KR20070113959A

KR20070113959A - 정전흡착장치

Info

Publication number: KR20070113959A
Application number: KR1020070015266A
Authority: KR
Inventors: 쇼지 카노; 와이치 야마무라
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-05-25
Filing date: 2007-02-14
Publication date: 2007-11-29
Also published as: CN100490110C; US20070274021A1; JP2007317820A; TW200744150A; ITMI20071001A1; CN101079390A

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등의 피흡착물을 흡착하기 위한 정전흡착장치에 있어서, 지지기판의 일면에 형성된 정전흡착용 전극을 덮어서 상기 피흡착물을 흡착하는 흡착면을 이루는 절연층이 형성되어 있고, 상기 절연층은 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 함유하고, 비커스 경도 Hv가 50~1000인 열분해 질화붕소로 이루어진 정전흡착장치를 제공한다.

본 발명의 정전흡착장치는, 실리콘 웨이퍼나 유리 기판 등의 피흡착물을 정전흡착장치 적재면에 정전흡착시켜서 가열ㆍ냉각을 행할 때에, 웨이퍼 흡착면 또는 정전흡착장치 적재면에 스크래치가 생기는 것을 방지하고, 또한 불소계의 반도체 클리닝 가스에 대한 내식성이 우수하여 장수명화할 수 있다.

Description

정전흡착장치{ELECTROSTATIC ADSORPTION APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 정전흡착장치의 일례를 나타내는 단면도이다.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***

1: 정전흡착기능을 가진 가열장치 지지기재

2: 지지기판

3a, 3b: 쌍극형 정전흡착용 전극

4: 발열층

5: 절연층

본 발명은 반도체 디바이스나 액정 패널의 제조공정, 검사공정 등에 사용되는 정전흡착기능을 갖는 장치에 관한 것이다.

종래, 반도체 디바이스의 제조공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 가열에는 금속선을 감은 히터가 사용되고 있었다. 그러나, 이 히터를 사용했을 경우에는 반도체 웨이퍼으로의 금속오염의 문제가 있었기 때문에, 최근에는 세라믹스 박막을 발열체로서 사용한 세라믹스 일체형 웨이퍼 가열장치의 사용이 제안되어 있다(예컨 대, 특허문헌 1: 일본 특허공개 평4-124076호 공보 참조).

그 중에서도, 분자선 에피택셜이나 CVD, 스퍼터링 등에 있어서의 웨이퍼의 가열방법으로는 기체내로부터의 아웃가스가 없고, 고순도, 내열충격성이 우수한 열분해 질화붕소(PBN)와 열분해 흑연(PG)의 복합 세라믹 히터를 사용하는 것이 유효하다고 되어 있고(특허문헌 2: 일본 특허공개 소63-241921호 공보 참조), 이러한 히터이면 종래의 탄탈 와이어 히터에 비해서 장착이 용이하고, 열변형, 단선, 쇼트 등의 트러블을 일으키지 않으므로 사용하기 쉽고, 또한 면상 히터이기 때문에 비교적 균일한 열을 얻기 쉽다는 이점도 있다.

이 반도체 웨이퍼의 가열에 있어서는 히터 상에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해서 감압 분위기에서는 정전흡착장치가 사용되고 있어, 프로세스의 고온화에 따라 그 재질은 수지로부터 세라믹스로 이행하고 있다(특허문헌 3: 일본 특허공개 소52-67353호 공보, 특허문헌 4: 일본 특허공개 소59-124140호 공보 참조).

또한, 최근에는 이들 세라믹스 일체형 웨이퍼 가열장치와 정전흡착장치를 합체한 정전흡착장치가 제안되어 있고, 예컨대 정전흡착장치의 절연층에 알루미나를 사용한 것(비특허문헌 1: 뉴 세라믹스(7), p.49~53, 1994년 참조), 또한 클리닝 가스의 내성을 높이기 위해서 질화 알루미늄을 절연층에 사용한 것도 개발되어 오고 있다.

이 정전흡착장치에 있어서, 비특허문헌 1(뉴 세라믹스(7), p.49~53, 1994년 참조)에 기재되어 있는 바와 같이, 정전흡착력은 이 절연층의 체적저항율이 낮아지면 강해지지만, 너무 낮으면 누설전류에 의한 디바이스의 파손이 발생하기 때문에, 정전흡착장치의 절연층의 체적저항치는 10⁸~10¹⁸Ωcm, 바람직하게는 10⁹~10¹³Ωcm인 것이 바람직하다.

정전흡착장치의 전압이 인가되는 전극의 형상에 따라서 정전 척은 3종으로 분류된다. 단일의 내부전극을 가진 단극형에서는 피흡착물을 접지할 필요가 있고, 그것에 반하여 한쌍의 내부전극을 가진 쌍극형이나 한쌍의 전극이 콤형상으로 형성되어 있는 콤형상 전극형에서는 2개의 전극 각각에 양음의 전압이 인가되는 점에서 피흡착물인 웨이퍼를 접지할 필요가 없어, 반도체용으로는 후자의 타입이 많이 사용되고 있다.

최근, 분자선 에피택셜이나 CVD, 스퍼터링 장치에서 세라믹스제의 정전흡착장치가 탑재되어 왔지만, 반도체 디바이스의 제조공정 중에는 500℃를 초과하는 고온에서의 사용요구도 증가하여 오고 있다. 실리콘 웨이퍼 등의 피흡착물이 정전흡착장치에 흡착되면 가열되어서 열팽창한다. 이 때에 피흡착물 흡착면과 정전흡착장치 재치면이 강하게 마찰된다는 현상이 일어난다.

실리콘 웨이퍼의 비커스 경도 Hv는 약 1100정도인 것에 비하여, 세라믹스 절연체층의 재질이 되는 알루미나, 질화 알루미늄의 비커스 경도 Hv는 각각 1500, 1400이다. 이러한 실리콘 웨이퍼보다도 단단한 알루미나, 질화 알루미늄 등을 절연체층에 사용한 정전흡착장치는 실리콘 웨이퍼를 가열ㆍ냉각할 때에 웨이퍼 표면이 절연체층에 의해 깎여서 입자가 발생하고, 또한 웨이퍼 흡착면에 스크레치를 발생시킨다는 문제가 있다.

그래서, 고온 영역에서 흡착하여도 피흡착물의 흡착면에 스크레치가 생기기 어려운 정전흡착장치가 소망되고 있었다. 이 과제를 해결하기 위해서, 표면 조도가 Ra≤0.05㎛, Rmax≤0.6㎛이고, 또한 상기 절연체층의 표면의 비커스 경도 Hv가 1000 이하인 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치가 개발되었다(특허문헌 5: 일본 특허공개 2005-72066호 공보). 그러나, 이것은 산소에 대한 내산화성이 부족하기 때문에, 반응기 내에 잔류하는 산소에 의해 산화되어 소모되어 버린다. 또한, 반도체 장치 내에서 불소계의 클리닝 가스로 클리닝을 행하면, 클리닝 가스에 의해 절연체가 부식되어 버린다는 문제가 생긴다. 그 때문에, 웨이퍼 등의 처리 매수가 증가하면 증가할 수록 산화, 부식이 진행되어, 결국에는 절연파괴에 이르러 버린다.

(특허문헌 1) 일본 특허공개 평4-124076호 공보

(특허문헌 2) 일본 특허공개 소63-241921호 공보

(특허문헌 3) 일본 특허공개 소52-67353호 공보

(특허문헌 4) 일본 특허공개 소59-124140호 공보

(특허문헌 5) 일본 특허공개 2005-72066호 공보

(비특허문헌 1) 뉴 세라믹스(7), p.49~53, 1994

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼나 유리 기판 등의 피흡착물을 정전흡착할 때에 피흡착물의 흡착면 또는 정전흡착장치 적재면에 스크래치가 생기는 것을 방지할 수 있고, 또한 불소계의 반도체 클리닝 가스에 대한 내 식성이 우수하여 장수명화할 수 있는 정전흡착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 행한 결과 본 발명에 도달한 것으로, 본 발명은 반도체 웨이퍼, 유리 기판 등의 피흡착물을 흡착하기 위한 정전흡착장치에 있어서, 지지기판의 일면에 형성된 정전흡착용 전극을 덮어서 상기 피흡착물을 흡착하는 흡착면을 이루는 절연층이 형성되어 있고, 상기 절연층은 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 함유하고, 비커스 경도 Hv가 50~1000인 열분해 질화붕소로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전흡착장치를 제공한다.

이것은, 절연층에 스크래치가 생기기 어렵고, 절연막 자체의 내산화성, 불소계 클리닝 가스에 대한 내식성이 개선되어 입자의 발생이나 절연파괴에 의한 정전흡착장치의 파손을 방지할 수 있어, 장수명화된다는 유리한 점도 부여한다.

본 발명의 정전흡착장치는 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 피흡착물을 흡착하는 흡착면을 특정한 절연층으로 형성하는 것이다. 이 경우, 정전흡착장치로는, 일례로서 도 1에 나타나 있는 바와 같은 본 발명의 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼의 가열 장치를 열거할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

도 1의 정전흡착장치에 대해서 더욱 상세하게 설명하면, 1은 이 정전흡착장치의 정전흡착기능을 갖는 가열장치 지지기재, 2는 지지기판, 3a, 3b은 쌍극형 정전흡착용 전극, 4는 발열층, 5은 절연층을 나타낸다.

이러한 정전흡착장치는, 예컨대 질화붕소와 질화 알루미늄의 혼합 소결체로 이루어진 지지기판, 상기 기판의 일측 면에 접합된 열분해 그라파이트로 이루어진 발열층, 그 위에 형성된 열분해 질화붕소로 이루어진 절연층, 상기 기판의 타측 면에 접합된 열분해 그라파이트로 이루어진 정전흡착용 전극, 그 위에 형성된 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨, 티타늄 중 어느 1종 이상의 원소를 함유한 열분해 질화붕소로 이루어진 절연층으로 구성된 것으로 된다.

지지기판은 내열성이 있고 절연성이 있으면 좋고, 예컨대 질화 붕소와 질화 알루미늄의 혼합물은 공지의 방법으로 소결시켜서 얻은 것으로 하면 좋다. 예컨대 질화 붕소와 질화 알루미늄의 혼합비율은, 질화 알루미늄이 지나치게 많으면 선팽창계수가 지나치게 크다는 문제가 있고, 지나치게 적으면 선팽창계수가 지나치게 작다는 문제가 있으므로, 질량비로 1:0.05~1의 범위로 하면 좋다(일본 특허공개 평8-227933호 공보). 또한, 일본 특허 제3647064호 공보와 같은 탄소에 열분해 질화 붕소, 산화 규소, 질화 알루미늄, 알루미나 및 질화 규소에서 선택된 재료를 포함하는 절연층이 접합된 것이어도 좋다.

발열층 및 정전흡착용 전극의 열분해 그라파이트는, 예컨대 메탄가스를 2200℃, 5Torr라는 조건하에서 열분해함으로써 얻어진 것으로 하면 좋다. 두께는 지나치게 얇으면 강도부족의 문제가 있고, 지나치게 두꺼우면 박리의 문제가 있으므로, 10~300㎛로 하면 좋다.

본 발명의 최대의 특징인 절연층은, 이러한 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 피흡착물을 흡착하기 위한 정전흡착장치에 있어서, 지지기판의 표면의 일측 면에 도전성 발열층을, 타측 면에 도전성 정전흡착용 전극을 각각 형성하여 있고, 또한 이들 발열층 및 정전흡착용 전극을 덮도록 절연층을 형성하여 있고, 상기 정전흡착용 전극을 덮는 절연층은 비커스 경도 Hv가 50~1000이고, 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨, 티타늄 중 어느 1종 이상의 원소를 함유한 열분해 질화붕소로 형성된 것이다.

상기 절연층의 비커스 경도 Hv가 50 미만인 경우에는 피흡착물의 흡착면에는 스크래치가 생기지 않지만, 반대로 정전흡착장치측의 흡착면에 스크래치가 많이 생겨 버려서 절연층이 절연파괴를 일으켜서 정전흡착장치가 파괴되어 버린다. 또한, 정전흡착장치측의 흡착면의 마찰에 의해서 소모가 심하여 단수명으로 되어버린다. 더욱이 마찰시에 발생하는 입자에 의해서 반도체 디바이스 또는 액정 패널의 불량이 다발한다는 문제가 발생하기 쉬워진다.

상기 절연층의 비커스 경도 Hv가 1000을 초과하면 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치가 생기지 않지만, 피흡착물의 흡착면에 스크래치가 다발하고, 이것이 발진원이 되어 반도체 디바이스 불량이 다발하여 버린다. 최악의 경우, 디바이스가 후공정에서 열처리될 때에 열응력을 받아서 스크래치를 기점으로 하여 웨이퍼가 깨져버려, 제조라인이 정지하여 버리는 것과 같은 큰 손해를 줄 수 있다.

상기 열분해 질화붕소에 함유되는 탄소의 양은 0.01~10질량%, 바람직하게는 0.1~5질량%로 하는 것이 좋다. 이 범위로 하면, 절연층의 비커스 경도 Hv를 확실하게 50~1000으로 할 수 있다.

상기 탄소의 양이 0.01질량% 미만이면 비커스 경도 Hv는 50 미만으로 되어버 리고, 10질량%을 초과하면 비커스 경도 Hv는 1000을 초과하여 버리는 경우가 많다.

또한, 상기 열분해 질화붕소에 함유되는 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄의 양은 0.01~20질량%로 하는 것이 좋다. 이 범위로 하면, 절연층의 비커스 경도 Hv를 50~1000으로 할 수 있다.

상기 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄의 양이 0.01질량% 미만이면 비커스 경도 Hv는 50 미만이 되어 버리고, 20질량%을 초과하면 비커스 경도 Hv는 1000을 초과하여 버리는 경우가 많다.

그리고, 상기 절연체의 표면 조도 Ra가 1㎛ 미만이고, Rmax가 3㎛ 미만인 것이 바람직하다. 그 이상에서는 거칠어져 있는 부분의 표면적이 커져서 막의 소모가 심하게 되어버릴 우려가 있다.

본 발명의 정전흡착장치의 상기 절연층은 화학 기상증착법으로 형성하는 것이 좋다. 이렇게 절연층을 화학 기상증착법으로 형성하면, 고순도, 고밀도이고 치수 정밀도가 우수한 것을 제조할 수 있고, 내열성, 화학적안정성, 상호 밀착성이 우수하고, 절연 불량이나 박리가 극히 적은 수명이 길고, 피흡착물에 스크래치를 내기 어렵고, 절연막 자체도 스크래치가 생기기 어려운 정전흡착장치로 할 수 있다.

또한, 상술하면, 본 발명에 따른 절연층은 규소의 비커스 경도 Hv가 1100이므로, 규소보다 무른 비커스 경도 Hv 1000이하이고, 탄소를 함유하고 또한 규소, 알루미늄, 이트륨, 티타늄 중 어느 1종 이상의 원소를 함유한 열분해 질화붕소인 것이 필요로 되지만, 이것은 정전흡착용 전극 상에 화학 기상증착법으로 형성하면 좋고, 이것에 의하면 이 절연층의 두께를 용이하게 조정할 수 있다. 이 절연층의 두께는 지나치게 얇으면 강도 부족의 문제가 있고, 지나치게 두꺼우면 정전흡착력의 저하의 문제가 있으므로, 20~300㎛로 하는 것이 바람직하다.

탄소와 규소를 함유하는 열분해 질화붕소 절연층은, 예컨대 기재를 진공 중에 셋트해서, 예컨대 2000℃로 가열하고, 삼염화붕소, 암모니아, 메탄 및 사염화규소를 용량비 8:1:1:1의 혼합 기체로 하여 유입하고, 5Torr라는 조건하에서 열분해함으로써 얻어진다. 두께는 지나치게 얇으면 절연파괴의 문제가 있고, 지나치게 두꺼우면 정전흡착력의 저하의 문제가 있으므로 50~300㎛로 하면 좋다.

또한, 본 발명에서 비커스 경도 Hv 측정기는 Akashi Corporation 제품의 HV-114, AT-301을 사용하였다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.

[실시예 1, 비교예 1]

지름 200mm, 두께 10mm의 탄소기재의 전면을 암모니아와 삼염화붕소를 혼합비(용량비) 8:1로 2000℃에서 반응시켜서 열분해 질화붕소를 퇴적시켜서, 0.5mm 두께로 코팅한 원판형상 지지기판을 제작하였다.

이어서, 그 위에서 메탄가스를 2200℃, 5Torr의 조건하에서 열분해시켜서 이 지지기판 상에 두께 100㎛의 열분해 그라파이트층을 형성하고, 표면의 열분해 그라파이트층으로 전극 패턴을, 또 이면의 열분해 그라파이트층으로 히터 패턴을 가공 하여 각각 정전흡착용 전극과 발열층으로 하였다.

또한, 이 양면에 암모니아와 삼염화붕소, 메탄 및 사염화규소의 혼합비(용량비)를 8:1:1:1로 하여 압력 5Torr에서 반응시키고, 반응온도를 1600℃, 1700℃, 1800℃, 1900℃, 2000℃로 조건을 바꾸고, 두께 200㎛의 탄소와 규소를 함유한 열분해 질화붕소 절연층을 형성하여 정전흡착장치를 제작하였다. 이 조건에서 제작된 막에는 탄소 5질량%, 규소 15질량%이 함유되어 있고, 비커스 경도 Hv는 10~1500의 범위이었다.

이렇게 제작한 정전흡착장치를 300℃까지 가열하고, 그것에 웨이퍼를 반송하여 정전흡착장치 상에 적재하고, 적재한 후 10초 후에 정전흡착용 전극에 ±200V의 전압을 인가하여 웨이퍼를 정전흡착해서 웨이퍼를 가열하였다. 그 후, 에칭 가스로서 CF₄ 가스를 도입하고, 약 1분 후에 인가전압을 오프하고, 리프트 핀을 들어 올림으로써 웨이퍼를 탈리시켰다. 그리고, CF₄ 가스를 더 공급하고 계속하여 1분간 방치하였다. 이 웨이퍼 흡착, 탈리, 방치의 사이클을 100회 반복하여 행하였다. 그 후, 충분히 냉각한 후에, 그 웨이퍼의 흡착면 및 정전흡착장치 적재면의 스크래치나 에칭에 의한 함몰의 상태를 관찰하였더니, 비커스 경도 Hv가 50~1000인 것에서는 웨이퍼 흡착면 및 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치, 함몰이 거의 보이지 않았고, 정전흡착장치의 절연막의 두께 감소는 거의 없었다.

한편, 상기 비커스 경도 Hv가 50미만인 것은 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치와 함몰이 확인되었고, 1000을 초과하는 것은 웨이퍼 흡착면에 스크래치가 확인되었다.

[실시예 2, 비교예 2]

실시예 1, 비교예 1에 있어서, 절연층의 제작시에 암모니아, 삼염화붕소, 메탄 및 사염화규소의 혼합비(용량비)를 8:1:0.1:1~8:1:5:1로 하고, 메탄의 공급량을 변화시켜서 1800℃, 5Torr의 조건하에서 반응시키는 이외는 동일하게 하여, 두께 200㎛의 탄소와 규소를 함유한 열분해 질화붕소 절연층을 형성하여서 정전흡착장치를 5개 제작하고, 마찬가지로 평가를 행하였다. 이 조건에서 제작된 막의 탄소 함유량은 0.001질량%, 0.01질량%, 1질량%, 10질량%, 20질량%, 규소 함유량은 15질량%이었다.

평가의 결과, 탄소 함유량이 0.01~10질량%인 것에서는 웨이퍼 흡착면 및 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치가 보이지 않았고, 정전흡착장치의 절연막의 두께 감소는 거의 보이지 않았다.

한편, 상기 탄소 함유량이 0.01질량% 미만인 것은 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치와 함몰이 확인되고, 10질량%을 초과하는 것은 웨이퍼 흡착면에 스크래치가 확인되었다. 또한, 0.01질량% 미만의 비커스 경도 Hv는 50미만이고, 10질량%을 초과하는 것은 1000을 초과하여 있었다.

[실시예 3, 비교예 3]

실시예 1, 비교예 1에 있어서, 절연층의 제작시에 암모니아, 삼염화붕소, 메탄 및 사염화규소의 혼합비(용량비)를 8:1:1:0.1~8:1:1:10로 하고, 사염화규소의 공급량을 변화시켜서 1800℃, 5Torr의 조건하에서 반응시키는 이외는 동일하게 하 여, 두께 200㎛의 탄소와 규소를 함유한 열분해 질화붕소 절연층을 형성하여서 정전흡착장치를 5개 제작하고, 마찬가지로 평가를 행하였다. 이 조건에서 제작된 막의 탄소 함유량은 1질량%, 규소함유량은 0.001질량%, 0.01질량%, 5질량%, 20질량%, 30질량%이었다.

평가 결과, 규소 함유량이 0.01~20질량%인 것에서는 웨이퍼 흡착면 및 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치와 함몰이 보이지 않았고, 정전흡착장치의 절연막의 두께 감소는 없었다.

한편, 상기 규소함유량이 0.01질량% 미만인 것은 정전흡착장치의 적재면에는 스크래치와 함몰이 확인되었고, 20질량%을 초과하는 것은 웨이퍼 흡착면에 스크래치가 확인되었다. 또한, 0.01질량% 미만 것의 비커스 경도 Hv는 50 미만이었고, 20질량%을 초과하는 것은 1000을 초과하여 있었다.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이고, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖지며 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어는 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

본 발명의 정전흡착장치는 정전흡착용 전극을 덮도록 절연층이 형성되어 있고, 피흡착물을 흡착하는 흡착면의 절연층의 비커스 경도 Hv가 50~1000이고, 절연층은 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄 중 어느 1종 이상의 원소를 함유한 열분해 질화붕소로 함으로써, 실리콘 웨이퍼나 유리 기판 등의 피흡 착물을 정전흡착장치 적재면에 정전흡착시켜서 가열ㆍ냉각을 행할 때에 웨이퍼 흡착면 또는 정전흡착장치 적재면에 스크래치가 생기는 것을 방지하고, 또한 불소계의 반도체 클리닝 가스에 대한 내식성이 우수하여 장수명화할 수 있다.

Claims

반도체 웨이퍼, 유리 기판 등의 피흡착물을 흡착하기 위한 정전흡착장치에 있어서, 지지기판의 일면에 형성된 정전흡착용 전극을 덮어서 상기 피흡착물을 흡착하는 흡착면을 이루는 절연층이 형성되어 있고, 상기 절연층은 탄소를 함유하고 또 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 함유하고, 비커스 경도 Hv가 50~1000인 열분해 질화붕소로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
제1항에 있어서, 열분해 질화붕소에 함유되는 탄소량이 0.01~10질량%인 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 열분해 질화붕소에 함유되는 규소, 알루미늄, 이트륨 및 티타늄에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소량이 0.01~20질량%인 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 절연체의 표면 조도 Ra가 1㎛ 미만이고, Rmax가 3㎛ 미만인 것을 특징으로 하는 정전흡착장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 절연체층이 화학 기상증착법에 의해서 형성된 것임을 특징으로 하는 정전흡착장치.