JPS62112781A - 化学蒸着装置及び化学蒸着方法 - Google Patents
化学蒸着装置及び化学蒸着方法Info
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- JPS62112781A JPS62112781A JP25203985A JP25203985A JPS62112781A JP S62112781 A JPS62112781 A JP S62112781A JP 25203985 A JP25203985 A JP 25203985A JP 25203985 A JP25203985 A JP 25203985A JP S62112781 A JPS62112781 A JP S62112781A
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- chemical vapor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、中空物品内面のアルミニウム（Ａｌ）コーデ
ィングに係り、符に化学蒸着（以下、ＣｖＤというンコ
ーティング装＋１に関する。
ィングに係り、符に化学蒸着（以下、ＣｖＤというンコ
ーティング装＋１に関する。
Ａｔ コーティングは、例えば主要成分としてＯｒ
、Ｆθ、Ｎ１あるいはＣＯを含有する合雀の耐食性全改
善し、１ｆｃ特にガスタービンブレード及びノズルの様
な高温度環境において使用されるＮ１基及びＣＯ基超合
台の特性を改善するものとして、この種分野においては
工く知られている。
、Ｆθ、Ｎ１あるいはＣＯを含有する合雀の耐食性全改
善し、１ｆｃ特にガスタービンブレード及びノズルの様
な高温度環境において使用されるＮ１基及びＣＯ基超合
台の特性を改善するものとして、この種分野においては
工く知られている。
通常のＡｔパンクコーティング法ではＡｔコーティング
されるべ＠部材は、コーテイング材（Ａｔ又はＡｔ化合
物］とキャリアあるいは活性剤（通常ハロゲン化アルミ
ニウムあるいは）・ロゲン化アルカリ金属である少と、
Ａｔ２０．の様な不活性充てん４ｊと全含有するパンク
粉末内に埋込まれる。
されるべ＠部材は、コーテイング材（Ａｔ又はＡｔ化合
物］とキャリアあるいは活性剤（通常ハロゲン化アルミ
ニウムあるいは）・ロゲン化アルカリ金属である少と、
Ａｔ２０．の様な不活性充てん４ｊと全含有するパンク
粉末内に埋込まれる。
この部材はこの様なパック粉に埋込まれ、かつ７５０°
〜１２５０℃に加熱されるが、コーティング層の厚さは
この熱処理の時間及び温度次第である。この様なＡｔバ
ックコーティング法においては、ハロゲン化物はＡｔ源
から部材へのＡｔの移行を容易にするキャリアあるいは
活性剤として作用する。この様なパック法を開示してい
る代表的な特許公報には、特開昭５５−８２７６４号、
同５５−８２７７０号、向５５−１１５９６５号、同５
８−１７７４５６号各公報がめる。
〜１２５０℃に加熱されるが、コーティング層の厚さは
この熱処理の時間及び温度次第である。この様なＡｔバ
ックコーティング法においては、ハロゲン化物はＡｔ源
から部材へのＡｔの移行を容易にするキャリアあるいは
活性剤として作用する。この様なパック法を開示してい
る代表的な特許公報には、特開昭５５−８２７６４号、
同５５−８２７７０号、向５５−１１５９６５号、同５
８−１７７４５６号各公報がめる。
内部通路をパック法を用いてコーティングしようとじた
時には、多くの場合非常に小さい内部通路がパック粉末
にて充てんされなければならず、また処理後この様な内
部通路は残留するパック粉末を除去し、清浄化しなけれ
ばならないので、困難に直面する。更にこの様な拡散浸
透法はコーテイング面ａに対するパック粉末の割合に工
っで影響を受ける。したがって、内部部材の幾何字形状
がコーティング層厚さに影響を及ぼす。
時には、多くの場合非常に小さい内部通路がパック粉末
にて充てんされなければならず、また処理後この様な内
部通路は残留するパック粉末を除去し、清浄化しなけれ
ばならないので、困難に直面する。更にこの様な拡散浸
透法はコーテイング面ａに対するパック粉末の割合に工
っで影響を受ける。したがって、内部部材の幾何字形状
がコーティング層厚さに影響を及ぼす。
内部通路金コーティングする方法として、パンク法によ
る困難を克服しょうとし友ものにガス相被偵法（Ｇａｓ
Ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、以下ＧＰＤ法
ト略−ｊ）がある。チューブで互いに連通接続された下
部室と上部室からなる包囲体があり、この下部室内にコ
ーテイング材例えばＡｌ’１（ＮａＡｌＦｌ の形で
粉末状にし、これに触媒を加えた混合粉を充てんし、他
方コーティングされる物品の中空部分が前記チューブと
連通ずる様に上部室内でチューブ部材上に前記物品を装
着した状態で、この包囲体を炉又は他の適当な加熱装置
内に配置し、パック粉及びコーティングされる物品全加
熱し、下部室内の一端から導入されたキャリアガスが前
記チューブを経てパック粉末から気化したガスを物品中
空部内に輸送し、これにより中空物品内面を被覆する。
る困難を克服しょうとし友ものにガス相被偵法（Ｇａｓ
Ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、以下ＧＰＤ法
ト略−ｊ）がある。チューブで互いに連通接続された下
部室と上部室からなる包囲体があり、この下部室内にコ
ーテイング材例えばＡｌ’１（ＮａＡｌＦｌ の形で
粉末状にし、これに触媒を加えた混合粉を充てんし、他
方コーティングされる物品の中空部分が前記チューブと
連通ずる様に上部室内でチューブ部材上に前記物品を装
着した状態で、この包囲体を炉又は他の適当な加熱装置
内に配置し、パック粉及びコーティングされる物品全加
熱し、下部室内の一端から導入されたキャリアガスが前
記チューブを経てパック粉末から気化したガスを物品中
空部内に輸送し、これにより中空物品内面を被覆する。
加熱温度は通常９８２°〜１２０４℃である。この様な
ＧＰＤ ｆｆ：全開示している代表的な特許公報には、
特公昭５９−１９９８８号公報、米国特許第４１４８２
７５号明細書がある。
ＧＰＤ ｆｆ：全開示している代表的な特許公報には、
特公昭５９−１９９８８号公報、米国特許第４１４８２
７５号明細書がある。
内部通路をＧＰＤ法でコーティングを行うとすると、処
理温度が高すぎ、基質の機械的性質を損ねたり、基質の
熱処理温度を制限することがめる。レリえばＮ１基超合
金では析出時効温度は８５０℃前後であり、エリ低い被
覆処理温度が型筒れる。破ωＪ曽の厚さは処理温度及び
時間に依存しており、パンク粉末からの気化ガス濃度金
嬢＜シ工うと思えば、処理温度を高くしなければならず
、基質への影響金考えて処理温度を低くすると、被覆処
理時間が長くなる。またこの方法は単に気化ガスｉＡｒ
等のキャリアガスで被覆されるべき物品中空部内に送る
方法であるので、非常に小さな内部通路を含む物品では
場所により流れが悪くなる部分を生じ、均一膜厚形成上
不利である。更にＧＰＤ法は一定温度に加熱された中空
物品の中空ガスが通過するので、ＦＦ３部通路が長くな
ると、ガスの入口側で供給ガスａ度は高く、出口側に行
くに従って消耗し、逆に排ガス濃度が高くなってくる。
理温度が高すぎ、基質の機械的性質を損ねたり、基質の
熱処理温度を制限することがめる。レリえばＮ１基超合
金では析出時効温度は８５０℃前後であり、エリ低い被
覆処理温度が型筒れる。破ωＪ曽の厚さは処理温度及び
時間に依存しており、パンク粉末からの気化ガス濃度金
嬢＜シ工うと思えば、処理温度を高くしなければならず
、基質への影響金考えて処理温度を低くすると、被覆処
理時間が長くなる。またこの方法は単に気化ガスｉＡｒ
等のキャリアガスで被覆されるべき物品中空部内に送る
方法であるので、非常に小さな内部通路を含む物品では
場所により流れが悪くなる部分を生じ、均一膜厚形成上
不利である。更にＧＰＤ法は一定温度に加熱された中空
物品の中空ガスが通過するので、ＦＦ３部通路が長くな
ると、ガスの入口側で供給ガスａ度は高く、出口側に行
くに従って消耗し、逆に排ガス濃度が高くなってくる。
したがって、入口側で被覆膜厚が厚く、出口側へ向かっ
て薄くなる傾向があり、均一な膜厚を得ることが困難に
なってくる。
て薄くなる傾向があり、均一な膜厚を得ることが困難に
なってくる。
３価のハロゲン化アルミニウムの不均化反応（ｄｉｓｐ
ｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ ） ｆ利用したＣＶ
Ｄ法は公知の方法であり、この方法を開示した代表的な
特許公報にはオーストＩＪア国特許第１８２０２４号明
細書がある。この特許に工ればワイヤー等の表面にＡｔ
Ｍ ＆する実施例に基づき、不均化反応全利用したＯＶ
Ｄ方法を中心に開示されたものである。そのほか上述の
ＯＶＤ ＠を電気材料用配線材料の薄膜形成方法として
、低温度範囲に限定して開示した特許公報があり、その
代表例は特公昭５９−４８９５２号公報である。いずれ
にしても例えば主要成分として、ｃｒ％Ｆｅ％Ｎｉある
いはＣＯを含有する合金等の中空物品内面に、不均化反
応を利用したＣＶＤ法で、低温で、均一膜厚分布で、迅
速被覆する装置ｔ全開示した特許公報はなく、この様な
装置の開発が望まれていた。
ｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ ） ｆ利用したＣＶ
Ｄ法は公知の方法であり、この方法を開示した代表的な
特許公報にはオーストＩＪア国特許第１８２０２４号明
細書がある。この特許に工ればワイヤー等の表面にＡｔ
Ｍ ＆する実施例に基づき、不均化反応全利用したＯＶ
Ｄ方法を中心に開示されたものである。そのほか上述の
ＯＶＤ ＠を電気材料用配線材料の薄膜形成方法として
、低温度範囲に限定して開示した特許公報があり、その
代表例は特公昭５９−４８９５２号公報である。いずれ
にしても例えば主要成分として、ｃｒ％Ｆｅ％Ｎｉある
いはＣＯを含有する合金等の中空物品内面に、不均化反
応を利用したＣＶＤ法で、低温で、均一膜厚分布で、迅
速被覆する装置ｔ全開示した特許公報はなく、この様な
装置の開発が望まれていた。
本発明の目的はハロゲン化合物の不均化反応を利用しｆ
ｃＯＶＤコーティング法にエフ、複雑な内部通路含有す
る中空物品の内面を、低温で、均一な膜厚で迅速に被覆
する装置を提供することにある。
ｃＯＶＤコーティング法にエフ、複雑な内部通路含有す
る中空物品の内面を、低温で、均一な膜厚で迅速に被覆
する装置を提供することにある。
〔発明の１ａ費〕
本発明を１ａ説すれば、本発明はＣＶＤ装置に関する発
明であって、常圧以下の圧力下、３価のハロゲン化アル
ミニウムと金属Ａｔとの反応で１価ノハロゲン化アルミ
ニウムを生成させるガス変成室と、該１価のハロゲン化
アルミニウムを３価のハロゲン化アルミニウムと金属Ａ
ｔに分解し、該金属Ａｔを１０００℃以下の温度領域に
保持した中空物品の内面に析出させ、同ＦＲｆに拡散浸
透させるＣＶＤ反応室とを包含するＣＶＤ装置において
、該両室は独立していて、該物品の中空部分が該ガス変
成室とチューブ部材にエフ連通するように配置されてお
り、かつ両室には、各々独立し′ｆｉ一温度調節設備が
設けられていることｔ−特徴とする。
明であって、常圧以下の圧力下、３価のハロゲン化アル
ミニウムと金属Ａｔとの反応で１価ノハロゲン化アルミ
ニウムを生成させるガス変成室と、該１価のハロゲン化
アルミニウムを３価のハロゲン化アルミニウムと金属Ａ
ｔに分解し、該金属Ａｔを１０００℃以下の温度領域に
保持した中空物品の内面に析出させ、同ＦＲｆに拡散浸
透させるＣＶＤ反応室とを包含するＣＶＤ装置において
、該両室は独立していて、該物品の中空部分が該ガス変
成室とチューブ部材にエフ連通するように配置されてお
り、かつ両室には、各々独立し′ｆｉ一温度調節設備が
設けられていることｔ−特徴とする。
下記（１）式にハロゲン化合物の不均化反応における反
応式金示す。
応式金示す。
ＡｔＸ、 ＋ ２Ａｔ ＃５ＡｔＸ ”＠ｆ
ｉｌ（ここでＡｌＸ３ は３価のハロゲン化アルミニ
ウム、Ａｔｘは１価の）・ロゲン化アルミニウムである
） 以下上記Ｘ ＝ＣＺｃｌ場今について説明する。例えば
中空物品の内面コーティングの原料として塩化アルミニ
ウム（ＡｔＣｔｓ ）及び金属Ａｔヲ用いたとすると、
ＡｔとＡｔ０ｔ、の反応において、１１１式に示される
不均化反応の右方向への進行は吸熱反応である友め、高
温・減圧化にてＡｚｃｚ を盛んに生成する。
ｉｌ（ここでＡｌＸ３ は３価のハロゲン化アルミニ
ウム、Ａｔｘは１価の）・ロゲン化アルミニウムである
） 以下上記Ｘ ＝ＣＺｃｌ場今について説明する。例えば
中空物品の内面コーティングの原料として塩化アルミニ
ウム（ＡｔＣｔｓ ）及び金属Ａｔヲ用いたとすると、
ＡｔとＡｔ０ｔ、の反応において、１１１式に示される
不均化反応の右方向への進行は吸熱反応である友め、高
温・減圧化にてＡｚｃｚ を盛んに生成する。
一方、低温領域では反応は左辺へ進行し、Ａｌ０ｔがＡ
ｔを放出し、Ａｌ−Ｃｌ３の安定な状態となるため、該
放出Ａｔが中空物品内面に被膜全形成する。
ｔを放出し、Ａｌ−Ｃｌ３の安定な状態となるため、該
放出Ａｔが中空物品内面に被膜全形成する。
ここで右方向の反応でできたＡｔＸと左方向の反応でで
きたＡｔＭ、全混在させず、能率工く被膜形成を行うた
めに、ソースガスＡｔＸ３と金属Ａｔを反応させるガス
変成室を、＋１１式の逆反応によジＡｔｃｔ ２＞；
ｐ、ｔ ２放１ｔｌＬ、安定Ｉ ＡＡｃｔｓ ト！ ル
ＣＶＤ反応室から隔離・密閉した。
きたＡｔＭ、全混在させず、能率工く被膜形成を行うた
めに、ソースガスＡｔＸ３と金属Ａｔを反応させるガス
変成室を、＋１１式の逆反応によジＡｔｃｔ ２＞；
ｐ、ｔ ２放１ｔｌＬ、安定Ｉ ＡＡｃｔｓ ト！ ル
ＣＶＤ反応室から隔離・密閉した。
（１）式で右方向の反応は高温で行われ、左方向の反応
は低温で行われるので、ＡｔＸが形成されるガス変成室
Ｖこは、ＣＶＤ反応室とは別系統の専用加熱源を用いた
。以上が本発明装置の主要点である。
は低温で行われるので、ＡｔＸが形成されるガス変成室
Ｖこは、ＣＶＤ反応室とは別系統の専用加熱源を用いた
。以上が本発明装置の主要点である。
そして、本発明装置においては、下記の１うな各設備を
設けることが好適である。
設けることが好適である。
Ａｔ析出反応は低温で行われることと、比較的長い内部
通路を有する中空物品の内面被徨では、入口側でＡｔＸ
が濃く、出口側では逆にＡｔＸが少なく、排ガスのＡｔ
Ｘ、が多くなること故に、この中空物品の通路に沿って
、長手方向に温度勾配をつける構造にし、かつ中空物品
内のガス出口側に接近した部分にガス捕集口を設け、ポ
ンプにエフ排気する構造にし、通路内のガスの流れを制
御し、内部通路内の膜厚分布を均一にする。
通路を有する中空物品の内面被徨では、入口側でＡｔＸ
が濃く、出口側では逆にＡｔＸが少なく、排ガスのＡｔ
Ｘ、が多くなること故に、この中空物品の通路に沿って
、長手方向に温度勾配をつける構造にし、かつ中空物品
内のガス出口側に接近した部分にガス捕集口を設け、ポ
ンプにエフ排気する構造にし、通路内のガスの流れを制
御し、内部通路内の膜厚分布を均一にする。
次にこの様なハロゲン化合物の不均化反応を用いたＯＶ
Ｄ″′Ｃはガス変成室とＡｔ析出を行うＣＶＤ反応室の
間を連通ずるチューブが長すぎては、高温で形成された
ＡｔＸが途中のチューブ内でＡｔＸ、に戻ってしまうこ
とがある故に、両室全上下の位置関係で接近して配置し
、１次ガス変成室は室容積音大きくと９、ＡｔＸ生厄量
金大量化し、生灰したＡｔＸ ｉ ＣＶＤ反応室へ均一
に、短いチューブ長さで、速かに輸送するために、中空
物品及び／又は同物品の支持台と同−法線上にリング状
の室からなる構造にする。
Ｄ″′Ｃはガス変成室とＡｔ析出を行うＣＶＤ反応室の
間を連通ずるチューブが長すぎては、高温で形成された
ＡｔＸが途中のチューブ内でＡｔＸ、に戻ってしまうこ
とがある故に、両室全上下の位置関係で接近して配置し
、１次ガス変成室は室容積音大きくと９、ＡｔＸ生厄量
金大量化し、生灰したＡｔＸ ｉ ＣＶＤ反応室へ均一
に、短いチューブ長さで、速かに輸送するために、中空
物品及び／又は同物品の支持台と同−法線上にリング状
の室からなる構造にする。
本発明装置はどちらかというと中空物品が直線的なもの
に対しては、均一コーテイング膜厚分布を得ることは容
易であるが、中空物品がリターンフロー型になってくる
と、内部通路に沿った温度勾配をつけるために、少々の
工夫が会費である。例えば （１）甲窒物品自体に電気を流し、通電加熱方式にすれ
ば、電極の数を増やしたり、中空物品の断面肉厚を制御
したシすることにより、望ましい＠度勾配をつけること
ができる。例えば管全長で容易に温度検出ができれば、
ハ二コン等で通電上流の制御も可能になる。
に対しては、均一コーテイング膜厚分布を得ることは容
易であるが、中空物品がリターンフロー型になってくる
と、内部通路に沿った温度勾配をつけるために、少々の
工夫が会費である。例えば （１）甲窒物品自体に電気を流し、通電加熱方式にすれ
ば、電極の数を増やしたり、中空物品の断面肉厚を制御
したシすることにより、望ましい＠度勾配をつけること
ができる。例えば管全長で容易に温度検出ができれば、
ハ二コン等で通電上流の制御も可能になる。
叩 そのほかコーティングされるべ＠物品が多数ろれば
その形状に合った専用加熱体をつくることも可能でるる
。（１）、（１１）いずれにせ工・内Ｓ通路に沿ってｍ
度勾配をつけることに必ずしも技術的に難しくない。
その形状に合った専用加熱体をつくることも可能でるる
。（１）、（１１）いずれにせ工・内Ｓ通路に沿ってｍ
度勾配をつけることに必ずしも技術的に難しくない。
以下、本発明装置を図面に基づいて具体的に説明する。
第１図は、本発明装置の１例の断面図である。
第１図に示し次装置はキャリアガスＡｒ又はＨ２ｉｔｔ
−コントロールするガスコントローラ１、Ａｌ０Ｉｓ
ｔｌ−ガス化する容器２、溶融Ａｔ５、ＡｔＣｌ５とＡ
ｔを反応させてＡｔＣｔ を作成するガス変成室４、
コーティングされるべき中空物品５、中空物品を支える
支持台６、排ガス捕集ロア、真空ポンプ８、ガスＫＷｔ
室用電気炉９、多段式電気炉１０、マツフル１１、ＣＶ
Ｄ反応室１２、ガス変成室と中空物品内面とを連通ずる
チューブ１５とから構成される。
−コントロールするガスコントローラ１、Ａｌ０Ｉｓ
ｔｌ−ガス化する容器２、溶融Ａｔ５、ＡｔＣｌ５とＡ
ｔを反応させてＡｔＣｔ を作成するガス変成室４、
コーティングされるべき中空物品５、中空物品を支える
支持台６、排ガス捕集ロア、真空ポンプ８、ガスＫＷｔ
室用電気炉９、多段式電気炉１０、マツフル１１、ＣＶ
Ｄ反応室１２、ガス変成室と中空物品内面とを連通ずる
チューブ１５とから構成される。
従来横型の石英管などの１７３ｉＫ高温部（ロ）に溶融
Ａｔを、低温部ＣＬ）Ｋコーティングされるべきサンプ
ルをおいて、石英管のＨ側の一端からキャリアガスに工
っで、ソースガスＡｌＣ１５ｋ輸送してきて、高温部で
浴融Ａｔと反応させＡｔ０ｔ 全形成し、このガス金
低県部のサンプル上に導き、Ａｔ を析出させていた
。この方法ではソース及び排ガスのＡｔ０ＩｓとＣＶＤ
反応ガスガスｃｔ が混ざってしまい、効率よいＣＶＤ
かで＠なかった。本発明ではガス変成室をＣＶＤ反応室
から分離、密閉することにＬりこの欠点全改善した。ガ
ス変成室′ｆｆ：ＣｖＤ反応室と別系統の温度制御をす
ると共に、ＣＶＤ反応室を多段式電気炉で加熱制御し、
被惜されるべき物品の長手方向に＠度勾配をつけた。ま
た中空物品の排ガス出口に接近してガス捕集口を設け、
真空ポンプで排気し、中空物品内のガスの流れを制御し
た。これに↓クコーティング膜厚分布が均一化した。
Ａｔを、低温部ＣＬ）Ｋコーティングされるべきサンプ
ルをおいて、石英管のＨ側の一端からキャリアガスに工
っで、ソースガスＡｌＣ１５ｋ輸送してきて、高温部で
浴融Ａｔと反応させＡｔ０ｔ 全形成し、このガス金
低県部のサンプル上に導き、Ａｔ を析出させていた
。この方法ではソース及び排ガスのＡｔ０ＩｓとＣＶＤ
反応ガスガスｃｔ が混ざってしまい、効率よいＣＶＤ
かで＠なかった。本発明ではガス変成室をＣＶＤ反応室
から分離、密閉することにＬりこの欠点全改善した。ガ
ス変成室′ｆｆ：ＣｖＤ反応室と別系統の温度制御をす
ると共に、ＣＶＤ反応室を多段式電気炉で加熱制御し、
被惜されるべき物品の長手方向に＠度勾配をつけた。ま
た中空物品の排ガス出口に接近してガス捕集口を設け、
真空ポンプで排気し、中空物品内のガスの流れを制御し
た。これに↓クコーティング膜厚分布が均一化した。
以下、本発明全実施例により爽に具体的に説明するが、
本発明はこれに駆足されるものではない。
本発明はこれに駆足されるものではない。
実施例１
第２図に、前記第１図Ｖこ示した装置音用いてコーティ
ングしｆｃ場合の膜厚分布の１例を示す。
ングしｆｃ場合の膜厚分布の１例を示す。
すなわち第２図は、中空物品の管長約９０５１５０ｍで
の管断面Ａｔコーティング膜厚（蒸着プラス拡散ＮＩ）
の分布を、ガス入口からの距離（■、横軸）と、膜厚（
μｍ）及び管内温度（Ｃ）（縦軸）との関係で示したグ
ラフである。
の管断面Ａｔコーティング膜厚（蒸着プラス拡散ＮＩ）
の分布を、ガス入口からの距離（■、横軸）と、膜厚（
μｍ）及び管内温度（Ｃ）（縦軸）との関係で示したグ
ラフである。
内径約５ｗＩφのＮｉ−０ｒ合金管円面にキャリアガス
Ａｒを用い、ガス化されたＡｚｃｚ、を１０００℃に加
熱されたガス変成室に送り、試料温度を８４０〜９５０
℃に変化させて管内面にＡｔを０ＶＤＬ、、同時に拡散
浸透させた。排気はロータリボ／プで行い、ＣｖＤ反応
室内で１０数トルに保った。その結果、コーティング膜
厚（蒸着プラス拡散層）は、管長６０ｍ＋において、１
０±１μｍの範囲にあった。温度勾配はガス上流で低く
、下流で高い場合である。
Ａｒを用い、ガス化されたＡｚｃｚ、を１０００℃に加
熱されたガス変成室に送り、試料温度を８４０〜９５０
℃に変化させて管内面にＡｔを０ＶＤＬ、、同時に拡散
浸透させた。排気はロータリボ／プで行い、ＣｖＤ反応
室内で１０数トルに保った。その結果、コーティング膜
厚（蒸着プラス拡散層）は、管長６０ｍ＋において、１
０±１μｍの範囲にあった。温度勾配はガス上流で低く
、下流で高い場合である。
以上説明した工うに、本発明によれば、比較的長い内部
通路に対しても均一な膜厚分布が得られる。そして、ガ
ス変成室全拡張し、ガス変成室と中空物品とを連通する
チューブの数全増加することにより、一度に多数の中見
物品の内面を、均一な膜厚分布を損うことなく、被覆す
ることができる。しかも、ＣｖＤ反応ガスであるＡｔＸ
の利用効率が高まり、ＣＶＤ速度が早くなるという顕著
な効果を奏することができる。
通路に対しても均一な膜厚分布が得られる。そして、ガ
ス変成室全拡張し、ガス変成室と中空物品とを連通する
チューブの数全増加することにより、一度に多数の中見
物品の内面を、均一な膜厚分布を損うことなく、被覆す
ることができる。しかも、ＣｖＤ反応ガスであるＡｔＸ
の利用効率が高まり、ＣＶＤ速度が早くなるという顕著
な効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
第１因は本発明装置の１例の断面図、第２図に中空物品
の管長約９０〜１５０ｍ＋の内面に第１図に示した装置
にエフＣｖＤを行ったときの管断面Ａｔコーティング膜
厚の分布を、反応ガスの流れ方向と管の温度勾配との関
係で示したグラフである。
の管長約９０〜１５０ｍ＋の内面に第１図に示した装置
にエフＣｖＤを行ったときの管断面Ａｔコーティング膜
厚の分布を、反応ガスの流れ方向と管の温度勾配との関
係で示したグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、常圧以下の圧力下、３価のハロゲン化アルミニウム
と金属アルミニウムとの反応で１価のハロゲン化アルミ
ニウムを生成させるガス変成室と、該１価のハロゲン化
アルミニウムを３価のハロゲン化アルミニウムと金属ア
ルミニウムに分解し、該金属アルミニウムを １０００℃以下の温度領域に保持した中空物品の内面に
析出させ、同時に拡散浸透させる化学蒸着反応室とを包
含する化学蒸着装置において、該両室は独立していて、
該物品の中空部分が該ガス変成室とチューブ部材により
連通するように配置されており、かつ両室には、各々独
立した温度調節設備が設けられていることを特徴とする
化学蒸着装置。 ２、該化学蒸着反応室における温度調節設備は、該物品
の長手方向に沿つて微細な温度調節が可能な設備である
特許請求の範囲第１項記載の化学蒸着装置。 ３、該化学蒸着反応室には、減圧排ガス捕集設備が設け
られている特許請求の範囲第１項又は第２項記載の化学
蒸着装置。 ４、該両室は上下の位置関係にある特許請求の範囲第１
項〜第３項のいずれかに記載の化学蒸着装置。 ５、該中空物品は該ガス変成室の上方にある特許請求の
範囲第４項記載の化学蒸着装置。 ６、該中空物品は該ガス変成室の下方にある特許請求の
範囲第４項記載の化学蒸着装置。 ７、該ガス変成室は、該中空物品及び／又は該中空物品
支持台と同一法線上に配置されたリング状の構造を持つ
室である特許請求の範囲第５項又は第６項記載の化学蒸
着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252039A JPH0772352B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 化学蒸着装置及び化学蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252039A JPH0772352B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 化学蒸着装置及び化学蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112781A true JPS62112781A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH0772352B2 JPH0772352B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=17231722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252039A Expired - Lifetime JPH0772352B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | 化学蒸着装置及び化学蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772352B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159376A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Hitachi Ltd | 耐熱部材内部のアルミニウム被覆方法およびその装置 |
| US5015214A (en) * | 1988-09-06 | 1991-05-14 | Laurel Bank Machines Co., Ltd. | Coin feed-in apparatus for coin handling machine |
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| JP2008097160A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Glory Ltd | 円板体投出装置 |
| CN110047912A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-07-23 | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 | 一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5948952A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Sony Corp | 抵抗体の製法 |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP60252039A patent/JPH0772352B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772352B2 (ja) | 1995-08-02 |
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