JP2007250803A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】オゾン発生器でオゾンを発生させて供給する場合にも、正確にオゾンの質量流量を測定して、制御することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板としてのウエハ200を収容する処理室201と、ウエハ200を加熱するヒータ207と、処理室201内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室201内のガスを排気する真空ポンプ246と、コントローラ280とを備える基板処理装置101である。ガス供給手段には、酸素ガスからオゾンガスを生成するオゾン発生器1と、オゾン発生器1により生成されたオゾンガスの流量を制御する第1のマスフローコントローラ(MFC)241aとが含まれる。コントローラ280は、オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、オゾンガスの質量流量を求めるためのコンバージョンファクタを決定し、このコンバージョンファクタに基づいて第1のMFC241aを制御する。
【選択図】図4
【解決手段】基板としてのウエハ200を収容する処理室201と、ウエハ200を加熱するヒータ207と、処理室201内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室201内のガスを排気する真空ポンプ246と、コントローラ280とを備える基板処理装置101である。ガス供給手段には、酸素ガスからオゾンガスを生成するオゾン発生器1と、オゾン発生器1により生成されたオゾンガスの流量を制御する第1のマスフローコントローラ(MFC)241aとが含まれる。コントローラ280は、オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、オゾンガスの質量流量を求めるためのコンバージョンファクタを決定し、このコンバージョンファクタに基づいて第1のMFC241aを制御する。
【選択図】図4
Description
本発明は、基板処理装置に関し、詳しくは、処理過程にオゾンを用いる場合にオゾン流量を正確に測定して制御することが可能な基板処理装置に関する。
半導体製造装置や、LCD(Liquid Crystal Display)製造装置においては、製膜プロセスやエッチングプロセスにおいて、酸素原子の供給源としてオゾンを用いることがある。
図7は、従来の基板処理装置の構成を概念的に示した図である。
図7に示すように、従来の基板処理装置は、酸素(O2)を原料にオゾン発生器1で生成したオゾン(O3)を基板処理用の処理室3に供給する際に酸素用のマスフローコントローラ(MFC)2で流量を測定しつつ、流量を制御していた。なお、処理室3内は、真空ポンプ4により、所定の圧力に減圧されている。
すなわち、従来の基板処理装置では、酸素用のMFC2をオゾン用に代用していた。
図7は、従来の基板処理装置の構成を概念的に示した図である。
図7に示すように、従来の基板処理装置は、酸素(O2)を原料にオゾン発生器1で生成したオゾン(O3)を基板処理用の処理室3に供給する際に酸素用のマスフローコントローラ(MFC)2で流量を測定しつつ、流量を制御していた。なお、処理室3内は、真空ポンプ4により、所定の圧力に減圧されている。
すなわち、従来の基板処理装置では、酸素用のMFC2をオゾン用に代用していた。
ところで、マスフローコントローラは、測定するガスの種類によってコンバージョンファクタ、つまり質量流量に換算するための係数が変わる。しかし、オゾン発生器1でオゾンを生成して供給する場合、生成されたガス中のオゾン濃度は常に変動するのに、従来のマスフローコントローラは、一定のコンバージョンファクタを用いているため、正確にオゾンの質量流量を測定することができなかった。例えば、酸素用のMFC2をオゾン用に代用していた場合には、オゾンの濃度が低く一定だった場合には、誤差も小さいが、オゾンの濃度が高かったり、濃度の変動が大きかった場合には、オゾンの分子量は酸素の分子量の1.5倍もあるため、誤差が大きくなるという問題があった。
ALD(Atomic layer deposition)法を用いてAl2O3、HfO2、SiO2等の酸化膜を成膜する場合には、オゾン流量は、成膜速度、膜質において重要な要素である。オゾン流量を大きくすれば成膜速度は高くなり、膜質においても最適な流量が存在し、流量を正確に測定することはプロセスパラメータを決める上で重要であった。
本発明は、以上のような背景に鑑みてなされたものであり、オゾン発生器でオゾンを発生させて供給する場合にも、正確にオゾンの質量流量を測定して、制御することが可能な基板処理装置を提供することを課題とする。
ALD(Atomic layer deposition)法を用いてAl2O3、HfO2、SiO2等の酸化膜を成膜する場合には、オゾン流量は、成膜速度、膜質において重要な要素である。オゾン流量を大きくすれば成膜速度は高くなり、膜質においても最適な流量が存在し、流量を正確に測定することはプロセスパラメータを決める上で重要であった。
本発明は、以上のような背景に鑑みてなされたものであり、オゾン発生器でオゾンを発生させて供給する場合にも、正確にオゾンの質量流量を測定して、制御することが可能な基板処理装置を提供することを課題とする。
前記した課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基板を収容する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気する排気手段と、少なくとも前記加熱手段、前記ガス供給手段、前記排気手段を制御する制御部と、を備え、
前記ガス供給手段は、酸素ガスからオゾンガスを生成するオゾン発生器と、前記オゾン発生器により生成されたオゾンガスの流量を制御する流量制御手段と、を含み、
前記制御部は、前記オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、オゾンガスの質量流量を求めるためのコンバージョンファクタを決定し、このコンバージョンファクタに基づいて前記流量制御手段を制御することを特徴とする。
この基板処理装置によれば、制御部が、オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、適宜、コンバージョンファクタを決定して、流量制御装置を制御する。すなわち、オゾン濃度が変化する場合には、その濃度に応じてコンバージョンファクタを決定するため、オゾンの質量流量の測定値が正確となる。したがって、流量制御手段による処理室内へのオゾン供給量が正確となり、理想的な成膜が可能となる。
前記ガス供給手段は、酸素ガスからオゾンガスを生成するオゾン発生器と、前記オゾン発生器により生成されたオゾンガスの流量を制御する流量制御手段と、を含み、
前記制御部は、前記オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、オゾンガスの質量流量を求めるためのコンバージョンファクタを決定し、このコンバージョンファクタに基づいて前記流量制御手段を制御することを特徴とする。
この基板処理装置によれば、制御部が、オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、適宜、コンバージョンファクタを決定して、流量制御装置を制御する。すなわち、オゾン濃度が変化する場合には、その濃度に応じてコンバージョンファクタを決定するため、オゾンの質量流量の測定値が正確となる。したがって、流量制御手段による処理室内へのオゾン供給量が正確となり、理想的な成膜が可能となる。
本発明によれば、オゾン発生器で生成するオゾンの濃度が変化しても、オゾンの質量流量を正確に測定して、基板処理装置での成膜条件を理想の状態に制御できる。
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明に適用される処理装置の斜透視図として示されている。
図1に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてのカセット110が使用されている本発明の基板処理装置101は、筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの下方にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104が建て付けられている。正面メンテナンス扉104には、カセット搬入搬出口112が筐体111内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口112はフロントシャッタ113によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口112の筐体111内側には、カセットステージ114が設置されている。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、カセットステージ114上から搬出されるようになっている。
カセットステージ114は、工程内搬送装置によって、カセット110内のウエハ200が垂直姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ114は、カセット110を筐体後方に90°回転し、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
筐体111内の前後方向の略中央部には、カセット棚105が設置されており、カセット棚105は、複数段複数列にて複数個のカセット110を保管するように構成されている。カセット棚105にはウエハ移載機構125の搬送対象となるカセット110が収納される移載棚123が設けられている。
また、カセットステージ114の上方には予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。
カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ118aと搬送機構としてのカセット搬送機構118bとで構成されており、カセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連続動作により、カセットステージ114、カセット棚105、予備カセット棚107との間で、カセット110を搬送するように構成されている。
また、カセットステージ114の上方には予備カセット棚107が設けられ、予備的にカセット110を保管するように構成されている。
カセットステージ114とカセット棚105との間には、カセット搬送装置118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ118aと搬送機構としてのカセット搬送機構118bとで構成されており、カセットエレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連続動作により、カセットステージ114、カセット棚105、予備カセット棚107との間で、カセット110を搬送するように構成されている。
カセット棚105の後方には、ウエハ移載機構125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置125aおよびウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ125bとで構成されている。ウエハ移載装置エレベータ125bは、筐体111の右側端部に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cをウエハ200の載置部として、ボート217に対してウエハ200を装填および脱装するように構成されている。
筐体111の後部上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ147により開閉されるように構成されている。
処理炉202の下方にはボート217を処理炉202に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ115が設けられ、ボートエレベータ115の昇降台に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
処理炉202の下方にはボート217を処理炉202に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ115が設けられ、ボートエレベータ115の昇降台に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜150枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
カセット棚105の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134aが設けられておりクリーンエアを前記筐体111の内部に流通させるように構成されている。
また、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびボートエレベータ115側と反対側である筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134bが設置されており、クリーンユニット134bから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置125a、ボート217を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部に排気されるようになっている。
また、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびボートエレベータ115側と反対側である筐体111の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給ファンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134bが設置されており、クリーンユニット134bから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置125a、ボート217を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部に排気されるようになっている。
次に、基板処理炉の構成について説明する。
図2は、本実施の形態で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示し、図3は本実施の形態で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図2のA−A線断面図で示す。
加熱装置(加熱手段)であるヒータ207の内側に、基板であるウエハ200を処理する反応容器としての反応管203が設けられ、この反応管203の下端には、例えばステンレス等によりマニホールド209が気密部材であるOリング220を介して設けられ、下端開口は蓋体であるシールキャップ219によりOリング220を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管203、マニホールド209及びシールキャップ219により処理室201を形成している。シールキャップ219にはボート支持台218を介して基板保持部材であるボート217が立設され、ボート支持台218はボート217を保持する保持体となっている。そして、ボート217は処理室201に挿入される。ボート217にはバッチ処理される複数のウエハ200が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ207は、処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
加熱装置(加熱手段)であるヒータ207の内側に、基板であるウエハ200を処理する反応容器としての反応管203が設けられ、この反応管203の下端には、例えばステンレス等によりマニホールド209が気密部材であるOリング220を介して設けられ、下端開口は蓋体であるシールキャップ219によりOリング220を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管203、マニホールド209及びシールキャップ219により処理室201を形成している。シールキャップ219にはボート支持台218を介して基板保持部材であるボート217が立設され、ボート支持台218はボート217を保持する保持体となっている。そして、ボート217は処理室201に挿入される。ボート217にはバッチ処理される複数のウエハ200が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ207は、処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
処理室201へは複数種類、ここでは2種類の処理ガスを供給するガス供給手段としての2本のガス供給管(第1のガス供給管232a,第2のガス供給管232b)が設けられている。
第1のガス供給管232aには上流方向から順に流量制御装置である液体マスフローコントローラ240、気化器242、及び開閉弁である第1のバルブ243aを介し、キャリアガスを供給する第1のキャリアガス供給管234aが合流されている。この第1のキャリアガス供給管234aには上流方向から順に流量制御装置である第2のマスフローコントローラ241b、及び開閉弁である第3のバルブ243cが設けられている。また、第1のガス供給管232aの先端部には、処理室201を構成している反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の下部から上部の内壁にウエハ200の積載方向に沿って、第1のノズル233aが設けられ、第1のノズル233aの側面にはガスを供給する供給孔である第1のガス供給孔248aが設けられている。この第1のガス供給孔248aは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
第2のガス供給管232bには上流方向から順に流量制御装置(流量制御手段)である第1のマスフローコントローラ241a、開閉弁である第2のバルブ243bを介し、キャリアガスを供給する第2のキャリアガス供給管234bが合流されている。この第2のキャリアガス供給管234bには上流方向から順に流量制御装置である第3のマスフローコントローラ241c、及び開閉弁である第4のバルブ243dが設けられている。また、第2のガス供給管232bの先端部には、処理室201を構成している反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の下部より上部の内壁にウエハ200の積載方向に沿って、第2のノズル233bが設けられ、第2のノズル233bの側面にはガスを供給する供給孔である第2のガス供給孔248bが設けられている。この第2のガス供給孔248bは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
例えば第1のガス供給管232aから供給される原料が液体の場合、第1のガス供給管232aからは、液体マスフローコントローラ240、気化器242、及び第1のバルブ243aを介し、第1のキャリアガス供給管234aと合流し、更に第1のノズル233aを介して処理室201内に反応ガスが供給される。例えば第1のガス供給管232aから供給される原料が気体の場合には、液体マスフローコントローラ240を気体用のマスフローコントローラに交換し、気化器242は不要となる。また、第2のガス供給管232bからは第1のマスフローコントローラ241a、第2のバルブ243bを介し、第2のキャリアガス供給管234bと合流し、更に第2のノズル233bを介して処理室201に反応ガスが供給される。
また、処理室201は、ガスを排気する排気管であるガス排気管231により第5のバルブ243eを介して排気装置(排気手段)である真空ポンプ246に接続され、真空排気されるようになっている。なお、この第5のバルブ243eは弁を開閉して処理室201の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
反応管203内の中央部には、複数枚のウエハ200を多段に同一間隔で載置するボート217が設けられており、このボート217は、図示しないボートエレベータ機構により反応管203に出入りできるようになっている。また、処理の均一性を向上するためにボート217を回転するためのボート回転機構267が設けてあり、ボート回転機構267を駆動することにより、ボート支持台218に支持されたボート217を回転するようになっている。
制御部であるコントローラ280は、液体マスフローコントローラ240、第1〜第3のマスフローコントローラ241a、241b、241c、第1〜第5のバルブ243a、243b、243c、243d、243e、ヒータ207、真空ポンプ246、ボート回転機構267、及び図示しないボート昇降機構に接続されており、液体マスフローコントローラ240、第1〜第3のマスフローコントローラ241a、241b、241cの流量調整、第1〜第4のバルブ243a、243b、243c、243dの開閉動作、第5のバルブ243eの開閉及び圧力調整動作、ヒータ207の温度調整、真空ポンプ246の起動・停止、ボート回転機構267の回転速度調節、及びボート昇降機構の昇降動作制御が行われる。
基板処理装置101においてオゾンを供給するガス供給手段は、前記した構成のうち、例えば第2のガス供給管232bに接続される。図4は、本発明の特徴部分の構成を示すブロック図であり、図5は、コントローラ280の構成を示すブロック図である。図4に示すように、酸化ガスとしてオゾンを供給するため、第2のガス供給管232bにはオゾン発生器1が接続されている。オゾン発生器1には、出力するガス中のオゾン濃度を測定するオゾン濃度センサ1aが備えられている。なお、オゾン濃度センサ1aは、オゾン発生器1とは別に設け、別個のセンサからコントローラ280へ測定値を出力するように構成してもよい。
図5に示すように、コントローラ280は、オペレーション装置7と、このオペレーション装置7とLON接続されたシーケンサ8とを有している。オペレーション装置7は、ディスプレイ及びキーボードなどを有し、基板処理装置101を操作する端末である。オペレーション装置7へは、基板処理のプロセスを自動化するためのプログラムデータとしてレシピが入力される。また、オゾン発生器1のオゾン濃度センサ1aで測定されたオゾン濃度のデータがシーケンサ8を介してオペレーション装置7へ入力されるようになっている。オペレーション装置7は、レシピと、オペレータが入力したデータとに基づきシーケンサ8へ制御データを出力する。シーケンサ8は、オペレーション装置7からの入力とあらかじめ設定されたプログラムに従い第1のマスフローコントローラ241aやオゾン発生器1を制御する。
図5に示すように、コントローラ280は、オペレーション装置7と、このオペレーション装置7とLON接続されたシーケンサ8とを有している。オペレーション装置7は、ディスプレイ及びキーボードなどを有し、基板処理装置101を操作する端末である。オペレーション装置7へは、基板処理のプロセスを自動化するためのプログラムデータとしてレシピが入力される。また、オゾン発生器1のオゾン濃度センサ1aで測定されたオゾン濃度のデータがシーケンサ8を介してオペレーション装置7へ入力されるようになっている。オペレーション装置7は、レシピと、オペレータが入力したデータとに基づきシーケンサ8へ制御データを出力する。シーケンサ8は、オペレーション装置7からの入力とあらかじめ設定されたプログラムに従い第1のマスフローコントローラ241aやオゾン発生器1を制御する。
なお、オペレーション装置7におけるコンバージョンファクタの決定は、例えば、次のようにして行う。
第1の方法としては、オペレーション装置7には、あらかじめ測定により決定しておいた、酸素とオゾンの混合気体におけるオゾン濃度とコンバージョンファクタの相関テーブルを記憶しておく。そして、オゾン発生器1のオゾン濃度センサ1aで測定したオゾン濃度から相関テーブルを参照して、コンバージョンファクタを決定する。
第2の方法としては、処理のレシピで設定されているオゾン濃度(又は供給量、発生量など)の値に基づき、各時点で相関テーブルを参照し、コンバージョンファクタを決定する。すなわち、現時点の測定値によらず、オゾン発生器1で生成するオゾンの濃度を想定して、コンバージョンファクタを決定しても良い。
第1の方法としては、オペレーション装置7には、あらかじめ測定により決定しておいた、酸素とオゾンの混合気体におけるオゾン濃度とコンバージョンファクタの相関テーブルを記憶しておく。そして、オゾン発生器1のオゾン濃度センサ1aで測定したオゾン濃度から相関テーブルを参照して、コンバージョンファクタを決定する。
第2の方法としては、処理のレシピで設定されているオゾン濃度(又は供給量、発生量など)の値に基づき、各時点で相関テーブルを参照し、コンバージョンファクタを決定する。すなわち、現時点の測定値によらず、オゾン発生器1で生成するオゾンの濃度を想定して、コンバージョンファクタを決定しても良い。
第1のマスフローコントローラ241aには、デジタル値を入力することによりコンバージョンファクタを容易に変更可能なデジタルマスフローコントローラ(デジタルMFC)を適用するのが好ましい。
もっとも、必ずしもデジタルMFCである必要はなく、アナログマスフローコントローラ(アナログMFC)を用いても良い。この場合、アナログMFC内でのコンバージョンファクタを変更するのは容易でないので、アナログMFC内のコンバージョンファクタは変更しないでおく。その代わり、オペレーション装置7でコンバージョンファクタを決定した後、アナログMFCへの流量指令値をこのコンバージョンファクタに応じて換算した上、出力するとよい。
もっとも、必ずしもデジタルMFCである必要はなく、アナログマスフローコントローラ(アナログMFC)を用いても良い。この場合、アナログMFC内でのコンバージョンファクタを変更するのは容易でないので、アナログMFC内のコンバージョンファクタは変更しないでおく。その代わり、オペレーション装置7でコンバージョンファクタを決定した後、アナログMFCへの流量指令値をこのコンバージョンファクタに応じて換算した上、出力するとよい。
次に、本発明の基板処理装置101の動作について説明する。
図1に示されているように、カセット110がカセットステージ114に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口112から搬入され、カセットステージ114の上にウエハ200が垂直姿勢であって、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、90°回転させられる。
次に、カセット110は、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へカセット搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚105ないし予備カセット棚107からカセット搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。
図1に示されているように、カセット110がカセットステージ114に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口112から搬入され、カセットステージ114の上にウエハ200が垂直姿勢であって、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、90°回転させられる。
次に、カセット110は、カセット棚105ないし予備カセット棚107の指定された棚位置へカセット搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚105ないし予備カセット棚107からカセット搬送装置118によって移載棚123に移載されるか、もしくは直接移載棚123に搬送される。
カセット110が移載棚123に移載されると、ウエハ200はカセット110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、移載室124の後方にあるボート217に装填(チャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはカセット110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。
予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって、開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217はシールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。
そして、コントローラ280に入力されたレシピに従い、所定の処理が行われる。例えば、処理室201内を減圧したり、ヒータ207で処理室201内を加熱したり、所定の原料ガスを第1のガス供給管232a及び第2のガス供給管232bを介して供給したりする。
これらの処理のうち、基板に高濃度のオゾンを供給してシリコン酸化膜を成膜する場合には、第2のガス供給管232bからオゾンを供給する。このとき、図6に示すフローチャートのように、まず、オゾン発生器1は、オゾン濃度センサ1aでオゾン濃度を測定する(S1)。そして、オペレーション装置7は、あらかじめ記憶していたオゾン濃度とコンバージョンファクタの相関テーブルを参照して、オゾンセンサ1aが測定したオゾン濃度に基づきコンバージョンファクタを決定する(S2)。次に、決定したコンバージョンファクタと、記憶していたレシピに従った流量の指示値とを、シーケンサ8を介して第1のマスフローコントローラ241aに出力する(S3)。第1のマスフローコントローラ241aは、オペレーション装置7から入力されたコンバージョンファクタで、それまで記憶していたコンバージョンファクタの値を上書きして書き換える(S4)。そして、第1のマスフローコントローラ241aは、新たなコンバージョンファクタでオゾンの質量流量を測定しつつ、流量を制御する(S5)。
これらの処理のうち、基板に高濃度のオゾンを供給してシリコン酸化膜を成膜する場合には、第2のガス供給管232bからオゾンを供給する。このとき、図6に示すフローチャートのように、まず、オゾン発生器1は、オゾン濃度センサ1aでオゾン濃度を測定する(S1)。そして、オペレーション装置7は、あらかじめ記憶していたオゾン濃度とコンバージョンファクタの相関テーブルを参照して、オゾンセンサ1aが測定したオゾン濃度に基づきコンバージョンファクタを決定する(S2)。次に、決定したコンバージョンファクタと、記憶していたレシピに従った流量の指示値とを、シーケンサ8を介して第1のマスフローコントローラ241aに出力する(S3)。第1のマスフローコントローラ241aは、オペレーション装置7から入力されたコンバージョンファクタで、それまで記憶していたコンバージョンファクタの値を上書きして書き換える(S4)。そして、第1のマスフローコントローラ241aは、新たなコンバージョンファクタでオゾンの質量流量を測定しつつ、流量を制御する(S5)。
このような一連の制御を繰り返すことにより、第1のマスフローコントローラ241aでの流量制御が正確となり、理想的な条件でウエハ200の成膜処理をすることができる。
なお、ここでは、オペレーション装置7は、前記した第1の方法でコンバージョンファクタを出力したが、第2の方法でコンバージョンファクタを出力してもよい。
なお、ここでは、オペレーション装置7は、前記した第1の方法でコンバージョンファクタを出力したが、第2の方法でコンバージョンファクタを出力してもよい。
所定の基板処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ200およびカセット110は筐体111の外部へ払出される。
以上のようにして、本実施形態の基板処理装置101によれば、オゾン発生器1から出てくるオゾンの濃度が変化する場合であっても、コントローラ280が、そのオゾン濃度に応じたコンバージョンファクタを第1のマスフローコントローラ241aに出力し、第1のマスフローコントローラ241aが、正しくオゾンの質量流量を測定しつつ流量制御する。したがって、オゾン濃度の違いにより、成膜の仕上がりに微妙な差がでる場合であっても、最適条件でオゾン供給量を制御でき、理想的な成膜が可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記した実施形態に限定されず、適宜変更して実施することが可能である。
例えば、オゾンの濃度の情報で調整するのではなく、オゾンの発生量に基づき、コンバージョンファクタを決定して制御を行うこともできる。すなわち、オゾン発生器1を稼働させるのに指示したデータ、またはオゾン発生器1の稼働量を消費電力の測定など別途の方法により測定して、オゾン発生量としてとらえ、コンバージョンファクタを決定してもよい。
例えば、オゾンの濃度の情報で調整するのではなく、オゾンの発生量に基づき、コンバージョンファクタを決定して制御を行うこともできる。すなわち、オゾン発生器1を稼働させるのに指示したデータ、またはオゾン発生器1の稼働量を消費電力の測定など別途の方法により測定して、オゾン発生量としてとらえ、コンバージョンファクタを決定してもよい。
1 オゾン発生器
1a オゾン濃度センサ
7 オペレーション装置
8 シーケンサ
101 基板処理装置
200 ウエハ
201 処理室
241a 第1のマスフローコントローラ
246 真空ポンプ
248a 第1のガス供給孔
248b 第2のガス供給孔
267 ボート回転機構
280 コントローラ
1a オゾン濃度センサ
7 オペレーション装置
8 シーケンサ
101 基板処理装置
200 ウエハ
201 処理室
241a 第1のマスフローコントローラ
246 真空ポンプ
248a 第1のガス供給孔
248b 第2のガス供給孔
267 ボート回転機構
280 コントローラ
Claims (1)
- 基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内のガスを排気する排気手段と、
少なくとも前記加熱手段、前記ガス供給手段、前記排気手段を制御する制御部と、を備え、
前記ガス供給手段は、
酸素ガスからオゾンガスを生成するオゾン発生器と、
前記オゾン発生器により生成されたオゾンガスの流量を制御する流量制御手段と、を含み、
前記制御部は、
前記オゾンガスの発生量または濃度の情報に基づき、オゾンガスの質量流量を求めるためのコンバージョンファクタを決定し、このコンバージョンファクタに基づいて前記流量制御手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006071813A JP2007250803A (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006071813A JP2007250803A (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 基板処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250803A true JP2007250803A (ja) | 2007-09-27 |
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ID=38594775
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006071813A Pending JP2007250803A (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 基板処理装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2007250803A (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-03-15 JP JP2006071813A patent/JP2007250803A/ja active Pending
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