１】抵抗発熱体７から電極９へのリーク電流
を、真空中、500,600,700℃の各温度で、電線をクラン
プメータに通すことにより、測定した。また、導電性機
能部品の動作の指標として、稼働温度700 ℃で、加熱面
における最高温度と最低温度との差を測定した。

【００６２】この結果、実施例５１、５２のいずれにお
いても、各温度においてリーク電流は観測されず、加熱
面の温度差は10℃であった。また、実施例４９と同様の
条件でにエッチングレートを測定したところ、実施例５
１、５２ともに４．３μｍ／時間であった。

【００６３】本発明の他の実施形態においては、金属部
材が、本発明の焼結体からなる中間層中に埋設されてお
り、特に好ましくは、電極が中間層中に埋設されてい
る。これによって、電極からのリーク電流、特に抵抗発
熱体等の他の金属部材と電極との間のリーク電流を防止
できる。

【００６４】図７は、この実施形態に係る金属埋設品１
０Ｅを概略的に示す断面図である。この金属埋設品１０
Ｅにおいては、耐蝕性部材４０の基体２５に抵抗発熱体
７が埋設されており、抵抗発熱体７と加熱面２との間に
中間層２６が設けられている。中間層２６中には電極９
が埋設されている。なお、本例では、中間層２６の全体
が基体２５中に埋設されているが、中間層２６の端部が
耐蝕性部材４０の表面に露出していてよい。

【００６５】（実施例５３）図７に示すサセプターを作
製した。ただし、イソプロピルアルコール中に、所定量
の還元窒化法により得られた窒化アルミニウム粉末と、
炭素換算で０．０５重量％のフェノール樹脂と、アクリ
ル系樹脂バインダーを適量添加し、ポットミルで混合
後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を得
た。図７に示すように、実施例４９に示したモリブデン
製のコイル状の抵抗発熱体７を埋設し、基体成形体を得
た。

【００６６】更に、イソプロピルアルコール中に、所定
量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウム粉末
と、MgO を５．０重量％と、アクリル系樹脂バインダー
を適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧造粒装置によ
って乾燥造粒し、造粒顆粒を得た。電極９をこの造粒顆
粒中に埋設し、前記の基体成形体と積層し、一軸加圧成
形し、図７に示すような形態とした。

【００６７】この成形体を、ホットプレス型中に収容
し、密封した。昇温速度300 ℃／時間で温度を上昇さ
せ、この際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行った。
この温度の上昇と同時に、圧力を上昇させた。最高温度
を1800℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプレス
圧力を200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体
を得た。この焼結体を機械加工し、さらに仕上加工して
加熱装置を得た。基体の直径をφ２４０ｍｍとし、厚さ
を１８ｍｍとし、抵抗発熱体と加熱面との間隔を６ｍｍ
とした。

【００６８】抵抗発熱体７から電極９へのリーク電流
は、真空中、500,600,700℃の各温度で、電線をクラン
プメータに通すことにより、測定した。また、導電性機
能部品の動作の指標として、稼働温度700 ℃で、加熱面
における最高温度と最低温度との差を測定した。

【００６９】この結果、各温度においてリーク電流は観
測されず、加熱面の温度差は10℃であった。また、実施
例４９と同様の条件で、エッチングレートを測定したと
ころ、４．３μｍ／時間であった。

【００７０】（比較例５４）実施例５３と同様にしてサ
セプターを作製し、上記と同様の実験を行った。ただ
し、原料は還元窒化法により得られた窒化アルミニウム
粉末と、炭素換算で0.05重量％のフェノール樹脂と、さ
らにアクリル系樹脂バインダーを適量添加し、ポットミ
ルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒したもので
ある。また、高抵抗層は設けていない。

【００７１】この結果、リーク電流は、500 ℃では2mA
であり、600 ℃では9mAであり、700 ℃では45mAであっ
た。加熱面の温度差は50℃であった。このような加熱面
の大きな温度差は、発熱体と高周波電極との間の電気絶
縁性が高温において低くなるため、発熱体に流れる電流
の一部が高周波電極に漏れだし、一旦この電流の漏れ
（リーク電流）が生じると、その近傍に電流が集中し、
ホットスポットが生ずるためであることが判明した。

【００７２】また、実施例４９と同様の条件でにエッチ
ングレートを測定したところ、４．４μｍ／時間であっ
た。従って、本発明のサセプターは、従来技術より、よ
り高温にて作動するヒーターとして使用できる。

【００７３】また、本発明に係る半導体保持装置は、ハ
ロゲンガスプラズマに曝される耐食面と背面とを備える
サセプターと、サセプターの背面に設けられており、サ
セプターからの熱流を制限する熱遮蔽部とを備えてお
り、前記熱遮蔽部の少なくとも一部が、本発明の焼結体
によって構成されている。サセプターとしては、前述の
各サセプターないし金属埋設品を使用できる。また、特
に好ましくは、サセプターは、マグネシウムを含有しな
い窒化アルミニウムまたは本発明の窒化アルミニウム質
焼結体からなる。

【００７４】最近、半導体素子を得るためのウエハーの
口径を大きくし、あるいは液晶パネルを大型化しようと
いう要望が高まっており、このためにサセプターの大型
化が求められている。このため、サセプターの直径は、
例えば直径φ３００ｍｍ以上とすることが求められてき
ている。しかし、サセプターの直径が大きくなると、加
熱面の温度の均一性を保持することが非常に困難になっ
てきている。なぜなら、加熱面の温度分布にむらが生ず
ると、不良品が発生するからである。熱遮蔽部を設ける
ことによって、サセプターを大型化した場合に、加熱面
の温度の均一性を図れる。

【００７５】図８は、この実施形態に係るサセプターを
概略的に示す断面図である。金属埋設品であるサセプタ
ー１０Ａの構成は、前述したものと同じであるが、本例
では、本発明の窒化アルミニウム質焼結体によって形成
してもよく、あるいはマグネシウムを含有しない窒化ア
ルミニウム質焼結体によって形成しても良い。このサセ
プター１０Ａの背面８側に、熱遮蔽部２８が設けられて
いる。熱遮蔽部２８は、チャンバーの外壁３０に対して
Ｏリング２９を介して取り付けられている。熱遮蔽部２
８の中央には中空部２８ａが設けられており、外壁３０
にも貫通孔３０ａが設けられており、中空部２８ａと貫
通孔３０ａとが連通しており、これらの中に電線が収容
されている。サセプターの耐食面２側の空間３２にはハ
ロゲン系腐食性ガスが流され、チャンバー外壁３０の外
側空間３１は通常は大気にさらされている。

【００７６】（実施例５５）イソプロピルアルコール中
に、所定量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウ
ム粉末と、炭素換算で0.05重量％のフェノール樹脂と、
アクリル系樹脂バインダーを適量添加し、ポットミルで
混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を
得た。図８に示すように、造粒顆粒中に、実施例４９に
示したモリブデン製のコイル状の抵抗発熱体７および電
極９を埋設し、造粒顆粒を一軸加圧成形し、サセプター
の円盤状成形体を得た。

【００７７】また、イソプロピルアルコール中に、所定
量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウム粉末
と、MgO を１０．０重量％と、アクリル系樹脂バインダ
ーを適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧造粒装置に
よって乾燥造粒し、造粒顆粒を得た。この造粒顆粒をサ
セプターの成形体と積層し、一軸加圧成形し、熱遮蔽部
２８とサセプターとの積層成形体を得た。

【００７８】この成形体をホットプレス型中に収容し、
密封した。昇温速度300℃／時間で温度を上昇させ、こ
の際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行った。この温
度の上昇と同時に、圧力を上昇させた。最高温度を2000
℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプレス圧力を
200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を得
た。この焼結体を機械加工し、さらに仕上加工して保持
装置を得た。基体の直径φ２４０ｍｍとし、厚さを18ｍ
ｍとし、抵抗発熱体と加熱面との間隔を６ｍｍとした。
また、熱遮蔽部２８の厚さは２０ｍｍとした。後述する
回路の端子作製のため、熱遮蔽部２８の中央に直径φ５
０ｍｍの中空部２８ａを設けた。熱遮蔽部２８の背面側
には、Ｏリングの溝を形成した。

【００７９】抵抗発熱体８に電力を供給し、Ｏリングが
耐熱限界の200 ℃に達した時、加熱面２は350 ℃であっ
た。

【００８０】（比較例５６）実施例５５と同様にして、
図８に示すような形態の半導体保持装置を作製した。た
だし、比較例５６においては、熱遮蔽部を作製する際に
は、サセプターと同じように、還元窒化法により得られ
た窒化アルミニウム粉末と、炭素換算で0.05重量％のフ
ェノール樹脂と、アクリル系樹脂バインダーを適量添加
し、ポットミルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造
粒し、この造粒顆粒を使用した。

【００８１】ヒーターに入力し、O リング部が耐熱限界
の200 ℃に達した時、ヒーター加熱面２は230 ℃であっ
た。

【００８２】（比較例５７）実施例５５と同様にして、
図８に示すような形態の半導体保持装置を作製した。熱
遮蔽部を作製する際には、市販の平均粒径２μｍの窒化
ケイ素粉末と、２．０重量％のMgO と、アクリル系樹脂
バインダーを適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧造
粒装置によって乾燥造粒した造粒顆粒を使用した。ま
た、ホットプレス焼成温度は1800℃とした。

【００８３】ホットプレス焼成後、サセプターと熱遮蔽
部とが分離し、一体のヒーターを作製できなかった。窒
化アルミニウムと窒化ケイ素との熱膨脹差によるものと
推察される。従って、本発明によれば、優れた熱遮蔽性
を有する窒化アルミニウムヒーターを提供でき、かつヒ
ーターのチャンバーへの搭載が容易である。

【００８４】図９は、本発明の他の実施形態に係る半導
体保持装置を概略的に示す断面図である。ただし、図８
に示したものと同じ部分には同じ符号を付け、その説明
は省略する。本例では、熱遮蔽部２８Ａとサセプター１
０Ａの背面８との間には、例えばモリブデン製のリング
状のスペーサー３４が介在している。スペーサー３４と
背面８、およびスペーサー３４と熱遮蔽部２８Ａとの間
は、それぞれ接着層３５によって接着されている。

【００８５】（実施例５８）図９に示すような形態の半
導体保持装置を作製した。具体的には、イソプロピルア
ルコール中に、所定量の還元窒化法により得られた窒化
アルミニウム粉末と、炭素換算で0.05重量％のフェノー
ル樹脂と、アクリル系樹脂バインダーを適量添加し、ポ
ットミルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、
造粒顆粒を得た。造粒顆粒中に、実施例４９に示したモ
リブデン製のコイル状の抵抗発熱体７および電極９を埋
設し、一軸加圧成形することによって、サセプター１０
Ａの成形体を得た。

【００８６】この成形体をホットプレス型中に収容し、
密封した。昇温速度300℃／時間で温度を上昇させ、こ
の際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行った。この温
度の上昇と同時に、圧力を上昇させた。最高温度を1800
℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプレス圧力を
200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を得
た。この焼結体を機械加工し、さらに仕上加工してサセ
プター１０Ａを得た。サセプターの直径φを２４０ｍｍ
とし、厚さを１８ｍｍとした。

【００８７】これとは別に、イソプロピルアルコール中
に、所定量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウ
ム粉末と、MgO を１０．０重量％と、アクリル系樹脂バ
インダーを適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧造粒
装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を得た。

【００８８】この造粒顆粒を一軸加圧成形し、成形体を
作製し、ホットプレス型中に収容し、密封した。最高温
度が2000℃であること以外は、サセプター１０Ａと同じ
条件で焼成し、焼結体を得た。この焼結体を機械加工
し、さらに仕上げ加工して、外径φ２４０ｍｍ、内径φ
５０ｍｍ、厚さ２０ｍｍの熱遮蔽部２８Ａを得た。ただ
し、熱遮蔽部２８Ａの片面には、Ｏリング用の溝を形成
した。

【００８９】サセプターと熱遮蔽部を、窒化アルミニウ
ムに熱膨張の近いモリブデン製のリング( 外径φ２２０
ｍｍ、幅５ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を介して、市販のAlロウ
を用い、610 ℃で真空中で熱処理することにより接合
し、図９の半導体保持装置を得た。

【００９０】抵抗発熱体に電力を供給し、Ｏリングが耐
熱限界の200 ℃に達した時、ヒーター加熱面は340 ℃で
あった。

【００９１】（比較例５９、６０）実施例５８と同様に
して半導体保持装置を作製した。ただし、比較例５９に
おいては、熱遮蔽部の原料はサセプターと同じにした。

【００９２】比較例６０においては、熱遮蔽部２８Ａと
しては、市販の平均粒径２μｍの窒化ケイ素と、２．０
重量％のMgO と、アクリル系樹脂バインダーを適量添加
し、ポットミルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造
粒した造粒顆粒を使った。ただし、ホットプレス焼成温
度は1800℃であった。

【００９３】比較例５９においては、抵抗発熱体に電力
を供給し、Ｏリングが耐熱限界の200 ℃に達した時、ヒ
ーター加熱面は230 ℃であった。

【００９４】比較例６０においては、ロウ付け後、主に
サセプター側が破壊され、半導体保持装置を作製できな
かった。窒化アルミニウムと窒化ケイ素の熱膨脹差によ
り、相対的に強度が低い窒化アルミニウムが破壊したも
のと推察される。

【００９５】また、本発明の半導体保持装置は、サセプ
ターの背面に設けられており、サセプターをその背面側
から支持する支持部材を備えている。図１０は、この実
施形態に係る半導体保持装置を概略的に示す断面図であ
る。

【００９６】サセプター１０Ａの背面８に、支持管４４
が設けられている。支持管４４は、本体４４ｃと、本体
４４ｃの一方の端部に設けられているフランジ部４４ａ
と、本体の反対側の端部に設けられているフランジ部４
４ｄとを備えている。本体４４ｃからフランジ部４４ａ
へと向かって、徐々に直径が大きくなるように拡径部４
４ｂが設けられている。支持管４４のフランジ部４４ａ
が、サセプターの背面に対して接合されている。

【００９７】（実施例６１）図１０に示す形態の半導体
保持装置を作製した。ただし、イソプロピルアルコール
中に、所定量の還元窒化法により得られた窒化アルミニ
ウム粉末と、炭素換算で０．０５重量％のフェノール樹
脂と、アクリル系樹脂バインダーを適量添加し、ポット
ミルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造粒し、造粒
顆粒を得た。造粒顆粒中に、実施例４９に示したモリブ
デン製のコイル状の抵抗発熱体７および電極９を埋設
し、一軸加圧成形し、図１０に示す形態の成形体を得
た。

【００９８】この成形体を、ホットプレス型中に収容
し、密封した。昇温速度300 ℃／時間で温度を上昇さ
せ、この際、室温〜1000℃の温度範囲で減圧を行った。
この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を
1800℃とし、最高温度で４時間保持し、ホットプレス圧
力を200kgf/cm2とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を
得た。この焼結体を機械加工し、さらに仕上加工してサ
セプターを得た。サセプターの直径は２４０ｍｍとし、
厚さを１８ｍｍとした。

【００９９】これとは別に、イソプロピルアルコール中
に、所定量の還元窒化法により得られた窒化アルミニウ
ム粉末と、MgO を１０．０重量％と、アクリル系樹脂バ
インダーを適量添加し、ポットミルで混合後、噴霧造粒
装置によって乾燥造粒し、造粒顆粒を得た。この造粒顆
粒を一軸加圧成形し、成形体を作製し、ホットプレス型
中に収容し、密封した。最高温度が2000℃であること以
外は、サセプターと同じ条件で焼成し、焼結体を得た。
この焼結体を機械加工し、さらに仕上げ加工して、図１
０に示す支持部材（支持管）４４を作製した。支持管の
本体４４ｃの肉厚を２．５−３．５ｍｍとし、外径は３
５ｍｍとした。フランジ部４４ａの外径を５０ｍｍと
し、厚さを４ｍｍとした。フランジ部４４ｄの外径を５
０ｍｍとし、厚さを８ｍｍとした。また、フランジ部４
４ｄの端面には、Ｏリング用の溝を施した。

【０１００】サセプターと支持管を、接合すべき部分に
予めニッケルでメッキを施しておき、市販の市販のAlロ
ウを用い、610 ℃真空中で熱処理することにより、組立
接合し、図１０の半導体保持装置を得た。

【０１０１】抵抗発熱体７に電力を供給し、Ｏリングが
耐熱限界の200 ℃に達した時、ヒーター加熱面は650 ℃
であった。

【０１０２】（比較例６２、６３）実施例６１と同様に
して、半導体保持装置を作製した。ただし、比較例６２
においては、支持管４４を、基体と同じ原料から作製し
た。

【０１０３】比較例６３においては、支持管の材料とし
て、市販の平均粒径２μｍの窒化ケイ素と、２．０重量
％ののMgO と、アクリル系樹脂バインダーを適量添加
し、ポットミルで混合後、噴霧造粒装置によって乾燥造
粒した造粒顆粒を使った。ただし、ホットプレス焼成温
度は1800℃であった。

【０１０４】比較例６２においては、抵抗発熱体に電力
を供給し、Ｏリングが耐熱限界の200 ℃に達した時、ヒ
ーター加熱面は420 ℃であった。

【０１０５】比較例６３においては、ロウ付け後、主に
サセプター基体側が破壊され、サセプターを作製できな
かった。窒化アルミニウムと窒化ケイ素の熱膨脹差によ
り、相対的に強度が低い窒化アルミニウムが破壊したも
のと推察される。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、本発明
の耐蝕性部材を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る金属埋設品１０Ａを
概略的に示す断面図である。

【図３】図２の金属埋設品１０Ａにおける抵抗発熱体７
の埋設パターンを示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施形態に係る金属埋設品１０Ｂ
を概略的に示す断面図である。

【図５】本発明の更に他の実施形態に係る金属埋設品１
０Ｃを概略的に示す断面図である。

【図６】本発明の更に他の実施形態に係る金属埋設品１
０Ｄを概略的に示す断面図である。

【図７】本発明の更に他の実施形態に係る金属埋設品１
０Ｅを概略的に示す断面図である。

【図８】本発明の一実施形態に係る半導体保持装置を概
略的に示す断面図である。

【図９】本発明の他の実施形態に係る半導体保持装置を
概略的に示す断面図である。

【図１０】本発明の更に他の実施形態に係る半導体保持
装置を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１７耐蝕性部材，２加熱面（耐
食面），３、５、２１、２３基体，４、６、２２、２
４表面層，７抵抗発熱体，８背面，９電極，１０
Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ金属埋設品，１
１高周波電源，２０、２６高抵抗層（中間層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者志村禎徳愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内 (72)発明者大橋玄章愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内Ｆターム(参考） 4G001 BA01 BA06 BA36 BA71 BA81 BA82 BB01 BB06 BB36 BB67 BB71 BC42 BC43 BD02 BD23 BD37 BD38 BE11 5F031 DA13 EA01 MA28 MA32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アル
ミニウム結晶の多結晶構造を有しており、マグネシウム
を含有していることを特徴とする、窒化アルミニウム質
焼結体。
【請求項２】マグネシウムを酸化物換算で０．１重量％
以上含有していることを特徴とする、請求項１記載の窒
化アルミニウム質焼結体。
【請求項３】７００℃における体積抵抗率が１×１０⁷
Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする、請求項１又は２
記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項４】熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であること
を特徴とする、請求項１−３のいずれか一つの請求項に
記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項５】マグネシウムの少なくとも一部が前記窒化
アルミニウム結晶に固溶しており、Ｘ線回折により、実
質的に構成相が窒化アルミニウム単相と見なされること
を特徴とする、請求項１−４のいずれか一つの請求項に
記載の窒化アルミニウム質焼結体。
【請求項６】マグネシウムを除く金属不純物量が６００
ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜５のい
ずれか一つの請求項に記載の窒化アルミニウム質焼結
体。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記
載の窒化アルミニウム質焼結体によって少なくとも一部
が構成されていることを特徴とする、耐蝕性部材。
【請求項８】前記耐蝕性部材が前記窒化アルミニウム質
焼結体からなることを特徴とする、請求項７記載の耐蝕
性部材。
【請求項９】前記耐蝕性部材が、基体と、この基体の表
面の少なくとも一部を覆う表面層とを備えており、前記
基体が、前記窒化アルミニウム質焼結体からなることを
特徴とする、請求項７記載の耐蝕性部材。
【請求項１０】前記耐蝕性部材が、基体と、この基体の
表面の少なくとも一部を覆う表面層とを備えており、前
記表面層が、前記窒化アルミニウム質焼結体からなるこ
とを特徴とする、請求項７記載の耐蝕性部材。
【請求項１１】前記基体の全表面が前記表面層によって
被覆されていることを特徴とする、請求項１０記載の耐
蝕性部材。
【請求項１２】耐蝕性部材と、この耐蝕性部材中に埋設
されている金属部材とを備えている金属埋設品であっ
て、前記耐蝕性部材の少なくとも一部が、請求項１〜６
のいずれか一つの請求項に記載の窒化アルミニウム質焼
結体によって構成されていることを特徴とする、金属埋
設品。
【請求項１３】前記耐蝕性部材中に、前記金属部材とし
て抵抗発熱体が埋設されており、前記耐蝕性部材に加熱
面が設けられていることを特徴とする、請求項１２記載
の金属埋設品。
【請求項１４】前記金属部材として前記抵抗発熱体に加
えて電極が埋設されており、前記抵抗発熱体と前記加熱
面との間に前記電極が設けられていることを特徴とす
る、請求項１３記載の金属埋設品。
【請求項１５】前記電極が、静電チャック電極と高周波
発生用電極との少なくとも一方として機能することを特
徴とする、請求項１４記載の金属埋設品。
【請求項１６】前記耐蝕性部材が前記窒化アルミニウム
質焼結体からなることを特徴とする、請求項１２−１５
のいずれか一つの請求項に記載の記載の金属埋設品。
【請求項１７】前記抵抗発熱体と前記電極との間に高抵
抗層が介在しており、この高抵抗層が前記窒化アルミニ
ウム質焼結体からなることを特徴とする、請求項１４ま
たは１５記載の金属埋設品。
【請求項１８】前記金属部材が、前記窒化アルミニウム
質焼結体からなる中間層中に埋設されていることを特徴
とする、請求項１２−１５のいずれか一つの請求項に記
載の金属埋設品。
【請求項１９】前記電極が前記中間層中に埋設されてい
ることを特徴とする、請求項１８記載の金属埋設品。
【請求項２０】前記耐蝕性部材が、基体と、この基体の
表面の少なくとも一部を覆う表面層とを備えており、前
記表面層が前記窒化アルミニウム質焼結体からなること
を特徴とする、請求項１２−１５のいずれか一つの請求
項に記載の金属埋設品。
【請求項２１】前記基体が窒化アルミニウムからなるこ
とを特徴とする、請求項２０記載の金属埋設品。
【請求項２２】前記耐蝕性部材が、基体と、この基体の
表面の少なくとも一部を覆う表面層とを備えており、前
記基体が前記窒化アルミニウム質焼結体からなることを
特徴とする、請求項１２−１５のいずれか一つの請求項
に記載の金属埋設品。
【請求項２３】前記表面層が窒化アルミニウムからなる
ことを特徴とする、請求項２２記載の金属埋設品。
【請求項２４】前記基体と前記表面層が一体焼結されて
いることを特徴とする、請求項２０−２３のいずれか一
つの請求項に記載の金属埋設品。
【請求項２５】前記抵抗発熱体および前記電極が前記基
体中に埋設されていることを特徴とする、請求項２０−
２４のいずれか一つの請求項に記載の金属埋設品。
【請求項２６】前記抵抗発熱体が前記基体中に埋設され
ており、前記電極が前記表面層中に埋設されていること
を特徴とする、請求項２０−２４のいずれか一つの請求
項に記載の金属埋設品。
【請求項２７】半導体を保持する保持装置であって、ハ
ロゲンガスプラズマに曝される耐食面と背面とを備える
サセプターと、前記サセプターの前記背面に設けられて
おり、前記サセプターからの熱流を制限する熱遮蔽部と
を備えており、前記熱遮蔽部の少なくとも一部が、請求
項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の窒化アルミニ
ウム質焼結体によって構成されていることを特徴とす
る、半導体保持装置。
【請求項２８】前記サセプターが窒化アルミニウムから
なることを特徴とする、請求項２７記載の半導体保持装
置。
【請求項２９】前記サセプターと前記熱遮蔽部が一体焼
結されていることを特徴とする、請求項２７または２８
記載の半導体保持装置。
【請求項３０】半導体を保持する保持装置であって、ハ
ロゲンガスプラズマに曝される耐食面と背面とを備える
サセプターと、前記サセプターの前記背面に設けられて
おり、前記サセプターを前記背面側から支持する支持部
材とを備えており、前記支持部材の少なくとも一部が、
請求項１−６のいずれか一つの請求項に記載の窒化アル
ミニウム質焼結体からなることを特徴とする、半導体保
持装置。
【請求項３１】半導体を保持する保持装置であって、ハ
ロゲンガスプラズマに曝される耐食面と背面とを備える
サセプターを備えており、前記サセプターが、請求項７
−１１のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材から
なることを特徴とする、半導体保持装置。
【請求項３２】半導体を保持する保持装置であって、ハ
ロゲンガスプラズマに曝される耐食面と背面とを備える
サセプターを備えており、前記サセプターが、請求項１
２−２６のいずれか一つの請求項に記載の金属埋設品か
らなることを特徴とする、半導体保持装置。
【請求項３３】前記サセプターの前記背面に設けられて
おり、前記サセプターからの熱流を制限する熱遮蔽部を
備えていることを特徴とする、請求項３１または３２記
載の半導体保持装置。
【請求項３４】前記サセプターの前記背面に設けられて
おり、前記サセプターを前記背面側から支持する支持部
材を備えていることを特徴とする、請求項３１または３
２記載の半導体保持装置。