JP5647083B2 - 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 - Google Patents
原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5647083B2 JP5647083B2 JP2011194285A JP2011194285A JP5647083B2 JP 5647083 B2 JP5647083 B2 JP 5647083B2 JP 2011194285 A JP2011194285 A JP 2011194285A JP 2011194285 A JP2011194285 A JP 2011194285A JP 5647083 B2 JP5647083 B2 JP 5647083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- flow rate
- gas
- pressure
- mass flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 177
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title claims description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 201
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 58
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
- F17D3/00—Arrangements for supervising or controlling working operations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D11/00—Control of flow ratio
- G05D11/02—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/135—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by sensing at least one property of the mixture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8158—With indicator, register, recorder, alarm or inspection means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、この演算したQ2(原料ガスの発生流量)から、Q2/QSを求めることにより、混合ガスGm内の原料ガス濃度KSが演算される。
また、マスフローメータ36からの混合ガス流量QSは流量設定回路37において設定混合ガス流量QSOと比較され、両者の差分が0となるようにマスフローコントローラの流量Q1が調整される。
また、マスフローコントローラ23により流量制御された流量Q1のキャリアガスGKが密閉タンク21の底部より放出され、このキャリアガスGKと前記原料の飽和蒸気Gとの混合ガスGmが、自動圧力調整装置26の制御弁26bを通して外部(プロセスチャンバ)へ供給されて行く。
1/CF=C/CFA+(1−C)/CFB(但し、CFAはキャリアガスGKのコンバージョンファクター、CFBは原料ガスGのコンバージョンファクター、Cはキャリアガスの容積比率(Q1/(Q1+Q2)である)とするようにしたものである。
図1は本発明の第1実施形態に係る原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置の機構を示す系統図である。
当該原料の気化供給装置では、先ずソースタンク5内へ供給するキャリアガスGKの圧力PG1が減圧装置2により所定圧力値に設定されると共に、その供給流量Q1が熱式質量流量制御装置(マスフローコントローラ)3により所定値に設定される。
また、恒温部6の作動により、ソースタンク5や自動圧力調整装置9の演算制御部8b等を除いた部分が一定温度に保持される。
即ち、Q2×PO=QS×PMO・・・(1)
(1)式より、原料の流量Q2は、Q2=QS×PMO/PO・・・(2)
となる。
いま、原料ガス供給系を図5のように表現すると、濃度Kに相当する流量Q2の原料ガスGと流量Q1のキャリアガスGK(N2)(即ち、Q2+Q1sccm)をマスフローメータ9へ供給した際の混合ガスGsの検出流量(N2換算)をQS’(sccm)とすると、原料ガス流量Q2及び混合ガス内の原料ガス濃度Kは下式より求められる。
1/CF=C/CFA+(1−C)/CFB・・・(5)
但し、式(5)に於いてCFAはガスAのコンバージョンファクター、CFBはガスBのコンバージョンファクター、CはガスAの容積比率(濃度)、(1−C)はガスBの容積比率(濃度)である(流量計測AtoZ、日本計量機器工業連合会編、工業技術社発光(176〜178頁)。
従って、マスフローメータ9で検出された混合ガスGSのN2換算検出流量QS’は、
これにより、原料ガスGの流量Q2はQ2=α(QS’−Q1)として求められる。但し、ここでαは上記原料ガスGのコンバージョンファクターである。
尚、表1では原料ガスGとしてアセトンを、キャリアガスGKとしてN2を流量Q1=500sccmで供給し、温度tをパラメータにして計算をしており、(1)・(2)式の圧力比から求めた原料ガス流量Q2と(5)式のコンバージョンファクターCFより求めた原料ガス流量Q2は近似した流量値となっている。
又、原料ガス蒸気濃度Kそのもの上昇又は下降がタンク圧力PO及び又はタンク温度tの制御により可能なことは勿論である。
2は減圧装置
3は質量流量制御装置
3aはマスフローコントローラのセンサ部
3bはマスフローコントローラの流量演算制御部
3eは流量表示信号
4は原料(有機金属化合物等のMO材料)
5はソースタンク(容器)
6は恒温部
7は導入管
8はソースタンク内の自動圧力調整装置
8aはコントロールバルブ
8bは圧力演算制御部
8cは圧力検出信号
8dはコントロールバルブ制御信号
8eは圧力表示信号
8fは温度検出信号
9はマスフローメータ
9aはマスフローメータのセンサ部
9bはマスフローメータの演算制御部
9cは混合ガス流量検出信号
9eは混合ガス流量の表示信号
10は原料濃度演算部
10Kは濃度検出信号
CFは混合ガスのコンバージョンファクター
CFAはガスAのコンバージョンファクター
CFBはガスBのコンバージョンファクター
CはガスAの容積比率
GKはキャリアガス
Gは原料ガス
GSは混合ガス
P0はソースタンク内圧
PM0はソースタンク内の原料蒸気分圧力
Q1はキャリアガス流量
QSは混合ガス流量
QS’はマスフローメータの検出流量(N2換算)
Q2は原料ガス流量
Q2’は原料ガス流量(N2換算)
Kは原料ガス蒸気濃度
Pは圧力計
Tは温度計
tはタンク温度(原料温度)
Claims (10)
- マスフローコントローラ3を通してキャリアガスGKをソースタンク5内へ供給し、ソースタンク5内よりキャリアガスGKを放出すると共に、ソースタンク5を恒温部6により一定温度に保持して発生せしめた原料4の飽和蒸気Gと前記キャリアガスGKとの混合ガスGSをプロセスチャンバへ供給するようにした原料気化供給装置において、前記ソースタンク5からの混合ガスGSの流出通路に自動圧力調整装置8およびマスフローメータ9を設け、前記自動圧力調整装置8のコントロールバルブ8aを開閉制御することによりソースタンク5の内部圧力Poを所定値に制御し、前記マスフローコントローラ3によるキャリアガスGKの流量Q1と前記タンク内圧Poと前記マスフローメータ9の混合ガスGsの流量QSの各検出値を原料濃度演算部10へ入力し、当該原料濃度演算部10に於いて原料流量Q2をQ2=QS×PMO/POとして演算し(但し、PMOはソースタンク内の温度t℃に於ける原料ガスGの飽和蒸気圧)、当該原料流量Q2を用いて前記プロセスチャンバへ供給する混合ガスGSの原料濃度KをK=Q2/QSとして演算、表示する構成としたことを特徴とする原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 原料濃度演算部10にソースタンク5内の原料の飽和蒸気圧データの記憶装置を設けると共に、自動圧力制御装置8からソースタンク5の内圧PO及び温度tの検出信号を原料濃度演算部10へ入力する構成とした請求項1に記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- マスフローコントローラ3を通してキャリアガスGKをソースタンク5内へ供給し、ソースタンク5内よりキャリアガスGKを放出すると共に、ソースタンク5を恒温部6により一定温度に保持して発生せしめた原料4の飽和蒸気Gと前記キャリアガスGKとの混合ガスGSをプロセスチャンバへ供給するようにした原料気化供給装置において、前記ソースタンク5からの混合ガスGSの流出通路に自動圧力調整装置8およびマスフローメータ9を設け、前記自動圧力調整装置8のコントロールバルブ8aを開閉制御することによりソースタンク5の内部圧力POを所定値に制御し、前記マスフローコントローラ3によるキャリアガスGKの流量Q1と前記タンク内圧POと前記マスフローメータ9の混合ガスGSの流量検出値Q S ’とを原料濃度演算部10へ入力し、当該原料濃度演算部10に於いて原料流量Q2をQ2=CF×QS’−Q1(但し、CFは混合ガスG S のコンバージョンファクター、Q S ’ はマスフローメータ9による混合ガスG S の流量検出値(N 2 換算))として求め、当該原料流量Q2を用いてプロセスチャンバへ供給する混合ガスGSの原料濃度KをK=Q2/(Q1+Q2)として演算、表示する構成としたことを特徴とする原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 混合ガスG S のコンバージョンファクターCFを、
1/CF=C/CFA+(1−C)/CFB(但し、CFAはキャリアガスGKのコンバージョンファクター、CFBは原料ガスGのコンバージョンファクター、Cはキャリアガスの容積比率(Q1/(Q1+Q2)である)とするようにした請求項3に記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。 - 原料濃度検出部10とマスフローコントローラ3の流量演算制御部3bと自動制御装置の圧力演算制御部8bとマスフローメータ9の流量演算制御部9bとを一体的に集合化する構成とした請求項1又は請求項3に記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 原料濃度演算部10にソースタンク内の原料ガスGのコンバージョンファクター及びキャリアガスGKのコンバージョンファクターの各データの記憶装置を設けるようにした請求項3に記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 自動圧力調整装置8の下流側にマスフローメータ9が設けられるようにした請求項1から請求項6の何れかに記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 自動圧力調整装置8の上流側にマスフローメータ9が設けられるようにした請求項1から請求項6の何れかに記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 自動圧力調整装置8が、温度検出器T、圧力検出器P、圧力検出器Pより下流側に設けられたコントロールバルブ8a、圧力演算部8bを備えた圧力調整装置である、請求項1から請求項6の何れかに記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
- 圧力検出器Pとコントロールバルブ8aとの間にマスフローメータ9が設けられるようにした請求項9に記載の原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011194285A JP5647083B2 (ja) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
CN201280043162.2A CN103797563B (zh) | 2011-09-06 | 2012-07-17 | 具备原料浓度检测结构的原料气化供给装置 |
KR1020147005952A KR101525142B1 (ko) | 2011-09-06 | 2012-07-17 | 원료 농도 검출 기구를 구비한 원료 기화 공급 장치 |
US14/343,226 US9631777B2 (en) | 2011-09-06 | 2012-07-17 | Raw material vaporizing and supplying apparatus equipped with raw material concentration |
PCT/JP2012/004559 WO2013035232A1 (ja) | 2011-09-06 | 2012-07-17 | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
TW101127436A TWI482876B (zh) | 2011-09-06 | 2012-07-30 | And a raw material gasification supply device having a raw material concentration detecting means |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011194285A JP5647083B2 (ja) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013055303A JP2013055303A (ja) | 2013-03-21 |
JP5647083B2 true JP5647083B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=47831713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011194285A Active JP5647083B2 (ja) | 2011-09-06 | 2011-09-06 | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9631777B2 (ja) |
JP (1) | JP5647083B2 (ja) |
KR (1) | KR101525142B1 (ja) |
CN (1) | CN103797563B (ja) |
TW (1) | TWI482876B (ja) |
WO (1) | WO2013035232A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9243325B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-01-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof |
JP2014145115A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガス供給装置、成膜装置、流量の測定方法及び記憶媒体 |
JP5548292B1 (ja) | 2013-05-30 | 2014-07-16 | 株式会社堀場エステック | 加熱気化システムおよび加熱気化方法 |
JP6627474B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-01-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体 |
US10256101B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Raw material gas supply apparatus, raw material gas supply method and storage medium |
US10295518B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-05-21 | Hitachi Metals, Ltd. | System and method for detecting concentration of a gas in a gas stream |
US10852282B2 (en) * | 2015-12-14 | 2020-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | System and method for determining a concentration of a constituent gas in a gas stream using pressure measurements |
JP6706121B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-06-03 | 株式会社フジキン | 圧力制御装置および圧力制御システム |
CN106011775B (zh) * | 2016-06-29 | 2018-09-07 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法 |
CN105887046B (zh) * | 2016-06-29 | 2018-07-31 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 激光诱导cvd设备 |
JP6600854B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-11-06 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置、その流量算出方法および流量制御方法 |
US10962513B2 (en) * | 2016-09-28 | 2021-03-30 | Fujikin Incorporated | Concentration detection method and pressure-type flow rate control device |
JP6948803B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、ガス供給方法及び成膜方法 |
JP6914063B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-08-04 | 株式会社堀場エステック | ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。 |
JP6811147B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給系を検査する方法 |
CN109423622B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-10-13 | 胜高股份有限公司 | 气体供给装置、气体供给方法 |
EP3713484A4 (en) * | 2017-11-20 | 2021-07-28 | The Regents of The University of Michigan | DIGITAL EXTERNAL VENTRICULAR BYPASS WITH INTRACRANIAL PRESSURE MONITOR AND BUILT-IN FLOW MONITOR / CEPHALORACHIDAL PRESSURE REGULATOR |
PL239633B1 (pl) * | 2018-02-14 | 2021-12-20 | Politechnika Lodzka | Układ do zasilania w pary prekursora reaktorów do nakładania powłok metodami próżniowymi |
JP7129798B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2022-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 流量制御方法及び成膜装置 |
US10914521B2 (en) * | 2019-01-24 | 2021-02-09 | Versum Materials Us, Llc | System and method for drying and analytical testing of containers |
JP7356237B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2023-10-04 | 株式会社堀場エステック | 濃度制御装置、原料消費量推定方法、及び、濃度制御装置用プログラム |
CN112144038B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-06-27 | 张家港恩达通讯科技有限公司 | 一种用于MOCVD设备GaAs基外延掺杂源供给系统 |
CN110331382A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-15 | 暨南大学 | 液态反应溶液微流注入式真空气相沉积装置及方法 |
CN110836946B (zh) * | 2019-11-19 | 2024-03-29 | 中国科学技术大学 | 一种可定量及可控制蒸气浓度的鼓泡装置及浓度测量方法 |
KR20210063564A (ko) * | 2019-11-25 | 2021-06-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20230005977A (ko) * | 2020-06-29 | 2023-01-10 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유체 제어 장치, 유체 공급 시스템 및 유체 공급 방법 |
CN112538615A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-03-23 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种液态源存储系统 |
DE102021117457A1 (de) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | Aixtron Se | Verdampfungsquelle für einen CVD-Reaktor |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4393013A (en) | 1970-05-20 | 1983-07-12 | J. C. Schumacher Company | Vapor mass flow control system |
JPS60244333A (ja) | 1984-05-21 | 1985-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料液補給装置 |
US4787254A (en) | 1987-02-20 | 1988-11-29 | Briggs Technology, Inc. | Mass flow meter |
JP2538042B2 (ja) | 1989-03-29 | 1996-09-25 | 株式会社エステック | 有機金属化合物の気化供給方法とその装置 |
JPH0472717A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
US5288325A (en) | 1991-03-29 | 1994-02-22 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
JP2893148B2 (ja) | 1991-10-08 | 1999-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JPH06104155A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | M C Electron Kk | 半導体製造プロセスにおける中間制御装置 |
JPH07118862A (ja) | 1993-10-19 | 1995-05-09 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Cvd装置の反応ガス濃度制御方法 |
US5451258A (en) | 1994-05-11 | 1995-09-19 | Materials Research Corporation | Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber |
JP3291161B2 (ja) | 1995-06-12 | 2002-06-10 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置 |
JP3580645B2 (ja) | 1996-08-12 | 2004-10-27 | 忠弘 大見 | 圧力式流量制御装置 |
US5865205A (en) | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
US6205409B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Predictive failure monitoring system for a mass flow controller |
JP3522544B2 (ja) | 1998-08-24 | 2004-04-26 | 忠弘 大見 | 流体可変型流量制御装置 |
JP4439030B2 (ja) | 1999-04-01 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器、処理装置、処理方法、及び半導体チップの製造方法 |
US6210482B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Fujikin Incorporated | Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing |
KR100634651B1 (ko) | 1999-04-27 | 2006-10-16 | 도쿄 엘렉트론 리미티드 | 할로겐화 티탄 전구 물질로부터의 CVD TiN 플러그의 형성 방법 |
US6119710A (en) | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
GB9929279D0 (en) | 1999-12-11 | 2000-02-02 | Epichem Ltd | An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites |
JP2001258184A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 自己電力供給型カード型情報記録媒体、カード型情報記録媒体入出力装置、電力供給方法、及び通信方法 |
JP2001313288A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Ebara Corp | 原料ガス供給装置 |
US6539968B1 (en) | 2000-09-20 | 2003-04-01 | Fugasity Corporation | Fluid flow controller and method of operation |
US6564824B2 (en) | 2001-04-13 | 2003-05-20 | Flowmatrix, Inc. | Mass flow meter systems and methods |
JP2003013233A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Horiba Ltd | 液体原料気化供給装置 |
US6701066B2 (en) | 2001-10-11 | 2004-03-02 | Micron Technology, Inc. | Delivery of solid chemical precursors |
US6656282B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Moohan Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma |
JP4082901B2 (ja) | 2001-12-28 | 2008-04-30 | 忠弘 大見 | 圧力センサ、圧力制御装置及び圧力式流量制御装置の温度ドリフト補正装置 |
JP4667704B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2011-04-13 | 株式会社堀場製作所 | 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置 |
JP2003323217A (ja) | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Stec Inc | 流量制御システム |
JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
EP1540705A4 (en) | 2002-07-19 | 2009-12-16 | Entegris Inc | LIQUID FLOW CONTROL AND PRECISION DELIVERY DEVICE AND SYSTEM |
JP4137666B2 (ja) | 2003-02-17 | 2008-08-20 | 株式会社堀場エステック | マスフローコントローラ |
JP2004256864A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Benesol Inc | Mocvd装置における原料供給フィードバック制御システム |
JP2004256764A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ポリビニルアセタール樹脂と製造方法 |
JP4298476B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-22 | 株式会社フジキン | 流体制御装置 |
US20050221004A1 (en) | 2004-01-20 | 2005-10-06 | Kilpela Olli V | Vapor reactant source system with choked-flow elements |
JP4086057B2 (ja) | 2004-06-21 | 2008-05-14 | 日立金属株式会社 | 質量流量制御装置及びこの検定方法 |
US7204158B2 (en) | 2004-07-07 | 2007-04-17 | Parker-Hannifin Corporation | Flow control apparatus and method with internally isothermal control volume for flow verification |
JP4856905B2 (ja) | 2005-06-27 | 2012-01-18 | 国立大学法人東北大学 | 流量レンジ可変型流量制御装置 |
JP4866682B2 (ja) | 2005-09-01 | 2012-02-01 | 株式会社フジキン | 圧力センサを保有する流量制御装置を用いた流体供給系の異常検出方法 |
JP2007250803A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20070254093A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Applied Materials, Inc. | MOCVD reactor with concentration-monitor feedback |
JP4605790B2 (ja) | 2006-06-27 | 2011-01-05 | 株式会社フジキン | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 |
US7640078B2 (en) | 2006-07-05 | 2009-12-29 | Advanced Energy Industries, Inc. | Multi-mode control algorithm |
US7833353B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-11-16 | Asm Japan K.K. | Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus |
DE102007011589A1 (de) | 2007-03-08 | 2008-09-11 | Schott Ag | Fördereinrichtung für Precursor |
JP5050739B2 (ja) | 2007-08-31 | 2012-10-17 | 住友化学株式会社 | 有機金属化合物供給容器 |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
US7874208B2 (en) | 2007-10-10 | 2011-01-25 | Brooks Instrument, Llc | System for and method of providing a wide-range flow controller |
US20090214777A1 (en) | 2008-02-22 | 2009-08-27 | Demetrius Sarigiannis | Multiple ampoule delivery systems |
JP5461786B2 (ja) | 2008-04-01 | 2014-04-02 | 株式会社フジキン | 気化器を備えたガス供給装置 |
KR101578220B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2015-12-16 | 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 | 재료가스 농도 제어 시스템 |
JP5281363B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-09-04 | 株式会社堀場製作所 | 材料ガス濃度制御システム |
JP2010109303A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Horiba Ltd | 材料ガス濃度制御装置 |
JP2010153741A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
US8151814B2 (en) | 2009-01-13 | 2012-04-10 | Asm Japan K.K. | Method for controlling flow and concentration of liquid precursor |
JP5787488B2 (ja) | 2009-05-28 | 2015-09-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP4941514B2 (ja) | 2009-06-30 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給装置及び成膜装置 |
TWI435196B (zh) | 2009-10-15 | 2014-04-21 | Pivotal Systems Corp | 氣體流量控制方法及裝置 |
JP5419276B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-02-19 | 株式会社堀場製作所 | 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム |
JP5562712B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置用のガス供給装置 |
-
2011
- 2011-09-06 JP JP2011194285A patent/JP5647083B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-17 KR KR1020147005952A patent/KR101525142B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-17 US US14/343,226 patent/US9631777B2/en active Active
- 2012-07-17 WO PCT/JP2012/004559 patent/WO2013035232A1/ja active Application Filing
- 2012-07-17 CN CN201280043162.2A patent/CN103797563B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-30 TW TW101127436A patent/TWI482876B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI482876B (zh) | 2015-05-01 |
KR101525142B1 (ko) | 2015-06-03 |
WO2013035232A1 (ja) | 2013-03-14 |
TW201319305A (zh) | 2013-05-16 |
US20140299206A1 (en) | 2014-10-09 |
JP2013055303A (ja) | 2013-03-21 |
CN103797563B (zh) | 2016-08-31 |
KR20140046475A (ko) | 2014-04-18 |
US9631777B2 (en) | 2017-04-25 |
CN103797563A (zh) | 2014-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5647083B2 (ja) | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 | |
JP2017076800A (ja) | ガス制御システム、及び、ガス制御システム用プログラム | |
TWI557264B (zh) | 原料氣體供給裝置、成膜裝置、原料氣體供給方法、及非暫時性記憶媒體 | |
CN101760727B (zh) | 材料气体浓度控制装置 | |
KR101052156B1 (ko) | 가스 공급 방법 및 가스 공급 장치 | |
TWI436185B (zh) | 質量流量控制器 | |
US11631596B2 (en) | Concentration control apparatus, source consumption quantity estimation method, and program recording medium on which a program for a concentration control apparatus is recorded | |
JP5652960B2 (ja) | 原料気化供給装置 | |
WO2012014375A1 (ja) | ガス供給装置用流量制御器の校正方法及び流量計測方法 | |
JP2008010510A (ja) | 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。 | |
KR20100048894A (ko) | 재료가스 농도 제어 시스템 | |
JP7258757B2 (ja) | 水素を含みうるガスの燃焼特性を推定するための方法 | |
KR20140097011A (ko) | 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 유량의 측정 방법 및 기억 매체 | |
US10962513B2 (en) | Concentration detection method and pressure-type flow rate control device | |
WO2018025713A1 (ja) | ガス制御システム及び該ガス制御システムを備えた成膜装置 | |
JP2006241516A (ja) | 混合ガスによる薄膜作製方法とその装置 | |
US11698649B2 (en) | Vaporization system and concentration control module used in the same | |
JPH0472717A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS61277030A (ja) | 真空計校正装置 | |
JPS59185772A (ja) | 高融点金属化合物における蒸発ガスの流量制御装置 | |
JPH0642938B2 (ja) | 気化ガスの流量制御装置 | |
JP2023130036A (ja) | 推定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140418 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20140623 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5647083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |