JP2747442B2 - 鉛系有機金属前駆体及びその製造方法 - Google Patents
鉛系有機金属前駆体及びその製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規の鉛（Ｐｂ）系
有機金属前駆動体及びそのイン−サイツ合成に関するも
ので、詳しくは、気化性が向上した鉛系有機金属前駆体
に関するものである。又、本発明はこれを使用した鉛−
チタン系薄膜及びその製造方法に関するものである。
有機金属前駆動体及びそのイン−サイツ合成に関するも
ので、詳しくは、気化性が向上した鉛系有機金属前駆体
に関するものである。又、本発明はこれを使用した鉛−
チタン系薄膜及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体キャパシタ用強誘電体として使用
される、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ3 ）系薄膜又はこの有関薄膜
は有機金属前駆体ソースから製造される。ＰＴ薄膜製造
のため、化合物半導体の薄層を成長させる技術である、
有機金属化学蒸着工程（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ−Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）を一般的に使用している。実際にＭＯＣ
ＶＤは有機金属前駆体を予熱により気化させ、これを
熱、プラズマ等により分解させて薄膜を蒸着させること
を含む。従って、必要とする特性と品質の薄膜を得るた
めには適切な有機金属前駆体の選定が必須的である。
される、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ3 ）系薄膜又はこの有関薄膜
は有機金属前駆体ソースから製造される。ＰＴ薄膜製造
のため、化合物半導体の薄層を成長させる技術である、
有機金属化学蒸着工程（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ−Ｏｒ
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ｓｉｔｉｏｎ）を一般的に使用している。実際にＭＯＣ
ＶＤは有機金属前駆体を予熱により気化させ、これを
熱、プラズマ等により分解させて薄膜を蒸着させること
を含む。従って、必要とする特性と品質の薄膜を得るた
めには適切な有機金属前駆体の選定が必須的である。
【０００３】一方、有機金属前駆体が一般的に備えるべ
き条件は次のようである。先ず、低い予熱温度で容易に
気化及び蒸着が可能であるべきであり、気化させるため
に予熱する温度で熱的に安定すべきである。二番目に
は、気化温度と蒸着温度との差が十分に大きくなければ
なず、三番目には、大気中の水分により分解されるか変
質されねばならず、終わりに、毒性が少なければならな
い。
き条件は次のようである。先ず、低い予熱温度で容易に
気化及び蒸着が可能であるべきであり、気化させるため
に予熱する温度で熱的に安定すべきである。二番目に
は、気化温度と蒸着温度との差が十分に大きくなければ
なず、三番目には、大気中の水分により分解されるか変
質されねばならず、終わりに、毒性が少なければならな
い。
【０００４】ＰＴ系薄膜の製造のために必要な種々の有
機金属前駆体のうち、代表的なものはＴｉ及びＰｂ系有
機金属前駆体である。前者は比較的低温で気化できるた
め広範囲に研究され開発された。反面、大部分の鉛系有
機金属前駆体は無害であり、熱的安定性が良くない問題
点を内包している。
機金属前駆体のうち、代表的なものはＴｉ及びＰｂ系有
機金属前駆体である。前者は比較的低温で気化できるた
め広範囲に研究され開発された。反面、大部分の鉛系有
機金属前駆体は無害であり、熱的安定性が良くない問題
点を内包している。
【０００５】鉛系有機金属前駆体の一つである、ビス
（２，２′，６，６′− Tetramethyl−３，５− hepta
nedione ）Ｐｂ（以下、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 ）は低毒性及
び高耐湿性の優れた特性を現すので、最も広く使用され
ている。しかし、このような鉛系有機金属前駆体は気化
温度及び分解温度が高くない決定的な問題点を有する。
即ち、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は固体Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が分子
間相互作用を克服し気化する温度である１５０℃付近で
熱的に不安定となることである。
（２，２′，６，６′− Tetramethyl−３，５− hepta
nedione ）Ｐｂ（以下、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 ）は低毒性及
び高耐湿性の優れた特性を現すので、最も広く使用され
ている。しかし、このような鉛系有機金属前駆体は気化
温度及び分解温度が高くない決定的な問題点を有する。
即ち、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は固体Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が分子
間相互作用を克服し気化する温度である１５０℃付近で
熱的に不安定となることである。
【０００６】図１はＴＧＡ天秤を用いて、種々決められ
た温度でＰｂ（ＴＨＤ）2 の時間による重量変化を測定
したグラフである。
た温度でＰｂ（ＴＨＤ）2 の時間による重量変化を測定
したグラフである。
【０００７】図１に示すように、１２０℃以下の温度で
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 の重量が持続的に減少するが、１２０
℃以上の温度では時間が経過するにつれて重量減少が一
定時間後にはそれ以上進行されなかった。これはＰｂ
（ＴＨＤ）2 が１２０℃までの温度だけで熱的に安定
し、１２０℃以上の温度では安定しないため、熱的に分
解されるか又は非揮発性化学種を生成させることによ
る。
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 の重量が持続的に減少するが、１２０
℃以上の温度では時間が経過するにつれて重量減少が一
定時間後にはそれ以上進行されなかった。これはＰｂ
（ＴＨＤ）2 が１２０℃までの温度だけで熱的に安定
し、１２０℃以上の温度では安定しないため、熱的に分
解されるか又は非揮発性化学種を生成させることによ
る。
【０００８】前述したように、ＭＯＣＶＤに使用される
程度にＰｂ（ＴＨＤ）2 を気化させるためには１４０〜
１６０℃の温度が要求されるが、１３０℃以上の温度で
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は気化されると同時に分解される。
程度にＰｂ（ＴＨＤ）2 を気化させるためには１４０〜
１６０℃の温度が要求されるが、１３０℃以上の温度で
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は気化されると同時に分解される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際、
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を使用してＰＴ系薄膜を蒸着すると
き、バブラー内でＰｂ（ＴＨＤ）2 の分解が起こるた
め、数回程度の使用後には新しい前駆体で再充填すべき
であり、これにより薄膜を均一な品質に大量生産するこ
とが不可能である。結果的に、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は比較
的有毒でなく大気中で安定した利点はあるが、揮発性が
相対的に低く熱安定性が良くない問題点があった。
Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を使用してＰＴ系薄膜を蒸着すると
き、バブラー内でＰｂ（ＴＨＤ）2 の分解が起こるた
め、数回程度の使用後には新しい前駆体で再充填すべき
であり、これにより薄膜を均一な品質に大量生産するこ
とが不可能である。結果的に、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は比較
的有毒でなく大気中で安定した利点はあるが、揮発性が
相対的に低く熱安定性が良くない問題点があった。
【００１０】従って、本発明の目的は前記問題点を解決
するだけでなく、気化性及び気化温度での安定性が向上
された新規の鉛系有機金属前駆体を提供することであ
る。
するだけでなく、気化性及び気化温度での安定性が向上
された新規の鉛系有機金属前駆体を提供することであ
る。
【００１１】本発明の他の目的は前記有機金属前駆体を
イン−サイツ工程で合成する方法を提供することであ
る。
イン−サイツ工程で合成する方法を提供することであ
る。
【００１２】本発明のさらに他の目的は鉛系有機金属前
駆体から製造された、信頼性及び再現性に優れた鉛−チ
タン系薄膜を提供することである。
駆体から製造された、信頼性及び再現性に優れた鉛−チ
タン系薄膜を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者の研究努力によ
り、前記目的は下記式〔Ｉ〕で表わされる、強誘電体Ｐ
ＺＴ薄膜用鉛系有機金属前駆体を提供することにより達
成される。
り、前記目的は下記式〔Ｉ〕で表わされる、強誘電体Ｐ
ＺＴ薄膜用鉛系有機金属前駆体を提供することにより達
成される。
【００１４】 Ｌx ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3 及びＣｌ2 ガス
で構成される群から選択された電子供与リガンドであ
り、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲であ
る。
で構成される群から選択された電子供与リガンドであ
り、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲であ
る。
【００１５】本発明の他の態様によると、気体状電子供
与体をビス（２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン）Ｐｂを含むバブラーで所定温度で
流動させて、前記式で表わされる反応付加物（adduct）
をイン−サイツ的に合成する鉛系有機金属前駆体の製造
方法を提供する。
与体をビス（２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン）Ｐｂを含むバブラーで所定温度で
流動させて、前記式で表わされる反応付加物（adduct）
をイン−サイツ的に合成する鉛系有機金属前駆体の製造
方法を提供する。
【００１６】本発明のさらに他の態様によると、気体状
電子供与体をビス（２，２′，６，６′−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオン）Ｐｂを含むバブラーで所定
温度で流動させて、前記式で表わされる反応付加物（ad
duct）をイン−サイツ的に合成し、前記反応付加物を冷
却して固体化し、前記バブラーを前記所定温度より低い
温度に加熱して前記反応付加物を気化させ、前記反応付
加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に移動させ、
気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の高温
でＭＯＣＶＤ法によりチタン前駆体と反応させる段階を
含む鉛−チタン系薄膜を蒸着する方法を提供する。
電子供与体をビス（２，２′，６，６′−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオン）Ｐｂを含むバブラーで所定
温度で流動させて、前記式で表わされる反応付加物（ad
duct）をイン−サイツ的に合成し、前記反応付加物を冷
却して固体化し、前記バブラーを前記所定温度より低い
温度に加熱して前記反応付加物を気化させ、前記反応付
加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に移動させ、
気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の高温
でＭＯＣＶＤ法によりチタン前駆体と反応させる段階を
含む鉛−チタン系薄膜を蒸着する方法を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を添付図面に
基づいてより詳細に説明する。
基づいてより詳細に説明する。
【００１８】一般的に使用されているＰｂ系有機金属前
駆体であるＰｂ（ＴＨＤ）2 分子における中心原子であ
るＰｂ（ＩＩ）は二つのリガンドであるＴＨＤのカルボ
ニル基から電子を受けてリガンドと結合をなす。通常、
ＴＨＤは公称電荷がない中性リガンドで、Ｐｂに電子供
給を十分になし得ない。従って、余分の電子を必要とす
るＰｂ（ＩＩ）は隣接Ｐｂ（ＴＨＤ）2 分子のＴＨＤリ
ガンドと相互引力作用（interatomic interaction ）し
て、常温で安定した固体結晶構造を形成することにな
る。
駆体であるＰｂ（ＴＨＤ）2 分子における中心原子であ
るＰｂ（ＩＩ）は二つのリガンドであるＴＨＤのカルボ
ニル基から電子を受けてリガンドと結合をなす。通常、
ＴＨＤは公称電荷がない中性リガンドで、Ｐｂに電子供
給を十分になし得ない。従って、余分の電子を必要とす
るＰｂ（ＩＩ）は隣接Ｐｂ（ＴＨＤ）2 分子のＴＨＤリ
ガンドと相互引力作用（interatomic interaction ）し
て、常温で安定した固体結晶構造を形成することにな
る。
【００１９】反面、十分な電子を供与し得る付加リガン
ドとＰｂ原子が配位結合を形成することは固体結晶構造
で分子間の相互作用を弱化させるか破壊する結果をもた
らす。配位結合されたＰｂ（ＴＨＤ）2 分子は本来のＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 より低い温度で気化できる。
ドとＰｂ原子が配位結合を形成することは固体結晶構造
で分子間の相互作用を弱化させるか破壊する結果をもた
らす。配位結合されたＰｂ（ＴＨＤ）2 分子は本来のＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 より低い温度で気化できる。
【００２０】本発明によると、ＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3
又はＣｌ2 分子を付加電子供与体として用いる。ＮＨ3
又はＣｌ2 分子は非共有電子双を保有しているので、十
分な電子供給ができ、分子の大きさが大きくないので、
容易にＰｂ金属と接触できる。従って、下記反応式で表
わされるように、ＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3 又はＣｌ2電
子供与体自体はＰｂ（ＴＨＤ）2 に反応付加できる。
又はＣｌ2 分子を付加電子供与体として用いる。ＮＨ3
又はＣｌ2 分子は非共有電子双を保有しているので、十
分な電子供給ができ、分子の大きさが大きくないので、
容易にＰｂ金属と接触できる。従って、下記反応式で表
わされるように、ＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3 又はＣｌ2電
子供与体自体はＰｂ（ＴＨＤ）2 に反応付加できる。
【００２１】 ｘＮＲ3 (g) ＋Ｐｂ（ＴＨＤ）2 (s) →（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 (s) ｙＣｌ2 (g) ＋Ｐｂ（ＴＨＤ）2 (s) →（Ｃｌ2 ）y ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 (s) 前記式で、ＲはＨ又はＣＨ3 であり、ｘは０．５〜２の
範囲であり、ｙは０．５〜２の範囲にある。ＮＨ3 、Ｎ
（ＣＨ3 ）3 又はＣｌ2 反応付加物で、前記付加電子供
与体はＰｂ（ＴＨＤ）2 分子間の相互引力を破壊して、
反応付加物が低温度で気化できる。従って、前記反応付
加物は気化性にかなりの改善を有する鉛系有機金属前駆
体として使用できる。
範囲であり、ｙは０．５〜２の範囲にある。ＮＨ3 、Ｎ
（ＣＨ3 ）3 又はＣｌ2 反応付加物で、前記付加電子供
与体はＰｂ（ＴＨＤ）2 分子間の相互引力を破壊して、
反応付加物が低温度で気化できる。従って、前記反応付
加物は気化性にかなりの改善を有する鉛系有機金属前駆
体として使用できる。
【００２２】本発明によると、前記鉛系有機金属前駆体
は気体状電子供与体をＰｂ（ＴＨＤ）2 を含むバブラー
で所定温度で流動させて、下記式で表わされる反応付加
物をイン−サイツ的に合成することを含む方法により製
造される。
は気体状電子供与体をＰｂ（ＴＨＤ）2 を含むバブラー
で所定温度で流動させて、下記式で表わされる反応付加
物をイン−サイツ的に合成することを含む方法により製
造される。
【００２３】Ｌx ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 前記式で、ＬはＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3 及びＣｌ2 ガス
で構成される群から選択された電子供与リガンドであ
り、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲であ
る。本発明の鉛系有機金属前駆体の製造に使用されたガ
ス状電子供与体はＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3及びＣｌ2 で
構成される群から選択される。
で構成される群から選択された電子供与リガンドであ
り、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲であ
る。本発明の鉛系有機金属前駆体の製造に使用されたガ
ス状電子供与体はＮＨ3 、Ｎ（ＣＨ3 ）3及びＣｌ2 で
構成される群から選択される。
【００２４】次に、鉛系有機金属前駆体の製造に関する
より詳細な説明を行う。
より詳細な説明を行う。
【００２５】（ＮＲ3 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 （Ｒ＝Ｈ、
ＣＨ3 ）のイン−サイツ的製造のため、固体状のＰｂ
（ＴＨＤ）2 をバブラーに安置し、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、Ｃ
Ｈ3 ）を運搬ガスとして使用する。バブラーの温度を１
００〜１２０℃に維持する。バブラー内のＰｂ（ＴＨ
Ｄ）2 はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）運搬ガスと反応して
（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 、
０．５≦ｘ≦２）が合成される。生成された化学種は強
揮発性であるので、１００〜１２０℃のバブラー温度で
即時気化する。気化した（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）
2 は未反応である電子供与ガス（ＮＨ3 又はＮ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ）により運搬され、反応器で薄膜蒸着に使用で
きる。結論的に、運搬ガスとしてＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ
3 ）を流動させることにより、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 前駆体
を１００〜１２０℃の温度で容易に気化させることがで
きる。このようなバブリング温度はＰｂ（ＴＨＤ）2 を
前駆体として、Ａｒ又はＮ2 を運搬ガスとして使用する
通常の方法でのバブリング温度より約４０°だけ低い。
従って、前記バブリング工程中に前駆体の分解が起こら
ず、バブリング時間経過にも一定蒸気圧が維持できる。
ＣＨ3 ）のイン−サイツ的製造のため、固体状のＰｂ
（ＴＨＤ）2 をバブラーに安置し、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、Ｃ
Ｈ3 ）を運搬ガスとして使用する。バブラーの温度を１
００〜１２０℃に維持する。バブラー内のＰｂ（ＴＨ
Ｄ）2 はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）運搬ガスと反応して
（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 、
０．５≦ｘ≦２）が合成される。生成された化学種は強
揮発性であるので、１００〜１２０℃のバブラー温度で
即時気化する。気化した（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）
2 は未反応である電子供与ガス（ＮＨ3 又はＮ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ）により運搬され、反応器で薄膜蒸着に使用で
きる。結論的に、運搬ガスとしてＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ
3 ）を流動させることにより、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 前駆体
を１００〜１２０℃の温度で容易に気化させることがで
きる。このようなバブリング温度はＰｂ（ＴＨＤ）2 を
前駆体として、Ａｒ又はＮ2 を運搬ガスとして使用する
通常の方法でのバブリング温度より約４０°だけ低い。
従って、前記バブリング工程中に前駆体の分解が起こら
ず、バブリング時間経過にも一定蒸気圧が維持できる。
【００２６】イン−サイツ工程で合成された（ＣＲ3 ）
x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を元素分析器で分析した結果、ｘ
の組成は０．５〜２であることがわかった。
x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を元素分析器で分析した結果、ｘ
の組成は０．５〜２であることがわかった。
【００２７】（Ｃｌ2 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 の製造にお
いて、固体状Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を、図２に示すように、
シリカボート（ＢＯＡＴ）に置いた後、ガス状の電子供
与体（Ｃｌ2 ）をマスフローコントローラー（Mass Flo
w controller）の制御の下で供給する。温度を上昇させ
た状態で、Ｃｌ2 とＰｂ（ＴＨＤ）2 間の反応付加物を
ガス状で合成する。反応条件を見ると、（Ｃｌ2 ）x ガ
スが流動する区間１の温度は約１３０〜１５０℃の範囲
に維持される。このような温度範囲で、Ｃｌ2ガスはＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 と速く反応する。次いで、合成されたガ
ス状反応付加物（Ｃｌ2 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 ）は区間
２のチューブ壁を室温に冷却させることにより区間２で
固体化させる。塩素ガスは前記条件下でＰｂ（ＴＨＤ）
2 と即刻反応するため、合成された反応付加物の量は区
間１から供給されたＰｂ（ＴＨＤ）2 の量に基づいて推
定できる。一方、未反応電子供与ガスは区間２に連結さ
れた反応器を通じずバイパスを通じて外部へ排出した
後、ＮａＯＨ水溶液との反応により除去する。次いで、
前記運搬ガスはＮ2 で代替され、バブラーの温度を８０
〜１１０℃に調整するが、この温度は通常の方法の温度
より４０〜８０℃低いものである。
いて、固体状Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を、図２に示すように、
シリカボート（ＢＯＡＴ）に置いた後、ガス状の電子供
与体（Ｃｌ2 ）をマスフローコントローラー（Mass Flo
w controller）の制御の下で供給する。温度を上昇させ
た状態で、Ｃｌ2 とＰｂ（ＴＨＤ）2 間の反応付加物を
ガス状で合成する。反応条件を見ると、（Ｃｌ2 ）x ガ
スが流動する区間１の温度は約１３０〜１５０℃の範囲
に維持される。このような温度範囲で、Ｃｌ2ガスはＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 と速く反応する。次いで、合成されたガ
ス状反応付加物（Ｃｌ2 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 ）は区間
２のチューブ壁を室温に冷却させることにより区間２で
固体化させる。塩素ガスは前記条件下でＰｂ（ＴＨＤ）
2 と即刻反応するため、合成された反応付加物の量は区
間１から供給されたＰｂ（ＴＨＤ）2 の量に基づいて推
定できる。一方、未反応電子供与ガスは区間２に連結さ
れた反応器を通じずバイパスを通じて外部へ排出した
後、ＮａＯＨ水溶液との反応により除去する。次いで、
前記運搬ガスはＮ2 で代替され、バブラーの温度を８０
〜１１０℃に調整するが、この温度は通常の方法の温度
より４０〜８０℃低いものである。
【００２８】図３で、ＰＴ薄膜を蒸着させるのに有用な
ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置が図
示されている。同図に示すように、ＭＯＣＶＤ装置は一
種のホットウォール（Hot Wall）方式の減圧ＣＶＤで、
前駆体ソース、つまり鉛ソース、ジルコニウムソース及
びチタンソース用バブラー装備、反応器及びコールドト
ラップ（cold trap ）で構成されている。
ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置が図
示されている。同図に示すように、ＭＯＣＶＤ装置は一
種のホットウォール（Hot Wall）方式の減圧ＣＶＤで、
前駆体ソース、つまり鉛ソース、ジルコニウムソース及
びチタンソース用バブラー装備、反応器及びコールドト
ラップ（cold trap ）で構成されている。
【００２９】ＮＲ3 反応付加のＰｂ（ＴＨＤ）2 を使用
してＰＴ薄膜を蒸着するためには、先ずＰｂ（ＴＨＤ）
2 をバブラーに供給する。次いで、バブラーの温度を１
００〜１２０℃に調整し、流速５０〜１００ｓｃｃｍの
ＮＲ3 ガスを使用する。イン−サイツ的に発生された
（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 をＰｂ（ＴＨＤ）2 と
の反応には使用しなかったＮＲ3 により反応器に運搬さ
れる。Ｔｉソースについては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常
に使用され、１００〜１２５℃に加熱され、窒素ガスが
運搬ガスとして使用される。
してＰＴ薄膜を蒸着するためには、先ずＰｂ（ＴＨＤ）
2 をバブラーに供給する。次いで、バブラーの温度を１
００〜１２０℃に調整し、流速５０〜１００ｓｃｃｍの
ＮＲ3 ガスを使用する。イン−サイツ的に発生された
（ＮＲ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 をＰｂ（ＴＨＤ）2 と
の反応には使用しなかったＮＲ3 により反応器に運搬さ
れる。Ｔｉソースについては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常
に使用され、１００〜１２５℃に加熱され、窒素ガスが
運搬ガスとして使用される。
【００３０】塩素反応付加のＰｂ（ＴＨＤ）2 を使用し
てＰＴ薄膜を蒸着するためには、先ず図２のバブラーの
区間２で製造された（Ｃｌ2 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を８
０〜１１０℃に加熱する。流速５０〜１００ｓｃｃｍの
Ｎ2 ガスを使用して気化された塩素反応付加のＰｂ（Ｔ
ＨＤ）2 を運搬する。前記と同様に、Ｔｉソースに対し
ては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常に使用され、１０〜２０
ｓｃｃｍの流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用
される。次いで、気化された前駆体ソースを高温、例え
ば約６００〜７００℃に加熱された反応器で分解した
後、他の調節経路を通じて供給される酸素ガスと反応さ
せて基板上にＰＴ薄膜を蒸着させる。ＰｂＴｉＯ3 薄膜
製造には酸素ガスを５００ｓｃｃｍの速度で流動させ
る。一方、反応器に連結されたコールドトラップは未反
応前駆体ソースを除去する。真空ポンプは反応器で減圧
を維持するために作動する。
てＰＴ薄膜を蒸着するためには、先ず図２のバブラーの
区間２で製造された（Ｃｌ2 ）x Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を８
０〜１１０℃に加熱する。流速５０〜１００ｓｃｃｍの
Ｎ2 ガスを使用して気化された塩素反応付加のＰｂ（Ｔ
ＨＤ）2 を運搬する。前記と同様に、Ｔｉソースに対し
ては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常に使用され、１０〜２０
ｓｃｃｍの流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用
される。次いで、気化された前駆体ソースを高温、例え
ば約６００〜７００℃に加熱された反応器で分解した
後、他の調節経路を通じて供給される酸素ガスと反応さ
せて基板上にＰＴ薄膜を蒸着させる。ＰｂＴｉＯ3 薄膜
製造には酸素ガスを５００ｓｃｃｍの速度で流動させ
る。一方、反応器に連結されたコールドトラップは未反
応前駆体ソースを除去する。真空ポンプは反応器で減圧
を維持するために作動する。
【００３１】
【実施例】以下、実施例１及び２に基づいて本発明をよ
り詳細に説明するが、これらの実施例が本発明の範疇を
限定するものではない。
り詳細に説明するが、これらの実施例が本発明の範疇を
限定するものではない。
【００３２】実施例１ 図３のＭＯＣＶＤ装置を使用してＰｂＴｉＯ3 薄膜を蒸
着した。バブラーのステンレスチューブに１．０ｇのＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 を入れてから１１０℃の温度に維持させ
た。これとは別に、１０ｇのＴｉ（ＯＥｔ）4 を他のバ
ブラーに安置し、バブラー温度を１１５℃に維持した。
このＴｉソースを流速１５ｓｃｃｍの窒素ガスで運搬し
反応器に供給しＰｂソースは流速５０ｓｃｃｍのＮＨ3
運搬ガスで供給した。その後、反応器を約６００℃に加
熱してＰｂＴｉＯ3 薄膜を蒸着した。その詳細な反応条
件は下記の表１に記載した。
着した。バブラーのステンレスチューブに１．０ｇのＰ
ｂ（ＴＨＤ）2 を入れてから１１０℃の温度に維持させ
た。これとは別に、１０ｇのＴｉ（ＯＥｔ）4 を他のバ
ブラーに安置し、バブラー温度を１１５℃に維持した。
このＴｉソースを流速１５ｓｃｃｍの窒素ガスで運搬し
反応器に供給しＰｂソースは流速５０ｓｃｃｍのＮＨ3
運搬ガスで供給した。その後、反応器を約６００℃に加
熱してＰｂＴｉＯ3 薄膜を蒸着した。その詳細な反応条
件は下記の表１に記載した。
【００３３】
【表１】
【００３４】前記表１のような条件で３０分間ＰｂＴｉ
Ｏ3 薄膜を蒸着させた結果、３００ｎｍ厚さの純粋なペ
ロブスカイト（perovskte ）状のＰｂＴｉＯ3 薄膜が得
られた。
Ｏ3 薄膜を蒸着させた結果、３００ｎｍ厚さの純粋なペ
ロブスカイト（perovskte ）状のＰｂＴｉＯ3 薄膜が得
られた。
【００３５】実施例２ 本実施例では、図２に示したバブラー装置を用いて（Ｃ
ｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を先ず製造した。このた
め、先ず、石英管（quartz boat ）に１．５ｇのＰｂ
（ＴＨＤ）2 を入れてから帯域１に位置させた。帯域１
の温度を１４０℃に、そして帯域２の温度を冷却水循環
により常温に維持させた。
ｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を先ず製造した。このた
め、先ず、石英管（quartz boat ）に１．５ｇのＰｂ
（ＴＨＤ）2 を入れてから帯域１に位置させた。帯域１
の温度を１４０℃に、そして帯域２の温度を冷却水循環
により常温に維持させた。
【００３６】乾燥された塩素気体を５０ｍｌ／ｍｉｎの
流速に２０分間流して、区間１に位置するＰｂ（ＴＨ
Ｄ）2 が全て反応に所要されるようにした。この際、生
成されたガス状（Ｃｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は冷却
区間である区間２で凝固された。
流速に２０分間流して、区間１に位置するＰｂ（ＴＨ
Ｄ）2 が全て反応に所要されるようにした。この際、生
成されたガス状（Ｃｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は冷却
区間である区間２で凝固された。
【００３７】こうした後、下記表２に記載した蒸着条件
を使用して実施例１を繰り返した。特に本実施例ではＰ
ｂソース用運搬ガスを窒素ガスで代替した。
を使用して実施例１を繰り返した。特に本実施例ではＰ
ｂソース用運搬ガスを窒素ガスで代替した。
【００３８】
【表２】
【００３９】前記表２のような条件で３０分間ＰｂＴｉ
Ｏ3 薄膜を蒸着させた結果、３５０ｎｍ厚さの純粋なペ
ロブスカイト状のＰｂＴｉＯ3 薄膜が得られた。
Ｏ3 薄膜を蒸着させた結果、３５０ｎｍ厚さの純粋なペ
ロブスカイト状のＰｂＴｉＯ3 薄膜が得られた。
【００４０】たとえ、前記実施例は本発明の鉛系有機金
属前駆体を使用する場合を説明したが、ＰｂＴｉＯ3 薄
膜を蒸着するのに使用される（ＮＨ3 ）・Ｐｂ（ＴＨ
Ｄ）2及び（Ｃｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 前駆体もこ
れらから他のＰＴ薄膜を製造する場合に類似した結果を
提供する。
属前駆体を使用する場合を説明したが、ＰｂＴｉＯ3 薄
膜を蒸着するのに使用される（ＮＨ3 ）・Ｐｂ（ＴＨ
Ｄ）2及び（Ｃｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 前駆体もこ
れらから他のＰＴ薄膜を製造する場合に類似した結果を
提供する。
【００４１】本明細書に使用された″ＰＺＴ薄膜″と
は、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）、Ｐｂ（ＮｂＺｒ
Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＮＺＴ）、Ｐｂ（ＬａＺｒＴｉ）Ｏ
3 （ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（ＴａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＴＺ
Ｔ）、Ｐｂ（ＳｃＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＳＺＴ）のような
ドーピングされたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 を示すものであ
る。
は、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）、Ｐｂ（ＮｂＺｒ
Ｔｉ）Ｏ3 （ＰＮＺＴ）、Ｐｂ（ＬａＺｒＴｉ）Ｏ
3 （ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（ＴａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＴＺ
Ｔ）、Ｐｂ（ＳｃＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＳＺＴ）のような
ドーピングされたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 を示すものであ
る。
【００４２】
【発明の効果】従って、本発明によるＰｂ系有機金属前
駆体である（ＮＨ3 ）・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 又は（Ｃ
ｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を使用してＰＴ系薄膜を製
造した結果、次のような効果が確認された。
駆体である（ＮＨ3 ）・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 又は（Ｃ
ｌ2 ）2 ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を使用してＰＴ系薄膜を製
造した結果、次のような効果が確認された。
【００４３】一番目、前記前駆体は分解されなく、バブ
ラーで反復的に使用できる。従って、信頼性及び再現性
の優れた薄膜が得られる。
ラーで反復的に使用できる。従って、信頼性及び再現性
の優れた薄膜が得られる。
【００４４】二番目、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 より著しく低い
温度で気化できる。
温度で気化できる。
【００４５】三番目、気化のための予熱温度で非常に安
定する。
定する。
【００４６】四番目、（ＮＨ3 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2
又は（Ｃｌ2 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は吸湿性があるの
で、外部で製造されたものをバブラーに入れて使用する
場合、取扱途中に分解される憂いがある。本発明では、
前駆体がバブラーでイン−サイツ的に合成されるため、
前記のような問題点を除去し得る。
又は（Ｃｌ2 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は吸湿性があるの
で、外部で製造されたものをバブラーに入れて使用する
場合、取扱途中に分解される憂いがある。本発明では、
前駆体がバブラーでイン−サイツ的に合成されるため、
前記のような問題点を除去し得る。
【００４７】終わりに、バブラーで製造された（Ｃ
ｌ2 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を用いて薄膜を製造する
時、Ｎ2 をキャリアガスとして使用するので、反応器の
損傷又は腐食を防止することができる。
ｌ2 ）x ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 を用いて薄膜を製造する
時、Ｎ2 をキャリアガスとして使用するので、反応器の
損傷又は腐食を防止することができる。
【図１】ＴＧＡ天秤（balance ）を用いて、種々の決め
られた温度でＰｂ（ＴＨＤ）2の時間による重量変化を
測定したグラフである。
られた温度でＰｂ（ＴＨＤ）2の時間による重量変化を
測定したグラフである。
【図２】本発明のＰｂ系有機金属前駆体の製造時に用い
られるバブラー装置を示す概略図である。
られるバブラー装置を示す概略図である。
【図３】本発明のＰｂ系有機金属前駆体を使用して薄膜
を蒸着させる時に用いられるＭＯＣＶＤ装置の概略図で
ある。
を蒸着させる時に用いられるＭＯＣＶＤ装置の概略図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｚ Ｈ０１Ｇ 4/33 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２ Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｃ 27/04 41/18 １０１Ｄ 41/187 (56)参考文献 特開 平２−57686（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−271252（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−101049（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−158328（ＪＰ，Ａ)
Claims (16)
- 【請求項１】下記式〔Ｉ〕で表わされることを特徴とす
る強誘電体鉛−チタン薄膜用鉛系有機金属前駆体。 Ｌx ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲
である。 - 【請求項２】前記鉛系有機金属前駆体は約８０〜１２０
℃で気化されることを特徴とする請求項１記載の強誘電
体ＰＺＴ薄膜用鉛系有機金属前駆体。 - 【請求項３】前記鉛系有機金属前駆体は約８０〜１１０
℃で気化されることを特徴とする請求項２記載の強誘電
体ＰＺＴ薄膜用鉛系有機金属前駆体。 - 【請求項４】前記鉛系有機金属前駆体は約１００〜１２
０℃で気化されることを特徴とする請求項２記載の強誘
電体ＰＺＴ薄膜用鉛系有機金属前駆体。 - 【請求項５】気体状電子供与体をビス（２，２′，６，
６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）Ｐｂを
含むバブラーで所定温度で流動させて、前記式で表わさ
れる反応付加物（adduct）をイン−サイツ的に合成し、
前記ガス状の電子供与体は運搬ガスとして作用し、ＮＲ
3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ2 ガスで構成される
群から選択されることを特徴とする鉛系有機金属前駆体
の製造方法。 Ｌx ・Ｐｂ（ＴＨＤ）2 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ｘは０．５〜２の範囲
である。 - 【請求項６】前記所定温度は約１４０〜１６０℃であ
り、前記ガス状電子供与体はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）
であることを特徴とする請求項５記載の鉛系有機金属前
駆体の製造方法。 - 【請求項７】前記所定温度は約１３０〜１５０℃であ
り、前記ガス状電子供与体はＣｌ2 であることを特徴と
する請求項５記載の鉛系有機金属前駆体の製造方法。 - 【請求項８】気体状電子供与体をビス（２，２′，６，
６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）Ｐｂを
含むバブラーで所定温度で流動させて、前記式で表わさ
れる反応付加物（adduct）をイン−サイツ的に合成し、 前記反応付加物を冷却して固体化し、 前記バブラーを前記所定温度より低い温度に加熱して前
記反応付加物を気化させ、 前記反応付加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に
移動させ、 気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の高温
でＭＯＣＶＤ法によりチタン前駆体と反応させる段階を
含むことを特徴とする鉛−チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項９】前記反応温度は約１３０〜１６０℃である
ことを特徴とする請求項８記載の鉛−チタン薄膜の蒸着
方法。 - 【請求項１０】前記反応付加物は約８０〜１１０℃で気
化されることを特徴とする請求項８記載の鉛−チタン薄
膜の蒸着方法。 - 【請求項１１】前記反応付加物は約６００〜７００℃の
温度で前記チタン前駆体ソースと反応することを特徴と
する請求項８記載の鉛−チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１２】前記運搬ガスは、ＬがＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、
ＣＨ3 ）である時、ＮＲ3 であることを特徴とする請求
項８記載の鉛−チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１３】前記運搬ガスは、ＬがＣｌ2 である時、
Ｎ2 であることを特徴とする請求項８記載の鉛−チタン
薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１４】請求項８の方法により製造されることを
特徴とする鉛−チタン系薄膜。 - 【請求項１５】ＰｂＴｉＯ3 、鉛−ジルコニウム−チタ
ン及びドーピングされた鉛−ジルコニウム−チタン薄膜
を含むことを特徴とする請求項１４記載の鉛−チタン系
薄膜。 - 【請求項１６】前記ドーピングされた鉛−ジルコニウム
−チタンは、鉛−ニオビウム−ジルコニウム−チタン、
鉛−ランタン−ジルコニウム−チタン、鉛−タンタル−
ジルコニウム−チタン及び鉛−スカンジウム−ジルコニ
ウム−チタンで構成される群から選択されることを特徴
とする請求項１５記載の鉛−チタン系薄膜。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025903A KR960014141A (ko) | 1994-10-10 | 1994-10-10 | 레드(Pb)계 유기금속 전구체 및 이의 제조방법 |
| KR199425903 | 1994-10-10 | ||
| KR1019940031300A KR100304821B1 (ko) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Pt계 박막의 제조방법 |
| KR199431300 | 1994-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08310815A JPH08310815A (ja) | 1996-11-26 |
| JP2747442B2 true JP2747442B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=26630609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260482A Expired - Lifetime JP2747442B2 (ja) | 1994-10-10 | 1995-10-06 | 鉛系有機金属前駆体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (2) | US5637352A (ja) |
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Families Citing this family (2)
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139999A (en) * | 1990-03-08 | 1992-08-18 | President And Fellows Of Harvard College | Chemical vapor deposition process where an alkaline earth metal organic precursor material is volatilized in the presence of an amine or ammonia and deposited onto a substrate |
| DE4304679C2 (de) * | 1992-02-17 | 1996-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens |
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1996
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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