JPH0652722B2 - ヒータ組立体及び基板の加熱方法 - Google Patents

ヒータ組立体及び基板の加熱方法

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JPH0652722B2
JPH0652722B2 JP2242305A JP24230590A JPH0652722B2 JP H0652722 B2 JPH0652722 B2 JP H0652722B2 JP 2242305 A JP2242305 A JP 2242305A JP 24230590 A JP24230590 A JP 24230590A JP H0652722 B2 JPH0652722 B2 JP H0652722B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は半導体ウェーファのような基板を処理するのに
用いるヒータ組立体及びその作動方法に関するものであ
り、特に化学蒸着（ＣＶＤ）反応器内で用いるためのそ
のようなヒータ組立体及び作動方法に関するものであ
る。
（発明の背景） 半導体ウェーファ処理方法、例えばＣＶＤ及び類似の方
法においては、シリコンウェーファのような基板は典型
的には異なる薄膜堆積又はエッチング作業を実施するた
めに種々の温度に加熱される。従来技術においては、こ
れらの薄肉基板を加熱するために種々の技法が採用され
てきた。それらは(1)赤外加熱、(2)可視光線源加熱、
(3)高周波接続ヒータ及び(4)ホットプレートヒータを含
んでいる。
第一のタイプのヒータにおいては、基板はシリコンウェ
ーファ中に所要の一様な温度を得る試みとして赤外線ラ
ンプ列を通って物理的に回転させられた。しかしなが
ら、物理的回転段階はウェーファを通っての又は上への
ガス流の流れと干渉しがちであり、加工限界が生ずるこ
とになった。
第二の加熱方法においては、極めて複雑、高価な光学的
リフレクタを採用することによって一様な温度を達成す
ることが試みられた。温度の安定性及び一様性はそれぞ
れの放射率による種々の表面の複雑な放射干渉作用によ
って決定された。
第三の方法はやはり複雑、高価ではあるが特に１０００
〜１２００℃の範囲の温度で処理するのに通常採用され
てきた。しかしながら、この方法では基板にやや最適な
温度の一様性は与えられるものの、まずまずのレベルの
温度一様性さえ獲得するには操作が極めて困難となる。
第四の方法は典型的には例えば５００℃以下の低温度用
途に採用されてきた。そのようなホットプレートヒータ
は通常セラミック又は誘導体プレート又はアルミニウム
のような高熱伝導金属内の埋込み抵抗ワイヤからなって
いる。この方法によれば満足な温度の一様性が得られて
いるものの、高温度処理に用いるのには適していないこ
とが判明している。この理由としては、例えば金属の融
点、採用される接合物質並びに加熱要素及び金属からの
特にそのような高温度における汚染物の放射によってき
まってくる制限事項がある。
（発明の要約） 従って、そのような技法において用いる改良されたヒー
タ組立体及び作動の方法に対するニーズがあることが判
明している。一般的に言って、前述したような半導体ウ
ェーファ処理技術においては全ウェーファ領域にわたっ
て、ウェーファ又は基板上に一様な膜処理加工（例えば
堆積又はエッチング加工）を施す際には典型的には±２
℃を超えない温度変動が必要とされる。そのような温度
の一様性は典型的には２５０〜１２５０℃の温度範囲内
に行うプロセスにおいて必要とされる。
半導体処理技術を更に複雑化するものにウェーファは基
板を一方の側のみから加熱して、（基板の他方の側上に
設けた）ガス供給システムが最適の化学処理作用のため
異なる温度にあることを許容する必要があるということ
がある。そのような加熱技法においては基板の中央部分
における熱損失がエッジ部分における熱損失と極めて異
なるものになり易いという基本的な問題点がある。かく
して、もしも基板がその領域にわたって一様に加熱され
たならば、基板の熱損失特性により、通常基板において
得られる温度プロファイルは直径方向の横断面において
眺めた時に、直径方向エッジにおいて相対的に低く、こ
れらの直径方向極辺間の中間においては相対的に高いも
のとなる。更には、前述した相対的熱損失及び温度プロ
ファイルは異なる温度レベル及び異なる圧力において変
化する。かくして、ある基板に対して処理温度を増大さ
せてやると、温度プロファイルにも対応した増大部分が
あらわれる。すなわち、基板の異なる部分における最大
及び最小温度間の差異がより大きくなる。加えるに、前
記温度プロファイルは又処理圧力によっても影響を受け
る。これは部分的には約５トール以下の圧力において、
熱伝導機構は殆んどが輻射によるものであるのに対し
て、約１０トールを超えた圧力においては、熱伝導機構
は輻射及び対流の組合せを含んでいるということによる
ものである。
いづれにせよ、前述の議論は基板中の一様な表面温度を
維持すること、特に基板が種々の温度及び／又は圧力に
おいて処理される場合にそうすることの困難さを改めて
強調するために行ったものである。
従って本発明の一つの目的は基板又はウェーファの処理
において用いる。前述した一つ又はそれ以上の問題点を
克服した、改良されたヒータ組立体及びその作動方法を
提供することである。
より具体的に言うならば、本発明の一つの目的は半導体
ウェーファ加工及びその類いに用いるヒータ組立体にし
て、同ウェーファ内に一様な昇温度を誘起し、維持する
ためのヒータ組立体を提供することであり、同組立体は
全体として円形の表面を備えた誘電体ヒータベースと、
複数個のヒータ要素にしてこれらはヒータベースの円形
表面を実質的に覆い半径方向に隔置され、円周方向に延
びるセグメントを形成しているヒータ要素と、前記ヒー
タ要素セグメントから隔置された関係を以って、かつ又
ヒータ要素及び基板の中間において配設されたヒータシ
ュラウドと、前記複数個のヒータ要素を作動させるため
の個別の手段装置と、ヒータ要素セグメント近傍に不活
性ガスのブランケットを維持するための手段装置とを含
んでいる。
そのような組合せ物はマルチゾーン平面ヒータ組立体及
びそのため作動方法を提供しており、これによれば前述
した温度プロファイル効果を除去又は最小にするため基
板に対する加熱パターンを修整することが可能となる特
に、前記ヒータ組立体には任意の数のヒータ要素セグメ
ントにして好ましくは半径方向に分離され、形状が円周
方向に延びたものとされているヒータ要素セグメントを
設けることが出来る。そのようなヒータ形状にすると、
前記異なるヒータ要素セグメントを調節することによ
り、異なる加熱温度を達成し、基板中における温度変動
を補償するか又は実質的に除去することが出来る。
前記ヒータ要素セグメントは好ましくは導電性物質又は
抵抗加熱の出来る金属から形成されている。その場合前
記誘導体ヒータベースは、ヒータ要素セグメントと類似
の熱膨脹係数を備えるとともに、ヒータ要素から分離し
にくく、急速かつ大幅な温度変動の際寸法的に安定した
ままでいられる誘導体から形成されるのが好ましい。特
に好ましい物質の組合せは、ヒータベースを形成する窒
化ホウ素と、ヒータ要素セグメントを形成する熱分解グ
ラフファイトの組合せである。
好ましい構成の方法においては、前記ヒータ要素のため
の導電性物質がヒータベース上に一様に堆積され、同導
電性物質の円周方向領域が次に例えば機械加工によって
除去され、半径方向に隔置されたヒータ要素セグメント
が画成される。各ヒータ要素セグメントは又半径方向に
延びる線又は領域によって阻止されることによって、各
ヒータセグメントの相対する端部部分上に抵抗加熱を誘
起するための電気的接点を作ることが好ましい。
本発明の更に目的とする所は、例えば酸化等を防止する
ためにヒータ要素上に不活性ガスのブラケットを維持す
るための手段装置を含んだヒータ組立体及び作動の方法
を提供することである。好ましくは、ヒータベース内の
中央開口が不活性ガスをしてヒータ要素上を半径方向外
向きに流すための同ガス取入口を形成している。かくす
れば前記不活性ガスはヒータシュラウドの周緑のまわり
に排気することが可能である。
好ましくは、前記ヒータ組立体は反応炉乃至反応器チャ
ンバ、より具体的には反応炉乃至ＣＶＤ反応器チャンバ
内で用いられるようにされている。例えば、本発明のヒ
ータ組立体は本発明者が「シリコン酸化物膜及び製品の
堆積方法」と題して１９８９年６月２２日に出願した米
国特許出願第０７／３７０，３３１号に開示されたＣＶ
Ｄ堆積方法に用いることが意図されている。加えるに、
本発明のヒータ組立体は又本発明者によって「化学蒸着
反応器及び作動の方法」と題して１９８９年７月２８日
に出願された別の米国特許出願第０７／３８６，９０３
号に開示されたタイプのＣＶＤ反応炉チャンバ内で用い
ることが意図されている。これらの２つの出願は従って
本発明のより完全に理解するために、それらの全文を参
考文献として挙げておく。
本発明の更に別の目的は前述のようなヒータ組立体の作
動方法を提供することである。ヒータ組立体の構造及び
作動方法の両方において多重加熱要素及び不活性ガスの
流れを規制するための手段装置の両者はウェーファの処
理を容易化するために種々変化させることが可能であ
る。特に、異なるヒータ要素の加熱効果を調節すること
によって、基板を直径方向に横切って発生する温度変動
は例え作動温度及び／又は圧力が広範囲なものであって
も容易に実質除去するかあるいは満足なレベルへと減少
させることが可能である。更には、それぞれの加熱要素
の加熱能力は極めて短時間の内に基板を極めて高い温度
へと急速加熱することが出来るように選ばれる。例え
ば、本発明のヒータ組立体は基板すなわち半導体ウェー
ファを室温から典型的には１０００〜１１００℃である
所望の処理温度へと、約１分間の時間間隔で加熱してや
るのに採用可能と考えられる。
同時に、不活性ガスの流量及び／又は種類を調節出来る
能力はヒータ組立体の汎用性を更に高めるものである。
例えば、酸化を防止するのに加えて、例えば各処理操作
間における不活性ガスの流量を増大させることにより、
ヒータ組立体及び基板の両者をより迅速に冷却し、順次
操作が必要な場合には基板の交換を容易化することが可
能である。
以下付図を参照して本発明のより詳細な説明を行なう。
（好ましい実施例の説明） 次に付図、特に第１図乃至第３図を参照すると、本発明
に係り構成されたヒータ組立体が全体として１０で示さ
れている。ヒータ組立体１０は第４図の１２で図式的に
示されるような反応器内で用いるようにされているのが
好ましい。前記ＣＶＤ反応器１２は例えばその詳細を前
述の同時出願明細書内において説明したタイプのものと
することが出来る。従って、ＣＶＤ反応器そのもの又は
その全体的作動モードを更に説明することは本発明の範
囲内では必要無いと考えられる。
特に第２図を参照すると、ヒータ組立体１０は第４図に
例示したような反応炉チャンバ内に装着されることが出
来る、水冷のヒータ支持構造体１４を含んでいる。
管状のライザ１６が前記構造体の中央に取付けられてお
り、ヒータ支持点１８はその上に装着されている。管状
ライザ１６及びヒータ支持点１８の両者は予定される高
温度に耐え、汚染物が内部に導入されることを防止する
ためにニッケルメッキのステンレス綱から形成されてい
るのが好ましい。
以下詳細に説明するように、適当な誘導体材料から形成
された円板形状のヒータベース２０が支持プレート１８
上に装着されており、全体として２２で示されている複
数個のヒータ要素がヒータベースの全体として円形の表
面２４上に配設されている。ヒータベース２０及びヒー
タ要素２２の構成が以下詳細に説明されている。
ヒータ組立体の全体構造について述べると、カバー又は
シュラウド２６も又ヒータ要素２２から隔置された関係
をなして構造体１４によって支持されている。好ましく
は、前記シュラウド２６は石英のような材質から形成さ
れており、ヒータ要素２２の直上の上側表面上において
基板即ちシリコンウェーファ２６を支持するための手段
装置を含んでいる。
前記シュラウド２６はヒータベース２０及び支持プレー
ト１８のまわりで隔置関係をなして下向きに延びるフラ
ンジ又はスカートを含んでいる。スカート３０も又構造
体１４の円筒状フランジ部分３０から隔置されている。
かくして、前記シュラウド２６はヒータ要素上方におい
て基板２８を支持するとともにヒータ要素の上方のスペ
ースを取囲み、不活性ガスのブランケットが以下詳細に
述べるようにヒータ要素上に形成され易くしている。
特に第３図を第２図と組合せて参照すると、ヒータ要素
２２はそれぞれ２２Ａ，２２Ｂ及び２２Ｃによって示さ
れた複数個のヒータ要素セグメントを含んでおり、これ
らは互いに半径方向にわずかに隔置されるとともに、ヒ
ータベース２０の実質的に全表面２４を覆うよう周辺方
向に延びている。本発明に係るヒータ組立体はかくして
３個の具体的ヒータ要素セグメントに関して説明される
が、任意の数のそのようなセグメントを必要に応じて採
用し、基板２８上における一様な温度コントロールを保
証することが出来る。
ヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃは好ましくは導電性物
質、より好ましくは直接ヒータベース２０上に堆積され
た金属から形成されているのが好ましい。堆積された材
料は次に例えば機械加工で除去され、円周領域乃至間隙
３４及び３６が形成されるとともに、それぞれのヒータ
要素セグメント２２Ａ−Ｃ間における半径方向のスペー
スが提供される。
半径方向に延びる領域又は間隙３８も又全ての３個のヒ
ータ要素セグメントと交差するように形成されている。
ヒータ要素セグメントをかくしてヒータベース上に形成
した状態において、電極対４０Ａ−Ｃは第２図に例示し
た如く支持プレート１８及びヒータベース２０中を上向
きに延び、それぞれ半径方向間隙３８の相対する側上に
設けたヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃと接続する。前
記電極対は適当な電源４２（第４図参照）に接続されて
おり、同電源はそれぞれのヒータ要素セグメントへの電
力の供給を個別に規制して、それぞれのセグメントによ
って誘起される加熱温度を精密かつ精確に調節すること
が可能である。
ヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃの電極対４０Ａ−Ｃと
相対する中央部分はそれぞれ熱伝対４４Ａ−Ｃと連結さ
れている。前記熱伝対４４Ａ−Ｃはそれぞれのヒータ要
素セグメントを個別的にコントロールするための標準的
比例／一体／差分的（ＰＩＤ）電子温度コントローラの
一部を形成している（電源４２の一部を形成しており、
他の部分は例示していない）。
いづれにしても、各ヒータ要素セグメント又は領域２２
Ａ−Ｃの出力エネルギ又は温度を検出することが出来る
ので、ヒータの直径方向セクションを横切っての温度プ
ロファイルがあっても、これは当業者に周知の方法で電
子的に対処し、温度プロファイルを細かく規制し、変動
幅を最小に押えることが可能である。いづれにしても、
そのようなコントロール手段により広範囲に変動する圧
力及び温度の条件下において所望の温度プロファイルを
維持し、基板２８を横切って±２℃以上の一様な温度場
を維持することが可能である。
前述したように、不活性ガスのブランケットがヒータ要
素セグメント２２Ａ−Ｃ上に維持されて、同セグメント
の酸化を防止するとともに、ヒータ組立体の作動を容易
にし、促進させることが好ましい。この点に関して、窒
素、ヘリウム、アルゴン等のような不活性ガスが流量規
制装置４８を経てガス源４６（第４図参照）から、構造
体１４、ライザ１６及びヒータ支持プレート１８を経て
ヒータベース２０内の中央に形成された開口５２へと軸
線方向上向きに延びる通路５０内へと供給される。開口
５２がヒータベース２０内に形成された状態において、
ヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃによって覆われた表面
２４は実際には第３図においても最も良く例示されるよ
うに環帯である。
いづれにしても、不活性ガスがヒータベース２０内の開
口５２中を導入される時刻ガスはヒータ要素セグメント
とシュラウド２６の間のスペースに進入し、ヒータ要素
セグメントを全てを覆うよう半径方向外向きに流れる。
不活性ガスがヒータ要素セグメント及びヒータベースを
通って半径方向外向きに流れる際、同ガスはスカート３
０によって形成された排気通路のまわりに流れ、反応器
チャンバ１２内に逃げ、他のガスとともに通常の態様で
反応器から排気される。
前述したヒータ組立体１０内において、前記ヒータ要素
セグメント２２Ａ−Ｃは熱分解グラファイトから形成さ
れていることが好ましく、同グラファイトは特に本発明
が考慮している高温度に耐えるのに適している。同時
に、ヒータベース２０を形成する誘電体材料はヒータ要
素セグメントと類似の熱膨脹係数を備えた材質から形成
させて、それらの間が分離するのを防止することが好ま
しい。なお前記ヒータベース２０の誘電体材料は更に寸
法安定性にすぐれ、迅速かつ極端な温度変動の進行中汚
染物が放出されるのを防止するように選定されている。
最も好ましくは、前記ヒータベース２０は前述の如く要
約した要求事項を満足する窒化ホウ素から形成される。
加えるに、窒化ホウ素材は基板に向けて上向きに熱を反
射する傾向のある白色を備えている（第２図〜第４図参
照）。加えるに、熱分解グラファイトは良好な付着力を
以って窒化ホウ素上に堆積され、前述したような円周方
向及び半径方向の間隙３４−３８を形成するべく容易に
機械加工で取り去られることが可能である。
前記熱分解グラファイトは所望の又は必要なフィルムを
抵抗を与えるために約１．０１６mmの厚味へと堆積され
ることが好ましい。前記ヒータベース２０は典型的には
約２５４mmの径及び約６．３５mmの厚味に成形すること
が出来る。
前述したように、それぞれのヒータ要素セグメント２２
Ａ−Ｃに対しては広範囲の電力能力が提供されている。
一例において、外側ヒータ要素セグメント２２Ａには約
４，０００ワット迄の電力送給能力を与え、中間ヒータ
要素セグメント２２Ｂには約３，５００ワット迄の電力
送給能力を与え、内側ヒータ要素セグメント２２Ｃには
約２，５００ワット迄の電力送給能力を与える様それぞ
れのセグメントを設計することが出来る。
そのような形状を備え、前述のような好ましい材質を備
えさせることにより、前記ヒータ組立体は種々の処理技
術において考えられる広範囲の作動因子のもとでの作動
が可能となる。
ヒータ組立体のための作動方法は前述の説明から明白で
あると考えられる。しかしながら、本発明が完全に理解
されるために前記作動方法を以下に簡単に説明する。
最初ヒータ組立体が前述のように好ましくは第４図に例
示したような反応器内において、前述のように組立てら
れ、配列される。
２８で示されるシリコンウェーファのような基板が次に
ヒータシュラウド２６上に装着される。ヒータ組立体１
０の作動が特定の用途に従った作動因子の望ましいセッ
トのもとで電源４２を作動し、ガス源４６からの不活性
ガスの流れを開始することにより開示される。適切なレ
ベルの電力がヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃに供給さ
れると、それらセグメントは迅速にそれぞれの温度に加
熱されるので、基板２８の任意に選択された直径方向断
面を横切ってほぼ一様な温度プロファイルが保証され
る。
ヒータ要素セグメント２２Ａ−Ｃの材料は前述した不活
性ガス流によって誘起された過酷な温度のもとで酸化さ
れることから保護されている。
基板が前述したように一様に加熱されたならば、当業者
には周知の態様により堆積又はエッチングプロセスを反
応炉１２内で実施することが出来る。
本発明に係るヒータ組立体においては更にそのような操
作乃至作動が容易化される。何故ならば、連続する堆積
又はエッチングプロセスを考えた場合、電源４２からの
電力を阻止し、ガス源４６からの不活性ガスの流れを増
大させ、ヒータ組立体１０及び基板２８の種々の部分を
迅速に冷却することが可能だからである。かくして、基
板の迅速な交換が可能であり、ヒータ組立体及び反応炉
チャンバ１２の両者の効率が向上する。例えば特定のプ
ロセスの間用いられる不活性ガスよりも高い熱伝導を実
現することの出来る異なる不活性ガスを供給することに
よってより大きな冷却速度を得ることさえ可能である。
ヒータ組立体が冷却され、基板２８が冷却され、交換さ
れる時に、以降の基板を同様に処理するべく前述の作動
段階を繰返すことが出来る。
ヒータ組立体１０は前述のように広範囲の温度を発生さ
せることが意図されている。例えば、基板内に発生する
典型的な温度は約２００℃から約１２００℃にわたるも
のであり、ヒータ組立体１０は特にこの全温度範囲にわ
たって一様な温度を保証するのに有効である。
かくして基板内に一様な高温度を発生させ、かつ維持す
るための効果的なヒータ組立体及び作動方法が記述され
てきた。上述の変更例及び修整例以外のそれらも前述の
説明より明白であろう。従って本発明の範囲は本発明の
更なる実施例を与えている以下の特許請求の範囲によっ
てのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は円筒状ディスクの形態をした基板又はシリコン
ウェーファを装着した状態におけるヒータ組立体の平面
図、 第２図は、幾つかの部品を断面にして示せる、ヒータ組
立体の内部構造をより良好に例示するための第１図線II
−IIに沿って眺めた図、 第３図は第１図と類似のヒータ組立体平面図であるが、
基板及びヒータシュラウドは複数個の加熱要素セグメン
トをより良好に例示するために除去されている。 第４図はＣＶＤ反応器内に配設されたヒータ組立体の、
全体として側面図で示せる概略図である。 １０…ヒータ組立体、１２…反応器、１４…ヒータ支持
体、２０…ヒータベース、１８…支持プレート、２２…
ヒータ要素、２６…シュラウド、３０…シュラウドスカ
ート、２８…基板、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ…ヒータ要
素セグメント、４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ…電極対、４２
…電源、４６…不活性ガス源、４８…流量規制装置、５
２…中央開口。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウェーファ加工に用いるヒータ組立
    体にして、半導体ウェーファ内に一様な昇温度を誘起
    し、維持するためのヒータ組立体であって、 円形表面を備えた誘電体ヒータベースと、 前記ヒータベースの円形表面上に配設され且つ抵抗加熱
    可能な導電性材料から成る複数個のヒータ要素にして、
    該ヒータ要素は半径方向に隔置され、円周方向に延在す
    るヒータ要素セグメントを形成し、これらヒータ要素セ
    グメントは組合わされることで実質的に前記円形表面を
    覆っているヒータ要素とを有し、 該ヒータ要素セグメントは、円周方向に延在する領域に
    よって互いに分離され且つ半径方向に延在する領域によ
    って阻止されており、更に 前記複数個のヒータ要素の作動をそれぞれ規制するため
    の個別の手段装置にして、半径方向に延在する領域のそ
    れぞれ向かい合って各ヒータ要素セグメントと作動上連
    結された電気的継手を有する該個別の手段装置と、 前記複数個のヒータ要素から隔置された関係を以って配
    置され、かつ前記ヒータ要素及び半導体ウェーファの中
    間において配置されたヒータシュラウドと、 不活性ガスのブランケットを前記ヒータ要素とヒータシ
    ュラウドの間に維持するための手段装置とを有するヒー
    タ組立体。
  2. 【請求項２】請求項１に記載のヒータ組立体において、
    前記ヒータ要素が熱分解グラファイトから形成されてい
    ることを特徴とするヒータ組立体。
  3. 【請求項３】請求項１に記載のヒータ組立体において、
    前記ヒータ要素は前記誘電体ヒータベースの円形状表面
    上に導電物質を一様に堆積させ、次に該導電物質の諸部
    分を選択的に除去してヒータ要素を形成することによっ
    て作成されていることを特徴とするヒータ組立体。
  4. 【請求項４】請求項３に記載のヒータ組立体において、
    前記ヒータ要素セグメントは円周方向に延在する領域に
    よって互いに分離されており、各ヒータ要素セグメント
    は半径方向に延在する領域によって阻止されており、前
    記複数個のヒータ要素の作動をそれぞれ規制するための
    前記別個の手段装置は各ヒータ要素セグメントのそれぞ
    れの半径方向に延在する領域と反対側部分上に形成され
    た電気的継手を有していることを特徴とするヒータ組立
    体。
  5. 【請求項５】請求項２に記載のヒータ組立体において、
    前記ヒータベースはヒータ要素内の前記導電性金属と類
    似の熱膨脹係数を備えるように選ばれた誘電体物質から
    形成されており、前記誘電体物質は又前記導電性金属か
    らの分離に抵抗して、迅速かつ大幅な温度変動の間も寸
    法安定性を保持するように選択されていることを特徴と
    するヒータ組立体。
  6. 【請求項６】請求項７に記載のヒータ組立体において、
    ヒータベースは窒素ホウ素から形成されており、ヒータ
    要素セグメントは熱分解グラファイトから形成されてい
    ることを特徴とするヒータ組立体。
  7. 【請求項７】請求項２に記載のヒータ組立体において、
    前記ヒータシュラウドはその上にウェーファを支持する
    ための手段装置を含んでいることを特徴とするヒータ組
    立体。
  8. 【請求項８】請求項２に記載のヒータ組立体において、
    不活性ガスブランケットを維持するための手段装置は不
    活性ガス取入口を形成しているヒータベース内中央開口
    を有し、前記中央取入口からの不活性ガスはヒータ要素
    セグメント及びヒータシュラウド間を半径方向外向きに
    流れることを特徴とするヒータ組立体。
  9. 【請求項９】半導体ウェーファ加工中における基板の加
    熱方法にして、同基板内に一様な昇温度を誘起し、維持
    するための加熱方法であって、 円形表面を備えた誘電体ヒータベースと、該ヒータベー
    スの円形表面上に配設された複数個のヒータ要素にし
    て、同複数個のヒータ要素は半径方向に隔置され、円周
    方向に延びたセグメントを形成し、これらは組合わさり
    実質的に前記円形表面を覆っているヒータ要素と、前記
    複数個のヒータ要素とは隔置された関係をなし、かつ前
    記ヒータ要素と基板の中間において配設されているヒー
    タシュラウドを含むヒータ組立体を形成する段階と、 前記ヒータ組立体の作動中前記ヒータ要素とヒータシュ
    ラウドの間に不活性ガスのブランケットを維持する段階
    と、 それぞれのヒータ要素内で異なる加熱温度を達成ため複
    数個のヒータ要素の作動を個別に規制することで基体の
    加工を容易且つ向上させるように基体内での温度変動を
    実質上除去する段階とを有する加熱方法。
  10. 【請求項１０】請求項９に記載の方法において、ヒータ
    要素が抵抗加熱用に選択された導電性物質から形成され
    ていることを特徴とする加熱方法。
  11. 【請求項１１】請求項１０に記載の方法において、ヒー
    タ要素が熱分解グラファイトから形成されている加熱方
    法。
  12. 【請求項１２】請求項１０に記載の方法において、前記
    ヒータ要素は導電性物質をヒータベースの前記円形表面
    上に一様に堆積し、次に金属の諸部分を選択的に除去
    し、ヒータ要素を形成させることによって作成されてい
    ることを特徴とする加熱方法。
  13. 【請求項１３】請求項９に記載の方法において、不活性
    ガスブランケットは、ヒータベース内の中央開口中に不
    活性ガスを導入し該不活性ガスヒータ要素上に半径方向
    外向きに流れることを許容することによって維持されて
    いることを特徴とする加熱方法。
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