JP3963788B2 - 静電吸着機能を有する加熱装置 - Google Patents

静電吸着機能を有する加熱装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3963788B2
JP3963788B2 JP2002179475A JP2002179475A JP3963788B2 JP 3963788 B2 JP3963788 B2 JP 3963788B2 JP 2002179475 A JP2002179475 A JP 2002179475A JP 2002179475 A JP2002179475 A JP 2002179475A JP 3963788 B2 JP3963788 B2 JP 3963788B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrostatic adsorption
layer
boron
boron nitride
nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002179475A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004023024A (ja
Inventor
正樹 狩野
良二 岩井
延男 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2002179475A priority Critical patent/JP3963788B2/ja
Priority to KR1020030036899A priority patent/KR101188185B1/ko
Priority to EP03253824A priority patent/EP1376660B1/en
Priority to DE60334265T priority patent/DE60334265D1/de
Priority to US10/465,324 priority patent/US6917021B2/en
Publication of JP2004023024A publication Critical patent/JP2004023024A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3963788B2 publication Critical patent/JP3963788B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電吸着機能を有する加熱装置に関し、具体的には、昇温工程を含む半導体デバイスの製造工程における半導体ウエーハの加熱プロセスに好適に使用される静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスの製造工程における半導体ウエーハの加熱には、金属線を巻いたヒータが使用されていた。しかし、このヒータを使用した場合には、半導体ウエーハヘの金属汚染の問題があったため、近年、セラミックス薄膜を発熱層として使用したセラミックス一体型ウエーハ加熱装置の使用が提案されている(例えば、特開平4−124076号公報参照)。
【0003】
また、半導体ウエーハの加熱にあたっては、ヒータ上に半導体ウエーハを固定するために減圧雰囲気では静電吸着装置が使用されており、プロセスの高温化に伴ってその材質は樹脂からセラミックスに移行している(特開昭52−67353号、特開昭59−124140号公報参照)。
【0004】
また最近では、これらのセラミックス一体型ウエーハ加熱装置と静電吸着装置を合体した静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置が提案されている。例えば、エッチング工程などの低温域では静電吸着装置の絶縁体層にアルミナを用いたもの(ニューセラミックス(7)、p49〜53、1994参照)、CVD工程などの高温域においては静電吸着装置の絶縁体層に熱分解窒化ホウ素を用いたもの(特開平4−358074号、特開平5−109876号、特開平5−129210号公報、特開平7−10665号参照)が使用されている。
【0005】
一方、上記文献(ニューセラミックス(7)、p49〜53、1994)に記載されているように、静電吸着力は絶縁体層の体積抵抗率(電気抵抗率)が低くなれば強くなるが、低過ぎるとリーク電流によるデバイスの破損が生じるため、静電吸着装置の絶縁体層の体積抵抗率は1010〜1013Ωcmであることが望ましいとされている。
【0006】
しかしながら、上記静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置の絶縁体層にアルミナを用いた場合には、500℃から800℃までの中高温域において、抵抗値が低くなり過ぎてリーク電流によるデバイスの破損が発生してしまうという問題がある。また、熱分解窒化ホウ素を用いた場合には、上記中高温域で抵抗値が高くなり過ぎるため、十分な静電吸着力が得られないという問題があった。
このような問題を解決すべく、静電吸着装置の絶縁体層に1〜20重量%の炭素を含有する熱分解窒化ホウ素を用い(特開平9−278527号公報参照)、500〜800℃の中高温域においても抵抗値が適度で十分な静電吸着力を有するものが提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の静電吸着機能を有する加熱装置は、熱分解グラファイトの発熱層及び静電吸着用電極の上に熱分解窒化ホウ素の絶縁体層を接合しているため、接合がファンデルワールス力による弱い結合であり、繰り返しの昇降温で接合境界部分で剥がれが生じてしまうという問題がある。
一方、ウエーハの処理枚数を上げるためには、急速な昇降温速度が必須となっており、熱衝撃に強いものが要求されている。
従って、耐熱衝撃性に優れ、剥離の問題がなく、500〜800℃の中高温域においても抵抗値が適度で十分な静電吸着力を有する信頼性の高いウエーハ加熱装置の開発が望まれている。
【0008】
そこで本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、すなわち、耐熱衝撃性に優れ、剥離の問題がなく、500〜800℃の中高温域においても抵抗値が適度で十分な静電吸着力を有する上、リーク電流によるデバイスの破損の発生がなく、急速な昇降温でも安定して使用できる静電吸着機能を有する加熱装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するため、静電吸着機能を有する加熱装置の中高温域における静電吸着力の低下と熱衝撃による接合境界部分の剥離を防止し、中高温域における静電吸着力が高く、耐熱衝撃性に優れた加熱装置について種々検討を行った。その結果、支持基材上にホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイトからなる静電吸着用電極と発熱層を形成し、さらにその上に、電気抵抗率が10〜1015Ωcmを有する絶縁体層を形成することにより、耐熱衝撃性に優れるとともに、中高温域での静電吸着力の低下が起こらず十分な静電吸着力が得られ、さらには発熱層の抵抗率温度依存性が小さいために温度制御性が良好であり、長期にわたり安定して使用できるという有利性が得られることを知見し、本発明をなすに至った。
【0010】
すなわち、本発明によれば、少なくとも、支持基材と、該支持基材上に形成された静電吸着用電極及び発熱層と、該静電吸着用電極及び発熱層上に形成された絶縁体層とを含む静電吸着機能を有する加熱装置であって、前記静電吸着用電極及び/又は発熱層が、ホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイトからなり、かつ前記絶縁体層が、10〜1015Ωcmの電気抵抗率を有するものからなることを特徴とする静電吸着機能を有する加熱装置が提供される
【0011】
このように、支持基材上にホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイトからなる静電吸着用電極及び/又は発熱層が形成され、さらにその上に電気抵抗率が10〜1015Ωcmである絶縁体層が形成されたものとすることで、静電吸着用電極及び発熱層のアンカー効果が優れ、また、静電吸着用電極及び発熱層に添加したホウ素と、保護層及び絶縁体層中の窒素が化学的に結合して結合が強くなり、絶縁体層の剥離の問題がなく、500〜800℃の中高温域においても抵抗値が適度で十分な静電吸着力を有する上、リーク電流によるデバイスの破損の発生がない静電吸着機能を有する加熱装置とすることができる。
【0012】
静電吸着用電極及び発熱層は、支持基材上に形成された保護層を介して形成されていることが好ましい
このように支持基材上の保護層を介して静電吸着用電極及び発熱層が形成されていれば、支持基材に含まれる不純物、ガス等による汚染等を防止することができる。
【0013】
支持基材としては、窒化ケイ素焼結体、窒化ホウ素焼結体、窒化ホウ素と窒化アルミニウムの混合焼結体、アルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体、及びグラファイトのいずれかからなるものが好ましい
このような材質からなる支持基材であれば、500〜800℃の中高温域においても物性が安定しているため望ましい。
【0014】
また、保護層は、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び熱分解窒化ホウ素のいずれかからなることが好ましい
このような材質からなる保護層が支持基材上に形成されていれば、高温でも安定し、剥離することもほとんどない。
【0015】
また、絶縁体層は、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムと窒化ホウ素の混合体、熱分解窒化ホウ素、カーボンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素、及びカーボンとシリコンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素のいずれかからなることが好ましい
このような材質からなる絶縁体層であれば、静電吸着用電極及び発熱層上にアンカー効果によって強く密着、接合し、昇降温の繰り返しによっても絶縁体層が剥がれるようなことはほとんどなく、長寿命の静電吸着機能を有する加熱装置とすることができる。
【0016】
さらに、保護層、静電吸着用電極、発熱層、及び絶縁体層のうち少なくとも1つが、化学気相蒸着法により形成されたものであることが好ましい
このように化学気相蒸着法によりそれぞれ形成すれば、所望の厚さに均一に形成させることができ、剥離やパーティクルの発生を防ぐことができる。特に、静電吸着用電極及び発熱層に関しては、化学気相蒸着法により、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイト層を有利に形成することができ、これを加工してアンカー効果に優れた静電吸着用電極と発熱層とすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の静電吸着機能を有する加熱装置の一例を示している。静電吸着機能を有する加熱装置1は、円板状の支持基材2上に形成された保護層3を介して静電吸着用電極4及び発熱層5が形成され、さらに、該静電吸着用電極4及び発熱層5上に絶縁体層6が形成されている。なお、図示されていないが、外部電源と接続された静電吸着用給電端子と発熱層給電端子が、それぞれ静電吸着用電極4と発熱層5に設けられ、これらを通じてそれぞれ電気が供給される。
【0018】
そして、半導体ウエーハを加熱する場合は、ウエーハは、支持基材2の表面側の絶縁体層6の上に静電吸着用電極4によって吸着固定され、支持基材2の裏面側の導電性発熱層5によって加熱されるようになっている。
以下、加熱装置1の各構成について具体的に説明する。
【0019】
支持基材2は特に限定されるものではないが、窒化ケイ素焼結体、窒化ホウ素焼結体、窒化ホウ素と窒化アルミニウムの混合焼結体、アルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体、及びグラファイトのいずれかからなるものであれば、500〜800℃の中高温域においても物性が安定しており、特にグラファイトは2000℃以上の高温まで安定しているため望ましい。
支持基材2の形状は特に限定されず、例えば円盤状、円筒状、凸部や凹部のある円盤又は円筒状などでもよい。
【0020】
支持基材2上に形成される保護層3は、基材2に含まれる不純物、ガス等がその後の作製プロセスに影響を及ぼすのを防止する。このような保護層3は、支持基材2が例えばグラファイトからなる場合は絶縁性を確保するため必須であるし、酸化を防止するためにも必要である。一方、支持基材2が絶縁体であるなら、保護層は必ずしも形成されていなくても良いが、保護層3を形成しておけば上記のような不純物等による汚染などを防ぐことができるので好ましい。
【0021】
保護層3の材質としては、高温まで安定しているものが好ましく、窒化ケイ素、窒化ホウ素、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
また、保護層3の厚さに関しては、厚過ぎると支持基材との熱膨張の差により剥離し易くなり、薄過ぎると不純物、ガス等がピンホールより透過してその後の作製プロセスに悪影響を及ぼすおそれがあるので、10〜300μm、特に30〜150μmとすることが望ましい。
【0022】
静電吸着用電極4及び発熱層5は、ホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイトで形成されている。
このように形成された静電吸着用電極4と発熱層5は、アンカー効果を有したものとなる。従って、その上に形成された絶縁体層は良好に密着、接合し、昇降温の繰り返しによっても絶縁体層の剥がれを防止することができる。
また、ホウ素及び/又は炭化ホウ素を上記範囲で含有する熱分解グラファイトは、抵抗率の温度依存性を小さくする性質を有している。そのため、発熱層にこれを用いることで温度制御性が良くなるという利点もある。
なお、ホウ素濃度にして0.001重量%未満だとアンカー効果が得られず、一方、30重量%を超えると粒成長が大きすぎるため膜にならずに静電吸着用電極や発熱層としての機能を発揮することができないなどの問題がある。
【0023】
静電吸着用電極4及び発熱層5の厚さは特に限定されないが、10〜300μm、特に30〜150μmとすることが望ましく、この程度の厚さの静電吸着用電極と発熱層とすれば、ウエーハ等の被加熱物を好適に静電吸着して加熱することができる。
【0024】
さらに、静電吸着用電極4及び発熱層5の上に形成される絶縁体層6は、10〜1015Ωcmの電気抵抗率を有するものとする。この範囲の電気抵抗率を有する絶縁体層が形成されていれば、500℃から800℃までの中高温域において抵抗値が適度となり、リーク電流によるデバイスの破損が発生せず、十分な静電吸着力を得ることができる。
このような絶縁体層6は、好ましくは、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムと窒化ホウ素の混合体、熱分解窒化ホウ素、カーボンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素、及びカーボンとシリコンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素のいずれかからなるものとすることができる。
【0025】
絶縁体層6の厚さも特に限定されないが、50〜500μm、特に70〜150μmとすることが望ましい。
なお、一般に厚さが50〜500μmの絶縁体層を形成させた場合、静電吸着用電極あるいは発熱層の接合面が平滑であると熱膨張率の差によって容易に剥離してしまうが、本発明では、強いアンカー効果を有する静電吸着用電極4及び発熱層5が形成されているため、繰り返し昇降温を行っても絶縁体層6の剥離が防がれる。
また、上記の厚さの絶縁体層とすることで、十分な絶縁力を有するとともに500〜800℃の中高温域においても電気抵抗率が適度な大きさとなり、十分な静電吸着力を保つことができる。
【0026】
本発明に係る静電吸着機能を有する加熱装置の製造方法は特に限定されないが、化学気相蒸着法により好適に製造することができる。
例えば、静電吸着用電極と発熱層を形成させる場合は、メタンガスを1000〜2500℃、1〜10Torrの条件下で反応させ、同一反応室内にハロゲン化ホウ素をホウ素濃度として0.001〜30重量%の範囲で導入して例えば表面に保護層を有するグラファイトからなる支持基材上に熱分解グラファイト層を形成し、次いでこの熱分解グラファイト層を基材の表面側は静電吸着用電極4のパターンに、裏面側は発熱層5のパターンに加工すれば良い。このようにホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する熱分解グラファイトからなる静電吸着用電極4と発熱層5を化学気相蒸着法により形成すれば、表面に微小な凹凸が形成され、非常に優れたアンカー効果を発揮することができ、その上に形成された絶縁体層の剥離を効果的に防ぐことができる。
【0027】
保護層及び絶縁体層についても化学気相蒸着法により同様に形成させることができ、このように形成された各層は、純度が高く、剥離やパーティクルの発生が抑制されたものとなる。
なお、前記したように支持基材によっては保護層は必須ではないため、この場合は図2のように支持基材2上に直接、静電吸着用電極4及び発熱層5を形成させても良く、その他の構成は図1と同じとした静電吸着機能を有する加熱装置11とすることができる。
【0028】
【実施例】
以下、実施例および比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
直径200mm、厚さ15mmのグラファイト基材を用意し、アンモニアと三塩化ホウ素とを1800℃、100Torrの条件下で反応させて基材上に熱分解窒化ホウ素からなる保護層を形成した。次いで、この上でメタンガスを2200℃、5Torrの条件下で熱分解し、同一反応室内にハロゲン化ホウ素をホウ素濃度として0.001〜30重量%の範囲で導入することによってホウ素と炭化ホウ素が混在した厚さ100μmの熱分解グラファイト層を形成した。この熱分解グラファイト層の表面側を電極パターンに加工して静電吸着用電極とし、裏面側をヒーターパターンに加工して発熱層とした。さらに、この両面上に、アンモニアと三塩化ホウ素とメタンを1600℃、5Torrの条件下で反応させて、厚さ200μmの炭素含有熱分解窒化ホウ素絶縁体層を形成し、静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置を作製した。この絶縁体層の電気抵抗率は、10〜1013Ωcmであった。
【0029】
このものを100℃から1000℃まで1分、1000℃から100℃まで5分の昇降温速度で昇降温を10000回繰り返して試験(昇降温試験)を行ったが、電極及び発熱層と絶縁体層の接合部で剥離は観察されず、500℃におけるウエーハ上の温度分布は±4℃で変化しなかった。
【0030】
(比較例1)
比較のためにメタンガスを2200℃、5Torrの条件下で熱分解し、同一反応室内にハロゲン化ホウ素を導入せずに厚さ100μm熱分解グラファイトを電極及び発熱層として形成したこと以外は、実施例1と同様にして静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置を作製した。得られた加熱装置について同様の試験を行ったところ、試験前500℃におけるウエーハ上の温度分布は±4℃であったが、昇降温試験では、ほぼ500回で剥離が生じ、表面が盛り上がってしまってウエーハ吸着が不可能になってしまった。
【0031】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、支持基材のほか、静電吸着用電極や発熱層の形状は図1及び図2のものに限定されない。
【0032】
【発明の効果】
本発明の静電吸着機能を有する加熱装置は、静電吸着用電極及び発熱層を、ホウ素及び/又は炭化ホウ素がホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有された熱分解グラファイトからなるものを形成したことで、強いアンカー効果を発揮し、その上に形成される絶縁体層が剥離することがない。
さらに、発熱層の抵抗率温度依存性が小さいことから温度制御性が良好であるという効果も併せ持つ。
【0033】
従って、耐熱衝撃性に優れ、繰り返しの昇降温しても剥離が生じず、500〜800℃の中高温域においても抵抗値が適度で十分な静電吸着力を有する上、リーク電流によるデバイスの破損の発生がなく、急速な昇降温でも安定して使用できる静電吸着機能を有する加熱装置となる。そのため、デバイスの製造工程などにおいて、この加熱装置を用いてウエーハの加熱を行えば、デバイス歩留りが向上し、また、長期にわたり安定して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の静電吸着機能を有する加熱装置の一例を示す概略縦断面図である。
【図2】本発明の静電吸着機能を有する加熱装置の他の例を示す概略縦断面図である。
【符号の説明】
1,11…静電吸着機能を有する加熱装置、 2…支持基材、 3…保護層、
4…静電吸着用電極、 5…発熱層、 6…絶縁体層。

Claims (6)

  1. 少なくとも、支持基材と、該支持基材上に形成された静電吸着用電極及び発熱層と、該静電吸着用電極及び発熱層上に形成された絶縁体層とを含む静電吸着機能を有する加熱装置であって、前記静電吸着用電極及び/又は発熱層が、ホウ素及び/又は炭化ホウ素を、ホウ素濃度にして0.001〜30重量%の範囲で含有する化学気相蒸着法により形成された熱分解グラファイトからなり、かつ前記絶縁体層が、10〜1015Ωcmの電気抵抗率を有するものからなることを特徴とする静電吸着機能を有する加熱装置。
  2. 前記静電吸着用電極及び発熱層が、前記支持基材上に形成された保護層を介して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の静電吸着機能を有する加熱装置。
  3. 前記保護層が、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及び熱分解窒化ホウ素のいずれかからなることを特徴とする請求項に記載の静電吸着機能を有する加熱装置。
  4. 前記支持基材が、窒化ケイ素焼結体、窒化ホウ素焼結体、窒化ホウ素と窒化アルミニウムの混合焼結体、アルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体、及びグラファイトのいずれかからなることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の静電吸着機能を有する加熱装置。
  5. 前記絶縁体層が、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムと窒化ホウ素の混合体、熱分解窒化ホウ素、カーボンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素、及びカーボンとシリコンが添加されてなる熱分解窒化ホウ素のいずれかからなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の静電吸着機能を有する加熱装置。
  6. 前記絶縁体層が、化学気相蒸着法により形成されたものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の静電吸着機能を有する加熱装置。
JP2002179475A 2002-06-20 2002-06-20 静電吸着機能を有する加熱装置 Expired - Fee Related JP3963788B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002179475A JP3963788B2 (ja) 2002-06-20 2002-06-20 静電吸着機能を有する加熱装置
KR1020030036899A KR101188185B1 (ko) 2002-06-20 2003-06-09 정전흡착기능을 갖는 가열장치
EP03253824A EP1376660B1 (en) 2002-06-20 2003-06-17 Wafer heating apparatus with electrostatic attraction function
DE60334265T DE60334265D1 (de) 2002-06-20 2003-06-17 Wafer-Heizvorrichtung mit einer elektrostatischen Anziehungsfunktion
US10/465,324 US6917021B2 (en) 2002-06-20 2003-06-19 Heating apparatus with electrostatic attraction function

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002179475A JP3963788B2 (ja) 2002-06-20 2002-06-20 静電吸着機能を有する加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004023024A JP2004023024A (ja) 2004-01-22
JP3963788B2 true JP3963788B2 (ja) 2007-08-22

Family

ID=29717505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002179475A Expired - Fee Related JP3963788B2 (ja) 2002-06-20 2002-06-20 静電吸着機能を有する加熱装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6917021B2 (ja)
EP (1) EP1376660B1 (ja)
JP (1) JP3963788B2 (ja)
KR (1) KR101188185B1 (ja)
DE (1) DE60334265D1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050088159A (ko) 2003-01-17 2005-09-01 제너럴 일렉트릭 캄파니 웨이퍼 처리 장치
US7763833B2 (en) * 2004-03-12 2010-07-27 Goodrich Corp. Foil heating element for an electrothermal deicer
US7340933B2 (en) 2006-02-16 2008-03-11 Rohr, Inc. Stretch forming method for a sheet metal skin segment having compound curvatures
US7923668B2 (en) 2006-02-24 2011-04-12 Rohr, Inc. Acoustic nacelle inlet lip having composite construction and an integral electric ice protection heater disposed therein
US7291815B2 (en) * 2006-02-24 2007-11-06 Goodrich Corporation Composite ice protection heater and method of producing same
WO2008048705A2 (en) 2006-03-10 2008-04-24 Goodrich Corporation Low density lightning strike protection for use in airplanes
JP4654152B2 (ja) * 2006-04-13 2011-03-16 信越化学工業株式会社 加熱素子
KR101329630B1 (ko) 2006-04-13 2013-11-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 가열소자
CN101565893B (zh) * 2006-05-02 2015-05-20 罗尔股份有限公司 制造纳米增强碳纤维和含有纳米增强碳纤维的组件的方法
US7784283B2 (en) * 2006-05-03 2010-08-31 Rohr, Inc. Sound-absorbing exhaust nozzle center plug
JP2007317820A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着装置
US20080166563A1 (en) 2007-01-04 2008-07-10 Goodrich Corporation Electrothermal heater made from thermally conducting electrically insulating polymer material
US7837150B2 (en) * 2007-12-21 2010-11-23 Rohr, Inc. Ice protection system for a multi-segment aircraft component
JP4712836B2 (ja) * 2008-07-07 2011-06-29 信越化学工業株式会社 耐腐食性積層セラミックス部材
US8561934B2 (en) 2009-08-28 2013-10-22 Teresa M. Kruckenberg Lightning strike protection
JP5915026B2 (ja) * 2011-08-26 2016-05-11 住友大阪セメント株式会社 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置
JP5894401B2 (ja) * 2011-09-12 2016-03-30 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 ポスト型セラミックスヒータおよびその製造方法
US9640514B1 (en) 2016-03-29 2017-05-02 Globalfoundries Inc. Wafer bonding using boron and nitrogen based bonding stack
WO2019078036A1 (ja) * 2017-10-18 2019-04-25 新日本テクノカーボン株式会社 サセプター
KR102177139B1 (ko) * 2019-05-17 2020-11-11 비씨엔씨 주식회사 저항 조절이 가능한 반도체 제조용 부품

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5267353A (en) 1975-12-01 1977-06-03 Hitachi Ltd Electrostatic chuck
JPS59124140A (ja) 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 静電吸着装置
JP2779052B2 (ja) 1990-09-13 1998-07-23 信越化学工業株式会社 複層セラミックス・ヒーター
US5155652A (en) 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
JP3081279B2 (ja) 1991-06-03 2000-08-28 電気化学工業株式会社 ホットプレート
JP3155792B2 (ja) 1991-11-01 2001-04-16 電気化学工業株式会社 ホットプレート
JP2749759B2 (ja) * 1993-06-23 1998-05-13 信越化学工業株式会社 静電チャック付セラミックスヒーター
JPH07307377A (ja) * 1993-12-27 1995-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付セラミックスヒーター
JP3835491B2 (ja) 1996-04-04 2006-10-18 信越化学工業株式会社 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
US5748436A (en) * 1996-10-02 1998-05-05 Advanced Ceramics Corporation Ceramic electrostatic chuck and method
JPH11157953A (ja) * 1997-12-02 1999-06-15 Nhk Spring Co Ltd セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置
JPH11260534A (ja) * 1998-01-09 1999-09-24 Ngk Insulators Ltd 加熱装置およびその製造方法
JPH11354260A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 複層セラミックスヒータ
US6462928B1 (en) * 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
US6490146B2 (en) * 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
JP3813381B2 (ja) * 1999-06-25 2006-08-23 信越化学工業株式会社 複層セラミックスヒーター
JP3869160B2 (ja) * 1999-06-30 2007-01-17 信越化学工業株式会社 複層セラミックスヒータおよびその製造方法
US6140624A (en) * 1999-07-02 2000-10-31 Advanced Ceramics Corporation Pyrolytic boron nitride radiation heater
US6423615B1 (en) * 1999-09-22 2002-07-23 Intel Corporation Silicon wafers for CMOS and other integrated circuits
US6410172B1 (en) * 1999-11-23 2002-06-25 Advanced Ceramics Corporation Articles coated with aluminum nitride by chemical vapor deposition
JP4430769B2 (ja) * 1999-12-09 2010-03-10 信越化学工業株式会社 セラミックス加熱治具
KR20020046214A (ko) * 2000-12-11 2002-06-20 어드밴스드 세라믹스 인터내셔날 코포레이션 정전척 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101188185B1 (ko) 2012-10-09
EP1376660A3 (en) 2007-05-02
KR20030097657A (ko) 2003-12-31
US6917021B2 (en) 2005-07-12
JP2004023024A (ja) 2004-01-22
US20030234248A1 (en) 2003-12-25
DE60334265D1 (de) 2010-11-04
EP1376660B1 (en) 2010-09-22
EP1376660A2 (en) 2004-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3963788B2 (ja) 静電吸着機能を有する加熱装置
JPH07307377A (ja) 静電チャック付セラミックスヒーター
JPH08227933A (ja) 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JP4811608B2 (ja) 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JP3699349B2 (ja) ウエハー吸着加熱装置
JP2006287210A (ja) 静電チャック及びその製造方法
JP4498477B2 (ja) 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法
JP4498476B2 (ja) 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法
JP3586034B2 (ja) 静電チャック
JP3914377B2 (ja) 静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置
JP2008300374A (ja) 静電吸着装置
JP2008159900A (ja) 静電チャック付きセラミックヒーター
KR20070113959A (ko) 정전흡착장치
JP2011100844A (ja) 静電吸着機能を有する装置及びその製造方法
JP2000306986A (ja) 静電チャック
JP3662909B2 (ja) ウエハー吸着加熱装置及びウエハー吸着装置
JP4021254B2 (ja) 静電吸着機能を有する加熱装置及びその製造方法
JP3393714B2 (ja) クランプリング
JP3835491B2 (ja) 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JPH09213779A (ja) セラミックス静電チャック
JP4302428B2 (ja) 静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置
JP3862864B2 (ja) セラミックスヒータ
JPH07297267A (ja) 静電チャック付セラミックスヒーター
JP2000012665A (ja) セラミックス部品
JPH06140133A (ja) 複層セラミックスヒーター

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040628

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070501

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070522

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3963788

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100601

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees