JP2000038672A

JP2000038672A - 物質を析出させるための装置

Info

Publication number: JP2000038672A
Application number: JP11167095A
Authority: JP
Inventors: Frank Dr Hintermaier; ヒンターマイアーフランク
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1998-07-09
Filing date: 1999-06-14
Publication date: 2000-02-08
Also published as: US6258153B1; DE19830842C1

Abstract

(57)【要約】【課題】物質の早期の析出を回避させて、物質を析出
させる装置。【解決手段】所定の析出温度を有する析出室の少なく
とも１つの内壁がこの内壁上に物質を析出させるために
備えられている析出室と、供給管端部が少なくとも析出
室にまで到達しており、析出すべき物質を析出室中に導
入するために使用される供給管と、この場合この供給管
は、物質の析出が十分に中断されるような、析出温度を
上廻る輸送温度を有しており、析出室に備えられた出口
開口と、供給管端部に向かっての析出温度への供給管の
冷却を回避させる、供給管と内壁との間の断熱部材とを
有する物質を析出させるための装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理技術の分野に
属し、ガス相から物質を析出させるための装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体構成素子の製造の場合には、しば
しば層構造体を半導体基板上に塗布するためにＣＶＤ処
理法（化学蒸着法）が使用される。このＣＶＤ処理法の
場合には、多数の反応成分は、キャリヤーガスにより反
応室中に導入される。出発生成物または前駆化合物とも
呼称される反応成分は、１個以上の導管を介して反応室
に供給されることができる。付加的に、通常他のガス、
例えば酸化剤（Ｏ_２）または不活性ガス（Ｎ_２、Ａｒ）
は、反応成分の希釈のために反応室中に導入される。導
入された反応成分および酸化剤は、望ましい層の形成下
に互いに反応する。この層は、反応室中に取り付けられ
た半導体基板の表面上に生成される。反応成分の出発濃
度を変えることにより、形成される層の個々の成分の化
学量論的割合は、調節させることができる。蓄積の使用
のために半導体工業において使用される金属酸化物セラ
ミック、例えばＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９（ＳＢＴ）または
（Ｂａ，ＳＲ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）を析出させる場合に
は、反応成分もしくは出発生成物は、主に高められた温
度でガス状で存在する金属錯体からなる。消費されない
出発生成物が後接続されたポンプまたは環境中に到達す
ることを回避させるために、反応室には、消費されない
出発生成物を捕集するための圧接続された冷却勾配が使
用される。この冷却勾配は、冷却勾配を貫流するガスか
ら出発生成物をできるだけ完全に除去するはずである。

【０００３】この種の析出系は、例えば米国特許第４６
４７３３８号明細書に記載されている。反動耐光性素子
を製造するためのこの米国特許明細書に開示された方法
の場合には、反応室と後接続された冷却勾配とからなる
ＣＶＤ系が使用される。しかし、好ましくないことに、
この系の場合には、既に冷却勾配の前方で既に消費され
ていない出発生成物の析出が生じる可能性があり、この
ことは、導管等の閉塞をまねきうる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、物質の早期の析出を回避させる、物質を析出させる
装置を提案することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、所定の析出温度を有する析出室の少なくとも１つ
の内壁がこの内壁上に物質を析出させるために備えられ
ている析出室と、供給管端部が少なくとも析出室にまで
到達しており、析出すべき物質を析出室中に導入するた
めに使用される供給管と、この場合この供給管は、物質
の析出が十分に中断されるような、析出温度を上廻る輸
送温度を有しており、析出室に備えられた出口開口と、
供給管端部に向かっての析出温度への供給管の冷却を回
避させる、供給管と内壁との間の断熱部材とを有する、
物質を析出させるための装置によって解決される。

【０００６】析出すべき物質は、例えばＣＶＤ処理法の
ためにキャリヤーガス中に溶解された出発生成物であ
る。この出発生成物は、供給管を介してキャリヤーガス
流により析出室中に輸送される。物質の早期の析出を回
避させるために、供給管は高められた輸送温度を有して
いる。この輸送温度は、通常、明らかに内壁の析出温度
を上廻っている。供給管に沿って供給管端部に向かって
の温度勾配を回避させるかまたは減少させるために、供
給管と内壁との間には、断熱部材が配置されている。そ
れによって、供給管端部も析出温度を上廻る温度を有
し、したがってそこで物質の早期の析出が有効に回避さ
れることが達成される。冷たい内壁と温かい供給管との
間の温度勾配は、本発明によれば、主に断熱部材により
減少される。従って、流入される物質は、析出室中への
進入後に初めて冷たい壁（内壁）と接触され、そこで初
めて完全に析出される。

【０００７】好ましくは、断熱部材は、むしろ供給管端
部の冷却を輸送温度以下で阻止し、即ち供給管は、供給
管端部にまで輸送温度を有している。

【０００８】供給管は、最も簡単な場合には、析出室に
まで到達している管によって形成されている。この管
は、１つの部分または多数の部分から形成されていても
よい。また、好ましいのは、物質を導入するための断熱
部材中の入口管の孔であり、この場合この入口管の孔
は、供給管の一部である。好ましくは、この供給管は、
供給管端部にまで到達していてもよい加熱装置で包囲さ
れている。

【０００９】本発明の１つの好ましい実施態様は、析出
室が外面に取付け管を有し、この取付け管内で供給管の
供給管端部が析出室中にまで突入しており、取付け管に
対して断熱されていることによって特徴付けられてい
る。

【００１０】析出室の外面で供給管を収容している取付
け管によって、温度勾配は、部分的にこの取付け管上に
及んでいる。また、この取付け管は、析出室と対向した
端部で供給管との直接に接触していてもよい。従って、
この接触位置で取付け管は、輸送温度を有している。こ
れとは異なり、この取付け管は、析出室と対向した端部
で輸送温度と析出温度との間にある明らかに低い温度を
有している。この取付け管に沿っての温度勾配が供給管
上に移行しないようにするために、この供給管と取付け
管との間には、好ましくは断熱部材が配置されている。

【００１１】析出温度にある、析出室の内壁は、析出室
の内壁によって形成されていてもよいかまたは析出室内
に配置された別個の面によって形成されていてもよい。
供給管端部が或る程度まで析出室中に突入していること
は、好ましいことが判明した。断熱部材があるにも拘わ
らず物質が既に供給管端部で析出される場合には、この
物質は、内壁を湿潤させることなく、そこから滴下され
てもよい。この物質は、高い輸送温度のためにそこで液
体として凝縮される。それによって、供給管端部の隣接
する周囲での物質の予想される凝固、ひいては供給管の
閉塞は有利に回避される。

【００１２】もう１つの好ましい実施態様は、加熱装置
が取付け管の周囲にかまたは取付け管と供給管との間に
装備されていることによって特徴付けられている。

【００１３】供給管を確実に温度調節するために、この
供給管と取付け管との間または取付け管の外壁の周囲に
加熱装置が装備されている。加熱装置が供給管と取付け
管との間に装備されている場合には、この加熱装置は、
同時に断熱部材として使用される。

【００１４】もう１つの好ましい実施態様は、供給管が
析出室に向かって下降して案内されていることによって
特徴付けられている。

【００１５】供給管内で既に析出されたかもしれない物
質の流出は、析出室に向かって下降して案内されている
供給管によって簡易化される。析出過程は常に、既に析
出された物質となおガス状の物質との間で温度に依存す
る分布を生じるので、著しく高められた輸送温度の場合
であっても或る程度の析出が供給管内で起こりうる。し
かし、析出される量は、ガス状の量に対して一般にごく
僅かにすぎず、したがって巨視的に観察される付着は存
在しない。

【００１６】もう１つの好ましい実施態様は、析出室内
で供給管と出口開口との間に中間壁が配置されているこ
とによって特徴付けられている。

【００１７】中間壁により、ガス流は析出室内で転向さ
れる。この場合に本質的なことは、ガス状の物質ができ
るだけ完全に析出室の内壁に接して冷却されかつ沈殿し
うるようにするために、なおこのガス状の物質が比較的
に長時間析出室内に留まることである。試験により、む
しろ物質の大部分は、中間壁上で供給管に対して沈殿す
ることが示された。それに応じて、ガス状の物質は、析
出室内への流入の際に中間壁に衝突し、そこで凝固す
る。

【００１８】更に、輸送温度が蒸発温度を上廻り、析出
温度が析出すべき物質の溶融温度を下廻ることは、好ま
しい。

【００１９】場合によっては、析出温度は、溶融温度と
析出すべき物質の蒸発温度との間にあってもよい。それ
によって、析出された物質は、ガス状で存在し、連続的
に析出室から取り出されうる。

【００２０】更に、本発明による装置は、ガスを清浄化
するために使用することもできる。この場合、この装置
の使用は、ＣＶＤ反応器に後接続された冷却勾配として
限定されるものではない。本発明による装置は、使用前
にプロセスガスの清浄化のためにも好ましいことが判明
した。空気を乾燥させる場合には、本発明による装置
は、効果的に使用することができる。

【００２１】原則的に本発明による装置は、高い信頼性
および保守性を示す。それというのも、供給管の提案さ
れた形状によって、この供給管の閉塞は効果的に阻止さ
れるからである。

【００２２】析出すべき物質は、輸送温度でガスとして
かまたは微細に分配されたエーロゲルとして存在するこ
とができる。この析出すべき物質がガス状で存在する場
合には、析出はガス相から行なわれる。エーロゲルを使
用する場合には、微細に分配されたエーロゾル液滴また
はエーロゾル粒子は、冷たい内壁を湿潤させ、こうして
キャリヤーガスから除去される。

【００２３】更に、本発明による装置は、物質を液体流
から除去することもできる。このための前提条件は、析
出すべき物質が析出温度で固体の形で存在することにあ
る。しかし、好ましくはガス状物質は、本発明による装
置を用いて析出される。

【００２４】もう１つの好ましい実施態様は、酸化物セ
ラミックの形成に必要な少なくとも１つの出発生成物が
内壁で析出可能であるように析出温度が選択されている
ことによって特徴付けられている。

【００２５】本発明による装置は、有利に物質を僅かな
蒸気圧で析出するのに好適である。この種の物質は、比
較的に迅速に冷たい表面上で沈殿する。従って、殊にこ
の物質の場合には、温かい表面から冷たい表面へ移行す
る際の温度勾配の阻止が必要である。このことは、本発
明による装置によって有利に可能になる。温度勾配は、
本発明によれば、供給管に沿って起こるのではなく、供
給管と析出室との間の断熱部材内でのみに起こる。それ
によって、酸化物セラミックの製造に使用される、僅か
な蒸気圧を有する出発生成物は、析出室に到達するま
で、常に輸送温度に維持された供給管内に導かれる。供
給管を去った後に初めて、この物質は、冷たい内壁に接
して析出される。早期の析出、ひいては物質の損失もし
くは供給管の閉塞の危険は、回避される。

【００２６】温かい供給管と冷たい内壁との間で不可避
的に常に起こる温度勾配は、本発明によれば、供給管の
外で正常の状態に戻される。

【００２７】好ましくは、酸化物セラミックの形成に使
用される出発生成物の析出のための析出温度は、１６０
℃未満である。また、有利には、析出温度は１５０℃未
満である。これとは異なり、輸送温度は、ガス状の析出
すべき物質の分解温度を下廻る。好ましくは、輸送温度
は、２００℃〜２４０℃である。

【００２８】この出発生成物が次に記載された物質：Ｂ
ｉＰｈ_３、Ｂｉ（ｔｈｄ）_３、Ｔｉ（ｔｈｄ）_２（Ｏｉ
Ｐｒ）_２、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_４、Ｔｉ（Ｏ）（ｔｈｄ）
_２、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）_４、Ｔａ（ＯＥ
ｔ）_５、Ｐｂ（ｔｈｄ）_２、Ｚｒ（ｔｈｄ）_４、Ｚｒ
（Ｏ^ｔＢｕ）_４、Ｍ（ｔｈｄ）_２（Ｒ）、Ｍ（ｔｈｄ）
_２の中の少なくとも１つであり、この場合Ｍはバリウム
またはストロンチウムを表わし、Ｐｈはフェニルを表わ
し、ｔｈｄは２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオネートを表わし、ＯｉＰｒはイソプロポキ
シドを表わし、ＯＥｔはエトキシドを表わし、Ｏ^ｔＢｕ
は３級ブトキシドを表わし、Ｒはビス−（２−（２−メ
トキシエチル）エチル）エーテルを表わすかまたはＮ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′′，Ｎ′′−ペンタメチル−ビス−（２
−アミノエチル）−アミンを表わす。

【００２９】この出発生成物は、ストロンチウム−蒼鉛
−タンタル酸塩（ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９）、蒼鉛−チタ
ン酸化物（Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２）、鉛−ジルコニウム−
チタン酸塩（Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３）およびバリウム
−ストロンチウム−チタン酸塩（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３
の製造に使用される。

【００３０】例えば、Ｓｒ（ｔｈｄ）_２は、融点を約７
８℃で有し、ＢｉＰｈ_３は、融点を約８０℃で有し、Ｂ
ｉ（ｔｈｄ）_３は、融点を約１３５℃で有する。

【００３１】以下に、本発明を実施例により図面につき
記載する。

【００３２】

【実施例】本発明をわかりやすく理解するために、最初
にＣＶＤ析出系が記載されている。そのために、図１を
指摘することにする。この析出系は、本質的に１個の反
応器５を有し、この反応器中には、支持体１０が取り付
けられていてよい。プロセスガス２０は、輸送管１５を
経て反応器５に供給される。プロセスガス２０は、キャ
リヤーガス２５中に溶解された個々の出発物質の混合物
から成る。キャリヤーガス２５は、出発生成物を蒸発さ
せるために最初にガス発生系３０を貫流する。このこと
は、例えば多数の所謂バブラー（Bubbler）から成る１
組の装置中で行なうことができるかまたは所謂フラッシ
ュ蒸発器中で本質的に簡単で確実に行なうことができ
る。このフラッシュ蒸発器の場合には、全ての出発生成
物の溶液は、共通に突然に蒸発される。蒸発後、今やガ
ス状の出発生成物は、キャリヤーガス２５によって反応
器５に輸送される。しかし、プロセスガス２０をバイパ
ス管３５を介して反応器５の側を通るように導くことも
可能である。反応器５のこの迂回法は、殊に処理すべき
基板１０を反応器５から取り出すかまたはこの反応器中
に導入する場合に必要である。更に、プロセスガス２０
の一時的な迂回は、無負荷の場合もしくは保守作業の場
合に推奨される。プロセスガス２０は、ガス発生系３０
中で処理技術的に一般に連続的に発生されるので、プロ
セスガス２０での反応器５の負荷は、輸送管１５もしく
はバイパス管３５を交互に開閉することにより行なわな
ければならない。このことは、例えば各導管１５および
３５中に配置された弁４０および４５を用いて行なうこ
とができる。また、付加的なプロセスガス５５は、他の
導管５０を介して反応器５中にもたらされる。このこと
は、殊に最初に反応器５中で互いに接触を生じるような
高度に反応性のプロセスガスの場合に必要とされる。こ
のための１つの例は、金属酸化物セラミックの析出であ
り、この場合最初に反応器５中でプロセスガス２０は、
酸化剤、例えばＯ _２またはＮ_２Ｏと接触し、そこで燃焼
する。この場合、付加的なプロセスガス５５は、輸送ガ
スと酸化剤との混合物である。付加的に、プロセスガス
５５は、不活性ガス、例えばＮ_２またはＡｒを含有して
いてもよいかまたは不活性ガスのみから成っていてもよ
い。

【００３３】反応器５およびバイパス管３５には、冷却
勾配６０および６５が後接続されている。この冷却勾配
６０および６５は、ガス相から物質を析出させるための
本発明による装置である。この冷却勾配中で使用されて
いないプロセスガス２０および５５、殊にガス発生系３
０中で蒸発された出発生成物は、捕集され、キャリヤー
ガス２５から除去される。

【００３４】好ましくは、出発生成物は、冷却勾配６０
および６５中で凝縮され、したがって専ら輸送ガス２５
は、冷却勾配６０および６５を去り、後接続されたポン
プ７０により吸引されうる。輸送ガス２５は、特に不活
性ガス、例えばアルゴンまたは窒素から成る。ポンプ７
０は、しばしば反応器５および冷却勾配６０および６５
からガスを吸引するために使用されるだけでなく、一般
に大気圧未満に調節された作業圧力を維持するために重
要なものである。この作業圧力は、通常、１０ ^３Ｐａ未
満にある。

【００３５】バイパス管３５中での冷却勾配６０の使用
は、望ましい。それというのも、バイパス管３５を貫流
するプロセスガス２０は、殆んど１００％使用されず、
反応器５からの使用されたプロセスガスとの混合は望ま
しくないからである。従って、冷却勾配６０中で凝縮さ
れた未使用のプロセスガス２０は、もはや費用をかけて
処理残留物によって清浄化される必要はない。

【００３６】本発明による冷却勾配１００は、図２中に
図示されている。この冷却勾配１００は、深鍋状に形成
された析出室１１０である外被１０５から成る。この析
出室１１０は、シール１１５を備えた蓋１２０によって
閉鎖されている。この場合、析出室１１０に対向した内
側の外被面１２５は、物質を析出するための冷却された
内壁１２５である。

【００３７】冷却勾配１００の外被外面１２８には、管
状ジャケットの形で取付け管１３０がフランジ取付けさ
れている。この取付け管によって、供給管１３５である
導管１３５は、析出室１１０内にまで突入している。導
管１３５と取付け管１３０との間には、断熱部材１４０
が存在する。取付け管１３０の冷却勾配１００に対向し
た端部１４５で、この取付け管は、導管１３５を包囲し
ている。これとは異なり、導管１３５は、この端部１４
５から導管１３５の供給管端部１５０にまで、取付け管
１３０もしくは析出室１１０の内側の外被面１２５とさ
らには接触していない。それによって、導管１３５は、
供給管端部１５０にまで、予め選択された輸送温度に維
持される。取付け管１３０の端部１４５は、導管１３５
と同じ温度を有しているので、取付け管１３０に沿って
導管１３５の輸送温度と明らかにそれより低い、内側の
外被面１２５の析出温度との間の温度勾配が形成され
る。導管１３５は、断熱部材１４０により、この温度勾
配に対して供給管端部１５０にまで絶縁されている。導
管１３５内で輸送温度を維持するために、取付け管１３
０および導管１３５は、加熱装置１５５で包囲されてい
る。それによって、むしろ取付け管１３０は、輸送温度
に加熱され、したがって内側の外被面１２５内での温度
勾配は、取付け管１３０の冷却勾配１００に対向した端
部から出発して形成されている。好ましくは、輸送温度
は、１８０℃と２５０℃との間にある。これとは異な
り、析出温度は、１６０℃未満である。

【００３８】勿論、析出温度は、低い値、例えば１２０
℃、１００℃、８０℃またはむしろ２０℃を有していて
もよい。内側の外被面１２５の付加的な温度処理は、最
後の２０℃の場合には、不必要である。所望の場合に
は、析出温度は、適当な冷却装置を用いて２０℃未満、
例えば０℃〜−２０℃にもたらすことができる。

【００３９】断熱部材１４０は、特に圧縮された遮断材
料から成る。遮断材料粒子での析出室１１０の汚染を排
除するために、断熱部材１４０は、析出室１１０に対し
て密閉されている。最も簡単な場合には、断熱部材１４
０は、ガスである。それによって、析出室１１０に対す
る密閉は、断念することができる。更に、析出室１１０
は、取付け管１３０の端部１４５で密閉されている。

【００４０】プロセスガスに対する析出条件をさらに改
善するために、析出室１１０中には、衝突板１６０が備
えられている。中間壁１６０であるこの衝突板１６０
は、析出室１１０内で流入するプロセスガスの転向を生
じる。好ましくは、衝突板１６０は、析出室１１０を２
つの室１６５および１７０に分割し、これらの室は、こ
れらの室の上側でのみ互いに連通していてもよい。それ
によって、析出すべきガスは、室１６５の貫流後に初め
て第２の室１７０中に到達し、そこで出口開口１７５を
通して析出室１１０を去ることができる。好ましくは、
流入する物質は、衝突板１６０に接触して析出し、した
がって衝突板１６０は、同時に内壁の機能を引き受けて
いる。

【００４１】導管１３５を析出室１１０中に導入するた
めのもう１つの方法は、図３に図示されている。この場
合、取付け管１３０は、導管１３５と直接的には接触し
ていない。むしろ、これら双方の間には、加熱装置１５
５が配置されている。この加熱装置は、同時に導管１３
５と取付け管１３０との間の断熱部材１４０である。個
々で図示された実施形式の場合、温度勾配は、取付け管
１３０内および外被１０５の一部内でのみ形成されてい
る。導管１３５は、供給管端部１５０が或る程度まで内
側の外被面１２５から突出し、したがってこの導管から
場合によっては滴下しかつ既に凝縮されたプロセスガス
は、内側の外被面１２５で沈積することはできない。加
熱装置としては、有利に導管１３５もしくは取付け管１
３０に巻き付けられたヒーターバンドが使用される。

【００４２】供給管のもう１つの態様は、図４に図示さ
れている。この場合、断熱部材１４０は、外被１０５中
に組み込まれている。また、導管１３５は、断熱部材１
４０を完全に貫通しているのではなく、ほぼ中間点にま
で貫通している。導管１３５に続けて、断熱部材１４０
は、析出室にまで案内されている通過孔１８０を有して
いる。この通過孔は、導管１３５と一緒になって、析出
室１１０にまで到達している供給管１３５を形成してい
る。この実施形式の場合には、温度勾配は、断熱部材１
４０内でのみ生じ、したがってプロセスガス２０は、輸
送温度に維持された供給管を経て析出室１１０にまで導
くことができる。この実施形式の場合、断熱部材１４０
に加熱装置が備えられていることは、特に有利である。

【００４３】図５の場合、取付け管１３０のもう１つの
特に簡単な態様が図示されている。この場合、取付け管
１３０は、冷却勾配から離れた端部１４５で導管１３５
を備えており、その際、析出室１１０は、環境から密閉
されている。導管１３５の供給管端部１５０にまでの取
付け管１３０の冷却勾配から離れた端部１４５の延在部
に沿って、この導管は、さらには取付け管１３０，外被
１０５または内壁１２５と接触していない。それに応じ
て、熱い導管１３５は、この場合には断熱部材１４０で
ある中空室１４０によって冷たい外被１０５および内壁
１２５と分離されている。導管１３５と内壁１２５との
間の温度勾配は、取付け管１３０に沿って形成されてい
る。この場合、冷却勾配から離れた端部１４５は、輸送
温度を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】１つの析出系を示す系統図。

【図２】物質を析出させるための冷却勾配の形の１つの
本発明による装置を示す略示断面図。

【図３】種々に構成された取付け管もしくは供給管を示
す略示断面図。

【図４】種々に構成された取付け管もしくは供給管を示
す略示断面図。

【図５】種々に構成された取付け管もしくは供給管を示
す略示断面図。

【符号の説明】

５反応器、１０支持体、１５輸送管、２０
プロセスガス、２５キャリヤーガス、３０ガ
ス発生系、３５バイパス管、４０，４５弁、５
０他の導管、５５プロセスガス、６０，６５
冷却勾配、７０ポンプ、１００冷却勾配、１０
５外被、１１０析出室、１１５シール、１
２０蓋、１２５内側の外被面、１２８外被外
面、１３０取付け管、１３５供給管、１４０
断熱部材、１４５端部、１５０供給管端部、
１５５加熱装置、１６０衝突板、１６５，１７
０２つの室、１７５出口開口、１８０通過孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の析出温度を有する析出室（１１
０）の少なくとも１つの内壁（１２５）がこの内壁（１
２５）上に物質を析出させるために備えられている析出
室（１１０）と、供給管端部（１５０）が少なくとも析
出室（１１０）にまで到達しており、析出すべき物質を
析出室（１１０）中に導入するために使用される供給管
（１３５）と、この場合この供給管（１３５）は、物質
の析出が十分に中断されるような、析出温度を上廻る輸
送温度を有しており、析出室（１１０）に備えられた出
口開口（１７５）と、供給管端部（１５０）に向かって
の析出温度への供給管（１３５）の冷却を回避させる、
供給管と内壁（１２５）との間の断熱部材（１４０）と
を有する物質を析出させるための装置。
【請求項２】断熱部材（１４０）が供給管端部（１５
０）の冷却を輸送温度の下で阻止している、請求項１記
載の装置。
【請求項３】加熱装置（１５５）が供給管（１３５）
を包囲している、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】析出室（１１０）が外面（１２８）に取
付け管（１３０）を有し、この取付け管内で供給管（１
３５）の供給管端部（１５０）が析出室（１１０）中に
まで突入しており、取付け管（１３０）に対して断熱さ
れている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の
装置。
【請求項５】加熱装置（１５５）が取付け管（１３
０）の周囲にかまたは取付け管（１３０）と供給管（１
３５）との間に装備されている、請求項４記載の装置。
【請求項６】供給管（１３５）が析出室（１１０）に
向かって下降して案内されている、請求項１から５まで
のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】析出室（１１０）内で供給管（１３５）
と出口開口（１７５）との間に中間壁（１６０）が配置
されている、請求項１から６までのいずれか１項に記載
の装置。
【請求項８】析出すべき物質が輸送温度でガス状で存
在する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の装
置。
【請求項９】輸送温度が蒸発温度を上廻っており、析
出温度が析出すべき物質の溶融温度を下廻っている、請
求項８記載の装置。
【請求項１０】析出温度は酸化物セラミックの形成に
必要な少なくとも１つの出発生成物が内壁（１２５）で
析出可能であるように選択されている、請求項８または
９記載の装置。
【請求項１１】析出温度が１６０℃未満である、請求
項１０記載の装置。
【請求項１２】出発生成物が次に記載された物質Ｂｉ
Ｐｈ_３、Ｂｉ（ｔｈｄ）_３、Ｔｉ（ｔｈｄ）_２（ＯｉＰ
ｒ）_２、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）_４、Ｔｉ（Ｏ）（ｔｈ
ｄ） _２、Ｔａ（ｔｈｄ）（ＯｉＰｒ）_４、Ｔａ（ＯＥ
ｔ）_５、Ｐｂ（ｔｈｄ）_２、Ｚｒ（ｔｈｄ）_４、Ｚｒ
（Ｏ^ｔＢｕ）_４、Ｍ（ｔｈｄ）_２（Ｒ）、Ｍ（ｔｈｄ）
_２の中の少なくとも１つであり、この場合Ｍはバリウム
またはストロンチウムを表わし、Ｐｈはフェニルを表わ
し、ｔｈｄは２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−
３，５−ジオネートを表わし、ＯｉＰｒはイソプロポキ
シドを表わし、ＯＥｔはエトキシドを表わし、Ｏ^ｔＢｕ
は３級ブトキシドを表わし、Ｒはビス−（２−（２−メ
トキシエチル）エチル）エーテルを表わすかまたはＮ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′′，Ｎ′′−ペンタメチル−ビス−（２
−アミノエチル）−アミンを表わす、請求項１０または
１１記載の装置。