JPS6070176A - 固体ソ−ス蒸発ボンベ - Google Patents

固体ソ−ス蒸発ボンベ

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JPS6070176A
JPS6070176A JP17692283A JP17692283A JPS6070176A JP S6070176 A JPS6070176 A JP S6070176A JP 17692283 A JP17692283 A JP 17692283A JP 17692283 A JP17692283 A JP 17692283A JP S6070176 A JPS6070176 A JP S6070176A
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JP
Japan
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cylinder
solid source
evaporation
gas
several
Prior art date
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Pending
Application number
JP17692283A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshimi Shiotani
喜美 塩谷
Shinichi Inoue
井上　信市
Akira Tabuchi
田淵　明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6070176A publication Critical patent/JPS6070176A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （７）発明の技術分野 本発明は固体ソースの蒸発ぎンペに関し、更に詳しく述
べるならば固体ソースの蒸発面積を一定に保持すること
を可能にした蒸発？ンペ構造体に関するものである。
（イ）従来技術と問題点 近年電子部品の小形化、応答速度の敏速化、信頼性の向
上などの要求から薄膜技術をマイクロエレクトロニクス
へ利用しようとする試みが多くなされ、そのために化学
的方法による半導体薄膜、磁性体薄膜、絶縁体薄膜、抵
抗薄膜等を得るための薄膜化が種々試みられている。一
般に熱分解法、還元法、気相反応法などによる半導体薄
膜の製造においてはエピタキシャル成長を行なわせると
単結晶薄膜を作ることができ、これによシ従来のトラン
ジスタ技術においては不可能であった種々の技術が開発
されてきている。化学反応を利用して単結晶膜を成長さ
せることＶｉＷ　、　Ｍｏ　、　Ｔａ　などの金属の塩
化物、すなわちＷＣｔ５２ＭＯＣｔ５゜Ｔ　ａ　Ｃｌ３
からの膜状析出によシ行なうことができる。しかして、
従来、ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）の、例えば、Ｍｏ膜等の成長には、Ｍ
ｏ　Ｃ１５等の固体ソースが使用されているが、長時間
が経過するに従い蒸発量が減少したり、再現性がなくな
シ、蒸発量を一定に保持することが困難でちるという問
題があった。
（つ）　発明の目的 本発明の目的は前記問題点を解決すべく、蒸発量を一定
に保つことができ、再現性よく蒸発を行（２） わせることのできる固体ソース蒸発ボンベを提供するこ
とである。
に）発明の構成 発明者らは固体ソースの蒸発量を一定にさせず、かつ再
現性をなくす原因が固体ソース蒸発ボンベを加熱するた
めの恒温槽の温度変化及び固体ソースの表面積の変化に
あると着目して種々検討を重ねた結果、本発明に到達し
た。
本発明は、固体ソース表面積の変化を減少させ、すなわ
ち蒸発面積を一定に保持させしめるように、固体ソース
蒸発ボンベにおいて、多数の適当な直径の穴を有する穴
あき板を多数枚使用して前記ボンベ内を階層構造とし、
これによってキャリヤーガスとしての、例えばＮ２がま
んべんなく固体ソース、例えば、ＭｏＣｔ５粒子の表面
を通過し、スムーズに蒸発され得るように構成されたも
のである。
即ち、本発明は、円筒形の固体ソース蒸発ボンベにおい
て、多数個の穴を有する穴あき板によシ、一定間隔をも
って前記円筒を多数階に仕切る如く構成された階層構造
体、キャリヤーガスを導入する導入管、並びにキャリヤ
ーガス及び固体ソース粉末を排出する吐出部を含むこと
を特徴とする蒸発ボンベを提供する。
第１図及び第２図に、本発明の固体ソース蒸発ｄボンペ
の一態様を示す。ボンベの外壁を構成する円筒形の密閉
容器１はキャリヤーガス５の導入管４及び供給ガス６を
排出するためのガス吐出部８を備える。そして、この密
閉容器１の内部は、第２図に別途示す如き、多数の穴３
を有する円板形の穴あき板２によって、一定間隔をもっ
て多数階に仕切られており、この穴あき板２の上に固体
ソース粉末７が散布される。
本発明において、穴あき板２け、直径１〜５ＩＩＩＩＩ
＋の穴３を有するステンレス製（ＳＵＳ３１６）の円板
であシ、直径は１〜数１ｏＬＭの範囲にあり、厚さは０
．１ｍｍ〜２漏の範囲にあるのが好ましい。
本発明において使用される固体ソース粉末７としては、
例えば、Ｍｎ　ＣＺ　ｓ　、　ｗＣＺ　５　ｒ　Ｔ　＆
　ＣＺ　ｓ等を挙げることができ、適当な粒径は数μ〜
数１０μの範囲にある。キャリヤーガス５としては、代
表的には、Ｔ（２＋　Ｎ２　、　Ａｒ　、　Ｈｅ等が適
当であり、流速は１０〜１００ｃｃ／／ｒｒ１１１　の
範囲にあるのが一般的である。
本発明における円筒形の固体ソース蒸発ぎンペの外壁を
構成する密閉容器１は直径１〜５０ｃｒｎの範囲、高さ
１〜１００αの範囲にあり、その材質はステンレス製（
ＳＵＳ３１６）のものであるのが好ましい。またこのボ
ンベを加熱するための恒温槽の温度は、一般的に、８０
〜２００℃に保持さｎる。
（（ホ）発明の効果 本発明によｎば、固体ソースの蒸発量を一定に保持し、
良好な再現性を与えることのできる蒸発ボンベが得られ
、ＣＶＤに対する材料供給がスムーズになる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による固体ソース蒸発ボンベの断面を示
す概略図であシ、 第２図はボンベ内に階層構造を与える穴あき板を示す１
ン１である。 １・・・密閉容器、２・・・穴あき板、３・・・穴（通
孔）、４・・・キャリヤーガス導入管、５・・・キャリ
ヤーガス、６・・・供給ガス、７・・・固体ソース粉末
、８・・・ガス吐出部。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士西舘和之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、　円筒形の固体ソース蒸発ボンベにおいて、多数個
    の穴を有する穴あき板によシ、一定間隔をもって、前記
    円筒を多数階に仕切る如く構成された階層構造体、キャ
    リヤーガスを導入する導入管並びにキャリキーガス及び
    固体ソース粉末を排出する吐出部を含むことを特徴とす
    る蒸発ボンベ。
JP17692283A 1983-09-27 1983-09-27 固体ソ−ス蒸発ボンベ Pending JPS6070176A (ja)

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