JPH1072260A - 窒化アルミニウム焼結体、金属包含材、静電チャック、窒化アルミニウム焼結体の製造方法および金属包含材の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】窒化アルミニウムからなる基材の中に金属部材
を埋設した金属包含材において、窒化アルミニウム中に
低抵抗材料を添加することなく、金属包含材の体積抵抗
率を制御すること。この金属包含材を利用して、静電チ
ャックを広い温度範囲で使用できるようにし、かつ腐食
性物質の作用に対しても安定にする。 【解決手段】アルミニウム以外の金属元素の含有量が１
００ｐｐｍ以下であり、室温における体積抵抗率が１．
０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以
下である、窒化アルミニウム焼結体を提供する。窒化ア
ルミニウムからなる基材１内に金属部材９が埋設されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム焼結
体およびその製造方法に関するものであり、また、窒化
アルミニウム焼結体中に金属部材を埋設した、傾斜材料
として使用できる金属包含材に関するものであり、特
に、半導体製造装置において好適に使用できる静電チャ
ックに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体ウエハーの搬送、露光、Ｃ
ＶＤ、スパッタリング等の成膜プロセス、微細加工、洗
浄、エッチング、ダイシング等の工程において、半導体
ウエハーを吸着し、保持するために、静電チャックが使
用されている。こうした静電チャックの基材として、緻
密質セラミックスが注目されている。特に半導体製造装
置においては、エッチングガスやクリーニングガスとし
て、ＣｌＦ₃ 等のハロゲン系腐食性ガスを多用する。ま
た、半導体ウエハーを保持しつつ、急速に加熱し、冷却
させるためには、静電チャックの基材が高い熱伝導性を
備えていることが望まれる。また、急激な温度変化によ
って破壊しないような耐熱衝撃性を備えていることが望
まれる。緻密な窒化アルミニウムは、前記のようなハロ
ゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を備えている。ま
た、こうした窒化アルミニウムは、高熱伝導性材料とし
て知られており、その体積抵抗率が１０^{1 4} Ω・ｃｍ以
上であることも知られている。また、耐熱衝撃性も高い
ことが知られている。従って、半導体製造装置用の静電
チャックの基材を窒化アルミニウム焼結体によって形成
することが好適であると考えられる。

【０００３】一方、半導体製造装置において、半導体ウ
エハーを保持するサセプターとして静電チャックを使用
するためには、静電チャックの吸着力を高める必要があ
り、このために基材の固有抵抗を減少させる必要があ
る。例えば、特公平７−１９８３１号公報においては、
静電チャックの絶縁性誘電層の抵抗値を減少させて静電
チャックの吸着力を向上させるために、体積固有抵抗の
高い絶縁性材質に対して導体あるいは半導体を混合する
ことによって、その体積抵抗率を１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下
に制御している。また、特開平２−２２１６６号公報に
おいては、アルミナを主成分とするセラミックス原料を
還元雰囲気下で焼成して静電チャック用の誘電体セラミ
ックスを製造し、この際、原料中に、アルカリ土類金属
および遷移金属を、酸化物の重量に換算して、それぞ
れ、１〜６重量％、０．５〜６重量％含有させた。この
方法においては、例えば、アルミナセラミックス中にＴ
ｉＯ₂ を混合することによって誘電率を向上させるのと
共に、その体積抵抗率を１０^{1 2} 〜１０⁸ Ω・ｃｍにま
で低下させ、これによって高い吸着力を得ようとしてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、高純度の窒化
アルミニウム焼結体の体積抵抗率は１０^{1 4} Ω・ｃｍ以
上であるために、半導体製造装置用の静電チャックの基
材として用いるには、体積抵抗率が高い。これによって
十分な吸着力を得るためには、３００μｍ以下の極めて
薄い絶縁性誘電層を形成する必要がある。しかし、この
ように絶縁性誘電層が薄いと、ハロゲン系腐食性ガスや
プラズマに接触したときに、長時間の使用中には、絶縁
性誘電層の表面の反応物層のいずれかを起点として、絶
縁破壊等が発生する可能性があることが判った。この観
点からは、絶縁性誘電層の厚さを５００μｍ以上とする
ことが好ましいことが判明してきた。

【０００５】しかし、従来の窒化アルミニウム焼結体製
の静電チャックにおいては、このように絶縁性誘電層を
厚くすると、静電チャックの吸着力が低下し、特に体積
抵抗率が高い低温領域においては、十分な吸着力を得る
ことが困難であった。例えば、ドライエッチングのプロ
セスを実施するのは、−５０℃〜−６０℃の低温であ
り、また高密度プラズマＣＶＤプロセスを実施するのは
１００℃前後と比較的に低温であるが、これらの低温プ
ロセスにおいては、所定の吸着力を安定して得ることは
困難であった。

【０００６】ここで、窒化アルミニウムを基材として使
用した静電チャックにおいて、前記した特公平７−１９
８３１号公報の記載に従って、窒化アルミニウム基材中
に低抵抗材料を添加することも検討した。しかし、この
静電チャックでは、低抵抗材料である金属等が基材の表
面から離脱し、半導体汚染の原因となる可能性も否定で
きない。このために、例えば８インチウエハーのよう
な、高純度半導体プロセスにおいては、好ましくない。

【０００７】本発明の課題は、静電チャックを−６０℃
程度の低温領域から、３００℃以上の高温領域に至る広
い温度範囲で使用できるようにし、かつハロゲン系腐食
性ガスやプラズマといった腐食性物質の作用に対しても
安定にできるようにし、また静電チャックの基材からの
金属等の離脱の可能性を最小限に抑制できるようにする
ことである。

【０００８】また、本発明の課題は、このような静電チ
ャック等の半導体製造用途のように、高純度の基材の使
用が要求されるプロセスにおいて、電気的装置として良
好に使用できるような金属包含材を提供することであ
る。

【０００９】また、本発明の課題は、金属不純物の含有
量が少なく、かつ体積抵抗率が低い窒化アルミニウム焼
結体を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、アルミニウム
以外の金属元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、室
温における体積抵抗率が１．０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、
１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下であることを特徴とす
る、窒化アルミニウム焼結体に係るものである。

【００１１】また、本発明は、アルミニウム以外の金属
元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、窒化アルミニ
ウムの電子スピン共鳴法によるスペクトルにおいて、不
対電子のｇ値が２．００００以下であることを特徴とす
る、窒化アルミニウム焼結体に係るものである。

【００１２】また、本発明は、アルミニウム以外の金属
元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、電子スピン共
鳴法によるスペクトルから得られたアルミニウムの単位
ｍｇ当たりのスピン数が５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ以上であ
ることを特徴とする、窒化アルミニウム焼結体に係るも
のである。

【００１３】また、本発明は、アルミニウム以外の金属
元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、カソードルミ
ネッセンスによるスペクトルにおいて、３５０ｎｍ〜３
７０ｎｍの波長領域に主要ピークを有していることを特
徴とする、窒化アルミニウム焼結体に係るものである。

【００１４】また、本発明は、窒化アルミニウム焼結体
からなる基材内に金属部材が埋設されており、基材と前
記金属部材とが一体焼結されている金属包含材であっ
て、基材の少なくとも一部が、前記の窒化アルミニウム
焼結体からなることを特徴とする、金属包含材に係るも
のである。

【００１５】本発明者は、高純度の窒化アルミニウム粉
末によって成形体を製造し、この際、成形体中に金属部
材を埋設し、この成形体をホットプレス焼結法によって
一体で焼結させる実験を行っていた。この研究の過程
で、金属部材の少なくとも片側において、基材を構成す
る窒化アルミニウムの体積抵抗率が顕著に低下した焼結
体が得られることを発見し、本発明に到達するに至っ
た。このような現象は、高純度の窒化アルミニウム焼結
体においては知られていないものである。

【００１６】即ち、本発明の金属包含材は、窒化アルミ
ニウムからなる成形体と金属部材とを一体に焼結してお
り、基材中に埋設された金属部材によって基材が実質的
に二分されたときに、金属部材の少なくとも片側で、体
積抵抗率が著しく低下した窒化アルミニウム焼結体が見
いだされることを特徴とする。この際、成形体は一体に
焼結されているのであり、第一の部分にのみ金属等の低
抵抗材料を含有させることによって、第一の部分の体積
抵抗率を小さく制御することはできない。このように、
本発明の金属包含材は、基材を構成する窒化アルミニウ
ムの基本的組成が、その全体にわたって一定に保持され
ていることを特徴としている。このため、半導体製造装
置のように、低抵抗材料の窒化アルミニウム基材からの
離脱を嫌う用途において、特に好適である。

【００１７】本発明の金属包含材は、窒化アルミニウム
からなる基材の内部に金属部材を埋設した各種の用途に
適用することができ、特に不純物を嫌悪する環境下で使
用される電極埋設品として特に好適に使用することがで
きる。こうした用途としては、例えば、セラミック静電
チャック、セラミックスヒーター、高周波電極装置を例
示することができるが、特に静電チャックに対して、き
わめて好適に使用することができる。

【００１８】本発明の金属包含材を静電チャックとして
使用すると、第一の部分の室温での体積抵抗率を１．０
×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下としているので、静電チャック
としての吸着特性を向上させることができる。この場合
には、第一の部分（絶縁性誘電層として使用する）の厚
さを５００μｍ以上としても、電圧を印加したときに、
電極から電荷が移動して絶縁性誘電層の表面に現れ、十
分な吸着力を得ることが出来る。これによって、−６０
℃程度の低温領域から、３００℃以上の高温領域までの
極めて広い温度範囲において、８インチ以上の大型の半
導体ウエハーを、十分に安定して吸着し、保持すること
ができるようになった。

【００１９】金属包含材の基材は、成形体の中に埋設さ
れている金属部材と共に一体焼結されるので、基材を構
成する窒化アルミニウムの組成は、第一の部分と第二の
部分との間で本質的な相違はない。ここで、前記した高
純度の窒化アルミニウム粉末を使用した場合も、ホット
プレス法によって一体焼結することによって、相対密度
９５．０％以上の窒化アルミニウムを得ることができ
る。

【００２０】本発明の金属包含材を製造するためには、
アルミニウム以外の金属元素の含有量が１００ｐｐｍ以
下である窒化アルミニウム原料からなる成形体の中に金
属部材を埋設し、この成形体を１８５０℃〜２２００℃
で焼結させることによって、窒化アルミニウムからなる
基材内に金属部材が埋設されている金属包含材を得る。
ここで、金属部材によって基材が実質的に第一の部分と
第二の部分とに分けられているが、この第二の部分の基
材を切り出して、室温における体積抵抗率を測定したと
ころ、３．０×１０^{1 3} 〜１．０×１０^{1 4} Ω・ｃｍで
あった。

【００２１】しかし、これと同時に、第一の部分から切
り出した窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が、１．
０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下まで低下していることを確認
した。つまり、第一の部分から切り出した基材の体積抵
抗率は、第二の部分から切り出した基材の体積抵抗率と
比較すると、Ω・ｃｍの単位で見たときに、１０〜１０
０倍のオーダーで低下していることが判明した。また、
実際的には、第一の部分から切り出した基材の体積抵抗
率を、１０⁹ Ω・ｃｍよりも小さくすることは、困難で
あった。

【００２２】この金属包含材を傾斜材として使用するた
めには、特に第一の部分から切り出した窒化アルミニウ
ム焼結体の体積抵抗率と、第二の部分から切り出した焼
結体の体積抵抗率との比率を、１：１０以上とすること
が好ましい。

【００２３】窒化アルミニウム粉末からなる原料中で
は、アルミニウム以外の金属元素の量を避けるべきであ
り、好ましくは１００ｐｐｍ以下とする。ここで「アル
ミニウム以外の金属元素」とは、周期律表のＩａ〜ＶＩ
Ｉａ、ＶＩＩＩ、Ｉｂ、ＩＩｂに属する金属元素および
ＩＩＩｂ、ＩＶｂに属する元素の一部（Ｓｉ、Ｇａ、Ｇ
ｅ等）をいう。

【００２４】まず、窒化アルミニウムの成形体に金属部
材を埋設する。この過程では、次の方法を例示できる。 方法（１） 予備成形体を製造し、この予備成形体の上
に金属部材を設置する。次いで、この予備成形体及び金
属部材の上にセラミックス粉末を充填し、一軸プレス成
形する。 方法（２） コールドアイソスタティックプレス法によ
って、平板状の成形体を２つ製造し、２つの平板状成形
体の間に金属部材を挟む。この状態で２つの成形体及び
金属部材をホットプレスする。

【００２５】金属部材は、面状の金属バルク材であるこ
とが好ましい。この際、金属包含材が静電チャックであ
る場合には、金属部材は、金属バルク材からなる面状の
電極である。ここで、「面状の金属バルク材」とは、例
えば、線体あるいは板体をらせん状、蛇行状に配置する
ことなく、例えば、図２および図３に示すように、金属
を一体の面状として形成したものをいう。

【００２６】金属部材は、窒化アルミニウム粉末と同時
に焼成するので、高融点金属で形成することが好まし
い。こうした高融点金属としては、タンタル，タングス
テン，モリブデン，白金，レニウム、ハフニウム及びこ
れらの合金を例示できる。半導体汚染防止の観点から、
更に、タンタル、タングステン、モリブデン、白金及び
これらの合金が好ましい。静電チャックによる被処理物
としては、半導体ウエハーの他、アルミニウムウエハー
等を例示できる。

【００２７】本発明の金属包含材を製造するためには、
好ましくは、金属部材の形態が金属バルク材であり、成
形体において、金属バルク材の表面から見た第一の部分
の厚さが、第二の部分の厚さよりも小さい。この場合、
第一の部分および第二の部分の厚さとは、金属バルク材
の表面から垂直方向に見たときの第一の部分および第二
の部分の厚さを言う。好ましくは、第一の部分の厚さと
第二の部分の厚さとの比率を１：２〜１：５０とする。

【００２８】また、好ましくは、第一の部分の厚さを１
０ｍｍ以下とすることによって、第一の部分における体
積抵抗率の低下が、より一層顕著に見られるようになっ
た。ここで、前記したような傾斜材料としての金属包含
材を製造するためには、第二の部分の厚さは１０ｍｍよ
りも大きくすることが好ましく、２０ｍｍ以上とするこ
とが特に好ましい。この上限値は特になく、製造すべき
物品の寸法から決定される。また、本発明の金属包含材
（傾斜材料としての）を製造するためには、焼結後の第
一の部分の厚さを１ｍｍ以上、１０．０ｍｍ以下とする
ことが好ましく、１．０ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下とす
ることが更に好ましい。

【００２９】第一の部分の厚さおよび第二の部分の厚さ
は、実際の製造上の安定性という観点からは、３．０ｍ
ｍ以上とすることが好ましい。

【００３０】また、上記の金属包含材において、第一の
部分の厚さと第二の部分の厚さとを共に５ｍｍ以下とし
て一体焼結させてみると、第一の部分を構成する窒化ア
ルミニウム焼結体も、第二の部分を構成する窒化アルミ
ニウム焼結体も、共にその体積抵抗率が１０^{1 3} Ω・ｃ
ｍ以下に低下することも確認した。

【００３１】この体積抵抗率をより一層低下させるため
には、第一の部分の厚さを４．０ｍｍ以下とすることが
一層好ましい。

【００３２】本発明の金属包含材を製造するのに際し
て、更に好ましくは、金属部材の形態が面状のバルク材
であり、この面状のバルク材の表面に対して垂直方向に
加圧しつつ、一体焼結する。この際、傾斜材料としての
金属包含材を製造する場合には、第一の部分の体積抵抗
率と第二の部分の体積抵抗率との差を、傾斜材料として
十分なほどに大きくするために、第一の部分の厚さと第
二の部分の厚さとの比率を１：３以上とすることが好ま
しく、１：５以上とすることが更に好ましい。この際、
第二の部分の厚さの比率の上限は原理的には存在しない
が、実際の製造上の観点からは、前記したように、第一
の部分の厚さと第二の部分の厚さとの比率を１：５０以
下とすることが好ましい。

【００３３】こうした面状のバルク材としては、次を例
示できる。 （１）薄板からなる、面状のバルク材。 （２）面状の電極の中に多数の小空間が形成されている
バルク材。これには、多数の小孔を有する板状体からな
るバルク材や、網状のバルク材を含む。多数の小孔を有
する板状体としては、パンチングメタルを例示できる。
ただし、バルク材が高融点金属からなり、かつパンチン
グメタルである場合には、高融点金属の硬度が高いの
で、高融点金属からなる板に多数の小孔をパンチによっ
て開けることは困難であり、加工コストも非常に高くな
る。この点、バルク材が金網である場合には、高融点金
属からなる線材が容易に入手でき、この線材を編組すれ
ば金網を製造できる。

【００３４】こうした金網のメッシュ形状、線径等は特
に限定しない。しかし、線径φ０．０３ｍｍ、１５０メ
ッシュ〜線径φ０．５ｍｍ、６メッシュにおいて、特に
問題なく使用できた。また、金網を構成する線材の幅方
向断面形状は、円形の他、楕円形、長方形等、種々の圧
延形状であってよい。ここで、１メッシュは１インチあ
たり１本という意味である。

【００３５】金属部材を包含している成形体を加圧焼結
させる際には、この焼成温度を本発明に従って１８５０
〜２２００℃とするが、圧力は、５０ｋｇｆ／ｃｍ² 以
上とすることが好ましく、１００ｋｇｆ／ｃｍ² 以上と
することが更に好ましい。第一の部分の体積抵抗率は、
焼成温度、圧力、焼成温度（最高温度）での保持時間
（キープ時間）に依存するが、上記の圧力の範囲内で、
焼成温度および保持時間を上記範囲で適宜設定すること
により、１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ〜１．０×１０⁹ Ω
・ｃｍの間で、第一の部分から切り出した焼結体の体積
抵抗率を、変化させることができた。

【００３６】こうした金属包含材を確実に製造するため
には、好ましくは一体焼結の温度を１９００℃以上とす
る。この上限は２２００℃であり、これを越えると金属
部材の劣化が発生し易い。

【００３７】また、成形体を一体焼結する時間に関して
は、１８５０℃以上、１９００℃未満の一体焼結温度で
は、少なくとも５時間の焼結を行う必要があった。１９
００℃〜２０００℃未満の一体焼結温度でも、最高温度
（焼成温度）で２時間以上の保持を行う必要があった。
更に、この保持時間を３時間以上、更には５時間以上と
することによって、一層体積抵抗率の低下が観測され
た。２０００℃以上の一体焼結温度では、最高温度で１
時間以上の保持を行うことによって、体積抵抗率の低下
が観測された。これらの保持時間は、焼結炉における現
実的な生産性の観点からは、３０時間以下とすることが
好ましい。

【００３８】本発明を静電チャックに適用した場合に
は、静電チャック電極に対して高周波電源を接続し、こ
の電極に対して直流電圧と同時に高周波電圧を供給する
ことによって、この電極をプラズマ発生用電極としても
使用することができる。この場合には、例えば電極がタ
ングステンであり、周波数が１３．５６ＭＨｚの場合、
電極の厚さは４３０μｍ以上が望ましいが、この厚さの
電極を、スクリーン印刷法で形成することは困難である
ので、電極を金属バルク体によって構成する。また、絶
縁性誘電層の厚さが０．５ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲内で
は、誘電体損失による自己発熱はさほど大きくなく、高
周波電極として問題なく使用できる。

【００３９】なお、本発明においては、アルミニウム以
外の金属元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であり、室温
における体積抵抗率が１．０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、
１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下である窒化アルミニウム
焼結体を基材として使用した静電チャック、プラズマ発
生用電極装置等の静電チャック電極、高周波電極等は、
スクリーン印刷法によって形成された電極であって良
い。

【００４０】以下、適宜に図面を参照しつつ、本発明を
更に詳細に説明する。図１は、静電チャックを概略的に
示す断面図である。図２（ａ）は、図１の静電チャック
のうち一部を切り欠いて示す斜視図であり、図２（ｂ）
は、金網からなる電極３を示す斜視図である。

【００４１】略円盤形状の基材１の側周面１ｄにリング
状のフランジ１ｃが設けられており、基材１の内部に、
金網３からなる電極９が埋設されている。半導体ウエハ
ー６の設置面１ａ側には、所定厚さの絶縁性誘電層（第
一の部分）４が形成されている。基材のうち支持部分
（第二の部分）８側には、端子１０が埋設されており、
端子１０が電極９に接続されている。端子１０の端面
が、基材１の裏面１ｂに露出している。基材１の所定箇
所に、半導体ウエハー６を昇降させるためのピンを通す
孔２が形成されている。

【００４２】端子１０に電線５Ａを介して直流電源７が
接続されている。また、半導体ウエハー６には直流電源
の負極が、電線５Ｂを介して接続されている。本実施例
における電極９は、図２（ａ）、（ｂ）に示すような金
網３によって形成されている。金網３は、円形の枠線３
ａと、枠線３ａの内部に縦横に形成されている線３ｂと
からなっており、これらの間に網目１３が形成されてい
る。

【００４３】図３（ａ）は、電極９として使用できるパ
ンチングメタル１４を示す斜視図である。パンチングメ
タル１４は円形をしており、円形の平板１４ａ内に多数
の円形孔１４ｂが、碁盤目形状に多数形成されている。
図３（ｂ）は、電極９として使用できる円形の薄板１５
を示す斜視図である。図３（ｃ）は、電極９として使用
できる薄板１６を示す平面図である。薄板１６内には、
細長い直線状の切り込み１６ｂ、１６ｃが、互いに平行
に合計６列形成されている。このうち、３列の切り込み
１６ｂは、図３（ｃ）において下側に開口しており、残
り３列の切り込み１６ｃは、上側に開口している。切り
込み１６ｂと１６ｃとは、交互に配置されている。こう
した形状を採用した結果、薄板によって細長い導電路が
形成されている。この導電路の両端１６ａに端子を接続
する。

【００４４】図４は、他の実施例に係る静電チャックを
概略的に示す断面図である。図４において、図１に示し
た部材と同じ部材には同じ符号を付け、その説明は省略
する。支持部分８には抵抗発熱体２１が埋設されてお
り、抵抗発熱体２１の両側部分には端子２２が接続され
ている。各端子２２に対して、電力供給用のケーブル２
３が接続されており、このケーブル２３は、図示しない
電源に接続されている。

【００４５】本発明者は、絶縁性誘電層（第一の部分）
から、体積抵抗率が著しく低下した焼結体が得られた理
由について、更に詳細に検討した。本発明者は、モリブ
デンからなる面状の金属部材を成形体中に埋設し、この
面状の金属部材の表面に対して垂直方向に前記のような
圧力を加え、前記のような温度、圧力、保持時間の各条
件下で一体焼成することによって、金属部材の少なくと
も片側で、特に顕著な体積抵抗率の低下が生ずることを
見いだした。この原因は明確ではない。

【００４６】本発明者は、モリブデンからなる金属部材
の両側で、基材である窒化アルミニウム焼結体の元素分
析を行ったが、モリブデン元素自体は、第一の部分にお
いても、第二の部分においても、それぞれ元素分析の検
出限界以下であった。つまり、モリブデンの窒化アルミ
ニウムへの混入によって、その導電性が上昇したわけで
はないことを確認した。

【００４７】ただし、モリブデン元素が、窒化アルミニ
ウムの結晶の粒界に極微量存在し、エネルギーバンドを
変化させた可能性までは否定できない。また、モリブデ
ンからなる金属部材が焼成前の成形体への埋設の段階で
微量含有していた炭素または酸素が、焼成時に第一の部
分の表面へと向かって拡散し、あるいは逆にモリブデン
からなる金属部材へと向かって拡散し、これらが何らか
の影響を与えた可能性もある。

【００４８】特に、金属部材の両側で体積抵抗率の著し
く低い窒化アルミニウム焼結体が生成し、この体積抵抗
率の低い窒化アルミニウム焼結体の内部に金属部材が包
含されることがあった。例えば後述する図５（ａ）、図
６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図７に示す場合
が、これに該当する。金属部材を窒化アルミニウム基材
中に包含している構造においては、金属部材が窒化アル
ミニウムに対する一種の欠陥を構成しているので、前記
したような金属包含材が急速に高温まで加熱されたり、
あるいは低温と高温との間の熱サイクルにさらされたり
した場合には、金属部材の周囲で基材が破壊し易くな
る。しかし、体積抵抗率が低く、かつ緻密質である本発
明の窒化アルミニウム焼結体の内部に、金属部材が包含
されている構造においては、熱衝撃に起因する金属部材
の破壊が特に生じにくい。

【００４９】本発明者は、種々の条件および装置で各金
属包含材を製造し、各金属包含材について、基材の各部
分から焼結体を切り出し、各部分の窒化アルミニウム焼
結体について詳細に検討した。各基材の形態について、
図５（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）〜（ｃ）、図７を参照
しつつ、説明する。

【００５０】図５（ａ）に示す金属包含材２５Ａにおい
ては、基材の中に金属部材２６が埋設されており、その
外周部分２７Ａは飴色または黄白色の焼結体によって構
成されており、この焼結体の中に黒褐色または黒色の焼
結体２８Ａが生成している。金属部材２６は、黒褐色ま
たは黒色の焼結体２８Ａの中に包含されている。図５
（ｂ）に示す金属包含材２５Ｂにおいては、基材の中に
金属部材２６が埋設されており、その外周部分２７Ｂは
飴色または黄白色の焼結体によって構成されており、こ
の焼結体の中に黒褐色または黒色の焼結体２８Ｂが生成
している。金属部材２６のうち、絶縁性誘電層側の表面
は、飴色または黄白色の焼結体２７Ｂに対して接触して
おり、支持部分側の表面は、黒褐色または黒色の焼結体
２８Ｂに対して接触している。

【００５１】こうした飴色または黄白色の焼結体は、室
温における体積抵抗率が１．０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、
１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下であり、窒化アルミニウ
ムの電子スピン共鳴法によるスペクトルにおいて、不対
電子のｇ値が２．００００以下であり、また、電子スピ
ン共鳴法によるスペクトルから得られたアルミニウムの
単位ｍｇ当たりのスピン数が５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ以上
である。また、この焼結体の相対密度は９９．５％以上
であることが好ましい。この焼結体の結晶組織を分析す
ると、窒化アルミニウム主結晶相の他には、いわゆる２
７Ｒ相（Ａｌ₂ Ｏ₃ −７（窒化アルミニウム）相）はほ
とんどなく、球状のＡＬＯＮ相が主であった。

【００５２】本焼結体のスピン数は、６．０×１０^{1 2}
ｓｐｉｎ／ｍｇ以上であることが好ましく、６．９×１
０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇ以上が更に好ましい。室温におけ
る体積抵抗率は、８．０×１０^{1 2} Ω・ｃｍ以下である
ことが一層好ましい。不対電子のｇ値は、１．９９９０
以下とすることが一層好ましい。

【００５３】これに対して、黒褐色または黒色の焼結体
は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^{1 3} Ω・ｃ
ｍ以上であり、不対電子のｇ値が２．００４０以上
（２．００６５以下）であり、前記スピン数が４．５×
１０^{1 2} ｓｐｉｎ以下（更に好ましくは４．２×１０
^{1 2} ｓｐｉｎ以下）である。また、この焼結体の相対密
度は９９．０％以上であることが好ましく、９９．５％
以上であることが一層好ましい。

【００５４】この主結晶相は窒化アルミニウムである
が、副結晶相としてＡＬＯＮが生成していた。こうした
窒化アルミニウムにおいては、典型的には、粒径３〜４
μｍの窒化アルミニウム結晶粒子中に、粒径０．１μｍ
オーダーのＡＬＯＮ粒子が生成していた。

【００５５】飴色または黄白色の焼結体についても、黒
褐色または黒色の焼結体についても、窒化アルミニウム
の格子定数には、相違は見られなかった。つまり、窒化
アルミニウム結晶相以外の結晶相の種類と体積抵抗率と
の間には、特に相関は見られなかった。また、窒化アル
ミニウム結晶粒子の平均的な大きさは黒褐色または黒色
の部分においては３μｍ以下であり、飴色または黄白色
の部分においては３〜４μｍであって、実質的に大きな
相違は見られなかった。

【００５６】一般的には、セラミックスの絶縁抵抗は、
その結晶粒径が大きくなると、低下すると考えられる。
これは、結晶粒界の抵抗が、結晶粒子の抵抗よりも大き
い場合、結晶粒子が大きくなると、粒界の数が減少し、
抵抗の総計が減少すると考えられるからである。しかし
ながら、本発明の高純度窒化アルミニウムの場合は、前
記のように、粒径がほぼ同等であっても、体積抵抗率が
異なるという、特異な性質を有していた。従って、窒化
アルミニウムの体積抵抗率の変化は、結晶相の種類や粒
径によるものだけではなく、窒化アルミニウム結晶相内
部の欠陥構造および粒界の欠陥構造も影響しているもの
と考えられる。

【００５７】図６（ａ）の金属包含材２５Ｃにおいて
は、基材の外周部分は飴色または黄白色の焼結体２７Ｃ
によって形成されており、焼結体２７Ｃの内部に白色ま
たは白灰色の焼結体２９Ａが形成されている。金属部材
２６は焼結体２７Ｃの内部に包含されている。図６
（ｂ）、（ｃ）の金属包含材２５Ｄ、２５Ｅにおいて
は、基材の外周部分は飴色または黄白色の焼結体２７
Ｄ、２７Ｅによって形成されており、焼結体２７Ｄ、２
７Ｅの内部に白色または白灰色の焼結体２９Ｂ、２９Ｃ
が形成されている。金属部材２６は、焼結体２７Ｄ、２
７Ｅの内部に包含されている。白色または白灰色の焼結
体が占める部分の体積は、図６（ｂ）の基材が最も多
く、次いで、図６（ａ）、図６（ｃ）の順番になってい
る。

【００５８】図７の金属包含材２５Ｆにおいては、基材
の外周部分は飴色または黄白色の焼結体２７Ｆによって
形成されており、焼結体２７Ｆの内部に白色または白灰
色の焼結体２９Ｄが形成されている。金属部材２６のう
ち、絶縁性誘電層側の表面は、飴色または黄白色の焼結
体２７Ｆに対して接触している。金属部材２６のうち、
支持部分側の表面は、黒褐色または黒色の焼結体２８Ｃ
に対して接触しており、焼結体２８Ｃが、白色または白
灰色の焼結板２９Ｄに対して連続している。

【００５９】ここで生じている飴色または黄白色の焼結
体２７Ｆは、相対密度が９９．５％以上であり、平均粒
径が５μｍ以上であり、体積抵抗率は１０⁹ 〜１０^{1 2}
Ω・ｃｍであり、スピン数は５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍ
ｇであり、ｇ値は２．０００以下であった。また、この
結晶相は２７Ｒ相であった。これは、前記した飴色又は
黄白色の窒化アルミニウム焼結体と類似した特性を有す
るものであるが、ただし結晶相が２７Ｒ相であり、かつ
平均結晶粒径が若干大きく、前記のものよりも若干体積
抵抗率が低下する傾向が見られた。

【００６０】つまり、この焼結体の微構造および電子的
性質は前記したものとほぼ同じであるが、若干焼結が進
行して結晶粒子が成長しており、これに伴って若干体積
抵抗率が低下し、かつ結晶相に変化が生じたものと推定
される。

【００６１】白色の焼結体は、室温における体積抵抗率
が８．６×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以上であり、不対電子のｇ
値が１．９９８１以下であり、前記スピン数が９．５×
１０ｓｐｉｎ／ｍｇ以上である。また、この焼結体の相
対密度は９９．５％以下であり、通常は９７．５％〜９
９．０％である。

【００６２】従って、白色または白灰色の焼結体のＥＳ
Ｒ特性は、体積抵抗率が著しく低下した飴色または黄白
色の焼結体と同程度であるが、気孔が生成したことによ
って体積抵抗率が上昇しているものと考えられる。特
に、高温で焼成した場合には、基材の内部のうち、特に
相対的に体積の大きい第二の部分（支持部分）の方で、
内部のＣＯガス等の蒸気圧が発生し、焼結体に気孔が生
成する。焼結体の微構造が同じであっても、気孔率が低
いと黒色、黒灰色に見え、気孔率が上昇するのにつれ
て、白色ないし白灰色に見えるようになる。この焼結体
は、２７Ｒ相を含むこともあるが、２７Ｒ相を含むかど
うかは、焼成温度に依存しており、より高温で焼成した
場合、２７Ｒ相が生成し易い。

【００６３】前記した電子スピン共鳴法（Electron spi
n resonance ：ＥＳＲ法）によるスペクトルによる不対
電子のｇ値およびスピン数は、窒化アルミニウム結晶相
内部や粒界の欠陥構造の構成を表しているものである。

【００６４】この原理を簡単に説明する。不対電子は磁
場下ではゼーマン効果によってエネルギー準位が分裂す
る。このエネルギー準位には、電子の軌道運動、近傍の
原子の核磁気能率との相互作用が敏感に反応する。ＥＳ
Ｒ法では、この分裂したエネルギー準位を測定すること
によって、不対電子を有する原子の近傍の原子および化
学結合等に関する情報を知ることができる。

【００６５】窒化アルミニウムにおいては、アルミニウ
ムの不対電子のスピン数が、不対電子の存在している結
晶場によって変化する。このスピン数は、理論的には自
由電子では２．００００であり、相対論的補正でｇ＝
２．００２３１６の値をとる。窒化アルミニウム結晶相
中のＡｌ原子、Ｎ原子は、４配位のウルツァイト構造を
有しており、アルミニウム原子と３つの窒素原子とによ
ってｓｐ³ 混成軌道を形成している。各試料のスピン数
の値から、格子欠陥中の不対電子が、どのような結晶配
位に存在しているのか、どのような元素が不対電子の周
辺に存在しているのかを、知ることができる。

【００６６】不対電子を有するＡｌ原子に対して結合す
る原子の種類が変化すると、不対電子のスピン数ないし
ｇ値は、大きく変化する。上記のような大幅なｇ値の変
化は、こうしたアルミニウムと結合する原子の種類の変
化に帰するべきものである。即ち、この結合原子の種類
が、窒素原子から、炭素原子またはアルミニウム原子に
変わると、ｇ値およびスピン数が大きく変化する。４配
位構造のＳｉ原子において、これと類似したスピン数の
変化が生じていることが報告されている（「素材のＥＳ
Ｒ評価法」アイピーシー出版第５７頁参照）。

【００６７】今回の測定で得られたｇ値およびスピン数
の顕著な変化も、アルミニウム原子に４配位している原
子の種類の変化に起因しているものと考えられ、即ち、
アルミニウム原子に対してアルミニウム原子が結合して
いる。

【００６８】即ち、図８に示すように、アルミニウムに
対して窒素原子が３個配位している状態に対しては、ア
ルミニウムに配位している窒素原子がアルミニウムによ
って置換されると、ｇ値は大きくなり、半値幅は小さく
なる（ピークの幅が小さくなって、ピークがシャープに
なってくる）。

【００６９】アルミニウムに配位している窒素原子の数
が変化すると、ｇ値が変化することは理解できる。ここ
で、窒化アルミニウム結晶相中には炭素原子や酸素原子
も存在しているので、窒素原子の位置に炭素原子または
酸素原子が置換することも想定できる。炭素原子や酸素
原子が窒素原子の位置に置換すると、ｇ値は減少するの
で、これらの原子による置換割合はきわめて小さいはず
である。

【００７０】飴色または黄白色の焼結体においては、前
記したようにピークのｇ値が２．００００以下であり、
かつピークがブロードであって、半値幅が大きい。この
ような試料においては、窒化アルミニウム結晶中に酸素
が固溶し、即ち窒化アルミニウム結晶中のＮ^{3 -} 部位
（サイト）にＯ^{2 -} が置換し、Ａｌ^{3 +} が欠損したもの
と考えられる。

【００７１】各試料のＥＳＲスペクトルにおける吸収ピ
ーク自体を比較すると、飴色または黄白色の焼結体が、
最も大きな吸収強度を有しており、半値幅も広い。これ
は、最も数多くの伝導電子が、上記の格子欠陥中にトラ
ップないし捕捉されており、こうしたトラップされた伝
導電子が電気抵抗の減少に寄与しているものと考えられ
る。

【００７２】本発明者は、更にこうした点を明らかにす
るために、飴色または黄白色の焼結体について、カソー
ドルミネッセンススペクトルを測定した。

【００７３】カソードルミネッセンスは、一般には、試
料に対して電子線を照射したときの試料からの反射波の
一種である。図９に模式図として示すように、励起電子
が価電子帯から伝導帯へと励起され、価電子帯に正孔が
生ずる。価電子帯と正孔との間のバンドギャップに対応
する発光が生ずる。これと共に、結晶内に含まれる欠陥
や不純物の作用によって、伝導帯とは別に局在電子準位
が生ずると、局在電子準位の励起電子と価電子帯の正孔
との再結合に伴い、発光が生ずる。従って、カソードル
ミネッセンスのスペクトルからは、エネルギーバンド構
造、結晶性、結晶中に含まれる欠陥や不純物について、
情報を得ることができる。

【００７４】飴色または黄白色の焼結体について、カソ
ードルミネッセンススペクトルを測定した結果、例えば
図１１に例示するように、３５０〜３７０ｎｍの波長領
域に強いピークを有していることを発見した。また、６
５０〜７５０ｎｍの波長領域に、このピークの２倍波と
思われる弱いピークを検出した。

【００７５】また、本発明者は、比較対象として、窒化
アルミニウム粉末に５重量％のイットリア粉末を添加し
て焼成することによって得られた高密度の焼結体を準備
し、この焼結体についてカソードルミネッセンスを測定
した。この結果、例えば図１３に示すように、約３４０
ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍにそれぞれ弱いピークが
観測された。

【００７６】このような発光波長の相違は、発光種（バ
ンドギャップ内の電子準位）の相違を示している。ま
た、発光強度の相違は、不純物による電子濃度の相違を
示している。特に、飴色または黄白色の焼結体の場合
に、３５０〜３７０ｎｍの波長領域に強い、シャープな
ピークが観測されたが、これは特定の不純物による電子
濃度が高いことを示している。

【００７７】また、本発明者は、飴色または黄白色の焼
結体について、カソードルミネッセンスによって、波長
３６０ｎｍの発光のマッピングを行った。この結果、３
６０ｎｍの発光は、窒化アルミニウム粒子内で観測され
ることがわかった。粒界部は暗く、この発光は見られな
かった。これは、電子濃度が高い領域（局在電子準位が
多い領域）が粒子内に分布しており、粒界部に分布して
いないことを示している。

【００７８】また、本発明者は、飴色または黄白色の焼
結体について、Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）
によって酸素濃度の分布を測定した。この結果、粒子内
に比較的多量の酸素原子が存在していた。これに対し
て、比較対象のイットリアを５重量％添加した焼結体の
場合には、酸素濃度が相対的に低くなっていた。しか
も、比較対象の焼結体内において酸素が相対的に多く存
在している部分は、イットリアが存在している部分とほ
ぼ重複していることがわかった。イットリアは窒化アル
ミニウム粒子内に固溶せず、粒界部に排出されることが
知られている。従って、酸素原子のほとんどは、粒子内
には存在せず、粒界に存在している。

【００７９】以上の実験結果からわかるように、飴色ま
たは黄白色の焼結体においては、窒化アルミニウム粒子
内に相対的に多量の酸素原子が固溶しており、これが局
在電子準位を提供し、粒子内抵抗の低下に寄与している
ものと考えられる。これは、ＥＳＲスペクトルにおける
吸収ピークの強度が高いこととも整合している。

【００８０】これに対して、イットリアを５重量％添加
した比較対象の焼結体の場合には、焼結が進行する過程
で粒子内からイットリウムが排出され、この際にイット
リウムが酸素原子を粒界へと向かって持ち去る傾向があ
る。このために、粒子内の酸素原子が減少したものと考
えられる。

【００８１】本発明の焼結体を製造するためには、好ま
しくは、窒化アルミニウム粉末の成形体を、カーボンか
らなる被膜の中に包含または封入し、焼成する。この焼
成方法自体は、ホットプレス法やホットアイソスタティ
ックプレス法を採用できる。

【００８２】成形体を、カーボンからなる皮膜の中に包
含するためには、図１０に示すような形態とすることが
できる。成形体２０中には面状の金属バルク材９が埋設
されており、金属バルク材９によって、成形体が、第一
の部分２０ａと第二の部分２０ｂとに分割されている。
前記したように、第一の部分２０ａの幅は、第二の部分
２０ｂの幅よりも小さい。

【００８３】上パンチ１５Ａと下パンチ１５Ｂとの間に
成形体２０を設置する際に、成形体２０の上側面と下側
面とにグラファイト製のフォイル１９Ａと１９Ｂとをそ
れぞれ設置する。成形体２０および一対のフォイル１９
Ａ、１９Ｂを、各スペーサー１８Ａと１８Ｂとの間に設
置する。これと共に、成形体２０の両側面を覆うように
グラファイト製のフォイル１７を設置し、グラファイト
製のフォイル１９Ａ、１９Ｂおよび１７によって成形体
２０を密封する。カーボン製のダイス１４の中に、カー
ボン製のスリーブ１６を介在した状態で、フォイル１７
および成形体２０を設置する。加圧成形機を駆動し、上
パンチ１５Ａと下パンチ１５Ｂとによって、図１０にお
いて上下方向に圧力を加え、かつ加熱する。

【００８４】この場合においては、焼成時の圧力は５０
ｋｇ／ｃｍ² 以上とする。ただし、この圧力は、実際の
装置の能力から見ると、０．５ｔｏｎ／ｃｍ² 以下とす
ることが好ましい。

【００８５】上記においては、金属部材を埋設した高純
度窒化アルミニウム成形体の一体焼結によって、金属部
材から表面までの幅が比較的に小さい第一の部分におい
て、体積抵抗率が特に低下した窒化アルミニウム焼結体
が得られたことを報告した。本発明者は、更に、アルミ
ニウム以外の金属元素の含有量が１００ｐｐｍ以下であ
る窒化アルミニウム粉末からなる成形体を製造し、ただ
しこの成形体中に前記のような金属部材を収容すること
なく、焼結させて見た。この焼結の際の各条件として
は、１８５０℃〜２０００℃の温度範囲、１００〜３０
０ｋｇ／ｃｍ² の圧力および２〜５時間の焼成温度での
保持時間という各条件を採用した。

【００８６】この結果、窒化アルミニウム焼結体の体積
抵抗率は最低でも２×１０^{1 3} Ω・ｃｍであって、本発
明におけるような体積抵抗率の著しい低下は観察されな
いことが判った。

【００８７】また、本発明者は、アルミニウム以外の金
属元素の含有量が１００ｐｐｍ以下である窒化アルミニ
ウム原料を成型して成形体を製造し、この成形体を１７
００℃〜２０００℃の温度および１００ｋｇ／ｃｍ² 以
上の圧力下で焼結させることによって、相対密度９５．
０％以上の窒化アルミニウム焼結体をいったん製造して
みた。この成形体の色調は黒褐色であり、その体積抵抗
率は、２×１０^{1 3} 〜１×１０^{1 5} Ω・ｃｍの範囲内で
あった。次いで、この窒化アルミニウム焼結体を、１８
５０℃以上の温度で、加圧することなく、不活性雰囲気
下で熱処理して見た。この結果、窒化アルミニウム焼結
体の色調は飴色に変化し、その体積抵抗率が、やはり
１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以下まで顕著な減少を示すこ
とを見いだした。この製造方法によれば、前記したよう
な体積抵抗率の顕著に減少した高純度の窒化アルミニウ
ム焼結体であって、かつ金属部材を含有した一体焼結体
としてではなく、単体として製造することができるよう
になった。

【００８８】この場合には、熱処理を不活性雰囲気中ま
たは還元性雰囲気中で、常圧で実施することが好まし
い。こうした雰囲気としては、窒素雰囲気やアルゴン雰
囲気が特に好ましい。

【００８９】従って、本発明の窒化アルミニウム焼結体
は、更に、半導体ウエハーを設置するためのサセプタ
ー、ダミーウエハー、シャドーリング、高周波プラズマ
を発生させるためのチューブ、高周波プラズマを発生さ
せるためのドーム、高周波透過窓、赤外線透過窓、半導
体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャワー板等
の各半導体製造用装置の基材として、使用することがで
きる。

【００９０】

【実施例】（実施例１） 図１および図２に示すような形態の静電チャックを製造
した。還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉
末を使用した。この粉末において、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗ、
Ｂ、Ｙの含有量は、それぞれ１００ｐｐｍ以下であり、
アルミニウム以外の金属は、これら以外は検出されなか
った。

【００９１】この原料粉末を一軸加圧成形することによ
って、円盤形状の予備成形体を製造した。電極として
は、モリブデン製の金網を使用した。金網は、直径φ
０．１２ｍｍのモリブデン線を、１インチ当たり５０本
の密度で編んだ金網を使用した。この金網を、予備成形
体中に埋設し、図１０に示すような成形体２０を製造し
た。図１０に示すように、成形体２０を型内に設置し、
前述したようにして成形体２０をカーボンフォイル内に
密封した。１９５０℃の温度、２００ｋｇ／ｃｍ² の圧
力および２時間の保持時間で、ホットプレス法によっ
て、この成形体を焼成した。

【００９２】得られた焼結体の絶縁性誘電層側の表面を
機械加工し、絶縁性誘電層４の厚さを１ｍｍとした。焼
結体の背面側からマシニングセンターによって孔２を形
成し、また端子１０を電極９に接合した。支持部分８お
よび絶縁性誘電層４を構成する窒化アルミニウム焼結体
の相対密度は、９８．０％以上であった。この静電チャ
ックの寸法は、直径は２００ｍｍであり、厚さは８ｍｍ
であった。

【００９３】この静電チャックの各部分から試料を切り
出し、分析を行った。まず、絶縁性誘電層４の色調は黄
白色であった。これに対して、支持部分８側の色調は、
黒色ないし黒褐色であった。この各部分の結晶構造およ
び結晶相の分析結果および元素分析の結果は、前述した
通りであった。

【００９４】また、絶縁性誘電層４を構成する焼結体の
体積抵抗率は、８．９×１０^{1 0} Ω・ｃｍであり、非常
に抵抗値が低下していることが判明した。これに対し
て、支持部分８を構成する黒色ないし黒褐色の焼結体の
体積抵抗率は、２．６×１０^{1 3} 〜２．８×１０^{1 3} Ω
・ｃｍであり、絶縁性誘電層４よりも著しく体積抵抗率
が大きいことが判明した。

【００９５】また、絶縁性誘電層４および支持部分８か
らそれぞれ切り出した試料について、それぞれＥＳＲス
ペクトルを測定した。支持部分８のＥＳＲスペクトルに
おけるスピン数ｇ値は２．００５３±０．０００１であ
り、そのピーク強度は大きく、ピークはシャープであっ
た。絶縁性誘電層４においては、ｇ値は１．９９８０±
０．０００１であり、ピーク強度は大きく、ピーク形状
はブロードであった。

【００９６】この静電チャックの吸着力を、試料を切り
出す前に測定した。図１に示す半導体ウエハー６の代わ
りに、面積１平方センチメートルの金属製小円板を吸着
させ、これをワイヤーによって吸着面に対して垂直方向
に引き上げ、脱着するのに必要な荷重をロードセルによ
って測定した。この結果、電圧を５００Ｖ印加した場
合、１００ｇ／ｃｍ² 以上の高い吸着力をしめした。

【００９７】また、この絶縁性誘電層４を構成する窒化
アルミニウム焼結体について、３００℃での体積抵抗率
を測定したところ、５．０×１０⁷ Ω・ｃｍであった。

【００９８】（実施例１Ａ）実施例１と同様にして静電
チャックを製造した。ただし、実施例１において、圧力
を１００ｋｇ／ｃｍ² とした。

【００９９】こうして得られた静電チャックを構成する
基材の各部分から、焼結体を切り出し、各焼結体の分析
を行った。まず、基材の各部分の色彩は、図７に示すよ
うに分かれていた。黄白色の焼結体２７Ｆの相対密度は
９９．８％であり、室温における体積抵抗率は８．９×
１０^{1 0} Ω・ｃｍであり、ＥＳＲスペクトルにおけるス
ピン数は１．１×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、ＥＳ
Ｒスペクトルにおけるｇ値は１．９９８０であった。

【０１００】一方、白色の焼結体２９Ｄの相対密度は９
７．８％であり、室温における体積抵抗率は２．３×１
０^{1 4} Ω・ｃｍであり、ＥＳＲスペクトルにおけるスピ
ン数は１．３×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、ＥＳＲ
スペクトルにおけるｇ値は１．９９７８であった。ま
た、黒褐色の焼結体からなる部分２８Ｃが電極２６に接
触していることが確認された。

【０１０１】（比較例１）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を１８００℃とし、圧力を１５０ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、１８００℃での保持時間を３時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、基材の全体が黒色の焼結体によって構成され
ていることを確認した。基材の各部分から焼結体を切り
出し、その特性を測定した。

【０１０２】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体の相
対密度は９９．０％以上であり、体積抵抗率は６．０×
１０^{1 3} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は１．２×１０
^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００４９で
あった。支持部分８から切り出した焼結体の相対密度は
９９．０％以上であり、体積抵抗率は３．０×１０^{1 4}
Ω・ｃｍであり、前記スピン数は２．５×１０^{1 2} ｓｐ
ｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００６２であった。
この静電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合
の吸着力は、３ｇ／ｃｍ² であった。

【０１０３】（比較例２）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を１８００℃とし、圧力を２００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、１８００℃での保持時間を５時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、基材の全体が黒色の焼結体によって構成され
ていることを確認した。

【０１０４】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体の相
対密度は９９．５％以上であり、体積抵抗率は４．０×
１０^{1 3} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は２．１×１０
^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００４７で
あった。支持部分８から切り出した焼結体の相対密度は
９９．０％以上であり、体積抵抗率は４．２×１０^{1 4}
Ω・ｃｍであり、前記スピン数は１．２×１０^{1 2} ｓｐ
ｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００６１であった。
この静電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合
の吸着力は、２ｇ／ｃｍ² であった。

【０１０５】（実施例２）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を１８５０℃とし、圧力を２００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、１８５０℃での保持時間を５時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図５（ａ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１０６】焼結体２７Ａの色調は飴色であり、相対密
度は９９．５％以上であり、体積抵抗率は８．０×１０
^{1 2} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は６．９×１０^{1 2}
ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９９０であっ
た。焼結体２８Ａの色調は黒褐色であり、相対密度は９
９．０％以上であり、体積抵抗率は２．３×１０^{1 3} Ω
・ｃｍであり、前記スピン数は４．２×１０^{1 2} ｓｐｉ
ｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００５１であった。こ
の静電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合の
吸着力は、９０ｇ／ｃｍ² であった。

【０１０７】（実施例３）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を１９００℃とし、圧力を２００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、１９００℃での保持時間を３時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図５（ａ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１０８】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ａの色調は飴色であり、相対密度は９９．５％以上であ
り、体積抵抗率は２．０×１０^{1 2} Ω・ｃｍであり、前
記スピン数は７．５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、
前記ｇ値は１．９９８５であった。支持部分８から切り
出した焼結体２８Ａの色調は黒褐色であり、相対密度は
９９．０％以上であり、体積抵抗率は８．０×１０^{1 3}
Ω・ｃｍであり、前記スピン数は３．３×１０^{1 2} ｓｐ
ｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００４２であった。
この静電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合
の吸着力は、１２０ｇ／ｃｍ² であった。

【０１０９】（実施例４）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を１９００℃とし、圧力を１００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、１９００℃での保持時間を５時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図５（ｂ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１１０】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ｂの色調は飴色であり、相対密度は９９．０％以上であ
り、体積抵抗率は３．０×１０^{1 1} Ω・ｃｍであり、前
記スピン数は１．１×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、
前記ｇ値は１．９９８０であった。支持部分８から切り
出した焼結体２８Ｂの色調は黒褐色であり、相対密度は
９９．０％以上であり、体積抵抗率は９．０×１０^{1 3}
Ω・ｃｍであり、前記スピン数は３．５×１０^{1 2} ｓｐ
ｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．００５１であった。
この静電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合
の吸着力は、２００ｇ／ｃｍ² であった。

【０１１１】（実施例５）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を２０００℃とし、圧力を２００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、２０００℃での保持時間を１時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図６（ａ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１１２】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ｃの色調は飴色であり、相対密度は９９．５％以上であ
り、体積抵抗率は３．０×１０^{1 1} Ω・ｃｍであり、前
記スピン数は８．２×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、
前記ｇ値は１．９９７９であった。支持部分８から切り
出した焼結体２９Ａの色調は白色であり、相対密度は９
８．３％であり、体積抵抗率は１．９×１０^{1 4} Ω・ｃ
ｍであり、前記スピン数は９．５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／
ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９８０であった。この静
電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合の吸着
力は、２２０ｇ／ｃｍ² であった。こうした白色の焼結
体の生成は、ホットプレス温度が２０００℃と高くなっ
たことによって気孔が生成したためと考えられる。

【０１１３】（実施例６）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を２０００℃とし、圧力を１００ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、２０００℃での保持時間を３時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図６（ｂ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１１４】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ｄの色調は飴色であり、相対密度は９９．５％以上であ
り、体積抵抗率は１．０×１０^{1 1} Ω・ｃｍであり、前
記スピン数は１．１×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、
前記ｇ値は１．９９７５であった。支持部分８から切り
出した焼結体２９Ｂの色調は白色であり、相対密度は９
７．９％であり、体積抵抗率は８．６×１０^{1 3} Ω・ｃ
ｍであり、前記スピン数は１．１×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／
ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９７５であった。この静
電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合の吸着
力は、１９０ｇ／ｃｍ² であった。実施例５に比べて、
ホットプレス時の圧力が小さくなったことから、白色の
焼結体が占める領域が拡大したものと考えられる。

【０１１５】（実施例７）実施例１において、ホットプ
レス時の温度を２０００℃とし、圧力を１５０ｋｇ／ｃ
ｍ² とし、２０００℃での保持時間を５時間とした。こ
の他は実施例１と同様にして静電チャックを製造した。
この結果、図６（ｃ）に示すような焼結体の分布を有す
る基材が生成した。

【０１１６】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ｅの色調は飴色であり、相対密度は９９．５％以上であ
り、体積抵抗率は９．０×１０⁹ Ω・ｃｍであり、前記
スピン数は２．１×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前
記ｇ値は１．９９６１であった。支持部分８から切り出
した焼結体２９Ｃの色調は白色であり、相対密度は９
７．８％であり、体積抵抗率は２．０×１０^{1 4} Ω・ｃ
ｍであり、前記スピン数は１．２×１０^{1 3} ｓｐｉｎ／
ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９７２であった。この静
電チャックに対して電圧を５００Ｖ印加した場合の吸着
力は、２５０ｇ／ｃｍ² であった。

【０１１７】（実施例８）以下のようにして、実際に窒
化アルミニウム焼結体を製造した。窒化アルミニウム原
料としては、還元窒化法または直接窒化法によって製造
した高純度粉末を使用した。各粉末において、Ｓｉ、Ｆ
ｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｗ、Ｂ、Ｙの含有量は、それぞれ１００ｐｐｍ以
下であり、アルミニウム以外の金属は、これら以外は検
出されなかった。

【０１１８】この原料粉末を一軸加圧成形することによ
って、円盤形状の成形体を製造した。図１０に示すよう
な成形装置を使用し、成形体を型内に設置した。ただ
し、この成形体中には金属部材を挿入していない。実施
例１と同様にして、この成形体をカーボンフォイル内に
密封し、１８００℃で２時間、２００ｋｇ／ｃｍ² の圧
力を加えながら、ホットプレス法によって焼成し、窒化
アルミニウム試料を製造した。

【０１１９】この試料を熱処理した。ただし、熱処理温
度を１９００℃とし、１９００℃での保持時間を２時間
とし、窒素雰囲気下で行った。この結果、黄白色の窒化
アルミニウム焼結体が得られた。この体積抵抗率は５×
１０^{1 2} Ω・ｃｍであった。また、ＥＳＲのｇ値は１．
９９９０であった。

【０１２０】（実施例９）図４に示す静電チャックを製
造した。還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム
粉末を使用した。この粉末において、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃ
ａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｗ、Ｂ、Ｙの含有量は、それぞれ１００ｐｐｍ以下であ
り、アルミニウム以外の金属は、これら以外は検出され
なかった。電極としては、モリブデン製の金網を使用し
た。金網は、直径φ０．５ｍｍのモリブデン線を、１イ
ンチ当たり１５本の密度で編んだ金網を使用した。この
金網と、モリブデン線からなる抵抗発熱体２１とを、前
記の粉末からなる成形体中に埋設した。図１０に示すよ
うにして、この成形体を、１９００℃の温度、２００ｋ
ｇ／ｃｍ² の圧力および４時間の保持時間で、ホットプ
レス法によって焼成した。

【０１２１】得られた焼結体の絶縁性誘電層側の表面を
機械加工し、絶縁性誘電層４の厚さを１ｍｍとした。焼
結体の背面側からマシニングセンターによって孔２を形
成し、また端子１０を電極９に接合した。支持部分８お
よび絶縁性誘電層４を構成する窒化アルミニウム焼結体
の相対密度は、９９．０％以上であった。この静電チャ
ックの寸法は、直径は２００ｍｍであり、厚さは１２ｍ
ｍであった。この静電チャックの吸着力を、前記の実施
例１と同様にして測定した。抵抗発熱体に電力を供給
し、室温から３００℃まで１００℃間隔で吸着力を測定
したところ、いずれの温度においても、６０〜１００ｇ
／ｃｍ² の吸着力を示した。

【０１２２】この基材における焼結体の分布は、図５
（ｂ）に示すものであった。絶縁性誘電層から切り出し
た焼結体２７Ｂの色調は飴色であり、相対密度は９９．
５％以上であり、室温における体積抵抗率は５．０×１
０^{1 2} Ω・ｃｍであり、３００℃における体積抵抗率は
２．０×１０⁸ Ω・ｃｍであり、前記スピン数は７．５
×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９
６５であった。支持部分８から切り出した焼結体２８Ｂ
の色調は黒褐色であり、相対密度は９９．０％以上であ
り、室温における体積抵抗率は１．１×１０^{1 3} Ω・ｃ
ｍであり、前記スピン数は２．１×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／
ｍｇであり、前記ｇ値は２．００４４であった。

【０１２３】（実施例１０）また、本発明者は、上記し
た実施例２〜８において絶縁性誘電層をそれぞれ構成す
る各窒化アルミニウム焼結体について、３００℃での体
積抵抗率を測定した。この結果、１０⁸ 〜１０^{1 0} Ω・
ｃｍに低下していることを確認した。

【０１２４】（実施例１１）実施例１において、ホット
プレス時の温度を１８００℃とし、圧力を２００ｋｇ／
ｃｍ² とし、１８００℃での保持時間を２時間とした。
この他は実施例１と同様にして静電チャックを製造し
た。更に、この静電チャックを熱処理した。ただし、熱
処理温度を１９００℃とし、１９００℃での保持時間を
２時間とし、窒素雰囲気下で行った。

【０１２５】この結果、図６（ｃ）に示すような焼結体
の分布を有する基材が生成した。絶縁性誘電層４から切
り出した焼結体２７Ｅの色調は黄白色であり、相対密度
は９９．５％以上であり、体積抵抗率は５．０×１０
^{1 2} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は８．５×１０^{1 2}
ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は１．９９９０であっ
た。支持部分８から切り出した焼結体２９Ｃの色調は白
色であり、相対密度は９８．１％であり、体積抵抗率は
２．８×１０^{1 4} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は９．
５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は１．９
９８１であった。この静電チャックに対して電圧を５０
０Ｖ印加した場合の吸着力は、１３０ｇ／ｃｍ² であっ
た。

【０１２６】本発明においては、例えば図５〜図７に示
したように、金属部材（特に電極）を相対密度９９．５
％以上の窒化アルミニウム焼結体内に包含させることに
よって、熱サイクルの繰り返しに対しての耐久性が向上
する。

【０１２７】また、金属包含材においては、第二の部分
側の少なくとも一部分を、第一の部分の焼結体よりも相
対密度が低い焼結体によって構成することができ、好ま
しくは、相対密度９７．５〜９９．５％の焼結体によっ
て構成することができる。これによって、第二の部分側
の機械的加工が非常に容易になり、製造コストが減少す
る。特に、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、
静電チャックの基材のうち支持部分側の少なくとも一部
を、相対密度９７．５〜９９．５％の白色または白灰色
の焼結体によって構成した場合には、この支持部分側
に、端子を挿入するための挿入孔を形成するための機械
的加工が容易になる。

【０１２８】（実施例１２）実施例１において、ホット
プレス時の温度を２０００℃とし、圧力を２００ｋｇ／
ｃｍ² とし、２０００℃での保持時間を４時間とした。
この他は実施例１と同様にして静電チャックを製造し
た。この結果、図６（ａ）に示すような焼結体の分布を
有する基材が生成した。

【０１２９】絶縁性誘電層４から切り出した焼結体２７
Ｃの色調は飴色であり、相対密度は９９．５％以上であ
り、体積抵抗率は５．０×１０^{1 1} Ω・ｃｍであり、前
記スピン数は９．０×１０^{1 2} ｓｐｉｎ／ｍｇであり、
前記ｇ値は１．９９７０であった。

【０１３０】この焼結体の表面をダイヤモンドペースト
によって鏡面研磨し、カソードルミネッセンス法でスペ
クトルを観測し、その結果を図１１に示した。図１にお
いて、縦軸は発光強度であり、横軸はルミネッセンスの
波長である。３５０〜３７０ｎｍの波長領域に強いピー
クがあり、６５０〜７５０ｎｍの波長領域に弱いピーク
がある。

【０１３１】図１２は、この焼結体の断面のセラミック
ス組織を示す走査型電子顕微鏡写真である。

【０１３２】（比較例３）還元窒化法によって得られた
窒化アルミニウム粉末を使用した。この粉末において、
Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗ、Ｂ、Ｙの含有量は、それぞれ１０
０ｐｐｍ以下であり、アルミニウム以外の金属は、これ
ら以外は検出されなかった。この窒化アルミニウム粉末
９５重量％と、イットリア５重量％とを混合した。この
混合粉末を一軸加圧成形することによって、円盤形状の
予備成形体を製造した。この成形体を型内に設置し、１
９５０℃で４時間焼成し、焼結体を得た。

【０１３３】この焼結体の色調は飴色であり、相対密度
は９９．５％以上であり、体積抵抗率は８．７×１０
^{1 2} Ω・ｃｍであり、前記スピン数は３．８×１０^{1 1}
ｓｐｉｎ／ｍｇであり、前記ｇ値は２．０００７であっ
た。

【０１３４】この焼結体の表面をダイヤモンドペースト
によって鏡面研磨し、カソードルミネッセンス法でスペ
クトルを観測し、その結果を図１３に示した。この結
果、約３４０ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍにそれぞれ
弱いピークが観測された。

【０１３５】図１４は、この焼結体の断面のセラミック
ス組織を示す走査型電子顕微鏡写真である。

【０１３６】また、実施例１２および比較例３の各焼結
体について、Ｘ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）に
よって酸素濃度分布とイットリウム原子の分布とを測定
した。この結果、比較対象のイットリアを５重量％添加
した焼結体の場合には、酸素濃度が相対的に低くなって
いた。しかも、焼結体内において酸素が相対的に多く存
在している部分は、イットリアが存在している部分とほ
ぼ重複していた。この重複部分は、図１４の走査型電子
顕微鏡写真に示す粒界部の位置とほぼ一致していた。

【０１３７】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、窒化
アルミニウム質からなる基材の中に金属部材を埋設した
金属包含材において、窒化アルミニウム中に低抵抗材料
を添加することなく、金属包含材の体積抵抗率を制御し
た新たな窒化アルミニウム焼結体および静電チャックを
提供するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用できる静電チャックの一部分を概
略的に示す断面図である。

【図２】（ａ）は、図１の静電チャックの破断面を示す
斜視図であり、（ｂ）は、金網からなる電極を示す斜視
図である。

【図３】（ａ）は、電極として好適なパンチングメタル
１４を示す斜視図である。（ｂ）は、電極として使用で
きる円形の薄板１５を示す斜視図である。（ｃ）は、電
極として使用できる薄板１６を示す平面図である。

【図４】本発明を適用できるヒーター付きの静電チャッ
クの一部分を概略的に示す断面図である。

【図５】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、本発明に係る金
属包含材の基材内における各焼結体の分布を示す模式図
である。

【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、本発明
に係る金属包含材の基材内における各焼結体の分布を示
す模式図である。

【図７】本発明に係る金属包含材の基材内における各焼
結体の分布を示す模式図である。

【図８】アルミニウムと他の原子との結合状態と、ＥＳ
Ｒスペクトルのｇ値との関係を説明するための概念図で
ある。

【図９】カソードルミネッセンスの原理を説明するため
の模式図である。

【図１０】本発明の金属包含材を製造するのに好適なホ
ットプレス法を説明するための、模式的断面図である。

【図１１】本発明例の窒化アルミニウム焼結体につい
て、カソードルミネッセンスの測定結果を示すグラフで
ある。

【図１２】本発明例の窒化アルミニウム焼結体のセラミ
ックス組織を示す走査型電子顕微鏡写真である。

【図１３】比較対象である、イットリアを５重量％添加
した窒化アルミニウム焼結体について、カソードルミネ
ッセンスの測定結果を示すグラフである。

【図１４】比較対象である、イットリアを５重量％添加
した窒化アルミニウム焼結体のセラミックス組織を示す
走査型電子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１ 基材 ４ 絶縁性誘電層 ６ 半導体ウエハー
８支持部分 １５Ａ、１５Ｂ パンチ １６
スリーブ １７、１９Ａ、１９Ｂ グラファイトフォ
イル ２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄ、２５Ｅ、２
５Ｆ 金属包含材 ２６ 金属部材 ２７Ａ、２７
Ｂ、２７Ｃ、２７Ｄ、２７Ｅ、２７Ｆ 飴色または黄白
色の焼結体 ２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ 黒褐色または
黒色の焼結体 ２９Ａ、２９Ｂ、２９Ｃ、２９Ｄ 白
色または白灰色の焼結体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 廣道 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アルミニウム以外の金属元素の含有量が１
   ００ｐｐｍ以下であり、室温における体積抵抗率が１．
   ０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、１．０×１０^{1 3} Ω・ｃｍ以
   下であることを特徴とする、窒化アルミニウム焼結体。
2. 【請求項２】窒化アルミニウムの電子スピン共鳴法によ
   るスペクトルにおいて、不対電子のｇ値が２．００００
   以下であることを特徴とする、請求項１記載の窒化アル
   ミニウム焼結体。
3. 【請求項３】電子スピン共鳴法によるスペクトルから得
   られたアルミニウムの単位ｍｇ当たりのスピン数が５×
   １０^{1 2} ｓｐｉｎ以上であることを特徴とする、請求項
   １または２記載の窒化アルミニウム焼結体。
4. 【請求項４】カソードルミネッセンスによるスペクトル
   において、３５０ｎｍ〜３７０ｎｍの波長領域に主要ピ
   ークを有していることを特徴とする、請求項１〜３のい
   ずれか一つの請求項に記載の窒化アルミニウム焼結体。
5. 【請求項５】相対密度が９９．５％以上であることを特
   徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載
   の窒化アルミニウム焼結体。
6. 【請求項６】窒化アルミニウム焼結体からなる基材内に
   金属部材が埋設されており、前記基材と前記金属部材と
   が一体焼結されている金属包含材であって、前記基材の
   少なくとも一部が、請求項１〜５のいずれか一つの請求
   項に記載の窒化アルミニウム焼結体からなることを特徴
   とする、金属包含材。
7. 【請求項７】前記基材のうち、前記金属部材を包含する
   部分の相対密度が９９．５％以上であることを特徴とす
   る、請求項６記載の金属包含材。
8. 【請求項８】前記金属部材が、請求項１〜５のいずれか
   一つの請求項に記載の窒化アルミニウム焼結体に包含さ
   れていることを特徴とする、請求項７記載の金属包含
   材。
9. 【請求項９】前記基材のうち、前記金属部材の一方の側
   にある第一の部分が、請求項１〜５のいずれか一つの請
   求項に記載の窒化アルミニウム焼結体によって形成され
   ていることを特徴とする、請求項６記載の金属包含材。
10. 【請求項１０】前記基材のうち、前記金属部材の他方の
    側にある第二の部分に、相対密度が９７．５％以上、９
    ９．５％以下の窒化アルミニウム焼結体が存在している
    ことを特徴とする、請求項９記載の金属包含材。
11. 【請求項１１】請求項６〜１０のいずれか一つの請求項
    に記載の金属包含材を備えている静電チャックであっ
    て、前記基材のうち誘電層側が、請求項１〜５のいずれ
    か一つの請求項に記載の窒化アルミニウム焼結体からな
    り、前記金属部材が電極であり、前記電極上に前記誘電
    層を介して被処理物を吸着するように構成されているこ
    とを特徴とする、静電チャック。
12. 【請求項１２】アルミニウム以外の金属元素の含有量が
    １００ｐｐｍ以下であり、窒化アルミニウムの電子スピ
    ン共鳴法によるスペクトルにおいて、不対電子のｇ値が
    ２．００００以下であることを特徴とする、窒化アルミ
    ニウム焼結体。
13. 【請求項１３】アルミニウム以外の金属元素の含有量が
    １００ｐｐｍ以下であり、電子スピン共鳴法によるスペ
    クトルから得られたアルミニウムの単位ｍｇ当たりのス
    ピン数が５×１０^{1 2} ｓｐｉｎ以上であることを特徴と
    する、窒化アルミニウム焼結体。
14. 【請求項１４】アルミニウム以外の金属元素の含有量が
    １００ｐｐｍ以下であり、カソードルミネッセンスによ
    るスペクトルにおいて、３５０ｎｍ〜３７０ｎｍの波長
    領域に主要ピークを有していることを特徴とする、窒化
    アルミニウム焼結体。
15. 【請求項１５】アルミニウム以外の金属元素の含有量が
    １００ｐｐｍ以下である窒化アルミニウム原料を１７０
    ０℃〜２０００℃の温度および１００ｋｇ／ｃｍ² 以上
    の圧力下で焼結させることによって相対密度９５．０％
    以上の窒化アルミニウム焼結体をいったん製造し、次い
    でこの窒化アルミニウム焼結体を１８５０℃以上の温度
    で熱処理することを特徴とする、窒化アルミニウム焼結
    体の製造方法。
16. 【請求項１６】アルミニウム以外の金属元素の含有量が
    １００ｐｐｍ以下であり、前記室温における体積抵抗率
    が１．０×１０⁹ Ω・ｃｍ以上、１．０×１０¹³ Ω・
    ｃｍ以下である窒化アルミニウムを製造する方法であっ
    て、アルミニウム以外の金属元素の含有量が１００ｐｐ
    ｍ以下である原料からなる成形体の中に金属部材を埋設
    し、この成形体を１８５０℃〜２２００℃の温度および
    ５０ｋｇ／ｃｍ² 以上の圧力下で焼結させることによっ
    て、窒化アルミニウムからなる基材内に金属部材が埋設
    されている金属包含材を得、ここで前記金属部材によっ
    て前記基材が実質的に第一の部分と第二の部分とに分け
    られており、前記第一の部分の厚さが１０ｍｍ以下であ
    り、これによって前記第一の部分を構成する基材として
    窒化アルミニウム焼結体を得ることを特徴とする、窒化
    アルミニウム焼結体の製造方法。
17. 【請求項１７】窒化アルミニウムからなる基材内に金属
    部材が埋設されている金属包含材であって、前記金属包
    含材によって前記基材が実質的に第一の部分と第二の部
    分とに分けられており、前記第一の部分の厚さと前記第
    二の部分の部分の厚さとの比率が１：２以上である金属
    包含材を製造するのに際して、アルミニウム以外の金属
    元素の含有量が１００ｐｐｍ以下である原料からなる成
    形体の中に前記金属部材を埋設し、この成形体を１８５
    ０℃〜２２００℃の温度および５０ｋｇ／ｃｍ² 以上の
    圧力下で焼結させることを特徴とする、金属包含材の製
    造方法。