JPH08124798A - ジルコニウム（Ｚｒ）系有機金属前駆体及びその製造方法 - Google Patents
ジルコニウム（Ｚｒ）系有機金属前駆体及びその製造方法Info
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- JPH08124798A JPH08124798A JP7104040A JP10404095A JPH08124798A JP H08124798 A JPH08124798 A JP H08124798A JP 7104040 A JP7104040 A JP 7104040A JP 10404095 A JP10404095 A JP 10404095A JP H08124798 A JPH08124798 A JP H08124798A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 気化性及び気化温度で安定性の向上された新
規のジルコニウム系有機金属前駆体、その有機金属前駆
体をイン−サイツ工程で合成された、信頼性及び再現性
に優れた鉛−ジルコニウム−チタン薄膜を提供する。 【構成】 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （ＬはＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ2 ガスで構成される群から選
択された電子供与リガンドであり、ＴＨＤは２，２′，
６，６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンを示
し、ＸはＬがＮＲ3 である時、０．３〜１．５の範囲で
あり、ＬがＣｌ2 の時、０．５〜２の範囲である。）で
示される強誘電体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属
前駆体は、気体状態電子供与体をテトラＺｒを含むバブ
ラーで一定温度で遊動させて、反応付加物をイン−サイ
ツ的に合成することにより製造される。
規のジルコニウム系有機金属前駆体、その有機金属前駆
体をイン−サイツ工程で合成された、信頼性及び再現性
に優れた鉛−ジルコニウム−チタン薄膜を提供する。 【構成】 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （ＬはＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ2 ガスで構成される群から選
択された電子供与リガンドであり、ＴＨＤは２，２′，
６，６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンを示
し、ＸはＬがＮＲ3 である時、０．３〜１．５の範囲で
あり、ＬがＣｌ2 の時、０．５〜２の範囲である。）で
示される強誘電体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属
前駆体は、気体状態電子供与体をテトラＺｒを含むバブ
ラーで一定温度で遊動させて、反応付加物をイン−サイ
ツ的に合成することにより製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規のジルコニウム（Ｚ
ｒ）系有機金属前駆動体及びそのイン−サイツ合成に関
するもので、詳しくは、気化性が向上されたジルコニウ
ム系有機金属前駆体に関するものである。又、本発明は
これを使用した鉛−ジルコニウム−チタン薄膜及びその
製造方法に関するものである。
ｒ）系有機金属前駆動体及びそのイン−サイツ合成に関
するもので、詳しくは、気化性が向上されたジルコニウ
ム系有機金属前駆体に関するものである。又、本発明は
これを使用した鉛−ジルコニウム−チタン薄膜及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体キャパシタ用強誘電体薄膜として
使用される、ＰＺＴ（ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 ）薄膜又
はその有関薄膜は有機金属前駆体ソース、例えば鉛ソー
ス、ジルコニウムソース及びチタンソースから製造され
る。ＰＺＴ薄膜製造のため、化合物半導体の薄層を成長
させる技術である有機金属化学蒸着工程（ＭＯＣＶＤ；
Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）を一般的
に使用している。実際にＭＯＣＶＤは有機金属前駆体を
予熱により気化させ、これを熱、プラズマ等により分解
させて薄膜を蒸着させることを含む。従って、必要とす
る特性と品質の薄膜を得るためには適切な有機金属前駆
体の選定が必須的である。
使用される、ＰＺＴ（ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 ）薄膜又
はその有関薄膜は有機金属前駆体ソース、例えば鉛ソー
ス、ジルコニウムソース及びチタンソースから製造され
る。ＰＺＴ薄膜製造のため、化合物半導体の薄層を成長
させる技術である有機金属化学蒸着工程（ＭＯＣＶＤ；
Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）を一般的
に使用している。実際にＭＯＣＶＤは有機金属前駆体を
予熱により気化させ、これを熱、プラズマ等により分解
させて薄膜を蒸着させることを含む。従って、必要とす
る特性と品質の薄膜を得るためには適切な有機金属前駆
体の選定が必須的である。
【０００３】一方、有機金属前駆体が一般的に備えるべ
き条件は次のようである。先ず、低い予熱温度で容易に
気化できるべきであり、気化させるために予熱する温度
で熱的に安定すべきである。二番目は、気化温度と蒸着
温度との差が充分に大きくなければならず、三番目は、
大気中の水分により分解されるか変質されねばならな
ず、終わりに、毒性が酷ければならない。
き条件は次のようである。先ず、低い予熱温度で容易に
気化できるべきであり、気化させるために予熱する温度
で熱的に安定すべきである。二番目は、気化温度と蒸着
温度との差が充分に大きくなければならず、三番目は、
大気中の水分により分解されるか変質されねばならな
ず、終わりに、毒性が酷ければならない。
【０００４】ＰＺＴ又はその有関物質の薄膜製造のため
に必要な種々の有機金属前駆体のうち、ＴｉとＰｂの前
駆体は相対的に良く開発されており、比較的低温でも気
化が可能である。しかし、Ｚｒ系前駆体の場合、気化さ
せることが難しいか吸湿性が酷い等の問題点を内包して
いる。
に必要な種々の有機金属前駆体のうち、ＴｉとＰｂの前
駆体は相対的に良く開発されており、比較的低温でも気
化が可能である。しかし、Ｚｒ系前駆体の場合、気化さ
せることが難しいか吸湿性が酷い等の問題点を内包して
いる。
【０００５】従来の場合、ＰＺＴ又はその有関物質の薄
膜製造に最も頻繁に用いられるＺｒ系有機金属前駆体
は、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （Zirconium(ＩＶ）２、２′、
６、６′−Tetramethyl-３、５−heptanedione ）であ
る。
膜製造に最も頻繁に用いられるＺｒ系有機金属前駆体
は、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （Zirconium(ＩＶ）２、２′、
６、６′−Tetramethyl-３、５−heptanedione ）であ
る。
【０００６】Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は３００℃まで熱により
分解されない大変優れた熱的安定性を保有している。
又、他のＺｒ前駆体とは異なり、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は湿
気に非常に強い。しかし、ＰＺＴ薄膜用Ｚｒソースは他
のソース、Ｐｂ及びＴｉソースの気化温度よりずっと高
い気化温度を有する。換言すれば、Ｚｒソースと他のソ
ース間の気化点での間隔が大きい。例えば、Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 の気化可能な温度はほぼ２２０〜２４０℃である
反面、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は１４０〜１６０℃で、Ｔｉ
（ＯＥｔ）4 （Titanium Tetra ethoxide ）は１１０〜
１２０℃で気化可能である。
分解されない大変優れた熱的安定性を保有している。
又、他のＺｒ前駆体とは異なり、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は湿
気に非常に強い。しかし、ＰＺＴ薄膜用Ｚｒソースは他
のソース、Ｐｂ及びＴｉソースの気化温度よりずっと高
い気化温度を有する。換言すれば、Ｚｒソースと他のソ
ース間の気化点での間隔が大きい。例えば、Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 の気化可能な温度はほぼ２２０〜２４０℃である
反面、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 は１４０〜１６０℃で、Ｔｉ
（ＯＥｔ）4 （Titanium Tetra ethoxide ）は１１０〜
１２０℃で気化可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、気化さ
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒ前駆体が反応器に注入される直
前に混合される予混合室（premixing chamber ）又は通
過する予熱管での温度調節が難しい。例えば、外部予熱
温度をＰｂ又はＴｉ前駆体に適合に調節すると、気化さ
れたＺｒ（ＴＨＤ）4 が凝固する可能性があり、逆にＺ
ｒ（ＴＨＤ）4 に適合に高温に調節すると気化されたＰ
ｂ又はＴｉ前駆体が反応器に到達する前に分解されるか
変質される可能性がある。又、２５０℃内外の高温に予
熱する場合、バブラー又はバルブにおいて真空密封のた
めの材質選定に多くの制約がある。結果的に、Ｚｒ（Ｔ
ＨＤ）4 は熱的に非常に安定し耐吸湿性が優れていて大
気中で安定した利点はあるが、揮発性が相対的に低くて
気化させることが難しい問題点があった。
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒ前駆体が反応器に注入される直
前に混合される予混合室（premixing chamber ）又は通
過する予熱管での温度調節が難しい。例えば、外部予熱
温度をＰｂ又はＴｉ前駆体に適合に調節すると、気化さ
れたＺｒ（ＴＨＤ）4 が凝固する可能性があり、逆にＺ
ｒ（ＴＨＤ）4 に適合に高温に調節すると気化されたＰ
ｂ又はＴｉ前駆体が反応器に到達する前に分解されるか
変質される可能性がある。又、２５０℃内外の高温に予
熱する場合、バブラー又はバルブにおいて真空密封のた
めの材質選定に多くの制約がある。結果的に、Ｚｒ（Ｔ
ＨＤ）4 は熱的に非常に安定し耐吸湿性が優れていて大
気中で安定した利点はあるが、揮発性が相対的に低くて
気化させることが難しい問題点があった。
【０００８】
【発明の目的】従って、本発明の主目的は前記問題点を
解決するのみならず、気化性及び気化温度で安定性の向
上された新規のジルコニウム系有機金属前駆体を提供す
ることである。
解決するのみならず、気化性及び気化温度で安定性の向
上された新規のジルコニウム系有機金属前駆体を提供す
ることである。
【０００９】本発明の他の目的は有機金属前駆体をイン
−サイツ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）工程で合成する方法を提供
することである。
−サイツ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）工程で合成する方法を提供
することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的はジルコニウム系
有機金属前駆体で製造された、信頼性及び再現性に優れ
た鉛−ジルコニウム−チタン薄膜を提供することであ
る。
有機金属前駆体で製造された、信頼性及び再現性に優れ
た鉛−ジルコニウム−チタン薄膜を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者の研究努力に基
づいて、前記目的は下記式［Ｉ］で表わされる、強誘電
体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属前駆体を提供す
ることにより達成される。
づいて、前記目的は下記式［Ｉ］で表わされる、強誘電
体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属前駆体を提供す
ることにより達成される。
【００１２】 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。
【００１３】本発明の他の観点から、気体状態電子供与
体をテトラ（２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン）Ｚｒを含むバブラーで一定温度で
遊動させて、前記式［Ｉ］で表わされる反応付加物（ａ
ｄｄｕｃｔ）をイン−サイツ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）的に合
成するジルコニウム系有機金属前駆体の製造方法を提供
する。
体をテトラ（２，２′，６，６′−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオン）Ｚｒを含むバブラーで一定温度で
遊動させて、前記式［Ｉ］で表わされる反応付加物（ａ
ｄｄｕｃｔ）をイン−サイツ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）的に合
成するジルコニウム系有機金属前駆体の製造方法を提供
する。
【００１４】本発明のさらに他の観点から、気体状態電
子供与体をテトラ（２，２′，６，６′−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオン）Ｚｒを含むバブラーで一定
反応温度で遊動させた、前記式［Ｉ］で表わされる反応
付加物をイン−サイツ的に合成し、前記反応付加物を冷
却させて固体化し、前記バブラーを前記一定温度より低
い温度に加熱した前記反応付加物を気化させ、前記反応
付加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に移動さ
せ、気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の
高温で有機金属化学蒸着法でチタン前駆体及び鉛前駆体
と反応させる段階を含む鉛−ジルコニウム−チタン薄膜
の蒸着方法を提供する。
子供与体をテトラ（２，２′，６，６′−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオン）Ｚｒを含むバブラーで一定
反応温度で遊動させた、前記式［Ｉ］で表わされる反応
付加物をイン−サイツ的に合成し、前記反応付加物を冷
却させて固体化し、前記バブラーを前記一定温度より低
い温度に加熱した前記反応付加物を気化させ、前記反応
付加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に移動さ
せ、気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の
高温で有機金属化学蒸着法でチタン前駆体及び鉛前駆体
と反応させる段階を含む鉛−ジルコニウム−チタン薄膜
の蒸着方法を提供する。
【００１５】
【発明の作用】以下、本発明の構成を添付図面に基づい
て作用と共により詳細に説明する。
て作用と共により詳細に説明する。
【００１６】一般的に使用されているＺｒ系有機金属前
駆体であるＺｒ（ＴＨＤ）4 分子における中心原子であ
るＺｒ（ＩＶ）はリガンドであるＴＨＤのカルボニル基
から電子供給を受けてリガンドとの結合を成す。通常、
ＴＨＤは公称電荷がない中性リガンドで、Ｚｒに電子を
十分に供給し得ない。従って、余分の電子を必要とする
Ｚｒ（ＩＶ）は隣接するＺｒ（ＴＨＤ）4 分子のＴＨＤ
リガンドと相互引力作用し、結果的に常温で安定した固
体結晶構造を形成することになる。
駆体であるＺｒ（ＴＨＤ）4 分子における中心原子であ
るＺｒ（ＩＶ）はリガンドであるＴＨＤのカルボニル基
から電子供給を受けてリガンドとの結合を成す。通常、
ＴＨＤは公称電荷がない中性リガンドで、Ｚｒに電子を
十分に供給し得ない。従って、余分の電子を必要とする
Ｚｒ（ＩＶ）は隣接するＺｒ（ＴＨＤ）4 分子のＴＨＤ
リガンドと相互引力作用し、結果的に常温で安定した固
体結晶構造を形成することになる。
【００１７】反面、充分な電子を供与し得る付加リガン
ドとＺｒ原子が配位結合を形成することは、固体結晶構
造での分子間の相互作用を弱化させるか、破壊する結果
をもたらす。配位結合されたＺｒ（ＴＨＤ）4 分子は本
来のＺｒ（ＴＨＤ）4 より低い温度で気化される。
ドとＺｒ原子が配位結合を形成することは、固体結晶構
造での分子間の相互作用を弱化させるか、破壊する結果
をもたらす。配位結合されたＺｒ（ＴＨＤ）4 分子は本
来のＺｒ（ＴＨＤ）4 より低い温度で気化される。
【００１８】本発明においては、この方法の一環とし
て、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）又はＣｌ2 分子を用い
ている。即ち、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）又はＣｌ2
分子は非共有電子双を保有しているので、十分な電子供
給が可能であり、分子の大きさが大きくないので、Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 分子におけるリガンドの立体構造を妨害せ
ず、容易にＺｒ金属と接触できる。従って、下記反応式
で表わされるように、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）又はＣ
ｌ2 電子供与体自体はＺｒ（ＴＨＤ）4 に反応付加され
る。
て、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）又はＣｌ2 分子を用い
ている。即ち、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）又はＣｌ2
分子は非共有電子双を保有しているので、十分な電子供
給が可能であり、分子の大きさが大きくないので、Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 分子におけるリガンドの立体構造を妨害せ
ず、容易にＺｒ金属と接触できる。従って、下記反応式
で表わされるように、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）又はＣ
ｌ2 電子供与体自体はＺｒ（ＴＨＤ）4 に反応付加され
る。
【００１９】 ｘＮＲ3 (g) ＋Ｚｒ（ＴＨＤ）4 (s) →（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 (s) ｙＣｌ2 (g) ＋Ｚｒ（ＴＨＤ）4 (s) →（Ｃｌ2 ）y ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 (s) 前記式で、ＲはＨ又はＣＨ3 であり、ｘは０．３〜１．
５の範囲であり、ｙは０．５〜２の範囲である。ＮＲ3
（Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）又はＣｌ2 反応付加物で、前記付加
電子供与体はＺｒ（ＴＨＤ）4 分子間での分子間相互引
力を破壊し、反応付加物にＺｒ（ＴＨＤ）4 の気化点、
約２２０〜２４０℃に比べて低い温度、例えば約１１０
〜１７０℃で充分に気化できる。従って、前記反応付加
物は気化性にかなりの改善を現すジルコニウム系有機金
属前駆体として使用できる。
５の範囲であり、ｙは０．５〜２の範囲である。ＮＲ3
（Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）又はＣｌ2 反応付加物で、前記付加
電子供与体はＺｒ（ＴＨＤ）4 分子間での分子間相互引
力を破壊し、反応付加物にＺｒ（ＴＨＤ）4 の気化点、
約２２０〜２４０℃に比べて低い温度、例えば約１１０
〜１７０℃で充分に気化できる。従って、前記反応付加
物は気化性にかなりの改善を現すジルコニウム系有機金
属前駆体として使用できる。
【００２０】本発明によって、前記ジルコニウム系有機
金属前駆体は気体状電子供与体をＺｒ（ＴＨＤ）4 を含
むバブラーで一定温度で遊動させて、下記式で表わされ
る反応付加物をイン−サイツ的に合成することを含む方
法により製造される。
金属前駆体は気体状電子供与体をＺｒ（ＴＨＤ）4 を含
むバブラーで一定温度で遊動させて、下記式で表わされ
る反応付加物をイン−サイツ的に合成することを含む方
法により製造される。
【００２１】Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。
本発明のジルコニウム系有機金属前駆体の製造に使用さ
れたガス状電子供与体はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）及び
Ｃｌ2 で構成される群から選択される。
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。
本発明のジルコニウム系有機金属前駆体の製造に使用さ
れたガス状電子供与体はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）及び
Ｃｌ2 で構成される群から選択される。
【００２２】次はジルコニウム系有機前駆体の製造に関
するより詳細な説明である。
するより詳細な説明である。
【００２３】（ＮＲ3 ）x Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （Ｒ＝Ｈ、
ＣＨ3 ）のイン−サイツ製造のため、固体状のＺｒ（Ｔ
ＨＤ）4 をバブラーに安置し、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、Ｃ
Ｈ3 ）を運搬ガスとして使用する。バブラーの温度を１
２０〜１７０℃に維持する。バブラー内のＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）運搬ガスと反応し
（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 、
０．３≦ｘ≦１．５）が合成される。生成された化学種
は強揮発性であるので、１２０〜１７０℃で即時気化す
る。気化した（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は未反応
された電子供与ガス（ＮＨ3 又はＮ（ＣＨ3 ）3 ）によ
り運搬され、反応器で薄膜蒸着に使用できる。結論的
に、運搬ガスとしてＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）を遊動さ
せることにより、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 前駆体を１２０〜１
７０℃の温度で容易に気化させることができる。このよ
うなバブリング温度はＺｒ（ＴＨＤ）4 を前駆体とし
て、Ａｒ又はＮ2 を運搬ガスとして使用する通常の方法
でのバブリング温度より約４０℃だけ低い。従って、前
記バブリング工程中に前駆体の分解が起こらなく、バブ
リング時間経過にも一定蒸気圧が維持できる。
ＣＨ3 ）のイン−サイツ製造のため、固体状のＺｒ（Ｔ
ＨＤ）4 をバブラーに安置し、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、Ｃ
Ｈ3 ）を運搬ガスとして使用する。バブラーの温度を１
２０〜１７０℃に維持する。バブラー内のＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）運搬ガスと反応し
（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 （Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 、
０．３≦ｘ≦１．５）が合成される。生成された化学種
は強揮発性であるので、１２０〜１７０℃で即時気化す
る。気化した（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は未反応
された電子供与ガス（ＮＨ3 又はＮ（ＣＨ3 ）3 ）によ
り運搬され、反応器で薄膜蒸着に使用できる。結論的
に、運搬ガスとしてＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）を遊動さ
せることにより、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 前駆体を１２０〜１
７０℃の温度で容易に気化させることができる。このよ
うなバブリング温度はＺｒ（ＴＨＤ）4 を前駆体とし
て、Ａｒ又はＮ2 を運搬ガスとして使用する通常の方法
でのバブリング温度より約４０℃だけ低い。従って、前
記バブリング工程中に前駆体の分解が起こらなく、バブ
リング時間経過にも一定蒸気圧が維持できる。
【００２４】（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ（ＴＨＤ）4 の製造にお
いて、固体状Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を、図１に示すように、
シリカボート（ＢＯＡＴ）に置いた後、ガス状の電子供
与体（Ｃｌ2 ）をマスフローコントローラー（Mass Flo
w controller）の制御下で供給する。温度を上昇させた
状態で、Ｃｌ2 とＺｒ（ＴＨＤ）4 間の反応付加物をガ
ス状で合成する。反応条件を見ると、（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 の製造において、帯域（区間）１の温度は
約２００〜２４０℃の範囲に維持される反面、帯域（区
間）２の温度は常温に維持される。このような温度範囲
でＣｌ2 ガスはＺｒ（ＴＨＤ）4 と速く反応する。前記
高温反応からのガス状反応付加物（（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 ）の帯域２のチューブ壁を室温に冷却させ
ることにより帯域２で固体化させる。塩素ガスは前記条
件下でＺｒ（ＴＨＤ）4 と即刻反応するため、合成され
た反応付加物の量は帯域１から供給されたＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 の量に基づいて推定できる。一方、未反応電子供
与ガスは帯域２に連結された反応器を通じなくバイパス
を通じて外部へ排出した後、ＮａＯＨ水溶液との反応に
より除去する。次いで、前記運搬ガスはＮ2 で代替さ
れ、バブラーの温度を１１０〜１６０℃に調整するが、
この温度は通常の方法の温度よりずっと低いものであ
る。
いて、固体状Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を、図１に示すように、
シリカボート（ＢＯＡＴ）に置いた後、ガス状の電子供
与体（Ｃｌ2 ）をマスフローコントローラー（Mass Flo
w controller）の制御下で供給する。温度を上昇させた
状態で、Ｃｌ2 とＺｒ（ＴＨＤ）4 間の反応付加物をガ
ス状で合成する。反応条件を見ると、（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 の製造において、帯域（区間）１の温度は
約２００〜２４０℃の範囲に維持される反面、帯域（区
間）２の温度は常温に維持される。このような温度範囲
でＣｌ2 ガスはＺｒ（ＴＨＤ）4 と速く反応する。前記
高温反応からのガス状反応付加物（（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 ）の帯域２のチューブ壁を室温に冷却させ
ることにより帯域２で固体化させる。塩素ガスは前記条
件下でＺｒ（ＴＨＤ）4 と即刻反応するため、合成され
た反応付加物の量は帯域１から供給されたＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 の量に基づいて推定できる。一方、未反応電子供
与ガスは帯域２に連結された反応器を通じなくバイパス
を通じて外部へ排出した後、ＮａＯＨ水溶液との反応に
より除去する。次いで、前記運搬ガスはＮ2 で代替さ
れ、バブラーの温度を１１０〜１６０℃に調整するが、
この温度は通常の方法の温度よりずっと低いものであ
る。
【００２５】図２で、ＰＺＴ薄膜を蒸着させるのに有用
なＭＯＣＶＤ装置が示されている。同図に示すように、
ＭＯＣＶＤ装置は一種のホットウォール（Hot Wall）方
式の減圧ＣＶＤで、前駆体ソース、つまり鉛ソース、ジ
ルコニウムソース及びチタンソース用バブラー装備、反
応器及びコールドトラップ（cold trap ）で構成されて
いる。
なＭＯＣＶＤ装置が示されている。同図に示すように、
ＭＯＣＶＤ装置は一種のホットウォール（Hot Wall）方
式の減圧ＣＶＤで、前駆体ソース、つまり鉛ソース、ジ
ルコニウムソース及びチタンソース用バブラー装備、反
応器及びコールドトラップ（cold trap ）で構成されて
いる。
【００２６】ＮＲ3 反応付加のＺｒ（ＴＨＤ）4 を使用
してＰＺＴ薄膜を蒸着するためには、先ずＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 をバブラーに供給する。次いで、バブラーの温度
を１２０〜１７０℃に調整し、流速５０〜１００ｓｃｃ
ｍのＮＲ3 ガスを使用する。イン−サイツ的に発生され
た（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 をＺｒ（ＴＨＤ）4
との反応には使用しなかったＮＲ3 により反応器に運搬
される。Ｔｉソースについては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通
常に使用され、１００〜１２５℃に加熱され、１０〜２
０ｓｃｃｍの流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使
用される。Ｐｂソースの場合、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が使用
され、１４０〜１６０℃に加熱され５０ｓｃｃｍの流速
を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
してＰＺＴ薄膜を蒸着するためには、先ずＺｒ（ＴＨ
Ｄ）4 をバブラーに供給する。次いで、バブラーの温度
を１２０〜１７０℃に調整し、流速５０〜１００ｓｃｃ
ｍのＮＲ3 ガスを使用する。イン−サイツ的に発生され
た（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 をＺｒ（ＴＨＤ）4
との反応には使用しなかったＮＲ3 により反応器に運搬
される。Ｔｉソースについては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通
常に使用され、１００〜１２５℃に加熱され、１０〜２
０ｓｃｃｍの流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使
用される。Ｐｂソースの場合、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が使用
され、１４０〜１６０℃に加熱され５０ｓｃｃｍの流速
を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
【００２７】塩素反応付加のＺｒ（ＴＨＤ）4 を使用し
てＰＺＴ薄膜を蒸着するためには、先ず図１のバブラー
の帯域（区間）２で製造された（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 を１１０〜１６０℃に加熱する。流速５０〜１０
０ｓｃｃｍのＮ2 ガスを使用して気化された塩素反応付
加のＺｒ（ＴＨＤ）4 を運搬する。前記と同様に、Ｔｉ
ソースに対しては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常に使用さ
れ、１００〜１２５℃に加熱され、１０〜２０ｓｃｃｍ
の流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
Ｐｂソースの場合、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が使用され、１４
０〜１６０℃に加熱され、５０ｓｃｃｍの流速を有する
窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
てＰＺＴ薄膜を蒸着するためには、先ず図１のバブラー
の帯域（区間）２で製造された（Ｃｌ2 ）x Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 を１１０〜１６０℃に加熱する。流速５０〜１０
０ｓｃｃｍのＮ2 ガスを使用して気化された塩素反応付
加のＺｒ（ＴＨＤ）4 を運搬する。前記と同様に、Ｔｉ
ソースに対しては、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 が通常に使用さ
れ、１００〜１２５℃に加熱され、１０〜２０ｓｃｃｍ
の流速を有する窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
Ｐｂソースの場合、Ｐｂ（ＴＨＤ）2 が使用され、１４
０〜１６０℃に加熱され、５０ｓｃｃｍの流速を有する
窒素ガスが運搬ガスとして使用される。
【００２８】次いで、気化された前駆体ソースを高温、
例えば約５５０〜６５０℃に加熱された反応器で分解し
た後、他の調節経路を通じて供給される酸素ガスと反応
させて基板上にＰＺＴ薄膜を蒸着させる。ＰｂＺｒx Ｔ
ｉ1-x Ｏ3 薄膜製造には酸素ガスを５００ｓｃｃｍの速
度で流動させる。一方、反応器に連結されたコールドト
ラップは未反応前駆体ソースを除去する。真空ポンプは
反応器で減圧を維持するために作動する。
例えば約５５０〜６５０℃に加熱された反応器で分解し
た後、他の調節経路を通じて供給される酸素ガスと反応
させて基板上にＰＺＴ薄膜を蒸着させる。ＰｂＺｒx Ｔ
ｉ1-x Ｏ3 薄膜製造には酸素ガスを５００ｓｃｃｍの速
度で流動させる。一方、反応器に連結されたコールドト
ラップは未反応前駆体ソースを除去する。真空ポンプは
反応器で減圧を維持するために作動する。
【００２９】
【実施例】以下、実施例１及び２に基づいて本発明をよ
り詳細に説明するが、これらが本発明の範疇を限定する
ものではない。
り詳細に説明するが、これらが本発明の範疇を限定する
ものではない。
【００３０】実施例１ 本実施例では図２に示したＭＯＣＶＤ装置を用いてＰＺ
Ｔ薄膜を蒸着させた。先ず、バブラーに１．５ｇのＺｒ
（ＴＨＤ）4 を安置し、温度を１６０℃に調整した。そ
の後、バブラー温度が安定化された時、乾燥されたアン
モニア気体を１００ｓｃｃｍ（ｍｌ／ｍｉｎ）の流速で
流した。
Ｔ薄膜を蒸着させた。先ず、バブラーに１．５ｇのＺｒ
（ＴＨＤ）4 を安置し、温度を１６０℃に調整した。そ
の後、バブラー温度が安定化された時、乾燥されたアン
モニア気体を１００ｓｃｃｍ（ｍｌ／ｍｉｎ）の流速で
流した。
【００３１】このとき生成された（ＮＨ3 ）x ・Ｚｒ
（ＴＨＤ）4 は反応に用いられなかった余分のアンモニ
アにより反応器に運搬された。
（ＴＨＤ）4 は反応に用いられなかった余分のアンモニ
アにより反応器に運搬された。
【００３２】これとは別に、Ｔｉ（ＯＥＴ）4 １０
ｇ、ＡＬＣ Ｐｂ（ＴＨＤ）2 １ｇを各々のバブラー
に置き、Ｔｉバブラー及びＰｂバブラーでの温度をそれ
ぞれ１１５℃及び１５５℃に上昇させた。Ｔｉソースを
窒素運搬ガスとして１５ｓｃｃｍの流速で反応器に供給
し、Ｐｂソースを窒素運搬ガスとして５０ｓｃｃｍの流
速で供給した。次いで、反応器を約６００℃に加熱し
て、ＰＺＴ薄膜を蒸着した。
ｇ、ＡＬＣ Ｐｂ（ＴＨＤ）2 １ｇを各々のバブラー
に置き、Ｔｉバブラー及びＰｂバブラーでの温度をそれ
ぞれ１１５℃及び１５５℃に上昇させた。Ｔｉソースを
窒素運搬ガスとして１５ｓｃｃｍの流速で反応器に供給
し、Ｐｂソースを窒素運搬ガスとして５０ｓｃｃｍの流
速で供給した。次いで、反応器を約６００℃に加熱し
て、ＰＺＴ薄膜を蒸着した。
【００３３】ＰＺＴ薄膜蒸着のための詳細な実験条件は
表１に記載した。
表１に記載した。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１のような条件で３０分間ＰＺＴ薄膜を
蒸着させた結果、３００ｎｍ厚さの純粋なペロブスカイ
ト（perovskite）状のＰＺＴ薄膜が得られた。
蒸着させた結果、３００ｎｍ厚さの純粋なペロブスカイ
ト（perovskite）状のＰＺＴ薄膜が得られた。
【００３６】実施例２ 本実施例では図１に示したバブラー装置を用いて（Ｃｌ
2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を製造した。
2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を製造した。
【００３７】先ず、石英管（quartz boat ）に１．５ｇ
のＺｒ（ＴＨＤ）4 を入れて区間１に安置した。区間１
の温度を２２０℃に、そして区間２の温度を冷却水循環
により常温に維持させた。
のＺｒ（ＴＨＤ）4 を入れて区間１に安置した。区間１
の温度を２２０℃に、そして区間２の温度を冷却水循環
により常温に維持させた。
【００３８】乾燥された塩素気体を５０ｓｃｃｍ（ｍｌ
／ｍｉｎ）の流速で２０分間流して、区間１に位置する
Ｚｒ（ＴＨＤ）4 が全部反応に所要されるようにした。
このとき生成された（Ｃｌ2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は
冷却区間である区間２で凝固された。
／ｍｉｎ）の流速で２０分間流して、区間１に位置する
Ｚｒ（ＴＨＤ）4 が全部反応に所要されるようにした。
このとき生成された（Ｃｌ2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 は
冷却区間である区間２で凝固された。
【００３９】その後、表２に示した蒸着条件を使用して
実施例１を反復した。特に、本実施例ではＺｒソース用
運搬ガスを窒素ガスで代替した。
実施例１を反復した。特に、本実施例ではＺｒソース用
運搬ガスを窒素ガスで代替した。
【００４０】
【表２】
【００４１】表２のような条件で３０分間ＰＺＴ薄膜を
蒸着した結果、厚さが３００ｎｍであり、ＺｒとＴｉの
比率が５０：５０である純粋なペロブスカイト状のＰＺ
Ｔ薄膜が得られた。
蒸着した結果、厚さが３００ｎｍであり、ＺｒとＴｉの
比率が５０：５０である純粋なペロブスカイト状のＰＺ
Ｔ薄膜が得られた。
【００４２】本明細書で使用された″ＰＺＴ薄膜″はＰ
ｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）やＰｂ（ＮｂＺｒＴｉ）
Ｏ3 （ＰＮＺＴ）、Ｐｂ（ＬａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＬＺ
Ｔ）、Ｐｂ（ＴａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＴＺＴ）、Ｐｂ
（ＳｃＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＳＺＴ）のようなドーピング
されたＰｂＺｒX Ｔｉ1-X Ｏ3 を示すものである。
ｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＺＴ）やＰｂ（ＮｂＺｒＴｉ）
Ｏ3 （ＰＮＺＴ）、Ｐｂ（ＬａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＬＺ
Ｔ）、Ｐｂ（ＴａＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＴＺＴ）、Ｐｂ
（ＳｃＺｒＴｉ）Ｏ3 （ＰＳＺＴ）のようなドーピング
されたＰｂＺｒX Ｔｉ1-X Ｏ3 を示すものである。
【００４３】
【発明の効果】従って、本発明による有機金属前駆体で
ある（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ
3 ）及び（Ｃｌ2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を製造し、こ
れをＺｒ系有機金属前駆体として使用してＰＺＴ又はそ
の有関物質の薄膜を製造した結果、次のような利点が確
認された。
ある（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ
3 ）及び（Ｃｌ2 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を製造し、こ
れをＺｒ系有機金属前駆体として使用してＰＺＴ又はそ
の有関物質の薄膜を製造した結果、次のような利点が確
認された。
【００４４】一番目、前記前駆体は分解されなく、バブ
ラ−で反復的に使用できるので、信頼性及び再現性に優
れた薄膜が得られた。
ラ−で反復的に使用できるので、信頼性及び再現性に優
れた薄膜が得られた。
【００４５】二番目、Ｚｒ（ＴＨＤ）4 より著しく低い
バブラー温度で気化可能である。
バブラー温度で気化可能である。
【００４６】三番目、気化のための予熱温度で著しく安
定する。
定する。
【００４７】四番目、（ＮＲ3 ）x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4
（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）及び（Ｃｌ2）x ・Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 は吸湿性があるので、外部で製造されたものをバ
ブラーに入れて使用する場合、取扱途中に分解される憂
いがある。本発明では前駆体がバブラーでインーサイツ
的に合成されるため、このような問題点を除去すること
ができる。
（Ｒ＝Ｈ又はＣＨ3 ）及び（Ｃｌ2）x ・Ｚｒ（ＴＨ
Ｄ）4 は吸湿性があるので、外部で製造されたものをバ
ブラーに入れて使用する場合、取扱途中に分解される憂
いがある。本発明では前駆体がバブラーでインーサイツ
的に合成されるため、このような問題点を除去すること
ができる。
【００４８】五番目、バブラーで製造された（Ｃｌ2 ）
x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を用いて、薄膜製造時、Ｎ2 をキ
ャリアガスとして使用するので、反応器の損傷又は腐食
を防止し得る。
x ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 を用いて、薄膜製造時、Ｎ2 をキ
ャリアガスとして使用するので、反応器の損傷又は腐食
を防止し得る。
【図１】本発明によるＺｒ系有機金属前駆体の製造及び
気化に用いられた装置を示す説明図である。
気化に用いられた装置を示す説明図である。
【図２】ＰＺＴ薄膜の蒸着に用いられたＭＯＣＶＤ装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
Claims (15)
- 【請求項１】下記式〔Ｉ〕で表わされる、強誘電体ＰＺ
Ｔ薄膜用ジルコニウム系有機金属前駆体。 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。 - 【請求項２】前記ジルコニウム系有機金属前駆体は約１
１０〜１７０℃で気化されることを特徴とする請求項１
記載の強誘電体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属前
駆体。 - 【請求項３】前記ジルコニウム系有機金属前駆体は約１
１０〜１６０℃で気化されることを特徴とする請求項２
記載の強誘電体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属前
駆体。 - 【請求項４】前記ジルコニウム系有機金属前駆体は約１
２０〜１７０℃で気化されることを特徴とする請求項２
記載の強誘電体ＰＺＴ薄膜用ジルコニウム系有機金属前
駆体。 - 【請求項５】気体状態電子供与体をテトラ（２，２′，
６，６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）Ｚ
ｒを含むバブラーで一定温度で遊動させて、下記式
〔Ｉ〕で表わされる反応付加物（ａｄｄｕｃｔ）をイン
−サイツ的に合成し、前記ガス状の電子供与体は運搬ガ
スとして作用し、ＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）及びＣｌ2
で構成される群から選択されることを特徴とするジルコ
ニウム系有機金属前駆体の製造方法。 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。 - 【請求項６】前記予定された温度は約１２０〜１７０℃
であり、前記ガス状電子供与体はＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ
3 ）であることを特徴とする請求項５記載のジルコニウ
ム系有機金属前駆体の製造方法。 - 【請求項７】前記予定された温度は約２００〜２４０℃
であり、前記ガス状電子供与体はＣｌ2 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ
3 ）であることを特徴とする請求項５記載のジルコニウ
ム系有機金属前駆体の製造方法。 - 【請求項８】気体状態電子供与体をテトラ（２，２′，
６，６′−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）Ｚ
ｒを含むバブラーで一定反応温度で遊動させた、下記式
〔Ｉ〕で表わされる反応付加物をイン−サイツ的に合成
し、 前記反応付加物を冷却させて固体化し、 前記バブラーを前記一定温度より低い温度に加熱した前
記反応付加物を気化させ、 前記反応付加物を運搬ガスで金属有機化学蒸着反応器に
移動させ、 気化された反応付加物を酸化性雰囲気内の減圧下の高温
で有機金属化学蒸着法でチタン前駆体及び鉛前駆体と反
応させる段階を含むことを特徴とする鉛−ジルコニウム
−チタン薄膜の蒸着方法。 Ｌx ・Ｚｒ（ＴＨＤ）4 〔Ｉ〕 前記式で、ＬはＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3 ）ガス及びＣｌ
2 ガスで構成される群から選択された電子供与リガンド
であり、ＴＨＤは２，２′，６，６′−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオンを示し、ＸはＬがＮＲ3 （Ｒ＝
Ｈ、ＣＨ3 ）である時、０．３乃至１．５の範囲であ
り、ＬがＣｌ2 である時、０．５乃至２の範囲である。 - 【請求項９】前記反応温度は約１２０〜１７０℃である
ことを特徴とする請求項８記載の鉛−ジルコニウム−チ
タン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１０】前記反応温度は約２００〜２４０℃であ
ることを特徴とする請求項８記載の鉛−ジルコニウム−
チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１１】前記反応温度は約１１０〜１７０℃であ
ることを特徴とする請求項８記載の鉛−ジルコニウム−
チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１２】前記反応付加物は約５５０〜６５０℃の
温度で前記チタン及び鉛前駆体ソースと反応することを
特徴とする請求項８記載の鉛−ジルコニウム−チタン薄
膜の蒸着方法。 - 【請求項１３】前記運搬ガスは、ＬがＮＲ3 （Ｒ＝Ｈ、
ＣＨ3 ）である時、ＮＲ3 であることを特徴とする請求
項８記載の鉛−ジルコニウム−チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１４】前記運搬ガスは、ＬがＣｌ2 である時、
Ｎ2 であることを特徴とする請求項８記載の鉛−ジルコ
ニウム−チタン薄膜の蒸着方法。 - 【請求項１５】請求項８の方法により製造されることを
特徴とする鉛−ジルコニウム−チタン薄膜。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025902A KR960014134A (ko) | 1994-10-10 | 1994-10-10 | 지르코늄(Zr)계 유기금속 전구체 및 이의 제조방법 |
| KR199425905 | 1994-10-10 | ||
| KR199425902 | 1994-10-10 | ||
| KR19940025905 | 1994-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124798A true JPH08124798A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=26630608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7104040A Pending JPH08124798A (ja) | 1994-10-10 | 1995-04-27 | ジルコニウム（Ｚｒ）系有機金属前駆体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5641540A (ja) |
| JP (1) | JPH08124798A (ja) |
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| US5688979A (en) * | 1994-10-10 | 1997-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic zirconium precursor, in-situ synthesis thereof, lead-titanium based thin film using the same, and preparation method therefor |
| US5688980A (en) * | 1994-10-10 | 1997-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic lead precursor, in-situ synthesis thereof, lead-titanium based thin film using the same, and preparation method therefor |
| US9950524B2 (en) | 2016-01-07 | 2018-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | PZT-film laminated structure, liquid discharge head, liquid discharge device, liquid discharge apparatus, and method of making PZT-film laminated structure |
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| JP4230596B2 (ja) | 1999-03-12 | 2009-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法 |
| JP4220075B2 (ja) | 1999-08-20 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| US6399208B1 (en) * | 1999-10-07 | 2002-06-04 | Advanced Technology Materials Inc. | Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films |
| JP3931683B2 (ja) * | 2002-01-21 | 2007-06-20 | 株式会社高純度化学研究所 | 化学気相成長法によるｐｚｔ薄膜の製造方法 |
| JP3828821B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-04 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化供給装置 |
| US20060121192A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Jurcik Benjamin J | Liquid precursor refill system |
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| DE4304679C2 (de) * | 1992-02-17 | 1996-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens |
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| US5637352A (en) * | 1994-10-10 | 1997-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Preparation method for lead-titanium based thin film |
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1995
- 1995-04-03 US US08/415,837 patent/US5641540A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-27 JP JP7104040A patent/JPH08124798A/ja active Pending
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1996
- 1996-10-10 US US08/726,761 patent/US5688979A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US5688979A (en) * | 1994-10-10 | 1997-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic zirconium precursor, in-situ synthesis thereof, lead-titanium based thin film using the same, and preparation method therefor |
| US5688980A (en) * | 1994-10-10 | 1997-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organometallic lead precursor, in-situ synthesis thereof, lead-titanium based thin film using the same, and preparation method therefor |
| US9950524B2 (en) | 2016-01-07 | 2018-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | PZT-film laminated structure, liquid discharge head, liquid discharge device, liquid discharge apparatus, and method of making PZT-film laminated structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5688979A (en) | 1997-11-18 |
| US5641540A (en) | 1997-06-24 |
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