JPS59124140A - 静電吸着装置 - Google Patents
静電吸着装置Info
- Publication number
- JPS59124140A JPS59124140A JP23194482A JP23194482A JPS59124140A JP S59124140 A JPS59124140 A JP S59124140A JP 23194482 A JP23194482 A JP 23194482A JP 23194482 A JP23194482 A JP 23194482A JP S59124140 A JPS59124140 A JP S59124140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrostatic
- substrate
- electrodes
- buried
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は静電吸着装置に係り、特に高温かつ真空算量気
中において使用可能な静電吸着装置に関“ するも
のである。
中において使用可能な静電吸着装置に関“ するも
のである。
（ｂ） 技術の背景
試料を保持、固定するいわゆるチャッキング方法として
は一般には機械的方法によるメカニカルチャックが用い
られるがそれが不可能或は望ましくない場自は真空チャ
ック、静電チャックなどの方法が提案されている。この
うち静電チャックは静電引力を原理とする方法で比較的
軽量で真空中での操作を要するものに有利であり、特に
静電チャックが有用な場合として半導体製造工程が挙げ
られる。
は一般には機械的方法によるメカニカルチャックが用い
られるがそれが不可能或は望ましくない場自は真空チャ
ック、静電チャックなどの方法が提案されている。この
うち静電チャックは静電引力を原理とする方法で比較的
軽量で真空中での操作を要するものに有利であり、特に
静電チャックが有用な場合として半導体製造工程が挙げ
られる。
（Ｑ） 従来技術と問題点
従来たとえば半導体製造工程における蒸）ａ、ドライエ
ツチング或いは減圧気相成長工程は真空中または極めて
低圧下で行われるため真空チャックを使用することがで
きず、又メカニカルチャックはいかなる形であれ表面の
一部をチャックのｊ此が覆うことになり半導体ウェーハ
のその部分には半導体装置を作ることができず更にナヤ
ツキングの力がごく一部にしかかからないのでウェーハ
のソス リタはワレの発生を生じ望ましい方法とはいえない。更
に、チャックの材料からの汚染も無視できない欠点であ
る。蒸着、ヌパッター、プラズマ気イ″目成長において
前述のチャッキングの場合、チャックの腕に４膜が付着
し、動作の信頼性を極めて低Ｆせしめる童が多い。この
点静電チャックは真空中でも用いることができ、チャッ
クの１屍は必要でなくチャッキングの力も一様にかかる
のでこれらの工程におけるチャッキング方法としては非
常に荷利である。ところで従来の静眠チャック即ち静電
吸着装置は第１図に示すごとくたとえばシリコン樹脂の
ような有機物よりなる吸着基板ｌ内に一対の電極２・３
が埋設されており、該屯極北の絶縁膜４を介して試料た
とえば半導体ウェーハ５ケ吸着基板１表面に、前記一対
の電極２・３に所定の１ぼ流成圧を印加することによっ
て静電的に吸着、保持する事により、前記半導体ウェー
ハ５に必要な処理加工を施すことができる。しかしなが
ら静電吸着装置を構成する前記吸着基板ｌは通常、１述
したように有機樹脂を構成部材としており、かかる場合
樹脂の１耐熱性から使用ｌ都度は約２００℃位までが限
度である。−万半４体製造工程において加熱ヌバッター
、或はプラズマ化学気相成長などの工程においては約り
００℃〜６００℃程度に半１″４体ウェーハを加熱する
必要があるためＬ記静醒吸着装置を使用することができ
ない問題があった。
ツチング或いは減圧気相成長工程は真空中または極めて
低圧下で行われるため真空チャックを使用することがで
きず、又メカニカルチャックはいかなる形であれ表面の
一部をチャックのｊ此が覆うことになり半導体ウェーハ
のその部分には半導体装置を作ることができず更にナヤ
ツキングの力がごく一部にしかかからないのでウェーハ
のソス リタはワレの発生を生じ望ましい方法とはいえない。更
に、チャックの材料からの汚染も無視できない欠点であ
る。蒸着、ヌパッター、プラズマ気イ″目成長において
前述のチャッキングの場合、チャックの腕に４膜が付着
し、動作の信頼性を極めて低Ｆせしめる童が多い。この
点静電チャックは真空中でも用いることができ、チャッ
クの１屍は必要でなくチャッキングの力も一様にかかる
のでこれらの工程におけるチャッキング方法としては非
常に荷利である。ところで従来の静眠チャック即ち静電
吸着装置は第１図に示すごとくたとえばシリコン樹脂の
ような有機物よりなる吸着基板ｌ内に一対の電極２・３
が埋設されており、該屯極北の絶縁膜４を介して試料た
とえば半導体ウェーハ５ケ吸着基板１表面に、前記一対
の電極２・３に所定の１ぼ流成圧を印加することによっ
て静電的に吸着、保持する事により、前記半導体ウェー
ハ５に必要な処理加工を施すことができる。しかしなが
ら静電吸着装置を構成する前記吸着基板ｌは通常、１述
したように有機樹脂を構成部材としており、かかる場合
樹脂の１耐熱性から使用ｌ都度は約２００℃位までが限
度である。−万半４体製造工程において加熱ヌバッター
、或はプラズマ化学気相成長などの工程においては約り
００℃〜６００℃程度に半１″４体ウェーハを加熱する
必要があるためＬ記静醒吸着装置を使用することができ
ない問題があった。
（１）発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので高温
処理工程に使用可能な静電吸着装置の提供と、更に該静
電吸着装置による直接加熱及び測温可能な静電吸着装置
の提供にある。
処理工程に使用可能な静電吸着装置の提供と、更に該静
電吸着装置による直接加熱及び測温可能な静電吸着装置
の提供にある。
（ｅ） 発明の構成
その目的を達成するため本発明による静゛（社）吸着装
置は一対の電極が埋設された吸着基板上に試料を載置し
、前記電極間に直流電圧を印加して吸ｆ（を基板上に試
料を静電的に吸着せしめる静電吸着装置において、前記
吸着基板がセラミックス部材よりｍ成されてなることを
特徴とし、史に該セラミックス部材内に熱電対及び加熱
体、或はその一方が埋設されてなることを特徴とする。
置は一対の電極が埋設された吸着基板上に試料を載置し
、前記電極間に直流電圧を印加して吸ｆ（を基板上に試
料を静電的に吸着せしめる静電吸着装置において、前記
吸着基板がセラミックス部材よりｍ成されてなることを
特徴とし、史に該セラミックス部材内に熱電対及び加熱
体、或はその一方が埋設されてなることを特徴とする。
ぽ）＠明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図四及び（ｂ）は本発明の一実施例による静電吸着
装置の要部側断面図及び第２図（ａ）のＡ−へ断面を示
す。第２図（ａ）において、アｌレミナ（Ａｒ２ｕｓ’
） ＊ ンリカ（５ｉ０２ ）及びマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）などの混会物から成るセラミックス部材より横１戊
される吸着基板ｌＯ内に一対の１［極１１・１２が埋設
されており該セラミックス吸着基板は高融点でかつ加工
性の優れたたとえばマコール（ダウコーニング社製）の
セラミックス部材を用いて製作される。前記一対の電極
１１・１２間に所定の直流電圧を印加してセラミックス
吸着基板トに試料たとえば半４滓ウェー／１５を静電的
に吸着した後、抵真空処理室内の反応プラズマガスの分
解によって、所定温度（一般には４００Ｃ〜６００Ｃ）
に迄加熱された半４咋ウェーハ５１に所望の成畏膜を形
成することが可能となる。更に前記セラミックス吸着基
板ＩＯ内に第２図ｔ１））に図示したように加熱体１３
及び熱電対１４が同時に埋設された構造にすれば直接半
４体ウェーハを加熱し、かつセラミックス吸着基板１０
の所望箇所に埋設された熱電対１４によって、処理され
る半導体ウェーハの温度管理全正確に行なうことかり能
となり、北記グラズマ化学気相成長、或は加熱スパッタ
などのプロセス条件の安定化をはかることができる。
装置の要部側断面図及び第２図（ａ）のＡ−へ断面を示
す。第２図（ａ）において、アｌレミナ（Ａｒ２ｕｓ’
） ＊ ンリカ（５ｉ０２ ）及びマグネシア（Ｍｇ
Ｏ）などの混会物から成るセラミックス部材より横１戊
される吸着基板ｌＯ内に一対の１［極１１・１２が埋設
されており該セラミックス吸着基板は高融点でかつ加工
性の優れたたとえばマコール（ダウコーニング社製）の
セラミックス部材を用いて製作される。前記一対の電極
１１・１２間に所定の直流電圧を印加してセラミックス
吸着基板トに試料たとえば半４滓ウェー／１５を静電的
に吸着した後、抵真空処理室内の反応プラズマガスの分
解によって、所定温度（一般には４００Ｃ〜６００Ｃ）
に迄加熱された半４咋ウェーハ５１に所望の成畏膜を形
成することが可能となる。更に前記セラミックス吸着基
板ＩＯ内に第２図ｔ１））に図示したように加熱体１３
及び熱電対１４が同時に埋設された構造にすれば直接半
４体ウェーハを加熱し、かつセラミックス吸着基板１０
の所望箇所に埋設された熱電対１４によって、処理され
る半導体ウェーハの温度管理全正確に行なうことかり能
となり、北記グラズマ化学気相成長、或は加熱スパッタ
などのプロセス条件の安定化をはかることができる。
更に、静電吸着はれているため内部に埋設された加熱体
により効率よく、均一にウェーハを昇温させる事ができ
る。
により効率よく、均一にウェーハを昇温させる事ができ
る。
１ｇ）発明の詳細
な説明したごとく本発明の一実施例によれば静電吸着装
置の吸着基板をセラミックス部材より構成することによ
って試料の高温処理が「１」能となり、たとえば蒸看、
スパッター、プラズマ気相１戊長装置などの高温減圧薄
膜成長装置ｄ内で試料を作詩して処理することができ、
半纏（４）製？ｘ工程における広範囲の利用信置を生じ
、更に該セラミックス部材内に加熱体及び熱′電対を埋
設することによって、ｋ、記各種装置内での試料の保持
、加熱及び温度管理を行なうことが可能となり、プロセ
ス条件の安定化をはかることができ品質向丘に大きな効
果がある。
置の吸着基板をセラミックス部材より構成することによ
って試料の高温処理が「１」能となり、たとえば蒸看、
スパッター、プラズマ気相１戊長装置などの高温減圧薄
膜成長装置ｄ内で試料を作詩して処理することができ、
半纏（４）製？ｘ工程における広範囲の利用信置を生じ
、更に該セラミックス部材内に加熱体及び熱′電対を埋
設することによって、ｋ、記各種装置内での試料の保持
、加熱及び温度管理を行なうことが可能となり、プロセ
ス条件の安定化をはかることができ品質向丘に大きな効
果がある。
第１図は従来の静電吸着装置の要部側断面図、第２図（
ａ）及び（ｂ）は′４：、発明の一実施例による四部側
断面図及び第２図（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示す。 図において５は試料、１０は吸着基板、１１・１２は酸
極、１３は加熱体、１４は熱電対を示す。 第１図 第２図 （０）
ａ）及び（ｂ）は′４：、発明の一実施例による四部側
断面図及び第２図（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示す。 図において５は試料、１０は吸着基板、１１・１２は酸
極、１３は加熱体、１４は熱電対を示す。 第１図 第２図 （０）
Claims (2)
- （１）一対の直物が埋設された吸着基板りに試料を載置
し、前記電極間に１区流電圧を印加して吸着基板とに試
料を静電的に吸着せしめる静電吸着装置において、前記
吸着基板がセラミックス部材より構成されてなることを
特徴とする静電吸着装置。 - （２） Ａｉ１記セラミックス部材内に熱電対及び加
熱体、或はその一方が埋設されてなることを特徴とする
特Ｉ「請求の範囲第１項記載の静電吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23194482A JPS59124140A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 静電吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23194482A JPS59124140A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 静電吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124140A true JPS59124140A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16931504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23194482A Pending JPS59124140A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 静電吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124140A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639945A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Fujitsu Ltd | 真空中の電気特性測定方法 |
| FR2641436A1 (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-06 | Labo Electronique Physique | |
| WO1991003833A1 (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-21 | Mcnc | Electrostatic handling device |
| JPH03108323A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-08 | Watkins Johnson Co | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 |
| JPH0487179A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| EP0676793A2 (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-11 | Canon Sales Co., Inc. | Substrate holder and reaction apparatus |
| EP0734055A2 (en) * | 1991-11-07 | 1996-09-25 | Varian Associates, Inc. | Anti-stick electrostatic chuck for a low pressure environment |
| US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| WO1997037375A1 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Lam Research Corporation | Solid state temperature controlled substrate holder |
| EP0887853A2 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chucks for holding substrates in process chambers |
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| US6092299A (en) * | 1997-09-05 | 2000-07-25 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| EP1119023A2 (en) * | 1993-09-16 | 2001-07-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| US6292346B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-09-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Equipment for holding a semiconductor wafer, a method for manufacturing the same, and a method for using the same |
| US6820795B2 (en) | 2001-09-05 | 2004-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined article of a supporting member for a semiconductor wafer and a method of producing the same |
| US6917021B2 (en) | 2002-06-20 | 2005-07-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus with electrostatic attraction function |
| US6949726B2 (en) | 2003-08-27 | 2005-09-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus having electrostatic adsorption function |
| US6953918B2 (en) | 2002-11-01 | 2005-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus which has electrostatic adsorption function, and method for producing it |
| EP1689211A2 (en) | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for restoring ceramic heater |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277671A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Toshiba Corp | Method and equipment of masking |
| JPS53139980A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-06 | Philips Nv | Method of and device for producing microminiature solid state device |
| JPS57148356A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Hitachi Ltd | Sample holding device |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23194482A patent/JPS59124140A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277671A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Toshiba Corp | Method and equipment of masking |
| JPS53139980A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-06 | Philips Nv | Method of and device for producing microminiature solid state device |
| JPS57148356A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Hitachi Ltd | Sample holding device |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639945A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Fujitsu Ltd | 真空中の電気特性測定方法 |
| FR2641436A1 (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-06 | Labo Electronique Physique | |
| WO1991003833A1 (en) * | 1989-09-06 | 1991-03-21 | Mcnc | Electrostatic handling device |
| JPH0652722B2 (ja) * | 1989-09-19 | 1994-07-06 | ワトキンズ―ジョンソン カンパニー | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 |
| JPH03108323A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-08 | Watkins Johnson Co | ヒータ組立体及び基板の加熱方法 |
| JP2518962B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1996-07-31 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒ―タ― |
| JPH0487179A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| EP0734055A2 (en) * | 1991-11-07 | 1996-09-25 | Varian Associates, Inc. | Anti-stick electrostatic chuck for a low pressure environment |
| EP0734055A3 (en) * | 1991-11-07 | 1996-11-27 | Varian Associates | Anti-static electrostatic holding plate for a low pressure environment |
| US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| EP1119023A2 (en) * | 1993-09-16 | 2001-07-25 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| EP1119023A3 (en) * | 1993-09-16 | 2006-06-07 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
| EP0676793A2 (en) * | 1994-04-06 | 1995-10-11 | Canon Sales Co., Inc. | Substrate holder and reaction apparatus |
| EP0676793A3 (en) * | 1994-04-06 | 1998-01-21 | Canon Sales Co., Inc. | Substrate holder and reaction apparatus |
| US5858100A (en) * | 1994-04-06 | 1999-01-12 | Semiconductor Process Co., Ltd. | Substrate holder and reaction apparatus |
| US5958140A (en) * | 1995-07-27 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | One-by-one type heat-processing apparatus |
| WO1997037375A1 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Lam Research Corporation | Solid state temperature controlled substrate holder |
| EP0887853A2 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chucks for holding substrates in process chambers |
| EP0887853A3 (en) * | 1997-06-27 | 2000-03-15 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chucks for holding substrates in process chambers |
| US6092299A (en) * | 1997-09-05 | 2000-07-25 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US6292346B1 (en) | 1998-07-24 | 2001-09-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Equipment for holding a semiconductor wafer, a method for manufacturing the same, and a method for using the same |
| US6820795B2 (en) | 2001-09-05 | 2004-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined article of a supporting member for a semiconductor wafer and a method of producing the same |
| US6917021B2 (en) | 2002-06-20 | 2005-07-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus with electrostatic attraction function |
| US6953918B2 (en) | 2002-11-01 | 2005-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus which has electrostatic adsorption function, and method for producing it |
| US6949726B2 (en) | 2003-08-27 | 2005-09-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heating apparatus having electrostatic adsorption function |
| EP1689211A2 (en) | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for restoring ceramic heater |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59124140A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH01185176A (ja) | 静電吸着を用いた処理方法 | |
| WO2021111732A1 (ja) | 吸着保持装置及び対象物表面加工方法 | |
| KR20170017763A (ko) | 실리콘 웨이퍼 이송을 위한 고 마찰력 및 컴플라이언스를 위해 고-경도-재료-분말 주입된 탄성체 | |
| JPH1064986A (ja) | 汚染抑制層を有する基板支持チャック及びその製造方法 | |
| JPH0434953A (ja) | 静電チャック板 | |
| JPH04367247A (ja) | セラミック製静電チャック | |
| JP2004158492A (ja) | 静電吸着機能を有する加熱装置及びその製造方法 | |
| JPH04358074A (ja) | ホットプレート | |
| JP2501504B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH0945756A (ja) | 半導体製造装置および製造方法 | |
| JPH06124998A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06177231A (ja) | 静電チャック | |
| JP2024507802A (ja) | 異なるセラミックを用いた静電チャック | |
| JP3181006B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3180998B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH074718B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH0766271A (ja) | 静電吸着装置 | |
| US3650822A (en) | Method of producing epitactic semiconductor layers on foreign substrates | |
| JPS6156842A (ja) | 静電吸着板 | |
| KR101617006B1 (ko) | 히터가 구비된 정전척 및 그 제조방법 | |
| JPH0529431A (ja) | 基板搬送用アーム | |
| JPH04122046A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2004349665A (ja) | 静電チャック | |
| JPS6155918A (ja) | 半導体製造装置 |