JPH0461117A - 枚葉式ｃｖｄ装置 - Google Patents
枚葉式ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0461117A JPH0461117A JP16534890A JP16534890A JPH0461117A JP H0461117 A JPH0461117 A JP H0461117A JP 16534890 A JP16534890 A JP 16534890A JP 16534890 A JP16534890 A JP 16534890A JP H0461117 A JPH0461117 A JP H0461117A
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- JP
- Japan
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- wafer
- susceptor
- gas
- heat storage
- storage disk
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- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に係り、特に減圧下でサセプタ
をヒータにより加熱しこのサセプタ上に載置されたウェ
ーハを加熱し、反応ガスやドーピングガスを流すことに
よりウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置
に関する。
をヒータにより加熱しこのサセプタ上に載置されたウェ
ーハを加熱し、反応ガスやドーピングガスを流すことに
よりウェーハ上にＣＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置
に関する。
第２図は従来装置の一例の構成を示す断面図である。
この従来装置は水冷チャンバー７内の下面にＯリング８
を介して立設したヒータカバ−９内上部にヒータｌＯを
設け、ヒータカバー９上に円板状のサセプタ１を設け、
このサセプタ１上にウェーハ２を載置し、水冷チャンバ
ー７の上面にガス導入部１１及び複数のガス噴出孔１２
を有するガスノズル５を設置すると共に水冷チャンバー
７の側面に排気管Ｉ３を連結せしｌ〕でなる。
を介して立設したヒータカバ−９内上部にヒータｌＯを
設け、ヒータカバー９上に円板状のサセプタ１を設け、
このサセプタ１上にウェーハ２を載置し、水冷チャンバ
ー７の上面にガス導入部１１及び複数のガス噴出孔１２
を有するガスノズル５を設置すると共に水冷チャンバー
７の側面に排気管Ｉ３を連結せしｌ〕でなる。
このような従来例は減圧下で円板状のサセプタ１を下方
よりヒータ１０により加熱することによりその上に載置
されたウェーハ２を加熱し５、反応ガスやドーピングガ
スをガスノズル５のガス導入部１１より導入してガス噴
出孔１２より噴出すると共に排気管１３より排気するこ
とによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成するものである
。
よりヒータ１０により加熱することによりその上に載置
されたウェーハ２を加熱し５、反応ガスやドーピングガ
スをガスノズル５のガス導入部１１より導入してガス噴
出孔１２より噴出すると共に排気管１３より排気するこ
とによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成するものである
。
〔発明が解決しようとする課題］
ウェーハ上に生成されるＣＶＤ膜はウェーハ上のいずれ
の点においても膜厚が均一であることが望まれるが、上
記従来例にあっては、減圧中に円板状のサセプタ１を加
熱した場合、ウェーハ２の周辺部よりも中心部の方が温
度が高くなり、その↓に載置したウェーハ２も同様の温
度分布を示すため、膜厚分布は中心部が厚く、周辺部が
薄くなるという課題がある。
の点においても膜厚が均一であることが望まれるが、上
記従来例にあっては、減圧中に円板状のサセプタ１を加
熱した場合、ウェーハ２の周辺部よりも中心部の方が温
度が高くなり、その↓に載置したウェーハ２も同様の温
度分布を示すため、膜厚分布は中心部が厚く、周辺部が
薄くなるという課題がある。
本発明装置は上記の課題を解決するため第１図示のよう
にサセプタ１上にウェーハ２を載置し、減圧−トでサセ
プタｌを下方より加熱゛４ることによりその上に載置さ
れたつ１−ハ２を加熱し、反応ガスやドーピングガスを
流すことによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する枚葉
式ＣＶＤ装置において、サセプタ１上に載置ｊ１．．た
ウェーハ２の上方に蓄熱円板３を設置せし５めてなる構
成とし７たものである。
にサセプタ１上にウェーハ２を載置し、減圧−トでサセ
プタｌを下方より加熱゛４ることによりその上に載置さ
れたつ１−ハ２を加熱し、反応ガスやドーピングガスを
流すことによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成する枚葉
式ＣＶＤ装置において、サセプタ１上に載置ｊ１．．た
ウェーハ２の上方に蓄熱円板３を設置せし５めてなる構
成とし７たものである。
〔作 用コ
サセプタ１及びその上に載置されたウェーハ２が加熱さ
れ、蓄熱円板３はサセプタ１及びウェーハ２の熱輻射に
より加熱されることになり、ウェーハ２表面に熱輻射す
る作用をなすことになる。
れ、蓄熱円板３はサセプタ１及びウェーハ２の熱輻射に
より加熱されることになり、ウェーハ２表面に熱輻射す
る作用をなすことになる。
その結果、ウェーハ２はサセプタ１と蓄熱円板３との間
にサンドイッチされた緩やかな温度勾配を有するヒータ
ゾーンに配置されることになるたｔ。
にサンドイッチされた緩やかな温度勾配を有するヒータ
ゾーンに配置されることになるたｔ。
より均一な温度分布をウェーハ２に与えることになり、
ウェーハ２上に均一なＣＶＤ［を生成することになる。
ウェーハ２上に均一なＣＶＤ［を生成することになる。
〔実施例］
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す断面図で、
７は水冷チャンバー ９はこの水冷チャンバー７内の下
面にＯＩＪング８を介して立設したヒータカバー、１０
はこのヒータカバー９内士、邪に設けられたヒータ、１
はヒータカバー９上に設置ノられた円板状のＳｉＣコー
トされたカーボングラファイト製のサセプタ、２はこの
サセプタ１上に載置したウェーハ、５は水冷チャンバー
７の上面に設置されたガス導入部１１及び複数のガス噴
出孔１２を有するガスノズル、１３は水冷チャンバー７
の側面に連結せしめた排気管で、排気装置１、゛連結さ
れる。
７は水冷チャンバー ９はこの水冷チャンバー７内の下
面にＯＩＪング８を介して立設したヒータカバー、１０
はこのヒータカバー９内士、邪に設けられたヒータ、１
はヒータカバー９上に設置ノられた円板状のＳｉＣコー
トされたカーボングラファイト製のサセプタ、２はこの
サセプタ１上に載置したウェーハ、５は水冷チャンバー
７の上面に設置されたガス導入部１１及び複数のガス噴
出孔１２を有するガスノズル、１３は水冷チャンバー７
の側面に連結せしめた排気管で、排気装置１、゛連結さ
れる。
サセプタ１上に載置したウェーハ２の上方においてサセ
プタ１の周辺部に立設した複数の細い支持棒４うえＳｉ
Ｃコートされたカーボングラファイト製の薄い蓄熱円板
３が設置さている。蓄熱円板３は反応ガスやドーピング
ガスのガスノズル５より突設するクランプに設けられて
いてもよい。
プタ１の周辺部に立設した複数の細い支持棒４うえＳｉ
Ｃコートされたカーボングラファイト製の薄い蓄熱円板
３が設置さている。蓄熱円板３は反応ガスやドーピング
ガスのガスノズル５より突設するクランプに設けられて
いてもよい。
蓄熱円板３の直径はウェーハ２より大きく、サセプタ１
とほぼ等しい大きさより小さい値とし、このような大き
さの蓄熱円板：３はウェーハ表面に熱輻射する作用をな
し、ウェーハ２上の温度分布の均一性を得る上で好まし
い。
とほぼ等しい大きさより小さい値とし、このような大き
さの蓄熱円板：３はウェーハ表面に熱輻射する作用をな
し、ウェーハ２上の温度分布の均一性を得る上で好まし
い。
このような構成の本実施例は減圧下で円板状のブセブタ
１を下方よりヒータ１０により加熱することによりその
上に載置されたウェーハ２を加熱し、反応ガスやドーピ
ングガスをガスノズル５のガス導入部１１より導入して
ガス噴出孔１２より噴出すると共に排気管１３より排気
することによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成するもの
であるが、この場合、蓄熱円板３はサセプタ１及びウェ
ーハ２の熱輻射により加熱され、ウェーハ２表面に熱輻
射する作用をなすことになるため、ウェーハ２はサセプ
タ１と蓄熱円板３との間にサンドイッチされた緩やかな
温度勾配を有するヒータゾーンに配置されることになり
、より均一な温度分布をウェーハ２に与えることになっ
てウェーハ２上に均一なＣＶＤ膜が生成されることにな
る。
１を下方よりヒータ１０により加熱することによりその
上に載置されたウェーハ２を加熱し、反応ガスやドーピ
ングガスをガスノズル５のガス導入部１１より導入して
ガス噴出孔１２より噴出すると共に排気管１３より排気
することによりウェーハ２上にＣＶＤ膜を生成するもの
であるが、この場合、蓄熱円板３はサセプタ１及びウェ
ーハ２の熱輻射により加熱され、ウェーハ２表面に熱輻
射する作用をなすことになるため、ウェーハ２はサセプ
タ１と蓄熱円板３との間にサンドイッチされた緩やかな
温度勾配を有するヒータゾーンに配置されることになり
、より均一な温度分布をウェーハ２に与えることになっ
てウェーハ２上に均一なＣＶＤ膜が生成されることにな
る。
上述のように本発明によれば、ウェーハの温度分布を均
一にでき、ウェーハ上に生成されるＣＶＤ膜を均一にす
ることができる。
一にでき、ウェーハ上に生成されるＣＶＤ膜を均一にす
ることができる。
第１図は本発明装置の一実施例の構成を示す断面図、第
２図は従来装置の一例の構成を示す断面図である。 ■・・・・・・サセプタ、２・・・・・・ウェーハ ３
・・・・・・蓄熱円板、４・・・・・・支持棒、５・・
・・・・ガスノズル、７・・・・・・水冷チャンバー
９・・・・・・ヒータカバー、１０・・・・・・ヒータ
、１１・・・・・・ガス導入部、１２・・・・・・ガス
噴出孔、１３・・・・・・排気管。 喜１囚
２図は従来装置の一例の構成を示す断面図である。 ■・・・・・・サセプタ、２・・・・・・ウェーハ ３
・・・・・・蓄熱円板、４・・・・・・支持棒、５・・
・・・・ガスノズル、７・・・・・・水冷チャンバー
９・・・・・・ヒータカバー、１０・・・・・・ヒータ
、１１・・・・・・ガス導入部、１２・・・・・・ガス
噴出孔、１３・・・・・・排気管。 喜１囚
Claims (4)
- （１）サセプタ（１）上にウェーハ（２）を載置し、減
圧下でサセプタ（１）を下方より加熱することによりそ
の上に載置されたウェーハ（２）を加熱し、反応ガスや
ドーピングガスを流すことによりウェーハ（２）上にＣ
ＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置において、サセプタ
（１）上に載置したウェーハ（２）の上方に蓄熱円板（
３）を設置せしめてなる枚葉式ＣＶＤ装置。 - （２）蓄熱円板（３）はサセプタ（１）側に立設した複
数の支持棒（４）あるいは反応ガスやドーピングガスの
ガスノズル（５）側より突設するクランプに設置せしめ
た請求項第１項記載の枚葉式ＣＶＤ装置。 - （３）サセプタ（１）及び蓄熱円板（３）はＳｉＣコー
トされたカーボングラファイト製である請求項第１項、
第２項のいずれかに記載の枚葉式ＣＶＤ装置。 - （４）蓄熱円板（３）の直径はウェーハ（２）より大き
く、サセプタ（１）とほぼ等しい大きさより小さい値と
する請求項第１項〜第３項のいずれかに記載の枚葉式Ｃ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534890A JPH0461117A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534890A JPH0461117A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461117A true JPH0461117A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15810650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16534890A Pending JPH0461117A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461117A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6169271B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-01-02 | Mattson Technology, Inc. | Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16534890A patent/JPH0461117A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6403925B1 (en) | 1995-07-10 | 2002-06-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6399921B1 (en) | 1996-06-17 | 2002-06-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6169271B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-01-02 | Mattson Technology, Inc. | Model based method for wafer temperature control in a thermal processing system for semiconductor manufacturing |
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