JPS60240132A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS60240132A JPS60240132A JP9693184A JP9693184A JPS60240132A JP S60240132 A JPS60240132 A JP S60240132A JP 9693184 A JP9693184 A JP 9693184A JP 9693184 A JP9693184 A JP 9693184A JP S60240132 A JPS60240132 A JP S60240132A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明け、ＭＯ−ＯＶＤ法によりＩｔ−ＶＩ族化合物半
導体薄膜を製造する際の加熱方法、及びその周辺の冷却
方法等に関する。
導体薄膜を製造する際の加熱方法、及びその周辺の冷却
方法等に関する。
従来、ＭＯ−ＯＶＤ法により■−■族化合物半導体薄膜
を製造する際に加熱源として用いられたのけ主に高周波
や抵抗体で、赤外線が用いられることにほとんどなかっ
た。しかし高周波を加熱源として用いた場合には温度制
御の点でかなり無理があり、弾の均一性が悪かったり再
現性が乏しかったりする欠点が大きな問題となっていた
。また抵抗外熱法による加熱の場合も、ガスが予熱され
る為に基板に原料が到達する面に反応が起こり、製造場
れた化合物半導体薄膜中に微粉末が混入したり、反応管
壁が加熱される為にそこで原料の分解反応が起こり、基
板上での化合物半導体の析出効率が悪かったりするとい
ろ欠点があった。
を製造する際に加熱源として用いられたのけ主に高周波
や抵抗体で、赤外線が用いられることにほとんどなかっ
た。しかし高周波を加熱源として用いた場合には温度制
御の点でかなり無理があり、弾の均一性が悪かったり再
現性が乏しかったりする欠点が大きな問題となっていた
。また抵抗外熱法による加熱の場合も、ガスが予熱され
る為に基板に原料が到達する面に反応が起こり、製造場
れた化合物半導体薄膜中に微粉末が混入したり、反応管
壁が加熱される為にそこで原料の分解反応が起こり、基
板上での化合物半導体の析出効率が悪かったりするとい
ろ欠点があった。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところは、均質で膜厚も一定な化合物半導体薄膜を得
るのに適した加熱源、及びその周辺の冷却方法等を提供
することにある。
るところは、均質で膜厚も一定な化合物半導体薄膜を得
るのに適した加熱源、及びその周辺の冷却方法等を提供
することにある。
本発明１−ｔ、ＭＯ−ＯＶＤ法によりＩｔ−ＶＩ族化合
物半導体薄膜を製造する際に、加熱源として赤外線炉を
用いることが特徴である。
物半導体薄膜を製造する際に、加熱源として赤外線炉を
用いることが特徴である。
ＭＯ−ＯＶＤ法によりｕ−ｖｉ族化合物半導体薄膜を製
造する際の最も大きい問題の一つとして、気体原料が単
に常温で混合しただけでも反応してしまい、加＄ｊれて
いる基板上に気体原料が到達する前にある程度の粉末状
の生成物ができて、それが気体原料を含むキャリヤガス
中に混入して基板−ヒまで運ばれる為、基板上に成長ζ
せた化合物半導体薄膜中に微粉末が混入して膜質が悪く
なってしまうことがあげられる。この粉末状の生成物は
、基板上に成長させた化合物半導体薄膜を光学顕微鏡で
観察するだけでも十分確認することができ、微粉末の成
長の顕著なものは大きな柱状の結晶にざ先なる＃１どけ
っきりとしている。
造する際の最も大きい問題の一つとして、気体原料が単
に常温で混合しただけでも反応してしまい、加＄ｊれて
いる基板上に気体原料が到達する前にある程度の粉末状
の生成物ができて、それが気体原料を含むキャリヤガス
中に混入して基板−ヒまで運ばれる為、基板上に成長ζ
せた化合物半導体薄膜中に微粉末が混入して膜質が悪く
なってしまうことがあげられる。この粉末状の生成物は
、基板上に成長させた化合物半導体薄膜を光学顕微鏡で
観察するだけでも十分確認することができ、微粉末の成
長の顕著なものは大きな柱状の結晶にざ先なる＃１どけ
っきりとしている。
本発明は従来のＭＯ−ＯＶＤ法の上記の欠点を解決する
為に、新らたに、赤外線を加熱源として採用し、膜厚・
膜質の均一性が高く、また微粉末の含有量が少ない良質
の化合物半導体薄膜の製造を可能にするものである。
為に、新らたに、赤外線を加熱源として採用し、膜厚・
膜質の均一性が高く、また微粉末の含有量が少ない良質
の化合物半導体薄膜の製造を可能にするものである。
また、加熱源と１２で赤外線を使用するのに際し、以下
にあげる様な条件をつけ加えると、更忙良質な化合物半
導体薄膜が得られることが実験により確認された。
にあげる様な条件をつけ加えると、更忙良質な化合物半
導体薄膜が得られることが実験により確認された。
その条件の一つ目は、特許請求の範囲第２項にあげ友、
赤外線を加熱源として用いる際に反応管を気体により冷
却する事である。
赤外線を加熱源として用いる際に反応管を気体により冷
却する事である。
赤外線を加熱源として用いる場合、通常、反応管には赤
外線の吸収率の小ざい石英ガラスを加工したものを用論
るか、それでも反応管内部の熱せられた気体原料からの
熱伝導や、石英ガラスでも小さいながらもある程度の赤
外線吸収率があることからの赤外線吸収による加熱の為
５石英ガラス製反応管はかなり温度上昇してしまうのが
現実である。この結果、化合物半導体を赤外線加熱法で
製造しても、長期間の製造のさあに石英ガラス製反応管
の内側の表面−ヒに粉末状の生成物が付着しそれが気体
原料の流れにのって基板上に到達する為に、製造しよう
とする、基板上の化合物半導薄膜中に粉末が混入しやす
くなってしまう。これを防ぐＫｌ−ｔ、その原因である
石英ガラス製反応管の加熱を避ければ良い。つまり、石
英ガラス製反応管を赤外線の吸収率が低（７−１気体で
冷却するのがかなり有効な手段である。この際の気体Ｋ
Ｕ、空気・窒素・アルゴン等、一般の気体を用いれば良
いが、勿体以外のもの倒起ば水などけ、赤外線を吸収す
る為に使えない。なぜならば、埃応管で赤外線を吸収し
てしまっては、反応管内部の基板が加熱されないからで
ある。
外線の吸収率の小ざい石英ガラスを加工したものを用論
るか、それでも反応管内部の熱せられた気体原料からの
熱伝導や、石英ガラスでも小さいながらもある程度の赤
外線吸収率があることからの赤外線吸収による加熱の為
５石英ガラス製反応管はかなり温度上昇してしまうのが
現実である。この結果、化合物半導体を赤外線加熱法で
製造しても、長期間の製造のさあに石英ガラス製反応管
の内側の表面−ヒに粉末状の生成物が付着しそれが気体
原料の流れにのって基板上に到達する為に、製造しよう
とする、基板上の化合物半導薄膜中に粉末が混入しやす
くなってしまう。これを防ぐＫｌ−ｔ、その原因である
石英ガラス製反応管の加熱を避ければ良い。つまり、石
英ガラス製反応管を赤外線の吸収率が低（７−１気体で
冷却するのがかなり有効な手段である。この際の気体Ｋ
Ｕ、空気・窒素・アルゴン等、一般の気体を用いれば良
いが、勿体以外のもの倒起ば水などけ、赤外線を吸収す
る為に使えない。なぜならば、埃応管で赤外線を吸収し
てしまっては、反応管内部の基板が加熱されないからで
ある。
条件の二つ目は、特許請求の範囲第５項にあげた赤外線
を加熱源として用いる際に、気体原料導入管に金属等の
赤外線を通さない膜質を用いる事ＭＯ−ＯＶＤ法で用い
る何種類かの側体原料のうち一つ以上は有機金属化合物
で、それは一般に赤外線帯を吸収する。したがって、赤
外線を加熱源として用いると、気体原料導入管中で気体
原−料は赤外線を吸収して力１′熱される為に非常に活
性が高くなり、側体原料導入管から出た直後にまわりの
他の原料気体と反応して、基板に到達する前に粉末状の
化合物を作って、基板上に作製する化合物半導体薄膜中
に混合してしまい膜質を低下ζせる。この事を避ける為
には、気体原料導入管に赤外線を通ジない材料を用いの
が最も°良く、その材料としてはパイレツクスガラス・
金属等が使える、金属を使っても良い環境にあるのなら
、金属を使用する方が良い結果が得られる。使える金属
は一般Ｋｄ、Ｓ Ｕ Ｓ −！＋１６ヌテンレススチー
ルやアルミニウムだが、気体原料の種類により使い分け
る必要がある。
を加熱源として用いる際に、気体原料導入管に金属等の
赤外線を通さない膜質を用いる事ＭＯ−ＯＶＤ法で用い
る何種類かの側体原料のうち一つ以上は有機金属化合物
で、それは一般に赤外線帯を吸収する。したがって、赤
外線を加熱源として用いると、気体原料導入管中で気体
原−料は赤外線を吸収して力１′熱される為に非常に活
性が高くなり、側体原料導入管から出た直後にまわりの
他の原料気体と反応して、基板に到達する前に粉末状の
化合物を作って、基板上に作製する化合物半導体薄膜中
に混合してしまい膜質を低下ζせる。この事を避ける為
には、気体原料導入管に赤外線を通ジない材料を用いの
が最も°良く、その材料としてはパイレツクスガラス・
金属等が使える、金属を使っても良い環境にあるのなら
、金属を使用する方が良い結果が得られる。使える金属
は一般Ｋｄ、Ｓ Ｕ Ｓ −！＋１６ヌテンレススチー
ルやアルミニウムだが、気体原料の種類により使い分け
る必要がある。
三つ目の条件は、特許請求の範囲第４項にあげた。赤外
線を、加熱源として用いる際に、気体原料る事である。
線を、加熱源として用いる際に、気体原料る事である。
Ｍｏ−ａｖＤ法でＩｆ−ＶＴ族化合物半導体を製造する
際に用いる気体原料は非常に反応性に富み、また少し加
熱しただけでも自己分解反応を起こして望ましくない生
成物を作る為、Ｉ −ＶＩ族化合物半導体の製造は、安
定な原料を用いる真−ｖ族化合物半導体の製造に比べて
数段難しいと言われて（ハる。しかしこれも、勿体原料
導入管を水等の液体を用いて冷却することでかなりのレ
ベル迄おきえることができる。更に望ましいことは、気
体原料導入管を冷却することで、気体原料によって気体
原料導入管が腐蝕はれたり、その影響で気体原料中に不
純物が混入したりすることを防ぐことができる。ま几、
冷却用の媒体として水等の液体を使用するのけ、単に気
体に比べて熱容量が太きいからだけではなく、水等の赤
外線吸収率が非常に大きい為に、先に述べた気体原料が
赤外線を吸収して反応を起こす様な事を防ぐことができ
るからである。
際に用いる気体原料は非常に反応性に富み、また少し加
熱しただけでも自己分解反応を起こして望ましくない生
成物を作る為、Ｉ −ＶＩ族化合物半導体の製造は、安
定な原料を用いる真−ｖ族化合物半導体の製造に比べて
数段難しいと言われて（ハる。しかしこれも、勿体原料
導入管を水等の液体を用いて冷却することでかなりのレ
ベル迄おきえることができる。更に望ましいことは、気
体原料導入管を冷却することで、気体原料によって気体
原料導入管が腐蝕はれたり、その影響で気体原料中に不
純物が混入したりすることを防ぐことができる。ま几、
冷却用の媒体として水等の液体を使用するのけ、単に気
体に比べて熱容量が太きいからだけではなく、水等の赤
外線吸収率が非常に大きい為に、先に述べた気体原料が
赤外線を吸収して反応を起こす様な事を防ぐことができ
るからである。
以下実施例を掲載した図面にそって詳しく説明する。
第１図はＭＯ−ＣＶＤ法によりＩｆ−ＶＴ族化合物半導
体を製造する際に用いる反応炉の一般的な形状である。
体を製造する際に用いる反応炉の一般的な形状である。
１．２は気体原料で、それぞれ原料導入管３．４を経て
反応管５の上へ導かれる。■−■−■合物半導体として
Ｚ？ＺＳの製造を例にあげれば、気体原料１にけＨ２で
希釈した（Ｃ２Ｈ１）２ Ｚｎや（ＯＨ３）２Ｚｆｉが
、気体原料２Ｋｆ′ｉＨ２で希釈したＨ２Ｓが用いられ
る。そして反応管５の中へ導かれた気体原料は、加熱源
６により加熱されたグラファイト製サセプター７上の基
板８上に到達し、そこで熱物解してｎ −Ｖｌ族化合物
半導体薄膜を基板８上に析出させる。また、サセプター
７は、基板８上に析出はせるＩＩ−Ｖｌ族仕合物半導体
薄膜の噂厚、嘆質の均一性を向上させる為に、回転導入
機構９により回転ばせるのが普通である。そして未反応
の原料ガスや、原料ガスの希釈に用いたキャリア・ガス
Ｈ２や、反応製放ガスを含む廃ガス１０け廃気ガス管１
１を経て系外に出され、０ｕＳＯ，水溶液等でＨ２Ｓ＠
を吸収した後、スクラバーで処理される。また１２け反
応管支持台で、反応管５等を固定して反応管支持台１２
等を下げることで、基板の庫りつけ、取りはずしができ
る。
反応管５の上へ導かれる。■−■−■合物半導体として
Ｚ？ＺＳの製造を例にあげれば、気体原料１にけＨ２で
希釈した（Ｃ２Ｈ１）２ Ｚｎや（ＯＨ３）２Ｚｆｉが
、気体原料２Ｋｆ′ｉＨ２で希釈したＨ２Ｓが用いられ
る。そして反応管５の中へ導かれた気体原料は、加熱源
６により加熱されたグラファイト製サセプター７上の基
板８上に到達し、そこで熱物解してｎ −Ｖｌ族化合物
半導体薄膜を基板８上に析出させる。また、サセプター
７は、基板８上に析出はせるＩＩ−Ｖｌ族仕合物半導体
薄膜の噂厚、嘆質の均一性を向上させる為に、回転導入
機構９により回転ばせるのが普通である。そして未反応
の原料ガスや、原料ガスの希釈に用いたキャリア・ガス
Ｈ２や、反応製放ガスを含む廃ガス１０け廃気ガス管１
１を経て系外に出され、０ｕＳＯ，水溶液等でＨ２Ｓ＠
を吸収した後、スクラバーで処理される。また１２け反
応管支持台で、反応管５等を固定して反応管支持台１２
等を下げることで、基板の庫りつけ、取りはずしができ
る。
先に概要忙示したように、今回は気体原料導入ｖ３．４
ＫｌｄＳＵＳ−３１６ス７：ｚレスを、反応管５には石
英ガラスを材質として用い、加熱源６には赤外線炉を用
いた。
ＫｌｄＳＵＳ−３１６ス７：ｚレスを、反応管５には石
英ガラスを材質として用い、加熱源６には赤外線炉を用
いた。
第２図は、特許請求の範囲第２項に述べた、反応管を気
体で冷却する方法の具体例である。１３け石英ガラス製
反応管の一部を示し、冷却用ガス導入管１４より導入さ
れた冷却用ガス１５が環状の空洞を持つ環状導入管１６
を経て噴気口１７より噴き出した反応管冷却気体１８と
なって石英ガラス製反応管１３１Ｃ当たることによって
反応管壁を冷却している。冷却用ガス１５としては、先
に概要の項で述べた様に窒素を用いた。
体で冷却する方法の具体例である。１３け石英ガラス製
反応管の一部を示し、冷却用ガス導入管１４より導入さ
れた冷却用ガス１５が環状の空洞を持つ環状導入管１６
を経て噴気口１７より噴き出した反応管冷却気体１８と
なって石英ガラス製反応管１３１Ｃ当たることによって
反応管壁を冷却している。冷却用ガス１５としては、先
に概要の項で述べた様に窒素を用いた。
第５図は、特許請求の範囲第４項に述べた、気体原料導
入管を水等の液体を用いて冷却する方法の具体例である
。
入管を水等の液体を用いて冷却する方法の具体例である
。
反応管上部１９（断面を示しである）にζし込まれた原
料導入管２０のまわりを冷却筒２１が囲んでいて、その
間に冷却水が流れる構造になっている。冷却水２２け冷
却水導入管２３を経て先のすきまに入り、冷却水排管２
４より冷却廃水２５として出る。また、気体原料２６け
、原料導入管２０を経て反応管内に導かれ、冷却されて
気体原料２７として反応系内に入る。冷却水の流れは、
気体原料の流れに対し、向流であることが望ましいこと
をつけ加えておく。
料導入管２０のまわりを冷却筒２１が囲んでいて、その
間に冷却水が流れる構造になっている。冷却水２２け冷
却水導入管２３を経て先のすきまに入り、冷却水排管２
４より冷却廃水２５として出る。また、気体原料２６け
、原料導入管２０を経て反応管内に導かれ、冷却されて
気体原料２７として反応系内に入る。冷却水の流れは、
気体原料の流れに対し、向流であることが望ましいこと
をつけ加えておく。
加熱源として抵抗体を使用したものと、特許請求の範囲
第１項から第４項までのすべての項目を満たす仕様で行
ったものでけＩｔ−ＶＴ族化合物半導体薄嗅の膜質につ
いて、著しい違いが見られた。
第１項から第４項までのすべての項目を満たす仕様で行
ったものでけＩｔ−ＶＴ族化合物半導体薄嗅の膜質につ
いて、著しい違いが見られた。
一番注目すべき、■−■族化族化合物半導膜薄膜中粉末
の混入では、本方式による生成物の方が２〜３桁ｔ１ど
粉末の混入量が少なく、またＸ線回折ＲＨＥＦｉＤ等の
結果でも、非常に良質な（１１１）に配向したｃｕｂｉ
ｃ−ｚｎＳが得られたことがわかった。
の混入では、本方式による生成物の方が２〜３桁ｔ１ど
粉末の混入量が少なく、またＸ線回折ＲＨＥＦｉＤ等の
結果でも、非常に良質な（１１１）に配向したｃｕｂｉ
ｃ−ｚｎＳが得られたことがわかった。
また、反応管壁の冷却等圧より、生成物中の不純物の景
も１桁はど改善が見られたことも注目すべきことである
。
も１桁はど改善が見られたことも注目すべきことである
。
第１図はＭＯ−ＯＶＤ法によりＩｔ−Ｖｌ族化合物半導
体を型造する際に用いる反応炉の一般的な形状である。 １．２・・・・・・気体原料 ３．４・・・・・・気体原料導入管 ５・・・・・・反応管 ６・・・・・・加熱源７・・・
・・・グラフフィト製サセプター８・・・・・・基板
９・・・・・・回転導入機構１０・・・・・・廃ガス
１１・・・・・・廃気ガス管１２・・・・・・反応管支
持台 第２図は、特許請求の範囲第２項に述べた反応管を気体
で冷却する方法の具体例である。 １６・・・・・・石英ガラス製反応管の一部１４・・・
・・・冷却用ガス導入管 １５・・・・・・冷却用ガス １６・・・・・・環状の空洞を持つ環状導入管１７・・
・・・・噴気口 １日・・・・・・反応管冷却気体第３
図は、特許請求の範囲第４項に述べた、気体原料導入管
を水等の液体を用いて冷却する方法の具体例である。 １９・・・・・・反応管上部（！！＋１面を示しである
）２０・・・・・・原料導入管 ２１・・・・・・冷却
筒２２・・・・・・冷却水 ２３・・・・・・冷却水導
入管２４・・・・・・冷却水排管 ２５・・・・・・冷
却廃水２６・・・・・・気体原料 ２７・・・・・・冷却された気体原料 以 上 出願人 株式会社 瞳訪精工舎 伏理人 弁理士 最上 務
体を型造する際に用いる反応炉の一般的な形状である。 １．２・・・・・・気体原料 ３．４・・・・・・気体原料導入管 ５・・・・・・反応管 ６・・・・・・加熱源７・・・
・・・グラフフィト製サセプター８・・・・・・基板
９・・・・・・回転導入機構１０・・・・・・廃ガス
１１・・・・・・廃気ガス管１２・・・・・・反応管支
持台 第２図は、特許請求の範囲第２項に述べた反応管を気体
で冷却する方法の具体例である。 １６・・・・・・石英ガラス製反応管の一部１４・・・
・・・冷却用ガス導入管 １５・・・・・・冷却用ガス １６・・・・・・環状の空洞を持つ環状導入管１７・・
・・・・噴気口 １日・・・・・・反応管冷却気体第３
図は、特許請求の範囲第４項に述べた、気体原料導入管
を水等の液体を用いて冷却する方法の具体例である。 １９・・・・・・反応管上部（！！＋１面を示しである
）２０・・・・・・原料導入管 ２１・・・・・・冷却
筒２２・・・・・・冷却水 ２３・・・・・・冷却水導
入管２４・・・・・・冷却水排管 ２５・・・・・・冷
却廃水２６・・・・・・気体原料 ２７・・・・・・冷却された気体原料 以 上 出願人 株式会社 瞳訪精工舎 伏理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） Ｍ Ｏ−ＯＶ Ｄ法忙よりｎ−Ｖｌ族化合物半
導体薄膜を製造する際に、加熱源として赤外線炉を用い
ることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （２、特許請求の範囲第１項に於いて、反応管を気体に
より冷却することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造
方法。 （３） 特許請求の範囲第１項に於いて、気体原料導入
管に金属等の赤外線を通でない材質を用いることを特徴
とする化合物半導体薄膜の製造方法。 （４） 特許請求の範囲第１項に於いて、気体原料導入
管を水等の液体を用いて冷却することを特徴とする化合
物半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9693184A JPS60240132A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9693184A JPS60240132A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240132A true JPS60240132A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14178086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9693184A Pending JPS60240132A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0418541A2 (en) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | Watkins-Johnson Company | Multi-zone planar heater assembly and method of operation |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP9693184A patent/JPS60240132A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0418541A2 (en) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | Watkins-Johnson Company | Multi-zone planar heater assembly and method of operation |
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