JPH09296270A

JPH09296270A - Ｃｖｄ装置及び方法

Info

Publication number: JPH09296270A
Application number: JP13060496A
Authority: JP
Inventors: Akiko Kobayashi; 明子小林; Atsushi Sekiguchi; 敦関口
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1996-04-30
Filing date: 1996-04-30
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】反応室と油回転ポンプの間に高温のガス接触
体を配置して、未反応の原料ガスと反応生成物ガスとを
熱分解し、油回転ポンプのオイルの変質による排気速度
の低下を防ぐ。【解決手段】原料ガスは基板１４の表面で熱分解し
て、基板１４上に膜が堆積する。原料ガスが熱分解する
と反応生成物ガスが反応室１０内に発生する。この反応
生成物ガスと未反応の原料ガスは、バルブ５０と可変バ
ルブ５２を経て、油回転ポンプ５４で排気される。その
際、油回転ポンプ５４の手前のガス分解装置５８におい
て、加熱されたガス接触体に排気ガスが触れて熱分解す
る。分解生成物はガス接触体の表面に堆積する。ガス分
解装置５８を通過して低分子量となった排気ガスは油回
転ポンプ５４で排気される。低分子量となった排気ガス
は油回転ポンプ５４のオイルを変質させることがなく、
油回転ポンプ５４の排気速度は低下しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ（化学気
相蒸着）装置及び方法に関し、特に、金属または半導体
を含む有機ガスを原料ガスとして用いる場合の排気系に
特徴のあるＣＶＤ装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＶＤ装置では、堆積する物質に応じて
さまざまな原料ガスが使用されるが、未反応の原料ガス
や反応生成物ガスを排気ポンプで排気する場合に次のよ
うな問題が生じる。原料ガスや反応生成物ガスなどから
なる排気ガスをそのまま排気ポンプに流すと、排気ポン
プに障害が生じることがある。例えば、油回転ポンプの
オイルに排気ガスが混入してオイルが変質し、排気速度
が低下することがある。油回転ポンプ以外の真空ポンプ
でも問題が生じることがあり、例えばドライポンプで
は、常温常圧で固体の反応生成物がポンプ部品に付着し
て排気動作に障害を生じることがある。

【０００３】そこで、ＣＶＤ装置の反応室と排気ポンプ
の間に排気ガスの除害装置を設けることが知られてい
る。この種の除害装置としては、例えば、プラズマを用
いてガスを分解させる装置が知られており（米国特許第
４７３５６３３号）、製品例としては、ELECTROCHEMICA
L TECHNOLOGY 社製 Dry Scrub System がある。この除
害装置では、プラズマによって、排気ガスのほとんどが
低分子量の物質に分解され、その分解物はプラズマ発生
電極に堆積する。また、除害装置の別の例としては、排
気ガスを冷却することで排気ガス中の成分を析出除去す
る装置も知られている（特開平６−３０２５２０号公
報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】プラズマを用いた除害
装置は、（１）プラズマを用いるために使用圧力範囲が
限られる、（２）装置が高価になる、（３）分解生成物
がプラズマ発生電極の表面上に堆積してプラズマが不安
定となる、などの問題がある。

【０００５】また、冷却を用いた除害装置は、未反応の
原料ガスや反応生成物ガスを分解することなく、そのま
ま析出させるために、その析出が不十分だと、この除害
装置を通過した排気ガスには分子量が大きいものが混じ
ることになる。これが油回転ポンプに流入すると、ポン
プのオイルの変質を招き、排気速度を低下させる原因に
なる。

【０００６】この発明は上述の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、構造が簡単で排気ガ
スを効果的に分解できるＣＶＤ装置及び方法を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明のＣＶＤ装置
は、真空に排気可能な反応室内で原料ガスを化学反応さ
せて基体上に成膜するＣＶＤ装置において、反応室と排
気ポンプとをつなぐ排気管の途中に、加熱可能なガス接
触体を設けたものである。このガス接触体は大きな表面
積を有するのが好ましい。このガス接触体を所定の温度
に加熱して、そこに排気ガスを通過させれば、未反応の
原料ガスや反応生成物ガスは、高温のガス接触体に触れ
て熱分解し、より低分子量のガスになる。したがって、
排気ポンプに障害が生じにくく、排気速度の低下は生じ
ない。

【０００８】ガス接触体としては多孔質構造やハニカム
構造のものを利用できる。その材質としては金属、金属
化合物、セラミックスなどを使用できる。金属及び金属
化合物は、熱伝導性が高く、ガス接触体を均一に加熱で
きる点が有利である。また、反応性の高い分解生成物に
対しては、耐熱性や耐薬品性に優れた、アルミナセラミ
ックスや炭化ケイ素セラミックスなどのセラミックスが
適している。さらに、金属表面をセラミックスで被覆し
た材質も好ましく、例えば、アルミニウムの表面に酸化
アルミニウム被膜を形成したもの（アルミナ化処理した
もの）を用いることができる。

【０００９】ガス接触体の加熱温度としては、未反応の
原料ガスや反応生成物ガスが十分に分解する程度の温度
にする必要があり、２００〜６００℃の範囲内の温度が
好ましい。

【００１０】この発明は、特に、金属元素を含む有機ガ
スまたは半導体元素を含む有機ガスを原料ガスとして用
いるＣＶＤ方法に有効である。金属元素を含む有機ガス
の例としては、銅の堆積用として、［トリメチルビニル
シリル］ヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅、［３
−ヘキチン］ヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅、
ビスヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅、［２−ブ
チン］ヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅、［トリ
メチルフォスフィン］ヘキサフルオロアセチルアセトン
酸塩銅を使うことができる。アルミニウムの堆積用とし
ては、ジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡ
Ｈ）、トリメチルアミンアラン（ＴＭＡＡ）、トリイソ
ブチルアルミニウム（ＴＩＢＡ）を使うことができる。
また、半導体元素を含む有機ガスの例としては、ＳｉＯ
₂堆積用のＴＥＯＳがある。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明のＣＶＤ装置の
一実施形態の構成図である。反応室の部分は正面断面図
を表している。反応室１０の内部には基板ホルダー１２
が配置され、被処理基体である基板１４が基板押さえ１
６で基板ホルダー１２に取り付けられている。基板ホル
ダー１２は、その内蔵ヒータ１８で加熱される。基板１
４の温度は熱電対２０で測定され、基板温度が所定の設
定温度になるように、温度調節装置２２によって内蔵ヒ
ータ１８に電力が供給される。

【００１２】反応室１０の内部には、基板ホルダー１２
に対向するように、原料ガスの拡散装置２４が設置され
ている。原料ガスは、原料ガス供給装置２６からバルブ
２８を経て拡散装置２４に供給される。原料ガス供給装
置２６の構成を以下に説明する。容器３２に収容された
液体原料３０は、加圧ガス３４で加圧されて、流量制御
器３６を通って気化器３８に流入する。一方、キャリア
ガス４０は、流量制御器４２を通って気化器３８に流入
する。気化器３８では液体原料が気化して原料ガスとな
り、これがバルブ２８を通って拡散装置２４に供給され
る。気化器３８から拡散装置２４に至る配管はヒータ４
４で加熱され、拡散装置２４もヒータ４６で加熱され
る。反応室１０もヒータ４８で加熱される。

【００１３】次に、排気系を説明する。反応室１０はバ
ルブ５０と可変バルブ５２を介して油回転ポンプ５４で
排気される。可変バルブ５２と油回転ポンプ５４との間
の排気管５６にはガス分解装置５８が設けられている。
このガス分解装置５８は、気密容器の内部にガス接触体
を配置したものであり、気密容器の入口が可変バルブ５
２の側の排気管５６ａに接続され、気密容器の出口が油
回転ポンプ５４の側の排気管５６ｂに接続されている。
気密容器の外周にはヒータ６０が巻かれていて、このヒ
ータ６０で気密容器の内部のガス接触体を所望の温度に
加熱できる。ヒータ６０は、シースヒータを気密容器の
外周面に巻き付けたものである。ガス接触体の温度は熱
電対６２で測定され、この温度が所定の温度になるよう
に温度調節装置６４からヒータ６０に電力が供給され
る。

【００１４】図２はガス分解装置の構造の一例を示す断
面図である。円筒状の気密容器６５の内部には円柱形状
のガス接触体６７が配置されている。ガス接触体６７の
外周面は気密容器６５の内周面に接触しているので、排
気管５６ａから気密容器６５に流入するガスは、ガス接
触体６７を通過してから、排気管５６ｂへと流出してい
く。気密容器６５の外壁面にはヒータ６０が巻き付けら
れている。また、ヒータ６０を取り囲むようにヒータカ
バー６１が設けられている。ガス接触体６７としては多
孔質の金属を用いることができる。その一例としては、
Energy Research and Generation 社製のアルミニウム
製の「Duocel」（商品名）がある。そのアルミニウムの
表面はアルミナ化処理されている。また、多孔質の金属
の代わりに、金属製あるいはセラミックス製のハニカム
構造体を用いることもできる。これらのガス接触体の表
面積は、同じ長さの排気管の内壁面の表面積に比べて非
常に大きくなっている。加熱されたガス接触体６７に排
気ガスが接触すると、排気ガスはガス接触体の表面で熱
分解して、より小さな分子量の分解物になり、これがガ
ス接触体６７の表面に堆積する。なお、実験によれば、
ガス接触体６７を配置した場合と配置しない場合とで、
排気系全体の排気速度の違いはほとんどなく、ガス接触
体６７を設けたことによる排気速度の低下は無視できる
ほど小さい。

【００１５】次に、図１のＣＶＤ装置の基本的な働きを
説明する。反応室１０を排気するとともに基板１４を所
定温度に加熱してから、原料ガス供給装置２６から原料
ガスを拡散装置２４を介して反応室１０に導入する。原
料ガスは基板１４の表面で熱分解して、基板１４上に膜
が堆積する。原料ガスが熱分解すると反応生成物ガスが
反応室１０内に発生する。この反応生成物ガスと未反応
の原料ガスは、バルブ５０と可変バルブ５２を経て、油
回転ポンプ５４で排気される。その際、油回転ポンプ５
４の手前のガス分解装置５８において、加熱されたガス
接触体に排気ガスが触れて熱分解する。分解生成物はガ
ス接触体の表面に堆積する。ガス分解装置５８を通過し
て低分子量となった排気ガスは油回転ポンプ５４で排気
される。低分子量となった排気ガスは油回転ポンプ５４
のオイルを変質させることがなく、油回転ポンプ５４の
排気速度は低下しない。

【００１６】図１で使用している原料ガス供給装置２６
は、液体原料の状態で流量制御をしているので、安定し
た流量が得られ、原料ガスを大量に流すことができる。
原料ガスを大量に流すことで、高い成膜速度を得ること
ができる。しかし、未反応の原料ガスや反応生成物ガス
も増加するので、ガス分解装置５８がない場合には、油
回転ポンプ５４のオイルが変質して排気速度の低下が心
配される。これに対して、図１のＣＶＤ装置では、ガス
分解装置５８を用いているので、大量の原料ガスを流し
ても、油回転ポンプの排気速度は低下しない。このよう
に大量の原料ガスを流す場合には、ガス分解装置５８を
設置することは特に効果的である。図１に示すタイプの
原料ガス供給装置２６を使う原料ガスは、液体状態で流
量制御できる原料であり、例えば、銅堆積用の［トリメ
チルビニルシリル］ヘキサフルオロアセチルアセトン酸
塩銅や、アルミニウム堆積用のジメチルエチルアミンア
ランなどがある。

【００１７】図３はこの発明のＣＶＤ装置の第２の実施
形態の構成図である。図１の実施形態と異なるところ
は、油回転ポンプの前段にルーツポンプ（メカニカルブ
ースタポンプとも呼ばれる。）を配置したことと、ガス
分解装置の構成が異なることである。以下、図１と異な
る部分を中心に説明する。可変バルブ５２の下流側に
は、ルーツポンプ６６とガス分解装置６８と油回転ポン
プ５４が、上流側から下流側に向かって、この順番に配
置されている。したがって、反応室１０とルーツポンプ
６６の吸気口との間に第１排気管６９が接続され、ルー
ツポンプ６６の排気口と油回転ポンプ５４の吸気口との
間に第２排気管７０で接続されている。そして、第２排
気管７０の途中にガス分解装置６８が接続されている。
ルーツポンプ６６は、１対のロータを互いに噛み合わせ
て回転する形式の純粋な機械式の真空ポンプであり、オ
イルを使っていないので、オイルの変質による排気速度
の劣化は生じない。したがって、ガス分解装置６８の前
段にルーツポンプ６６を配置することは可能である。油
回転ポンプ５４のほかにルーツポンプ６６を併用したこ
とで、安定した排気特性が得られる。

【００１８】次に、ガス分解装置６８の構造を説明す
る。この実施形態のガス分解装置６８では、ガス接触体
７２を加熱するためのヒータ７４を気密容器７６の内部
に配置している。これにより、高温のヒータ７４が気密
容器７６の外部に露出することがなくなる。したがっ
て、ヒータ７４の熱が気密容器７６の外部に伝わりにく
くなって、安全性が高まる。さらに気密容器７６の外壁
を水冷すれば、ヒータ７４の熱が外部に伝わるのを完全
に防止できる。また、このガス分解装置６８では、気密
容器７６に覗き窓７８を設けて、ガス接触体７２に堆積
する分解生成物の堆積量を外部から観察できるようにな
っている。さらに、ガス接触体７２を着脱できる構造に
なっており、分解生成物の堆積量が多くなってきたら、
メタルシールで開閉可能な交換ポート８０を外して、内
部のガス接触体７２を交換できるようになっている。

【００１９】ガス接触体７２の温度は熱電対８２で測定
され、この温度が所定の温度になるように温度調節装置
８４からヒータ７４に電力が供給される。熱電対８２と
ヒータ７４は、気密容器７６に設けた端子部８６を介し
て、温度調節装置８４につながっている。

【００２０】図５は、図３のガス分解装置６８の具体的
な構造の一例を示す断面図である。ガス接触体７２は、
中央に空所７３を有する有底円筒形状をしており、円形
断面の空所７３には排気管７０ａがつながっている。こ
のガス接触体７２は気密容器７６の内部に、所定の間隙
をもって収容されている。ガス接触体７２の外周面には
ヒータ７４が巻き付けられている。気密容器７６の外壁
には排気管７０ｂと覗き窓７８が接合されている。気密
容器７６の一端には交換ポート８０が着脱可能に取り付
けられていて、この交換ポート８０は排気管７０ａに接
合されている。排気管７０ａから空所７３に流入したガ
スは、ガス接触体７２を通過してその外面から出てい
き、排気管７０ｂへと流出していく。ガス接触体７２の
材質は図２に示すガス接触体６７と同様である。ヒータ
７４は気密容器７６の内部にあるので排気ガスに触れる
ことになり、このヒータ７４に分解生成物が堆積するこ
ともあるが、堆積しても問題はない。しかも、ガス接触
体７２を通過した後のガスにヒータ７４が接触すること
になるから、ヒータ７４への分解生成物の堆積はそれほ
ど多くはならない。

【００２１】図４はこの発明のＣＶＤ装置の第３の実施
形態の構成図である。反応室１０の内部には基板ホルダ
ー１２が配置され、基板１４はランプ８８で加熱され
る。反応室１０の内部には、基板ホルダー１２に対向す
るように、原料ガスの拡散装置９０が設置されている。
原料ガスは、原料ガス供給装置９２からバルブ９４を経
て拡散装置９０に供給される。原料ガス供給装置９２の
構成を以下に説明する。この原料ガス供給装置９２で
は、バブリング法によって原料ガスを得ている。液体原
料１００の入った原料容器９６は、温度調節されたウォ
ーターバス９８に収容されている。キャリアガス１０２
は流量制御器１０４を通って液体原料１００中に導入さ
れ、液体原料１００をバブリングする。この原料ガス供
給装置９２では、ウォーターバス９８の温度を制御する
ことによって液体原料１００の蒸気圧を制御し、もっ
て、発生する原料ガスの流量を制御できる。

【００２２】次に、排気系の構成を説明する。可変バル
ブ５２の下流側には、ルーツポンプ６６とガス分解装置
１０６と油回転ポンプ５４が、上流側から下流側に向か
って、この順番に配置されており、このような排気系の
構成は図３に示す実施形態と同じである。ただし、ガス
分解装置１０６の構成が図３の実施形態とは異なってい
る。この実施形態のガス分解装置１０６は、基本的には
図１のガス分解装置５８と同様であるが、ヒータ１０８
を取り囲むように水冷ジャケット１１０を配置してい
る。これにより、高温のヒータ１０８が露出することが
なく、安全性が高まる。

【００２３】

【実施例】第１の成膜例は、図１のＣＶＤ装置を用いて
基板上に銅を堆積する例である。原料ガス供給装置２６
としては、リンテック社製のものを用いた。液体原料３
０としては［トリメチルビニルシリル］ヘキサフルオロ
アセチルアセトン酸塩銅（以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔ
ｍｖｃ）と略記することもある。）を用いた。具体的に
は、Air Products and Chemicals 社の SCHUMACHER 製
Cupra Selectを用いた。加圧ガス３４としてはヘリウム
ガスを、キャリアガス４０としては水素ガスを用いた。
気化器３８では上記液体原料が気化して原料ガスとな
り、これが拡散装置２４を経て反応室１０に入る。Ｓｉ
製の基板１４の温度は１７０℃に設定した。基板１４の
表面では上述の原料ガスが熱分解して、基板１４の表面
に銅が堆積した。その際には、次の化学式（１）に示す
ような不均化反応が起こる。

【００２４】

【化１】２Ｃｕ(I)（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ） → Ｃｕ(0) ＋Ｃu(II)（ｈｆａｃ）₂ ＋２ｔｍｖｓ …（１）

【００２５】化学式（１）の左辺は原料ガスの［トリメ
チルビニルシリル］ヘキサフルオロアセチルアセトン酸
塩銅であり、その銅原子は１価である。化学式（１）の
右辺では、基板上に堆積する０価の銅と、２価の銅原子
を含むビスヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅と、
トリメチルビニルシランとが生じる。原料ガスの［トリ
メチルビニルシリル］ヘキサフルオロアセチルアセトン
酸塩銅は、常温で液体で、蒸気圧は５Ｔｏｒｒ（１００
℃）であり、７０℃以上の温度で分解する。反応生成物
の一つであるビスヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩
銅は、常温で固体で、蒸気圧は９Ｔｏｒｒ（１００℃）
であり、３００℃以上の温度で分解する。別の反応生成
物のトリメチルビニルシランは、常温で液体で、沸点は
５５℃（１気圧）である。銅の膜を堆積すると、同じモ
ル数のビスヘキサフルオロアセチルアセトン酸塩銅が生
成され、これは、基板温度（１７０℃）及び反応室内の
温度では分解しない。

【００２６】反応室からの排気ガスには、未反応の原料
ガスと、反応生成物ガスのビスヘキサフルオロアセチル
アセトン酸塩銅とトリメチルビニルシランとが含まれて
いる。この排気ガスは、バルブ３８と可変バルブ５２を
通って、ガス分解装置５８に流入する。ガス分解装置５
８としては、Energy Research and Generation 社製の
アルミニウム製の Duocel を使用した。そのアルミニウ
ムの表面はアルミナ化処理されている。このガス分解装
置５８のガス接触体は５００℃に加熱されている。排気
ガスに含まれている上述の有機ガスは、５００℃に加熱
されたガス接触体に触れて分解し、より低分子量の分解
生成物となる。そして、ガス接触体には銅などの分解生
成物が堆積する。ガス接触体を通過した排気ガスには有
機銅がほとんど含まれず、有機銅が油回転ポンプ５４の
オイルに混入してオイルが変質することがなくなった。
ガス分解装置５８を設けない場合には、油回転ポンプ５
４の排気速度が低下しており、そのとき、油回転ポンプ
のオイルに有機銅の混入を示す変色がみられ、有機銅の
結晶が認められた。ガス分解装置５８を設けた場合に
は、油回転ポンプ５４の排気速度は一定に保たれ、オイ
ルの変色や有機銅の結晶は見られなかった。

【００２７】第２の成膜例は、図４のＣＶＤ装置を用い
て基板上にアルミニウムを堆積する例である。液体原料
１００としては、ジメチルアルミニウムハイドライド
（ＤＭＡＨ）を用い、キャリアガス１０２としては水素
ガスを用いた。ジメチルアルミニウムハイドライドは、
キャリアガスでバブリングされて原料ガスとなり、拡散
装置９０から反応室１０内に導入された。原料ガスは、
加熱された基板１４の表面で熱分解して、基板１４上に
アルミニウムが堆積した。その際には、次の化学式
（２）に示すような反応が起こる。

【００２８】

【化２】２ＤＭＡＨ＋Ｈ₂ → ２Ａｌ＋４ＣＨ₄ …（２）

【００２９】この反応における反応生成物ガスはメタン
（ＣＨ₄）であり、その分子量は１６と小さい。したが
って、この反応生成物ガスが油回転ポンプのオイルを変
質させるおそれは少ない。しかし、未反応の原料ガスが
排気ガス中に相当含まれるため、この原料ガスが油回転
ポンプ５４に流入すると問題になる。そこで、排気ガス
がガス分解装置１０６で分解される。このガス分解装置
１０６ではガス接触体を４００℃に加熱した。このガス
分解装置１０６を通過することにより、未反応の原料ガ
スは、より低分子量の分解生成物となり、油回転ポンプ
５４の排気速度は一定に保たれた。

【００３０】

【発明の効果】この発明は反応室と排気ポンプの間に配
置したガス接触体を加熱して、このガス接触体で未反応
の原料ガスと反応生成物ガスとを熱分解するようにした
ので、排気ガスに含まれる有機金属ガスなどが効果的に
分解されて、排気ポンプの排気速度の低下を防ぐことが
できる。また、加熱したガス接触体を用いるだけなの
で、ガス分解装置の構造が簡単になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のＣＶＤ装置の一実施形態の構成図で
ある。

【図２】ガス分解装置の構造の一例を示す断面図であ
る。

【図３】この発明のＣＶＤ装置の第２の実施形態の構成
図である。

【図４】この発明のＣＶＤ装置の第３の実施形態の構成
図である。

【図５】ガス分解装置の別の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１０反応室１２基板ホルダー１４基板２４拡散装置２６原料ガス供給装置５４油回転ポンプ５６排気管５８ガス分解装置６０ヒータ６２熱電対６４温度調節装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空に排気可能な反応室内で原料ガスを
化学反応させて基体上に成膜するＣＶＤ装置において、反応室と排気ポンプとをつなぐ排気管の途中に、加熱可
能なガス接触体を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】前記ガス接触体は、同じ長さの前記排気
管の内壁面に比べて大きな表面積を有することを特徴と
する請求項１記載のＣＶＤ装置。
【請求項３】前記ガス接触体は多孔質構造であること
を特徴とすることを特徴とする請求項２記載のＣＶＤ装
置。
【請求項４】前記ガス接触体の材質は金属であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＶ
Ｄ装置。
【請求項５】前記ガス接触体は、少なくともその表面
の材質がセラミックスであることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項６】前記排気ポンプは油回転ポンプであるこ
とを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
【請求項７】前記ガス接触体は、入口と出口を有する
気密容器の内部に配置され、この気密容器に、前記ガス
接触体を目視できる覗き窓が設けられていることを特徴
とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
【請求項８】真空に排気可能な反応室内で原料ガスを
化学反応させて基体上に成膜するＣＶＤ装置において、反応室と第１排気ポンプの吸気口との間を第１排気管で
接続し、前記第１排気ポンプの排気口と第２排気ポンプ
の吸気口との間を第２排気管で接続し、前記第２排気管
の途中に、加熱可能なガス接触体を設けたことを特徴と
するＣＶＤ装置。
【請求項９】前記第１排気ポンプはルーツポンプであ
リ、前記第２排気ポンプは油回転ポンプであることを特
徴とする請求項８記載のＣＶＤ装置。
【請求項１０】真空に排気可能な反応室内で原料ガス
を化学反応させて基体上に成膜するＣＶＤ方法におい
て、反応室と排気ポンプとをつなぐ排気管の途中で、加熱し
たガス接触体に排気ガスを接触させて排気ガスを熱分解
することを特徴とするＣＶＤ方法。
【請求項１１】前記ガス接触体を２００〜６００℃の
範囲内の温度に加熱することを特徴とする請求項１０記
載のＣＶＤ方法。
【請求項１２】前記原料ガスは、金属元素を含む有機
ガスまたは半導体元素を含む有機ガスであることを特徴
とする請求項１０記載のＣＶＤ方法。