JP2007201068A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1×10-2Torr以下の圧力下、100℃以上の温度で、シリコンウエハを静電力によって吸着する静電チャックであって、前記静電チャックが、セラミックスからなる盤状の基板と、この基板上に設けられた前記基板と同種のセラミックスからなる絶縁性誘電層1と、前記基板と前記絶縁性誘電層1との間に埋設されている電極とを備えており、かつ、前記絶縁性誘電層1の表面には複数の凹凸部が形成されており、前記凹部3の底部平面の表面粗さRaが0.5μm以上であることを特徴とする静電チャック。
【選択図】図1
Description
ここで、静電チャックに保持されたSiウエハの加熱方法としては、静電チャックにヒータを内蔵させて、静電チャックの吸着面近傍を加熱することによりSiウエハを加熱する方法や、静電チャックの裏面からランプで静電チャックを加熱することによりSiウエハを加熱する方法が用いられている。
そこで、Siウエハと吸着面の間にガスを流しながら吸着加熱し、静電チャックからの熱の伝達量を増やすことで、Siウエハの均一な加熱を達成しようとすることが試みられている。
なお、静電チャックは、必ずしもそれ全体がこのようなセラミックスで構成されている必要はなく、腐食性ガス雰囲気にさらされる部分以外は、例えば、金属で構成されていてもよい。
これらのことから、セラミックスの材料として、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナが好ましい。
そして静電チャックにヒータを内蔵させるには、前記(1)の方法では静電吸着力を生じさせるための電極と一緒にヒータ用電極を埋設すればよく、前記(2)の方法では金属等の基材中にヒータ(必要に応じて絶縁処理が必要なことは言うまでもない)を埋め込んでおけばよい。なお、前記(2)の方法では、金属等の基材に冷却ラインを設けることで、Siウエハの温度上昇を抑え、またSiウエハを一定温度に保持することが容易となる。
(1)静電チャックの製造
窒化アルミニウム粉末;97重量%と、イットリア粉末;3重量%とからなる混合粉末を、100kg/cm2(=9.8MPa)で一軸加圧し、φ200mm×10mmの盤状の成形体を作製した。(焼結後に、本発明のセラミックスからなる基板に相当する。)
次に、φ190mmの単極型電極を配置し、その上に前記した窒化アルミニウム粉末;97重量%と、イットリア粉末;3重量%とからなる混合粉末を充填し、さらにヒータを配置し、その上にさらに前記混合粉末を充填した後、焼成温度;1900℃、焼成時間;2時間、プレス圧;100kg/cm2の条件でホットプレス焼結を行うことで、φ200mm×15mmの盤状のセラミックスを得た。このセラミックスの絶縁性誘電層(ヒータ電極上に充填した粉末により形成された層)の厚さが1mmになる様に研削し、反対側の面に孔をあけ、静電チャックへの電圧印加用端子およびヒータ用給電端子を取り付けた。さらに、中心にφ1mmの穴をあけガス導入孔とした。
本発明に係る静電チャックの凹凸部の概略構成断面図を図1に示した。ここで、図1の
1は絶縁性誘電層であり、2は複数の凸部、3は複数の凹部の底部平面、4はシリコンウエハである。
また、凸部の形状と配置は、凸部の直径をφ1.0mm、凸部どうしの間隔を5mmとし、60度の千鳥パターンとした。また、凸部の高さはデジタルダイヤルゲージを用いて測定した結果、15μmであった。
次に、バフ研磨を行い、ブラスト面の表面粗さ(すなわち、凹部の底部平面の表面粗さ)を表1に示すように調節した。
このようにして作製した各静電チャックを真空チャンバー内に設置し、1×10-2Torrの真空度に保ち、φ200mmサイズの熱電対付きウエハを吸着させ、静電チャック中心のガス孔から1kPaになるようにHeを導入した。
次に、静電チャックのヒータを加熱し、100℃,500℃に加熱したときのそれぞれの吸着面の温度分布を熱電対付きウエハで測定した。ここで、ウエハの測温箇所(熱電対の接合箇所)は9点で、ウエハの中心およびPCD90、PCD180の各々の4等配である。この9点の測定温度の最大と最小の差をΔTと定義して、均一加熱性の評価を行い、その評価結果を表1にまとめて示した。
それに対し、比較例1および2は、凹部の底部平面の表面粗さRaが0.5μm未満であるため、ΔTが4℃以上と大きくなった。したがって、このような静電チャックを用いて、Siウエハに成膜やエッチング等の処理が行われると、Siウエハから切り出される半導体デバイスの品質のばらつきが大きくなるおそれがある。
2;凸部
3;凹部の底部平面
4;シリコンウエハ
Claims (2)
- 1×10-2Torr以下の圧力下、100℃以上の温度で、シリコンウエハを静電力によって吸着する静電チャックであって、前記静電チャックが、セラミックスからなる盤状の基板と、この基板上に設けられた前記基板と同種のセラミックスからなる絶縁性誘電層と、前記基板と前記絶縁性誘電層との間に埋設されている電極とを備えており、かつ、前記絶縁性誘電層の表面には複数の凹凸部が形成されており、前記凹部の底部平面の表面粗さRaが0.5μm以上であることを特徴とする静電チャック。
- 前記基板が窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、アルミナから選ばれるいずれか1種の材料からなることを特徴とする請求項1に記載した静電チャック。
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