JP3828821B2 - 液体材料気化供給装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば半導体製造において用いられる各種のガスを、液体材料を気化することによって供給するための液体材料気化供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の液体材料気化供給装置として、恒温槽内に液体材料を加熱し気化させるためのするための材料タンクと、この材料タンクにおいて生じたガスの流量を制御するマスフローコントローラとを設けたものがある。図3はこのような液体材料気化供給装置を概略的に示すもので、この図において、31は適宜の温度に設定された恒温槽で、その内部には、液体材料LMを収容し、この液体材料LMを加熱するためのヒータ32を備えた材料タンク33が設けられている。この材料タンク33には、液体材料LMを供給する液体材料供給管34と、材料タンク33において発生したガスを導出するガス導出管35が接続されている。そして、液体材料供給管34には開閉弁36が設けられ、ガス導出管35の恒温槽31内の部分には高温用マスフローコントローラ37が設けられている。
【0003】
上記構成の液体材料気化供給装置においては、液体材料LMを収容した材料タンク33がヒータ32によって加熱されると、その内部の温度が上昇し、液体材料LMの蒸気圧が高められ、これによって液体材料LMが気化されて所定のガスになる。この発生ガスは、材料タンク33とガス導出管35との圧力差を得ることで、高温用マスフローコントローラ37で直接流量制御して外部に取り出され、図示していないユースポイント(例えば半導体製造装置)方向に送られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記図3に示した液体材料気化供給装置においては、材料タンク33内の液体材料LMの液量は、図示していないが、フロートを利用した液面計によって検出され、前記液体材料LMが所定の量以下になったときには、液体材料供給管34に設けられた開閉弁36を開いて材料タンク33内に液体材料LMが供給される。この場合、供給される液体材料LMによって材料タンク33内の液体材料LMの温度が低下し、所望のガス発生が行われにくくなるところから、前記液体材料LMの供給の都度、ガス発生が中断されることになり、したがって、気化ガスの連続発生および連続供給を行うことができないといった不都合があった。
【0005】
また、高温用マスフローコントローラ37でガスの流量制御を行う場合、制御弁部での断熱膨張による熱を供給する必要があるところから、高温用マスフローコントローラ37の温度を材料タンク33における温度よりも10℃程度高く設定する必要があった。このため、高温用マスフローコントローラ37に組み込まれている流量センサ部の温度がこれに伴って高くならざるを得ず、その結果、高温用マスフローコントローラ37による発生ガスの流量制御の安定性および信頼性の低下を来すといった不都合があった。
【0006】
さらに、上記従来の液体材料気化供給装置においては、恒温槽31内に材料タンク33や高温用マスフローコントローラ37を収容していたため、装置全体が大型にならざるを得ないといった構成上の不都合もあった。
【0007】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、連続的に気化ガスを発生させることができるとともに、発生した気化ガスを精度よく安定して流量制御することができる、信頼性の高い小型コンパクトな液体材料気化供給装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、液体材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を個別に温度制御するように構成され、さらに、前記ガス流量制御弁は、前記材料タンクの設定温度よりも高い温度に加熱保温されるよう温度制御されており、また、前記ガス流量計は、前記材料タンクの設定温度よりも高く、かつ、前記ガス流量制御弁よりも低い温度に加熱保温されるよう温度制御されている。
【0009】
上記請求項1に記載の発明によれば、ガス流量制御弁については、断熱膨張による熱を補うため、材料タンクよりも例えば10℃程度高い温度に設定することができる。この場合、ガス流量計は、前記ガス流量制御弁より5〜8℃程度低い温度に設定することができる。したがって、気化ガスを精度よく測定しこれを精度よく流量制御することができる。そして、材料タンクに専用の加熱装置を設けているので、大きな恒温槽が不要になる。
【0010】
そして、請求項2に記載の発明では、液体材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記液体材料供給管に、前記材料タンクに供給される液体材料を予熱するための予熱装置および材料タンクに供給される液体材料の流量調整を行うための液体流量調整装置を設け、また、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を個別に温度制御するように構成され、さらに、前記ガス流量制御弁は、前記材料タンクの設定温度よりも高い温度に加熱保温されるよう温度制御されており、また、前記ガス流量計は、前記材料タンクの設定温度よりも高く、かつ、前記ガス流量制御弁よりも低い温度に加熱保温されるよう温度制御されている。
【0011】
上記請求項2に記載の発明によれば、上記請求項1に記載の発明の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。すなわち、上記請求項2に記載の発明によれば、材料タンクに供給される液体材料がその供給前に予熱されるとともに、その供給量が制限されるので、材料タンク内における気化に悪影響が及ぼされることがなく、気化ガス発生中においても液体材料の供給を行うことができる。
【0012】
【0013】
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の詳細を、図を参照しながら説明する。図1は、この発明の液体材料気化供給装置の構成の一例を概略的に示すもので、この図において、1は材料タンクで、液体材料LMを収容するとともに、例えばその上面を除く周囲全体に加熱装置としてのヒータ2が設けられて専用的に加熱保温され、内部に収容された液体材料LMを所定の温度で加熱して気化ガスGを発生させるように構成されている。なお、図示は省略しているが、材料タンク1には、適宜の液面検出センサが設けられており、液体材料LMの液面が所定の液面レベルまで低下するとこれを検出し、材料補給信号を出力するように構成されている。
【0015】
3は材料タンク1に液体材料LMを供給するための液体材料供給管で、材料タンク1に供給される液体材料LMを予熱するための予熱装置4と前記液体材料LMの流量調整を行うための液体流量調整装置5が例えばこの順で直列に設けられており、予熱装置4の上流側の液体材料供給管3は、適宜の配管を介して液体材料LMを収容した液体材料供給源(図示していない)に接続されている。そして、予熱装置4は、例えばヒータよりなり、これが液体材料供給管3の外周に巻設されている。また、液体流量調整装置5は、例えば液体用マスフローコントローラよりなり、ヒータなどの加熱装置6によって所定の温度に加熱保温されるように構成されている。
【0016】
7は材料タンク1内において発生した気化ガスGを導出するガス導出管で、ガス流量計8、ガス流量制御弁9および開閉弁10が例えばこの順で互いに独立した状態で設けられており、開閉弁10の下流側のガス導出管7は、適宜の配管を介してユースポイント(図示していない)に接続されている。そして、ガス流量計8は、例えばガス用マスフローメータよりなり、ヒータなどの加熱装置11によって所定の温度に加熱保温されるように構成されている。また、ガス流量制御弁9は、例えばピエゾアクチュエータ9aによってバルブの開度が制御されるピエゾバルブなどガス用制御バルブよりなり、ヒータなどの加熱装置12によって所定の温度に加熱保温されるように構成されている。
【0017】
そして、13は材料タンク1の加熱装置2、液体材料供給管3に設けられる液体材料LMの予熱装置4、液体流量調整装置5の加熱装置6、ガス流量計8の加熱装置11およびガス流量制御弁9の加熱装置12を、それぞれ、個別に温度制御する温度コントローラで、液体材料気化供給装置全体を制御する制御装置としてのパソコン14からの指令に基づいて、前記各加熱装置2,4,6,11,12を温度制御する。そして、パソコン14は、液体流量調整装置5およびガス流量計8からの検出出力が入力され、これに基づいて所定の演算を行って液体流量やガス流量を求めたり、また、これらの演算結果に基づいて液体流量調整装置5およびガス流量制御弁9に所定の制御信号を出力する機能や、材料タンク1に設けられた液面検出センサからの検出信号に基づいて液体流量調整装置5に所定の開度信号を出力する機能などを備えている。
【0018】
次に、上記構成の液体材料気化供給装置の動作について説明すると、材料タンク1内の液体材料LMを加熱して気化ガスGを発生させるに際して、所望のガスGを連続的かつ安定に発生させるために、液体材料LMの種類に応じた最適の状態で気化が行われるように、材料タンク1の加熱温度T℃を設定する。このとき、液体材料供給管に設けられる予熱装置4の温度は、これによって予熱される液体材料LMが材料タンク1内に供給しても、材料タンク1内における液体材料LMの気化を妨げない程度のに設定される。そして、液体材料供給管に設けられる液体流量調整装置としての液体用マスフローコントローラ5は、加熱装置6によって前記液体材料LMの温度を低下させない程度の温度に加熱保温される。一方、ガス導出管7に設けられるガス流量制御弁としてのガス用ピエゾバルブ9の温度は、断熱膨張による熱を補うため、材料タンク1の設定温度T℃よりも10℃程度高い温度に加熱保温される。そして、ガス導出管7に設けられるガス流量計8としてガス用マスフローメータは、ガス流量制御弁9の設定温度より5〜8℃程度低い温度になるように加熱保温される。
【0019】
上記の液体材料気化供給装置においては、通常、液体流量調整装置5は閉じられている。この状態で、液体材料LMを収容した材料タンク1を加熱装置2によって加熱することにより、その内部の温度が上昇し、液体材料LMの蒸気圧が高められ、これによって液体材料LMが気化されて所定の気化ガスGが発生する。この気化ガスGは、材料タンク1とガス導出管7との圧力差を得ることで、ガス導出管7に導出される。このガス導出管7には、ガス流量計8およびガス流量制御弁9が互いに独立した状態で設けられているが、ガス流量制御弁9は、材料タンク1の設定温度T℃よりも10℃程度高い温度に加熱保温されているので、断熱膨張による熱を十分補うことができ、前記気化ガスGを精度よく流量調整することができる。また、ガス流量計8は、ガス流量制御弁9よりも5〜8℃程度低い温度に加熱保温されているので、前記気化ガスGの流量を精度よく測定することができ、したがって、ガス導出管7に導出された気化ガスGは、開閉弁10を経て、ユースポイント方向に所定の流量で流れていく。
【0020】
そして、前記材料タンク1内の液体材料LMがある一定量以下になると、液面検出センサから所定の信号がパソコン14に送られる。この信号入力により、パソコン14から所定の信号が予熱装置4および加熱装置6に送られて、これらが所望の加熱動作に入る。そして、所定の時間経過後、液体流量調整装置5が開くことにより、新しい液体材料LMが材料タンク1に補給される。この場合、補給される液体材料LMは、予熱装置4によって所定の温度に加熱(予熱)されるとともに、その供給される量が液体流量調整装置5によって制限(調整)されるので、この液体材料LMの補給によって、材料タンク1内の液体材料LMの気化が妨げられることはない。つまり、液体材料LMの補給中においても材料タンク1内の液体材料LMは温度が低下したりせず、加熱によって気化し、気化ガスGの発生を維持する。
【0021】
上述のように、上記構成の液体材料気化供給装置においては、液体材料供給管3に、材料タンク1に供給される液体材料LM予熱するための予熱装置4および前記液体材料LMの流量調整を行うための液体流量調整装置5を設けているので、材料タンク1内の液体材料LMが少なくなったときに補充のために供給される液体材料LMがその供給前に予熱されるとともに、その供給量が所望の流量となるように制限されるので、材料タンク1内における気化に悪影響が及ぼされることがなく、気化ガス発生中においても液体材料LMの供給を行うことができる。そして、気化ガスGを導出するガス導出管7に設けられるガス流量計8およびガス流量制御弁9をそれぞれの機能が最も発揮されるように、それぞれ独立して温度制御されるので、気化ガスGを精度よく測定しこれを精度よく流量制御することができる。さらに、材料タンク1を専用の加熱装置2によって加熱するようにしているので、液体材料LMの気化を最良の条件で行わせるための温度になるように自在に温度調整することができる。
【0022】
さらに、材料タンク1に加熱装置2を設け、液体材料供給管3に予熱装置4を設け、液体流量調整装置5に加熱装置6を設け、ガス流量計8に加熱装置11を設け、ガス流量制御弁9に加熱装置12を設けるとともに、これらをそれぞれ最適の温度になるように加熱保温しているので、図3に示したような恒温槽31を設ける必要がなく、全体として小型コンパクトな液体材料気化供給装置を構成することができる。
【0023】
この発明は、上述の実施の形態に限られるものではなく、例えば、図2に示すように、ガス流量制御弁9として、シャットオフ可能な空圧弁9Bを一体的に設けたものを用いてもよい。
【0024】
そして、上記図1および図2のいずれの液体材料気化供給装置においても、ガス流量計8として高温用マスフローメータを用い、かつそのセンサ部として太径のキャピラリを使用した場合、センサ部における圧損を低減することができ、より小型化が促進され、しかも、低温度化によってより信頼度を高めることができる。
【0025】
なお、液体流量調整装置5としては、制限オリフィスを用いることもできる。
【0026】
また、液体材料供給管3における予熱装置4と液体流量調整装置5の配置関係を図示例のものと逆にしてもよく、さらに、ガス導出管7におけるガス流量計8とガス流量制御弁9の配置関係を図示例のものと逆にしてもよい。
【0027】
【発明の効果】
以上のように、この発明の液体材料気化供給装置によれば、材料タンクに対して液体材料を供給するときにおいても、材料タンク内における液体材料の気化が中断されることがない。したがって、液体材料を連続的かつ安定に気化させて所望の気化ガスを発生させることができるとともに、発生した気化ガスを精度よく安定して流量制御することができる。そして、従来のように、材料タンクを恒温槽に収容する必要がないので、装置全体を小型コンパクトに構成することができる。つまり、この発明によれば、小型で信頼性の高い液体材料気化供給装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の液体材料気化供給装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図2】 前記液体材料気化供給装置の構成の他の例を概略的に示す図である。
【図3】 従来技術を説明するための図である。
【符号の説明】
1…材料タンク、2…加熱装置、3…液体材料供給管、4…予熱装置、5…液体流量調整装置、7…ガス導出管、8…ガス流量計、9…ガス流量制御弁、LM…液体材料、G…気化ガス。

Claims (2)

  1. 液体材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を個別に温度制御するように構成され、さらに、前記ガス流量制御弁は、前記材料タンクの設定温度よりも高い温度に加熱保温されるよう温度制御されており、また、前記ガス流量計は、前記材料タンクの設定温度よりも高く、かつ、前記ガス流量制御弁よりも低い温度に加熱保温されるよう温度制御されていることを特徴とする液体材料気化供給装置。
  2. 液体材料を収容し、この液体材料を加熱して所定のガスを発生させる材料タンクと、この材料タンクに液体材料を供給するための液体材料供給管と、前記材料タンクにおいて発生したガスを導出するガス導出管を備えてなる液体材料気化供給装置において、前記材料タンクにこれを専用的に加熱する加熱装置を設けるとともに、前記液体材料供給管に、前記材料タンクに供給される液体材料を予熱するための予熱装置および材料タンクに供給される液体材料の流量調整を行うための液体流量調整装置を設け、また、前記ガス導出管にガス流量計およびガス流量制御弁を互いに独立した状態で設け、前記ガス流量計およびガス流量制御弁を個別に温度制御するように構成され、さらに、前記ガス流量制御弁は、前記材料タンクの設定温度よりも高い温度に加熱保温されるよう温度制御されており、また、前記ガス流量計は、前記材料タンクの設定温度よりも高く、かつ、前記ガス流量制御弁よりも低い温度に加熱保温されるよう温度制御されていることを特徴とする液体材料気化供給装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017015539A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社堀場エステック 流量測定装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007046921A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Hirai:Kk 気体供給装置
JP4900110B2 (ja) * 2007-07-20 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 薬液気化タンク及び薬液処理システム
GB0718801D0 (en) * 2007-09-25 2007-11-07 P2I Ltd Vapour delivery system
GB0718686D0 (en) * 2007-09-25 2007-10-31 P2I Ltd Vapour delivery system
CN102365388A (zh) * 2009-04-21 2012-02-29 株式会社堀场Stec 液体原料气化装置
US8511583B2 (en) * 2010-02-05 2013-08-20 Msp Corporation Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization
US8724974B2 (en) 2011-09-30 2014-05-13 Fujikin Incorporated Vaporizer
JP5913888B2 (ja) * 2011-09-30 2016-04-27 国立大学法人東北大学 気化器
JP5548292B1 (ja) 2013-05-30 2014-07-16 株式会社堀場エステック 加熱気化システムおよび加熱気化方法
CN105714271B (zh) 2014-12-22 2020-07-31 株式会社堀场Stec 汽化系统
CN105716225B (zh) * 2014-12-22 2020-08-11 株式会社堀场Stec 流体加热器、加热块和汽化系统
CN105716224A (zh) * 2014-12-22 2016-06-29 株式会社堀场Stec 气化用容器、气化器和气化装置
JP6712440B2 (ja) 2015-03-13 2020-06-24 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置、液体材料気化システム
WO2016160665A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Siva Power, Inc Fluid-assisted thermal management of evaporation sources
CN115505899A (zh) * 2022-08-16 2022-12-23 湖南顶立科技有限公司 一种沉积设备的工艺气源输入装置及其使用方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US4582480A (en) * 1984-08-02 1986-04-15 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for vapor delivery control in optical preform manufacture
US4717596A (en) * 1985-10-30 1988-01-05 International Business Machines Corporation Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control
US4640221A (en) * 1985-10-30 1987-02-03 International Business Machines Corporation Vacuum deposition system with improved mass flow control
US4683143A (en) * 1986-04-08 1987-07-28 Riley John A Method and apparatus for automated polymeric film coating
JPH0784662B2 (ja) * 1989-12-12 1995-09-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 化学的気相成長方法とその装置
US5316796A (en) * 1990-03-09 1994-05-31 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Process for growing a thin metallic film
US5288325A (en) * 1991-03-29 1994-02-22 Nec Corporation Chemical vapor deposition apparatus
US6004885A (en) * 1991-12-26 1999-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Thin film formation on semiconductor wafer
US5447568A (en) * 1991-12-26 1995-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JPH0697080A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置
JP2000252269A (ja) * 1992-09-21 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 液体気化装置及び液体気化方法
US5455014A (en) * 1993-07-20 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Liquid deposition source gas delivery system
US5641540A (en) * 1994-10-10 1997-06-24 Samsung Electronics Co. Ltd. Preparation method for lead-zirconium-titanium based thin film
US5776254A (en) * 1994-12-28 1998-07-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition
US5629229A (en) * 1995-07-12 1997-05-13 Sharp Kabushiki Kaisha Metalorganic chemical vapor deposition of (Ba1-x Srx)RuO3 /(Ba1-x Srx)TIO3 /(Ba1-x Srx)TiO3 /(Ba1- Srx)RuO3 capacitors for high dielectric materials
JPH1089532A (ja) * 1995-12-13 1998-04-10 Rintetsuku:Kk 気化装置の弁構造
TW471031B (en) * 1997-01-08 2002-01-01 Ebara Corp Vapor feed supply system
US20010000160A1 (en) * 1997-08-14 2001-04-05 Infineon Technologies Ag Method for treatment of semiconductor substrates
US6098964A (en) * 1997-09-12 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the condition of a vaporizer for generating liquid chemical vapor
US6174371B1 (en) * 1997-10-06 2001-01-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US6007330A (en) * 1998-03-12 1999-12-28 Cosmos Factory, Inc. Liquid precursor delivery system
US6021582A (en) * 1998-03-16 2000-02-08 Novellus Systems, Inc. Temperature control of parylene dimer
US6159855A (en) * 1998-04-28 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Organometallic compound mixtures in chemical vapor deposition
US6328804B1 (en) * 1998-07-10 2001-12-11 Ball Semiconductor, Inc. Chemical vapor deposition of metals on a spherical shaped semiconductor substrate
US6178925B1 (en) * 1999-09-29 2001-01-30 Advanced Technology Materials, Inc. Burst pulse cleaning method and apparatus for liquid delivery system
KR100332313B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 Ald 박막증착장치 및 증착방법
KR100979575B1 (ko) * 2002-01-17 2010-09-01 썬듀 테크놀로지스 엘엘씨 원자층 침착 장치 및 이의 제조방법
US6797337B2 (en) * 2002-08-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for delivering precursors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017015539A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社堀場エステック 流量測定装置
US10352748B2 (en) 2015-06-30 2019-07-16 Horiba Stec, Co., Ltd. Flow rate measuring device

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