TWI628717B - 加熱汽化系統和加熱汽化方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供加熱汽化系統和加熱汽化方法。所述加熱汽化系統(1)具備：容器(2)，通過將材料加熱和汽化而生成材料氣體；配管(3)，將所述材料氣體導出；感測器用流道(3a)，設置在配管(3)上；流量檢測部(4a)，具備設置在感測器用流道(3a)上的熱式流量感測器(6)，利用所述熱式流量感測器(6)測量流過配管(3)的材料氣體的流量；流量調節部(4b)，調節流過流量檢測部(4a)上游的配管(3)的所述材料氣體的流量；以及控制部(4c)，使用流量檢測部(4a)的檢測結果，控制流量調節部(4b)。
Description
本發明涉及對用於例如半導體製造等的材料進行加熱、汽化的加熱汽化系統和加熱汽化方法。
作為所述加熱汽化系統和加熱汽化方法，例如有專利文獻1記載的加熱汽化系統和加熱汽化方法。
專利文獻1記載的加熱汽化系統和加熱汽化方法具備：材料容器，收容液體材料，並且通過將所述液體材料加熱、汽化而生成材料氣體；氣體導出配管，把在材料容器中生成的材料氣體導出；氣體流量計，測量流過氣體導出配管的材料氣體的流量；以及氣體流量控制閥，配置在氣體流量計的下游，調節流過氣體導出配管的材料氣體的流量。
現有技術文獻
專利文獻1：日本專利公開公報特開2003-273026號
可是，在專利文獻1記載的現有的加熱汽化系統中，如果為了調節材料氣體的流量而開閉氣體流量調節閥，則存在下述問題：因產生壓力損失，氣體流量調節閥的上游的壓力變得高於下游的壓力，導致流過氣體流量調節閥的上游的材料氣體從氣體狀態變成液體狀態而容易結露。
為了解決所述的問題，可以考慮下述方法：通過預測氣體流量調節閥的壓力損失，以使材料氣體不結露的方式提高材料容器、氣體導出配管、氣體流量計和氣體流量調節閥的溫度。可是，
當採用利用材料氣體的比熱來測量流量的熱式氣體流量計時，如果提高材料氣體和氣體流量計的溫度，則會產生將內置在氣體流量計中的感測器的溫度提高到必要以上溫度的必要。於是，會產生下述問題：氣體流量計的感測器超過能進行測量的耐熱溫度的範圍，從而導致不能準確測量流量。此外，還存在下述問題：內置在氣體流量計中的電子電路和感測器等發生劣化，導致氣體流量計自身的壽命變短。
另外，如果提高氣體流量計和氣體流量控制閥的溫度，則會產生下述問題：流過氣體導出配管的材料氣體的溫度也上升，從而導致材料氣體發生熱分解而劣化。
鑒於所述的問題，本發明的主要目的是提供一種加熱汽化系統和加熱汽化方法，能防止氣體流量計和材料氣體出現問題，並且能防止氣體導出配管內的結露。
本發明提供一種加熱汽化系統，其具備：容器，收容材料，並通過將所述材料加熱和汽化而生成材料氣體；配管，與所述容器連接，將在所述容器內生成的所述材料氣體導出；感測器用流道，設置在所述配管上；流量檢測部，具備設置在所述感測器用流道上的熱式流量感測器，利用所述熱式流量感測器測量流過所述配管的所述材料氣體的流量；流量調節部，設置在所述流量檢測部的上游，調節流過所述配管的所述材料氣體的流量；以及控制部，使用所述流量檢測部的測量結果，控制所述流量調節部。
按照所述結構，由於將流量檢測部設置在流量調節部的下游側，所以當考慮壓力損失而預先提高流量調節部的溫度時，無需將流量檢測部的溫度提高到流量調節部的溫度以上。因此，不僅能夠防止因提高流量檢測部的溫度導致的流量檢測部的劣化和材料氣體的劣化等惡劣影響，而且能夠防止起因於流量調節部的壓力損失的配管內的結露，能夠向半導體製造室等穩定地供給材料
氣體。
另外，本發明的流量控制裝置可以舉出下述的流量控制裝置：其具備：連接部，與配管連接，所述配管與通過將收容的材料加熱和汽化而生成材料氣體的容器連接，在所述容器內生成的所述材料氣體流過所述配管；感測器用流道，設置在所述配管上；流量檢測部，具備設置在所述感測器用流道上的熱式流量感測器，利用所述熱式流量感測器測量流過所述配管的所述材料氣體的流量；流量調節部，設置在所述流量檢測部的上游，調節流過所述配管的所述材料氣體的流量；以及控制部，使用所述流量檢測部的測量結果，控制所述流量調節部。
此外，如果所述加熱汽化系統還具備加熱裝置，所述加熱裝置用於在所述流量檢測部和所述流量調節部中的至少任意一方中，加熱流過所述配管的材料氣體，則能夠以不發生結露的方式預先提高流量調節部的溫度，並且能夠將流量檢測部的溫度維持在不會使材料氣體再次液化的溫度，能夠可靠地防止配管內發生結露。
另外，如果所述加熱汽化系統還具備內部加熱裝置，所述內部加熱裝置配置在位於所述流量調節部的上游側或下游側的所述配管的內部，加熱所述材料氣體，則相比於將加熱裝置配置在配管的外部的情況，能夠高效地向材料氣體傳遞加熱裝置的熱量。因此，能夠均勻加熱材料氣體，能夠防止起因於加熱不均的流量檢測部的檢測精度的降低。
本發明還提供一種加熱汽化方法，通過將收容在容器內部的液體材料加熱和汽化而生成材料氣體，並將所述材料氣體向與所述容器連接的配管導出，在所述配管上設置感測器用流道，流量檢測部利用設置在所述感測器用流道上的熱式流量感測器，測量流過所述配管的材料氣體的流量，使用所述流量檢測部的測量結果，通過設置在所述流量檢測部的上游的流量調節部，調節流過
所述配管的所述材料氣體的流量。
按照所述構成的本發明的加熱汽化系統和加熱汽化方法，不僅能防止氣體流量計和材料氣體出現問題，還能防止氣體導出配管內的結露。
1‧‧‧加熱汽化系統
2‧‧‧容器
3‧‧‧配管
4‧‧‧流量控制裝置
5‧‧‧第一塊體
7‧‧‧流量計算部
9‧‧‧第二塊體
10‧‧‧調節閥
11‧‧‧驅動電路
14‧‧‧內部加熱裝置
15‧‧‧連接部
20‧‧‧加熱汽化系統
30‧‧‧加熱汽化系統
10a‧‧‧閥主體
10b‧‧‧驅動裝置
12a‧‧‧第一加熱裝置
12b‧‧‧第一加熱裝置
13a‧‧‧第二加熱裝置
13b‧‧‧第二加熱裝置
2a‧‧‧加熱罐
2b‧‧‧加熱器
2c‧‧‧導入配管
2d‧‧‧導出配管
3a‧‧‧配管
3b‧‧‧旁路流道
4a‧‧‧流量檢測部
4b‧‧‧流量調節部
4c‧‧‧控制部
6a‧‧‧上游側感測器
6b‧‧‧下游側感測器
圖1是表示第一實施方式的加熱汽化系統的示意圖。
圖2是表示第二實施方式的加熱汽化系統的示意圖。
圖3是表示第三實施方式的加熱汽化系統的剖視示意圖。
圖4是表示內部加熱裝置的參考立體圖。
第一實施方式
下面參照附圖說明本發明的第一實施方式的加熱汽化系統1。
第一實施方式的加熱汽化系統1用於通過將例如在半導體製造中使用的液體材料加熱、汽化而生成材料氣體，並且將所述材料氣體向半導體製造室等供給。此外，如圖1所示，加熱汽化系統1包括：容器2，收容液體材料，並且通過將所述液體材料加熱和汽化而生成材料氣體；配管3，用於將在所述容器2中生成的材料氣體向半導體製造室等供給；以及流量控制裝置4，控制流過配管3的材料氣體的流量。
容器2包括：中空的罐2a，收容液體材料；加熱器2b，加熱罐2a；導入配管2c，以貫穿罐2a的上壁的方式設置；以及導出配管2d，從罐2a的上壁突出。
加熱器2b例如是電熱器等，以包圍罐2a的外周側面和底面的方式配置。在被所述加熱器2b加熱的罐2a內，液體材料達到飽和蒸汽壓後汽化，生成材料氣體。
導入配管2c用於向罐2a供給液體材料，導入配管2c的下端延伸到罐2a的底面附近。
導出配管2d與罐2a的內部空間連通，在罐2a內生成的材料
氣體通過所述導出配管2d從罐2a導出。
另外，導入配管2c和導出配管2d上分別設有用於調節流過這些配管的流體的流量的閥。
配管3的上游側的一端與導出配管2d連接，並且配管3的下游側的另一端與半導體製造室等連接。此外，從罐2a通過導出配管2d導出的材料氣體經過所述配管3，向半導體製造室等供給。
此外，配管3的一部分上設有大體形的感測器用配管3a，所述感測器用配管3a從配管3分支後再次與配管3合流。所述感測器用配管3a成為調節流過配管3的材料氣體的流量的感測器用流道。此外，感測器用配管3a的管徑充分小於配管3的管徑。
此外，從感測器用配管3a從配管3分支的分支點到感測器用配管3a與配管3合流的合流點成為旁路流道3b，所述旁路流道3b上配置有未圖示的旁路管()，通過將利用蝕刻而設有孔的平板層疊而構成所述旁路管。通過所述旁路管的材料氣體產生的壓力損失，與通過感測器用配管3a的材料氣體產生的壓力損失相同。
以包圍設有所述旁路流道3b的配管3的周圍的方式設有第一塊體5。所述第一塊體5由大體呈長方體形狀的導熱性優異的金屬構成，在其內部設有用於配置設有旁路流道3b的配管的貫通孔。
流量控制裝置4包括：流量檢測部4a，測量流過配管3的材料氣體的流量；流量調節部4b，調節流過配管3的材料氣體的流量；以及控制部4c，使用流量檢測部4a的檢測結果控制流量調節部4b。
流量檢測部4a具有：熱式流量感測器6，對感測器用配管3a的至少一部分進行加熱並且檢測與溫度關聯的物理量；以及流量計算部7，接收熱式流量感測器6檢測到的檢測信號並計算流過配管3的材料氣體的流量。
熱式流量感測器6加熱感測器用配管3a，並檢測與感測器用
配管3a的上游側和下游側的溫度關聯的物理量(例如電流、電壓、電阻等)。具體地說，採用了電阻值伴隨溫度變化而增減的熱敏電阻，熱式流量感測器6包括：上游側感測器6a，以線圈狀的方式纏繞在感測器用配管3a的上游側；以及下游側感測器6b，以線圈狀的方式纏繞在感測器用配管3a的下游側。此外，通過在上游側感測器6a和下游側感測器6b中流過電流，上游側感測器6a和下游側感測器6b發熱，加熱感測器用配管3a。
具體地說，流量計算部7由電路構成，流量計算部7具有：控制電路，進行控制，使得上游側感測器6a和下游側感測器6b的溫度總是成為相等的規定溫度；放大電路，將控制電路輸出的電信號放大；以及修正電路，將用所述放大電路放大後的電信號修正為流量。
另外，通過以不傳遞熱式流量感測器6的熱量的方式將所述流量計算部7例如通過電纜與熱式流量感測器6連接、將所述流量計算部7收容在與熱式流量感測器6不同的殼體中等，由此將所述流量計算部7與熱式流量感測器6分開配置。
當從配管3分支的感測器用配管3a中未流過材料氣體時，由於從分別控制上游側感測器6a和下游側感測器6b的控制電路流過的電流值以及上游側感測器6a和下游側感測器6b的電阻值相同，所以上游側感測器6a和下游側感測器6b的溫度成為相等的規定溫度。
此外，上游側感測器6a檢測到的電信號(電壓值)與下游側感測器6b檢測到的電信號(電壓值)相同。
另一方面，當從配管3分支的感測器用配管3a中流過材料氣體時，由於所述材料氣體奪取上游側感測器6a的熱量，所以上游側感測器6a的電阻值下降。因此，控制上游側感測器6a的控制電路為了將上游側感測器6a和下游側感測器6b的溫度保持為規定的溫度，將流過上游側感測器6a的電流值加大。
於是，上游側感測器6a檢測到的電信號(電壓值)與下游側感測器6b檢測到的電信號(電壓值)彼此不同。放大電路將這些電信號的偏差放大。而後，修正電路使用放大後的偏差、流過感測器用流道及旁路流道3b的材料氣體的分流比，計算流過配管3的材料氣體的流量。
控制部4c在結構上是具有CPU、內部記憶體、I/O緩衝電路、AD轉換器等的所謂的計算機電路。此外，控制部4c通過基於存儲在內部記憶體的規定區域中的程式進行動作來進行資訊處理並控制流量調節部4b。
具體地說，控制部4c接收流量檢測部4a檢測到的材料氣體的流量，並將檢測到的檢測流量與預定的設定流量進行比較，向流量調節部4b發送控制信號，以使檢測流量接近設定流量。
流量調節部4b在本實施方式中配置在流量檢測部4a的上游，流量調節部4b包括：第二塊體9，外置在配管3上；調節閥10，調節流過配管3的材料氣體的流量；以及驅動電路11，把從控制部4c發送的控制信號轉換為規定的驅動信號，並將所述驅動信號向調節閥10發送。
與第一塊體5同樣地，第二塊體9由大體呈長方體形狀的導熱性優異的金屬構成，其內部設有用於穿過配管3的貫通孔。
所述第二塊體9的、插入配管3的上游側端部，成為與配管3連接的連接部15。
調節閥10包括：閥主體10a，以堵塞配置在第二塊體9的內部的配管3的管內的方式配置；以及驅動裝置10b，以機械的方式驅動所述閥主體10a。作為所述驅動裝置10b，採用例如壓電致動器等壓電元件。
驅動電路11把從控制部4c發送的控制信號轉換為規定的驅動信號，並通過所述驅動信號驅動驅動裝置10b。例如當採用壓電元件作為驅動裝置10b時，控制信號被轉換為規定的電壓值(驅
動信號)。從所述驅動電路11接收了驅動信號的驅動裝置10b，改變閥主體10a的開度，由此調節流過比流量檢測部4a更靠上游的配管3的材料氣體的流量。
另外，通過例如將所述驅動電路11通過電纜與調節閥10連接、將所述驅動電路11收容在與調節閥10不同的殼體中等，由此與調節閥10分開配置所述驅動電路11。
下面說明所述結構的本實施方式的加熱汽化系統1的加熱汽化方法。
當用戶在半導體製造室等中使用將液體材料汽化後得到的材料氣體時，從導入配管2c將液體材料導入罐2a，並通過加熱器2b加熱罐2a。於是，罐2a內的溫度上升，液體材料達到飽和蒸汽壓後汽化，生成材料氣體。
所述材料氣體通過導出配管2d流過配管3後向半導體製造室等供給。此時，流過配管3的材料氣體的一部分流過感測器用配管3a。
當材料氣體流過感測器用配管3a時，設置在感測器用配管3a上的上游側感測器6a的溫度下降，為了使上游側感測器6a和下游側感測器6b保持為相同溫度，需要加大上游側感測器6a的電阻值，上游側感測器6a與下游側感測器6b的電阻值產生差異。流量計算部7根據基於所述電阻值的差異的電信號(電壓值)，使用放大電路和修正電路來計算流量。由此，流量檢測部4a檢測流過配管3的材料氣體的流量，並將所述檢測流量向控制部4c發送。
控制部4c接收檢測流量，並將所述檢測流量與預定的設定流量進行比較，向流量調節部4b發送控制信號，以使檢測流量接近設定流量。
流量調節部4b把從控制部4c發送來的控制信號轉換為規定的驅動信號，通過所述驅動信號驅動驅動裝置10b，進行閥主體10a的開閉，調節流過比流量檢測部4a更靠上游的配管3的材料
氣體的流量。
第一實施方式的效果
按照以上結構的第一實施方式的加熱汽化系統1，由於將流量檢測部4a設置在流量調節部4b的下游側，所以在考慮了壓力損失而將流量調節部4b的溫度預先提高時，無需將流量檢測部4a的溫度提高到流量調節部4b的溫度以上。因此，不僅能夠防止因提高流量檢測部4a的溫度造成的、流量檢測部4a的劣化和材料氣體的劣化等惡劣影響，而且能夠防止起因於流量調節部4b的壓力損失的配管3內的結露，能夠向半導體製造室等穩定地供給材料氣體。
第二實施方式
下面說明本發明的加熱汽化系統的第二實施方式。第二實施方式的加熱汽化系統20與第一實施方式的不同點是：在流量檢測部4a和流量調節部4b中設有加熱裝置。
另外，對於與第一實施方式相同的結構標注相同的附圖標記，並省略了說明。
如圖2所示，第二實施方式的加熱汽化系統20具備第一加熱裝置12(12a、12b)，所述第一加熱裝置12(12a、12b)內置在第一塊體5中，並且配置在位於感測器用配管3a的上游和下游的配管3的外側周面上，用於加熱流過貫穿第一塊體5的配管3內的材料氣體。
另外，第二實施方式的加熱汽化系統20具備第二加熱裝置13(13a、13b)，所述第二加熱裝置13(13a、13b)內置在第二塊體9中，並且配置在位於閥主體10a的上游和下游的配管3的外側周面上，用於加熱流過貫穿第二塊體9的配管3內的材料氣體。
作為所述第一加熱裝置12或第二加熱裝置13，採用例如電熱器等。由於第一塊體5或第二塊體9都由導熱性好的金屬構成，所以電熱器的熱量能高效地向配管3傳遞，加熱流過配管3的材
料氣體。
第二實施方式的效果
按照以上結構的第二實施方式的加熱汽化系統20，由於在流量檢測部4a和流量調節部4b中分別設置了第一加熱裝置12和第二加熱裝置13，所以能夠以預測壓力損失並不發生結露的方式預先提高流量調節部4b的溫度，並且將流量檢測部4a的溫度維持在材料氣體不會再次液化的溫度，由此能夠可靠地防止配管3內發生結露。
此外，如果通過第一加熱裝置12加熱第一塊體5，使流過貫穿第一塊體5的配管3內的材料氣體的溫度接近通過未圖示的加熱部加熱的感測器用配管3a的溫度，則能夠防止基於所述感測器用配管3a的溫度與材料氣體的溫度的溫度差、熱式流量感測器6的檢測誤差，能夠提高流量檢測部4a的檢測精度。
第三實施方式
接著說明本發明的加熱汽化系統的第三實施方式。第三實施方式的加熱汽化系統30與第一實施方式的不同點在於：除了在流量檢測部4a和流量調節部4b中具備加熱裝置以外，在流量檢測部4a和流量調節部4b之間還具備內部加熱裝置。
另外，對於與第一實施方式及第二實施方式相同的結構標注相同的附圖標記，並省略了說明。
如圖3所示，第三實施方式的加熱汽化系統30還具備內部加熱裝置14，所述內部加熱裝置14設置在位於比閥主體10a更靠下游且比流量檢測部4a更靠上游的位置的配管3的內部，用於使流過所述配管3的材料氣體的溫度變得均勻。
內部加熱裝置14由配置在配管3的內部的加熱構件以及向所述加熱構件供給熱量的熱供給裝置(未圖示)構成，如圖4所示，在以加熱構件的外側周面沿著配管3的內側周面的方式構成的中空的金屬圓筒中，多個金屬細線以網眼狀的方式遍及該金屬圓
筒。此外，如果熱供給裝置向配置在配管3的內部的加熱構件供給熱量，則經過所述加熱構件的材料氣體通過接觸金屬圓筒和金屬細線而被均勻加熱。
第三實施方式的效果
按照以上結構的第三實施方式的加熱汽化系統30，由於內部加熱裝置14設置在配管3的內部，所以能夠比設置在配管3的外部的第一加熱裝置12和第二加熱裝置13更高效地向材料氣體傳遞熱量。因此，通過內部加熱裝置14後的材料氣體被均勻加熱，能夠防止起因於加熱不均的流量檢測部4a的檢測精度的降低。
此外，通過以網眼狀的方式構成內部加熱裝置14，能夠防止在內部加熱裝置14的上游側和下游側之間產生壓力損失。
另外，本發明不限於所述實施方式。
在所述實施方式中，使用液體材料作為材料，但是也可以將例如固體材料汽化。
在所述實施方式中，在流量控制裝置中，將流量調節部和流量檢測部分別單獨設置，但是例如也可以用同一個塊體覆蓋配置有流量調節部的閥主體的配管以及設有迂回配管的配管，將流量調節部和流量檢測部構成一體。
此外，在所述實施方式中，在流量檢測部中，上游側感測器和下游側感測器加熱感測器用配管，但是也可以通過另外配置加熱感測器用配管的電熱器等，用配置在所述電熱器的上游和下游的一對感測器檢測溫度。此時，流量計算部根據這些感測器檢測到的溫度差計算流量。
此外，在所述實施方式中，設有感測器用配管作為感測器用流道，但是也可以不設置感測器用配管，而是將配管作為感測器用流道並對其進行加熱，並檢測流過所述配管的材料氣體的流量。
另外，在所述實施方式中，在流量調節部中，驅動裝置使用了壓電致動器等壓電元件，但是只要是例如電磁驅動部件和熱動
元件等以物理的方式驅動閥主體的部件就沒有特別的限定，可以使用任意的部件。
第一加熱裝置和第二加熱裝置可以僅設置任意一方，也可以如所述實施方式那樣設置雙方。
此外，如所述實施方式所示，第一加熱裝置和第二加熱裝置也可以不分別內置在流量檢測部的第一塊體和流量調節部的第二塊體中，而是分別外置在流量檢測部和流量調節部上。
另外，第一加熱裝置和第二加熱裝置也可以設置在流量檢測部和流量調節部的上游側或下游側的任意一方上。
內部加熱裝置也可以設置在流量調節部中的、位於閥主體的上游的配管內。
此外，本發明不限於所述實施方式，在不脫離本發明思想的範圍內可以進行各種變形。
可以相互組合本發明的各個實施方式中所記載的技術特徵形成新的技術方案。
Claims (9)
- 一種加熱汽化系統，其特徵在於具備：罐，收容材料；加熱器，將收容於所述罐的材料加熱和汽化而生成材料氣體；配管，與所述罐連接，將在所述罐內生成的所述材料氣體導出；感測器用流道，設置在所述配管上；流量檢測部，具備熱式流量感測器，藉由所述熱式流量感測器測量流過所述配管的所述材料氣體的流量，所述熱式流量感測器具備捲繞在所述感測器用流道的上游側之上游側感測器以及捲繞在所述感測器用流道的下游側之下游側感測器；流量調節部，位於所述罐的下游且設置在所述流量檢測部的上游，並調節流過所述配管的所述材料氣體的流量；控制部，使用所述流量檢測部的測量結果，控制所述流量調節部；以及一個或複數個電熱器，設置於所述流量檢測部與所述流量調節部；所述加熱器與所述一個或複數個電熱器以個別地控制所述罐、所述流量檢測部及所述流量調節部的溫度的方式構成；所述一個或複數個電熱器以所述流量檢測部的溫度成為所述流量調節部的溫度以下的方式構成。
- 根據請求項1所述的加熱汽化系統，其中，所述加熱汽化系統還具備加熱裝置，所述加熱裝置用於在所述流量檢測部和所述流量調節部中的至少任意一方中，加熱流過所述配管的材料氣體。
- 根據請求項1所述的加熱汽化系統，其中，所述加熱汽化 系統還具備內部加熱裝置，所述內部加熱裝置配置在位於所述流量調節部的上游側或下游側的所述配管的內部，加熱所述材料氣體。
- 根據請求項1所述的加熱汽化系統，其中所述加熱器構成為以達到飽和蒸汽壓的方式對所述罐內的材料的溫度進行控制。
- 根據請求項1所述的加熱汽化系統，其中設置於所述流量調節部的電熱器以防止所述流量調節部中的材料氣體再次液化的方式對所述流量調節部的溫度進行控制。
- 根據請求項5所述的加熱汽化系統，其中所述流量調節部的溫度基於在所述流量調節部的壓力損失而設定。
- 根據請求項5所述的加熱汽化系統，其中構成為所述流量調節部的溫度接近所述感測器用流道的溫度。
- 根據請求項1所述的加熱汽化系統，其中設置於所述流量檢測部的電熱器以防止所述流量檢測部中的材料氣體再次液化的方式對所述流量檢測部的溫度進行控制。
- 一種加熱汽化方法，其特徵在於，通過將收容在罐內部的液體材料加熱和汽化而生成材料氣體，並將所述材料氣體向與所述罐連接的配管導出；在所述配管上設置感測器用流道，流量檢測部利用熱式流量感測器測量流過所述配管的材料氣體的流量，所述熱式流量感測器具備捲繞在所述感測器用流道的上游側之上游側感測器以及捲繞在所述感測器用流道的下游側之下游側感測器； 使用所述流量檢測部的測量結果，通過位於所述罐的下游且設置在所述流量檢測部的上游的流量調節部，調節流過所述配管的所述材料氣體的流量；在所述流量檢測部與所述流量調節部設置一個或複數個電熱器；所述加熱器與所述一個或複數個電熱器對所述罐、所述流量檢測部及所述流量調節部的溫度個別地進行控制；所述一個或複數個電熱器使所述流量檢測部的溫度成為所述流量調節部的溫度以下。
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