TW202409334A - 前驅物容器冷卻總成、反應器系統、及冷卻前驅物容器內的前驅物之方法 - Google Patents
前驅物容器冷卻總成、反應器系統、及冷卻前驅物容器內的前驅物之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202409334A TW202409334A TW112113943A TW112113943A TW202409334A TW 202409334 A TW202409334 A TW 202409334A TW 112113943 A TW112113943 A TW 112113943A TW 112113943 A TW112113943 A TW 112113943A TW 202409334 A TW202409334 A TW 202409334A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- cooling
- precursor
- fluid
- container
- heat exchanger
- Prior art date
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 42
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 21
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 13
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
所揭示者係一種前驅物容器冷卻總成、包括該總成之一種反應器系統、及使用該總成及系統之方法。該前驅物容器冷卻總成包括一熱電冷卻裝置及一流體冷卻板,以維持該前驅物容器冷卻總成之一前驅物容器或其他部分的一所欲溫度。
Description
本揭露大致上關於在氣相反應器系統中使用的設備及方法。更特定言之,本揭露係關於用於冷卻前驅物容器之總成、關於包括該等總成之系統、及關於使用該等總成及系統之方法。
諸如化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、及類似反應器系統的氣相反應器系統可用於多種應用,包括在基材表面上沉積及蝕刻材料。例如,氣相反應器系統可用以在基材上沉積及/或蝕刻層以形成電子裝置,諸如半導體裝置、平板顯示裝置、光伏打裝置、微機電系統(MEMS)及類似者。
一典型氣相反應器系統包括一包括反應室的反應器、流體耦接至反應室的一或多個前驅物氣體源、用以將氣體遞送至基材之表面的氣體分配系統、及流體耦接至反應室的排氣源。
前驅物氣體源可包括容器及前驅物,該前驅物在常溫常壓(NTP)下係氣體、液體或固體形式。在許多應用中,尤其當前驅物係液體或固體時,控制含納該前驅物之容器的溫度係符合期望的。例如,在一些情況下,控制容器的溫度至室溫之下的一溫度可係符合期望的。
雖然存在用於冷卻容器內前驅物的系統,但此類系統可相對效率不彰且/或無法提供所欲之溫度控制。據此,所欲者係改善的前驅物容器冷卻總成、包括該等總成之反應器系統、及使用該等總成及系統之方法。
本節提出之任何問題及解決方案討論僅為了提供本揭露背景脈絡之目的而包括在本揭露中,且不應視為承認在本發明作成時討論之任何或全部內容係已知。
本揭露之例示性實施例提供適於與一反應器系統一起使用或於該反應器系統中使用的用於冷卻一前驅物容器之方法及一設備。雖然在下文更詳細地討論本揭露之各種實施例應對先前總成、方法及系統之缺點的方式,大致上,本揭露之各種實施例提供前驅物容器冷卻總成,該等前驅物容器冷卻總成可提供所欲的容器冷卻及溫度控制及/或該等總成之增加壽命。
依據本揭露之實施例,提供一種前驅物容器冷卻總成。一例示性的前驅物容器冷卻總成包括一前驅物容器、一熱電冷卻裝置、及一流體冷卻板。該熱電冷卻裝置可包括一第一表面及一第二表面。該第一表面可與該前驅物容器之一表面熱接觸。該第二表面可與該流體冷卻板熱接觸。該流體冷卻板可包括一導管,其可在其中包括一冷卻流體。該總成可進一步包括一泵,用以將該冷卻流體循環通過該導管。例示性系統可進一步包括一熱交換器以冷卻該冷卻流體。例示性總成亦可包括耦接於該流體冷卻板與該熱交換器之間的一第一冷卻流體管線。例示性的前驅物容器冷卻總成亦可包括一控制器,以控制例如該熱交換器及/或該熱電冷卻裝置。例示性的前驅物容器總成可包括一殼體。該殼體可包圍該前驅物容器及該熱電冷卻裝置。該熱交換器及/或該泵可係在該殼體之外部。
依據本揭露之額外實例,提供一種方法。例示性方法包括冷卻一前驅物容器內一前驅物,其藉由提供在其中含納一前驅物之一前驅物容器、使用一熱電冷卻裝置冷卻該前驅物容器內該前驅物、以及使用與該熱電冷卻裝置熱接觸的一流體冷卻板從該熱電冷卻裝置移除熱。該移除熱的步驟可包括在該流體冷卻板內循環一冷卻流體。例示性方法亦可包括量測該前驅物之一溫度、及基於所量測之該溫度控制通過該熱電冷卻裝置的電流、及/或控制用以冷卻該冷卻流體的一熱交換器。
依據本揭露之尚有額外實例,提供一種反應器系統。一例示性的反應器系統包括一反應室以及耦接至該反應室之一前驅物遞送系統。該前驅物遞送系統可包括如本文中所描述之一前驅物容器冷卻總成。該反應器系統可額外包括一控制器及/或一真空源。
本領域具通常知識者從下列參考附圖之某些實施例的詳細描述將明白此等及其他實施例。本發明不受所揭示任何(多個)特定實施例限制。
雖然下文揭示某些實施例及實例,但本領域具通常知識者將理解,本發明延伸超出具體揭示的實施例及/或本發明之用途以及其等明顯的修改及等效物。因此,所揭示本發明的範疇應不受下文所描述的特定揭示的實施例限制。
本揭露大致上係關於一種用於冷卻一前驅物之設備、關於包括此類設備之系統、及關於使用該設備及該等系統之方法。如下文更詳細描述,例示性設備(例如:總成)可用於使用熱電裝置從前驅物容器高效地移除熱,同時維持熱電裝置的效率及/或耐久性。
本文中所討論之例示性前驅物容器冷卻總成、反應器系統、及方法可用於多種應用。例如,容器冷卻總成及反應器系統可用於化學氣相沉積(CVD)及/或(例如:熱)原子層沉積(ALD)製程。
化學氣相沉積包括使用被遞送至反應室中一或多個基材的不同反應物化學品之反應物蒸氣(包括「前驅物氣體」)而在基材上形成材料薄膜。在許多情況下,反應室僅包括支撐在基材固持器(諸如基座)上的單一基材,且基材及基材固持器係維持在所欲的製程溫度。在典型的化學氣相沉積製程中,反應性反應物蒸氣彼此起反應以在基材上形成薄膜,且生長速率係與溫度及反應物氣體的量相關。在一些情況下,驅動沉積製程的能量係部分由電漿(例如:由遠端或直接電漿製程)供應。
在一些應用中,反應物氣體係以氣態形式儲存於反應物源容器中。在此類應用中,反應物在常溫常壓下通常係氣態。此類氣體的實例包括氮、氧、氫、及氨。然而,在一些情況下,使用在常溫常壓下係液體或固體之源化學品或前驅物(例如:氯化鉿、氧化鉿、二氧化鋯、或類似者)的蒸氣。
原子層沉積係用於在基材上形成薄膜的另一製程。在許多應用中,原子層沉積使用如上文所描述之固體及/或液體源化學品。原子層沉積係蒸氣沉積之一類型,其中膜係通過例如以循環進行之自飽和反應而累積。原子層沉積之沉積膜的厚度可藉由所進行之原子層沉積循環的數目來判定。在原子層沉積製程中,氣態反應物係交替地及/或重複地供應至基材,以在基材上形成材料薄膜。一個反應物可在自限性製程中被吸收於基材上。後續脈衝之不同反應物與經吸附材料起反應以形成所欲材料的單一分子層。諸如在配位體交換或吸除反應中,可通過在經吸附物種之間及與經適當選擇之反應物的相互反應而發生分解。在理論上的原子層沉積反應中,每循環形成不多於一分子單層。通過重複的生長循環生產較厚的膜,直至達到目標厚度。
在理論上的原子層沉積反應中,具相互反應性的反應物在蒸氣相中保持分開,且在基材暴露至不同反應物之間具有中介移除製程。例如,在時間分割的原子層沉積製程中,反應物係以脈衝提供至靜止基材,典型地係藉由沖洗或抽氣(pump down)相來分開;在空間分割的原子層沉積製程中,基材係移動通過具有不同反應物的區;且在一些製程中,可組合空間分割及時間分割原子層沉積兩者的態樣。原子層沉積及化學氣相沉積之變體或混成製程通過選擇在正規原子層沉積參數窗之外的沉積條件及/或通過允許具相互反應性的反應物之間在暴露至基材期間有一些重疊量中之任一者來允許一些類化學氣相沉積反應量。
在本揭露中,總成可包括(例如:固體或液體)前驅物容器、熱電冷卻裝置、及流體冷卻板。總成可包括額外元件,諸如加熱器、溫度量測裝置、本文中所註明之其他組件、及類似者。
如本文中所使用,前驅物源包括容器及其中的前驅物。用語「前驅物(precursor)」及「反應物(reactant)」可互換地使用。
現轉向圖式,圖1繪示根據本揭露之實例的反應器系統100。反應器系統100可用於例如化學氣相沉積、原子層沉積、其他沉積製程、或類似者。如上文所註明,此類製程可在形成電子裝置(諸如半導體裝置)期間使用。
在所繪示實例中,反應器系統100包括一或多個反應室102、前驅物注入器系統101、第一前驅物容器104、第二前驅物容器106、排氣源110、及控制器112。反應器系統100可包括一或多個額外氣體源(未示出),諸如惰性氣體源、載體氣體源、沖洗氣體源、及/或另一反應物源。
反應室102可包括任何合適的反應室,諸如原子層沉積或化學氣相沉積反應室。舉實例而言,反應室102包括適於循環沉積製程(諸如原子層沉積製程)之室。
前驅物容器104及前驅物容器106可經由輸入管線114及116耦接至反應室102,該等管線可各自包括流動控制器、閥、加熱器、及類似者。在一些情況下,輸入管線114及/或輸入管線116可經加熱。
排氣源110可包括一或多個真空泵。
控制器112包括電子電路系統及軟體,以選擇性操作閥、歧管、加熱器、泵、及其他包括在反應器系統100中的組件。此類電路系統及組件操作以從各別源(例如:前驅物容器104、前驅物容器106)引入前驅物、其他可選反應物、及沖洗氣體。控制器112可控制氣體脈衝序列的時序、基材及/或反應室102的溫度、反應室102內的壓力、及各種其他操作,以提供反應器系統100的合宜操作,諸如本文中所描述的前驅物容器冷卻總成的參數。
控制器112可包括控制軟體,用以電氣或氣動控制閥,而控制前驅物、反應物及沖洗氣體進出反應室102的流動。控制器112可包括進行某些任務之模組(諸如軟體或硬體組件)。模組可經組態以常駐在控制系統之可定址儲存媒體上,並經組態以執行一或多個製程。
反應器系統100之其他組態係可行的,包括不同數目及種類的前驅物源及容器。進一步言,將瞭解閥、導管、前驅物容器、及輔助反應物源有許多配置,可使用該等配置以達成以協調方式將氣體選擇性地饋入至反應室102中的目標。進一步言,作為沉積總成之示意性表示,許多組件為了繪示簡明已省略,且此類組件可包括例如各種閥、歧管、純化器、加熱器、器皿、通氣孔及/或旁路。
圖2繪示依據本揭露之實例的前驅物容器冷卻總成200。前驅物容器冷卻總成200可用於多種應用中及/或可與上文所描述反應器系統100連同使用。
在所繪示之實例中,前驅物容器冷卻總成200包括前驅物容器204、熱電冷卻裝置206、及流體冷卻板208。前驅物容器冷卻總成200可額外包括泵210、熱交換器212、及流動管線214、216及218中之一或多者。前驅物容器冷卻總成200經組態以高效地從前驅物容器204移除熱,同時維持前驅物容器冷卻總成200及其組件(例如:熱電冷卻裝置206)的耐久性。
前驅物容器204可由任何合適的材料形成。舉實例而言,前驅物容器204可由不鏽鋼形成。在其他實施例中,前驅物容器204或其組件可由高鎳合金、鋁或鈦形成。應理解,前驅物容器204或其組件可由任何其他材料形成,該其他材料足以允許對前驅物容器204內所設置的前驅物之充分熱能熱轉移,同時係惰性的或不與前驅物容器204內的前驅物或內容物以任何可察覺程度起反應。
熱電冷卻裝置206可包括任何合適的裝置,其可在對該裝置施加功率時冷卻前驅物容器204的表面。舉實例而言,熱電冷卻裝置206可係或可包括帕耳帖(Peltier)裝置。依據本揭露之實例,熱電冷卻裝置206及/或前驅物容器冷卻總成200經組態以冷卻前驅物容器204從周圍溫度(ambient temperature)之下約0°C至約20°C。控制器112可用以控制到熱電冷卻裝置206之功率或其功率,以維持前驅物容器204之所欲溫度。
熱電冷卻裝置206包括第一表面205及第二表面207。第一表面205與前驅物容器204之表面203(例如:直接)熱接觸。第二表面207與流體冷卻板208(例如:直接)熱接觸。在操作期間,當施加功率至熱電冷卻裝置206時,第一表面205經冷卻,而在第二表面207處產生熱。
流體冷卻板208可用以自第二表面207移除熱。圖3繪示適於用作流體冷卻板208之例示性流體冷卻板300。
流體冷卻板300可由任何合適材料(諸如銅、鋁、不鏽鋼或類似者)形成。如圖3中所繪示,流體冷卻板300包括主體302,其包括形成於其中之導管304。導管304包括入口310、出口312。導管304形成將入口310連接到出口312的路徑314。在所繪示實例中,路徑314包括曲折路徑。然而,在其他實施例中,路徑314可係任何合適形狀及/或長度。主體302可進一步包括突出物316、318,該等突出物在其中具有孔322、324以允許將主體302可移除附接至另一裝置,諸如前驅物容器204及/或熱電冷卻裝置206。
流體冷卻板300亦可包括蓋306。蓋306可合適地由與本體302相同的材料形成。如所繪示,蓋306可包括脊部308,該脊部實質上匹配導管304且可插入至其內。脊部308可促進從其中的冷卻流體(例如:在圖2中繪示的冷卻流體222)熱轉移至蓋306,且反之亦然。蓋306及主體302可合適地密封在一起。
再次參照圖2,泵210可包括任何合適的泵,以造成冷卻流體循環通過流體冷卻板208/300及導管304。舉實例而言,泵210可包括可浸沒泵或離心型泵。泵210可使用控制器(諸如控制器112)控制,以操縱冷卻流體的流動速率,以進一步促進前驅物容器204的所欲溫度控制。
熱交換器212可包括任何合適的熱交換裝置。舉實例而言,熱交換器212可係或可包括如圖4及圖5中所繪示的散熱器400。熱交換器212可經由第一冷卻流體管線218流體耦接至流體冷卻板208,該第一冷卻流體管線耦接於流體冷卻板208與熱交換器212之間。
散熱器400可包括一或多個風扇402、404和核心406。風扇402、404可包括任何合適的軸向及離心風扇。依據本揭露的實例,風扇402、404中之一或多者包括變速風扇,其可使用控制器(諸如控制器112)來控制。
核心406進一步繪示於圖5中,可包括冷卻流體入口408、冷卻流體出口410、冷卻流體通道506及鰭片502。鰭片502可位於核心406及/或熱交換器400的外表面504上,並可經組態以藉由增加冷卻流體通道上用於熱轉移的可用表面積來促進從冷卻流體到周圍環境的熱轉移。鰭片502可包括如所繪示的手風琴形狀。替代地,鰭片502可包括突出形狀(例如:棒、矩形或類似者)或任何其他合適的形狀。
冷卻流體入口408接收來自流體冷卻板208的冷卻流體。冷卻流體出口410可流體耦接至泵210,使得經冷卻的冷卻流體從熱交換器212循環至泵210。
熱交換器212藉由將熱耗散到周圍環境224來使冷卻流體冷卻。如圖2中所繪示,周圍環境224可合適地在殼體220外部,該殼體包圍前驅物容器204、熱電冷卻裝置206、及流體冷卻板208。因此,殼體220內之環境226可保持相對冷。
前驅物容器冷卻總成200可包括一或多個溫度量測裝置228、230、232,諸如熱電耦。在所繪示實例中,溫度量測裝置228量測在前驅物容器204之上或之內的溫度,溫度量測裝置230量測在熱電冷卻裝置206之上或之內的溫度,且溫度量測裝置232量測在流體冷卻板208之上或之內的溫度。
來自一或多個溫度量測裝置(例如:溫度量測裝置228、230、232)的所量測溫度資訊可傳送至控制器,諸如控制器112。控制器112或另一控制器可然後基於所量測之(多個)溫度調整一或多個參數。例如,控制器(例如:控制器112)可接收對應於前驅物容器204內前驅物之溫度的一輸入,並提供一輸出至泵210以調整冷卻流體的流動速率。額外或替代地,控制器(例如:控制器112)可接收對應於容器204內前驅物之溫度的一輸入,並提供一輸出至熱電冷卻裝置206以調整通過熱電冷卻裝置206的電流。額外或替代地,控制器(例如:控制器112)可接收對應於前驅物之溫度的一輸入,並提供一輸出以控制風扇(例如:風扇402及/或風扇404)之速度。使用溫度量測裝置228、230、232之其他溫度量測可用於提供輸入至控制器(諸如控制器112)、控制泵210、熱電冷卻裝置206及/或熱交換器212,如本文中所描述。
依據本揭露之進一步例示性實施例,一冷卻一前驅物容器內一前驅物之方法包括以下步驟:提供在其中含納一前驅物的一前驅物容器;使用一包含一第一表面及一第二表面之熱電冷卻裝置來冷卻該前驅物容器內該前驅物,該第一表面與該前驅物容器之一表面熱接觸;以及使用與該第二表面熱接觸的一流體冷卻板,從該熱電冷卻裝置移除熱。該前驅物容器、熱電冷卻裝置、及流體冷卻板還有適用於例示性方法的其他總成及系統組件可如上文所描述。
依據此等實施例的實例,移除熱的步驟包括在該流體冷卻板內循環一冷卻流體(例如:水)。循環可使用泵(諸如泵210)來進行。例示性方法可進一步包括使用熱交換器來從循環通過流體冷卻板之冷卻流體移除熱。
例示性方法可進一步包括量測前驅物或一或多個總成組件之溫度,以及以下中之一或多者:(1)基於所量測之溫度控制通過熱電冷卻裝置的電流,(2)控制熱交換器之風扇速度,及/或(3)控制冷卻流體通過流體冷卻板的循環速率。
依據此等實施例的各種態樣,前驅物容器冷卻總成的前驅物或其他組件的溫度可被控制到周圍溫度(例如周圍環境226及/或周圍環境224)之下約0°C至約20°C的一溫度。
在本揭露中,變量之任兩個數字可構成變量之可工作範圍,且所指出之任何範圍可包括或排除端點。額外地,所指示的變數之任何數值(不管該等數值是否以「約」來指示)可指精確值或近似值並包括等效值,且在一些實施例中可指平均值、中值、代表值、多數值等。進一步言,在本揭露中,於一些實施例中,用語「包括(including)」、「由……構成(constituted by)」、及「具有(having)」獨立地指「典型或廣泛地包含(typically or broadly comprising)」、「包含(comprising)」、「基本上由……所組成(consisting essentially of)」或「由……所組成(consisting of)」。在本揭露中,於一些實施例中,任何已定義之意義不必然排除尋常及慣例意義。
上文所描述的本揭露之實例實施例並未限制本發明的範疇,由於此等實施例僅為本發明之實施例之實例。任何等效實施例係意欲落入本發明之範疇內。實際上,除本文中所示出及所描述之實施例外,本領域中具通常知識者可從本說明書明白本揭露的各種修改,諸如所描述元件的替代有用組合。此類修改及實施例亦意欲落入文後之申請專利範圍的範疇內。
100:反應器系統
101:前驅物注入器系統
102:反應室
104:第一前驅物容器
106:第二前驅物容器
110:排氣源
112:控制器
114,116:輸入管線
200:前驅物容器冷卻總成
203:表面
204:前驅物容器
205:第一表面
206:熱電冷卻裝置
207:第二表面
208:流體冷卻板
210:泵(控制泵)
212:熱交換器
214,216:流動管線
218:流動管線(第一冷卻流體管線)
220:殼體
222:冷卻流體
224:周圍環境
226:環境
228,230,232:溫度量測裝置
300:流體冷卻板
302:主體
304:導管
306:蓋
308:脊部
310:入口
312:出口
314:路徑
316,318:突出物
322,324:孔
400:散熱器
402,404:風扇
406:核心
408:冷卻流體入口
410:冷卻流體出口
502:鰭片
504:外表面
506:冷卻流體通道
當連同下列闡釋性圖式考慮時,可藉由參照實施方式及申請專利範圍而衍生對本揭露之例示性實施例的更完整理解。
圖1繪示依據本揭露之至少一實施例之反應器系統。
圖2繪示依據本揭露的至少一實施例的前驅物容器冷卻總成。
圖3繪示依據本揭露之至少一實施例的流體冷卻板。
圖4繪示依據本揭露之至少一實施例之熱交換器。
圖5繪示依據本揭露之至少一實施例之熱交換器的另一視圖。
將瞭解,圖式中的元件係出於簡明及清楚起見而繪示,且不必然按比例繪製。例如,圖式中之一些元件的尺寸可能相對於其他元件特別放大,以幫助改善對所繪示之本揭露之實施例的理解。
200:前驅物容器冷卻總成
203:表面
204:前驅物容器
205:第一表面
206:熱電冷卻裝置
207:第二表面
208:流體冷卻板
210:泵(控制泵)
212:熱交換器
214,216:流動管線
218:流動管線(第一冷卻流體管線)
220:殼體
222:冷卻流體
224:周圍環境
226:環境
228,230,232:溫度量測裝置
Claims (20)
- 一種前驅物容器冷卻總成,其包含: 一前驅物容器; 一熱電冷卻裝置,其包含一第一表面及一第二表面,該第一表面與該前驅物容器之一表面熱接觸;及 一流體冷卻板,其與該第二表面熱接觸,該流體冷卻板包含一導管及在其中的一冷卻流體。
- 如請求項1之前驅物容器冷卻總成,其更包含一泵,用以將該冷卻流體循環通過該導管。
- 如請求項1之前驅物容器冷卻總成,其更包含一熱交換器以及耦接於該流體冷卻板與該熱交換器之間的一第一冷卻流體管線。
- 如請求項3之前驅物容器冷卻總成,其中該熱交換器包含一風扇。
- 如請求項3之前驅物容器冷卻總成,其中該熱交換器包含一外表面,該外表面包含一或多個冷卻鰭片。
- 如請求項3之前驅物容器冷卻總成,其中該熱交換器包含一冷卻流體通道。
- 如請求項1之前驅物容器冷卻總成,其更包含一控制器。
- 如請求項7之前驅物容器冷卻總成,其中該控制器接收對應於該前驅物容器內一前驅物之一溫度的一輸入,並將一輸出提供至該泵以調整該冷卻流體的一流動速率。
- 如請求項7之前驅物容器冷卻總成,其中該控制器接收對應於該前驅物之一溫度的一輸入,並將一輸出提供至該熱電冷卻裝置,以調整通過該熱電冷卻裝置的一電流。
- 如請求項7之前驅物容器冷卻總成,其中該控制器接收對應於該前驅物之一溫度的一輸入,並提供一輸出以控制該風扇之一速度。
- 如請求項1之前驅物容器冷卻總成,其更包含一殼體,其中該前驅物容器及該熱電冷卻裝置係在該殼體內,且其中該熱交換器在該殼體之外部。
- 如請求項1之前驅物容器冷卻總成,其中該流體冷卻板包含銅、鋁、及不鏽鋼中之一或多者。
- 一種冷卻一前驅物容器內的一前驅物之方法,該方法包含: 提供在其中含納一前驅物之一前驅物容器; 使用一熱電冷卻裝置冷卻該前驅物容器內的該前驅物,該熱電冷卻裝置包含一第一表面及一第二表面,該第一表面與該前驅物容器之一表面熱接觸;及 使用與該第二表面熱接觸的一流體冷卻板,從該熱電冷卻裝置中移除熱。
- 如請求項13之方法,其中該移除熱的步驟包含在該流體冷卻板內循環一冷卻流體。
- 如請求項13之方法,其更包含: 量測該前驅物之一溫度;及 基於所量測的該溫度,控制通過該熱電冷卻裝置之電流。
- 如請求項13之方法,其更包含使用一熱交換器以從循環通過該流體冷卻板的一冷卻流體中移除熱。
- 如請求項16之方法,其更包含控制該熱交換器之一風扇速度。
- 如請求項13之方法,其中該前驅物之一溫度經控制到一周圍溫度之下約5°C至約10°C的一溫度。
- 一種反應器系統,其包含: 一反應室; 一前驅物遞送系統,其耦接至該反應室,該前驅物遞送系統包含至少一前驅物容器冷卻總成,該前驅物容器冷卻總成包含: 一前驅物容器; 一熱電冷卻裝置,其包含一第一表面及一第二表面,該第一表面與該前驅物容器之一表面熱接觸; 一流體冷卻板,其與該第二表面熱接觸,該流體冷卻板包含一導管及在其中的一冷卻流體; 一泵,其使該冷卻流體循環通過該導管; 一熱交換器;及 一冷卻流體管線,其耦接於該流體冷卻板與該熱交換器之間。
- 如請求項19之反應器系統,其更包含圍繞該前驅物容器冷卻總成的一殼體,以及在該殼體之外部的一熱交換器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63/333,412 | 2022-04-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202409334A true TW202409334A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210040613A1 (en) | Heater assembly including cooling apparatus and method of using same | |
US11814747B2 (en) | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly | |
JP5474193B2 (ja) | 成膜装置 | |
KR101089977B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법, 가스 공급 장치 및 기억 매체 | |
JP4324619B2 (ja) | 気化装置、成膜装置及び気化方法 | |
CN112342532A (zh) | 温控化学品递送系统及包括该系统的反应器系统 | |
KR20240020723A (ko) | 원자층 증착에 의해 기판 상에 전이금속 질화물막을 증착하기 위한 방법 및 관련 증착 장치 | |
US20100266765A1 (en) | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate | |
US20050000428A1 (en) | Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant | |
CN110652944A (zh) | 温度控制的凸缘及包括所述凸缘的反应器系统 | |
JPS6258639A (ja) | 化学的蒸着装置及びその方法 | |
US20080199614A1 (en) | Method for improving atomic layer deposition performance and apparatus thereof | |
WO2008118483A1 (en) | Showerhead for chemical vapor deposition (cvd) apparatus | |
US6863021B2 (en) | Method and apparatus for providing and integrating a general metal delivery source (GMDS) with atomic layer deposition (ALD) | |
TW202409334A (zh) | 前驅物容器冷卻總成、反應器系統、及冷卻前驅物容器內的前驅物之方法 | |
US20230341155A1 (en) | Precursor vessel cooling assembly, system including the assembly, and methods of using same | |
TWI734482B (zh) | 基板處理設備及其操作方法 | |
KR20210031391A (ko) | 화학 물질 승화기용 충전 용기 및 커넥터 | |
US6794308B2 (en) | Method for reducing by-product deposition in wafer processing equipment | |
US20230062455A1 (en) | Vaporizer assembly | |
JPH09296270A (ja) | Cvd装置及び方法 | |
TW202326023A (zh) | 前驅物容器 | |
TW200401369A (en) | Silicon nitride film forming method and silicon nitride forming apparatus | |
JP2022146925A (ja) | 温度制御された反応チャンバー | |
KR20060103974A (ko) | 챔버의 오염을 방지하는 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치 |