JP4836761B2

JP4836761B2 - 半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP4836761B2
Application number: JP2006321693A
Authority: JP
Inventors: 英樹堀田; 和幸奥田; 優幸浅井; 謙和水野
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2006-11-29
Filing date: 2006-11-29
Publication date: 2011-12-14
Anticipated expiration: 2026-11-29
Also published as: JP2008135633A

Description

本発明は、半導体デバイスの製造方法に関し、特に、半導体デバイス製造工程においてＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法による酸化膜形成工程で下地の酸化を防ぐ手法に関するものである。

酸化膜を形成する場合のＡＬＤ法について説明する。ＳｉウエハにＡＬＤ法を用いて酸化膜を形成するには、例えば、原料ガスにＴＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）とＯ₃とＮ₂と用いる。ＴＤＭＡＳ供給→Ｎ₂パージ→Ｏ₃供給→Ｎ₂パージの成膜シーケンスを１サイクルとし、これを繰り返すことで１原子層ずつ酸化膜を堆積する。

図１は基板温度５５０℃、ＴＤＭＡＳの流量、照射時間を０．７ｓｌｍ、５秒、Ｏ₃の流量、時間を５ｓｌｍ、３０秒で成膜した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示したものである。図１で、０ｃｙｃｌｅの膜厚１１ÅはＳｉウエハ昇温後にＡＬＤ法による成膜なしの状態の膜厚である。これに対して図１の直線はＳｉウエハ昇温後にＡＬＤ法による成膜ありの膜厚（１０ｃｙｃｌｅの膜厚と５０ｃｙｃｌｅの膜厚を直線で結ぶ）を示したものであるが、この直線によると、０ｃｙｃｌｅ時の膜厚が１９Åである。よってＡＬＤ法による成膜後はＳｉの下地が８Å酸化されていることがわかる。図２は図１の場合と同じ条件でＯ₃の照射時間のみを６秒に短縮した場合を示したものであるが、この場合もＳｉの下地が２．９Å酸化されていることがわかる。従ってＴＤＭＡＳとＯ₃を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜ではＯ₃の酸化能力が強いためにＳｉの下地を酸化してしまう問題があり、Ｏ₃の照射時間を短縮してもＳｉの下地酸化を防ぐことが難しいという問題があった。

従って、本発明の主な目的は、下地の酸化状態を制御可能なＡＬＤ法による酸化膜形成工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
基板を収容した処理室にシリコン含有ガスを供給する第１の工程と、
前記処理室に残留する前記シリコン含有ガスを排出する第２の工程と、
前記処理室に第１の酸素含有ガスを供給する第３の工程と、
前記処理室に残留する前記第１の酸素含有ガスを前記処理室から排出する第４の工程と、を複数回繰り返して前記基板上に第１のシリコン酸化膜を形成する第１のシリコン酸化膜形成工程と、
前記処理室に前記シリコン含有ガスを供給する第５の工程と、
前記処理室に残留する前記シリコン含有ガスを排出する第６の工程と、
前記処理室に前記第１の酸素含有ガスより酸化力の大きい第２の酸素含有ガスを供給する第７の工程と、
前記処理室に残留する前記第２の酸素含有ガスを前記処理室から排出する第８の工程と、を複数回繰り返して前記第１のシリコン酸化膜が形成された基板上に第２のシリコン酸化膜を形成する第２のシリコン酸化膜形成工程と、
を有し、
前記第１のシリコン酸化膜形成工程を行なって前記基板上に第１のシリコン酸化膜を２２Åまで形成した後、前記第２のシリコン酸化膜形成工程を行なって所望の膜厚の第２のシリコン酸化膜を形成する半導体デバイスの製造方法が提供される。

本発明によれば、下地の酸化状態を制御可能なＡＬＤ法による酸化膜形成工程を備える半導体デバイスの製造方法が提供される。

次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ましい実施例では、ＴＤＭＡＳとＯ₃を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜ではＯ₃の酸化能力が強いためにＳｉの下地を酸化してしまう問題を解決し、下地酸化を防ぐことのできるＡＬＤ成膜方法を提供する。

本発明の好ましい実施例では、半導体製造工程の酸化膜形成工程において、下地材料の酸化を防ぐために第１ステップをＴＤＭＡＳ等の原料ガスとＯ₂を用いて成膜を行い、第２ステップをＴＤＭＡＳ等の原料ガスとＯ₃を用いて成膜で行う。
一例として、ＴＤＭＡＳ等の原料ガスとＯ₂を用いた成膜を２２Åまで行う。

次に、図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図３は、本発明の好ましい実施例で好適に用いられる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理室２０１部分を断面図で示す。

本発明の好ましい実施例で用いられる基板処理装置は制御部であるコントローラ２８０を備え、コントローラ２８０により基板処理装置および処理室を構成する各部の動作等が制御される。

加熱装置（加熱手段）であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応間２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理室２０１を形成している。シールキャップ２１９にはボート支持台２１８を介して基板保持部材（基板保持手段）であるボート２１７が立設され、ボート支持台２１８はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理室２０１に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ２０７は処理室２０１に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。

処理室２０１へは複数種類、ここではＴＤＭＡＳ、Ｏ₃（ｏｒＯ₂）ガス、Ｎ₂ガスを供給する。開閉弁である第１のバルブ２４３ａを開きＴＤＭＡＳタンク１００にＮ₂ガスを供給すると気泡が発生し、その蒸気が開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ、第３のバルブ２４３ｃを介し、更にガスノズル２３７を介して処理室２０１に供給される。Ｎ₂ガスの流量は第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御する。Ｏ₃はオゾン発生器１０１内部でＯ₂を無声放電させることにより生成され、開閉弁である第４のバルブ２４３ｄ、流量制限装置（流量制限手段）である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第５のバルブ２４３ｅ、更にガスノズル２４９を介して処理室２０１に供給されている。オゾン発生器１０１でＯ₂を無声放電させない場合はＯ₃の生成がないのでＯ₂が処理室２０１に供給される。

処理室２０１はガスを排気するガス排気管２３１により第６のバルブ２４３ｆを介して排気装置（排気手段）である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。また、この第６のバルブ２４３ｆは弁を開閉して処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。

反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転するための回転装置（回転手段）であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。

制御手段であるコントローラ２８０は、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、第１〜第６のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅ、２４３ｆ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構、オゾン発生器１０１に接続されており、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂの流量調整、第１〜第５のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、２４３ｅの開閉動作、第６のバルブ２４３ｆの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、オゾン発生器１０１の放電の有無、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御が行われる。

次にＡＬＤ法による成膜例について、まず、本発明を適用しない場合でのＴＤＭＡＳ及びＯ₃ガスを用いてＳｉＯ₂膜を成膜する例で説明する。

ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となる処理ガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。

利用する化学反応は、たとえばＳｉＯ₂（二酸化珪素）膜形成の場合、ＡＬＤ法ではＴＤＭＡＳ（ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₃（トリスジメチルアミノシラン）とＯ₃（オゾン）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。（たとえば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）

まず成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理室２０１に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。

（ステップ１）
ステップ１では、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｆを閉じて排気を止める。この時バルブ２４３ａ、２４３ｂを開き、ＴＤＭＡＳタンクにＮ₂を０．７ｓｌｍ供給し、気泡を発生させる。次にバルブ２４３ｃを開き、発生した蒸気を処理室２０１へ供給する。ガス排気管２３１のバルブ２４３ｆが閉じ処理室２０１内の圧力は急激に上昇して約７Ｔｏｒｒまで昇圧される。ＴＤＭＡＳを供給するための時間は５秒設定した。このときのウエハ温度は３００〜６００℃の範囲内の所望の温度で維持される。

（ステップ２）
ステップ２ではバルブ２４３ｃを閉じ、バルブ２４３ｆを開けて処理室２０１を真空排気し、残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはＮ₂等の不活性ガスを処理室２０１に供給すると、更に残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを処理室２０１から排除する効果が高まる。

（ステップ３）
ステップ３では、オゾン発生器１０１からＯ₃をガスを流す。バルブ２４３ｄ、２４３ｅを開け、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整されたＯ₃ガスをノズル２３３から処理室２０１へ供給する。この時バルブ２４３ｆの弁度の開度を調整し、処理室２０１内の圧力を４Ｔｏｒｒにする。０₃の供給により、ウエハ２００の表面に化学吸着したＴＤＭＡＳとＯ₃とが表面反応（化学吸着）して、ウエハ２００上のＳｉＯ₂膜が成膜される。

（ステップ４）
ステップ４ではバルブ２４３ｅを閉じ、バルブ２４３ｆを開けて処理室２０１を真空排気し、残留するＴＤＭＡＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはＮ₂等の不活性ガスを処理室２０１に供給すると、更に残留するＯ₃の成膜に寄与した後のガスを処理室２０１から排除する効果が高まる。

上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＳｉＯ₂を成膜する。

このような成膜シーケンスでは前述したように下地材料を酸化してしまう問題がある。

本発明はこの従来技術の問題を解決するために考案されたものである。以下にその一例を示す。

本発明者達は、Ｓｉの下地酸化を防ぐのに原料ガスをＯ₃より酸化力の小さいＯ₂を使用することを検討し、ＴＤＭＡＳとＯ₂を原料ガスに使用してＡＬＤ法で成膜を行うことを考えた。図４に図１と同様な条件でＴＤＭＡＳとＯ₂を原料ガスに使用してＡＬＤ法で成膜を行った場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す。図４よりＳｉウエハ昇温後で成膜ない場合の膜厚（Si wafer initial thickness）と直線で示すＳｉウエハ昇温後でＴＤＭＡＳとＯ₂を原料ガスに使用したＡＬＤ法による成膜ありの場合の０ｃｙｃｌｅ時の膜厚が一致しており、Ｓｉの下地が酸化されないことが実証できた。

次にＯ₃のみの照射で膜厚が飽和するまでの酸化膜厚を測定した。Ｏ₃のみ照射した場合はＡＬＤ法による成膜はされないのでＳｉの下地が酸化されるのみである。よって飽和するまでの酸化膜厚は最大のＳｉ下地の酸化膜厚と考えることができる。図５にＯ₃のみを照射した場合のＯ₃照射時間と酸化膜厚との関係を示す。図５より約２２Åで酸化膜厚が飽和しており、Ｓｉを下地にした場合最大で２２Å酸化されると考えられる。

この結果を元に、従来の膜質を維持しながら下地酸化を削減するために２２ÅまではＴＤＭＡＳとＯ₂を原料ガスに使用してＡＬＤ法（ＴＤＭＡＳ−Ｏ₂）で成膜を行い、それ以上の堆積はＴＤＭＡＳとＯ₃を原料ガスに使用してＡＬＤ法（ＴＤＭＡＳ−Ｏ₃）で成膜を行った。

図６は図１、図４と同様な条件で２２ÅまでＴＤＭＡＳ−Ｏ₂で成膜を行い、２２Å以上の堆積をＴＤＭＡＳ−Ｏ₃で成膜を行った場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係である。この場合も図４と同様にＳｉの下地が酸化されないことが実証できた。この成膜シーケンスを示すと図７のようになる。

ただしＴＤＭＡＳ−Ｏ₂成膜では基板温度が低いと膜が堆積しない。その１例として図８に基板温度が２５０℃でＴＤＭＡＳ−Ｏ₂成膜を行った場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚関係を示す。図８より堆積速度が０．０９Å／ｃｙｃｌｅであり、極端に遅くなることが分かる。従って本発明の好ましい実施例は、比較的基板温度が高い場合に有効である。

以上のように、本発明の好ましい実施例では、Ｓｉの下地を酸化させずに酸化膜を堆積することが可能であり、Ｓｉの電気特性が維持される。

また、本発明の好ましい実施例は、ＳｉＯ₂膜に限らず、Ａｌ₂Ｏ₃膜、ＨｆＯ膜にも適用可能である。使用するガス種はＯ₃、Ｏ₂、Ｎ₂以外にＡｌ₂Ｏ₃膜の場合はＡｌソースとしてＴＭＡ（トリメチルアルミニウムＡｌ（ＣＨ₃）₃）を使用し、ＨｆＯ膜の場合はＨｆソースとしてＴＤＭＡＨｆ（テトラジメチルアミノハフニウムＨｆ［Ｎ（ＣＨ₃）₂］₄）を使用する。

次に、本発明の好ましい実施例に好適に使用される縦型の基板処理装置について説明する。

図９に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてのカセット１１０が使用されている処理装置１０１は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの下方にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が建て付けられている。メンテナンス扉１０４には、カセット搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口１１２の筐体１１１内側にはカセットステージ（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１１４上から搬出されるようになっている。

カセットステージ１１４は、工程内搬送装置によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体後方を向くように動作可能となるよう構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。

また、カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。

カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセッ搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのカセット搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、カセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連続動作により、カセットステージ１１４、カセット棚１０５、予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。

カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１の右側端部に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

筐体１１１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
処理炉２０２の下方にはボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設けられ、ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ａが設けられておりクリーンエア１３３を前記筐体１１１の内部に流通させるように構成されている。

また、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびボートエレベータ１１５側と反対側である筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４ｂが設置されており、クリーンユニット１３４ｂから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移載装置１２５ａ、ボート２１７を流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。

次に、この処理装置の動作について説明する。
カセット１１０がカセットステージ１１４に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２から搬入され、カセットステージ１１４の上にウエハ２００が垂直姿勢であって、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
次に、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。

カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に上述した処理が実施される。
処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ２００およびカセット１１０は筐体１１１の外部へ払出される。

Ｏ₃を３０秒照射した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す図である。Ｏ₃を６秒照射した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す図である。本発明好ましい実施例にかかる縦型の基板の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示した図である。Ｏ₂を３０秒照射した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す図である。Ｏ₃のみ３０秒照射した場合ｃｙｃｌｅ数と下地酸化膜厚の関係を示す図である。２ステップ（２２ÅまでＴＤＭＡＳ−Ｏ₂で成膜し、２２Å以上はＴＤＭＡＳ−Ｏ₃で）成膜した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す図である。２ステップ（２２ÅまでＴＤＭＡＳ−Ｏ₂で成膜し、２２Å以上はＴＤＭＡＳ−Ｏ₃で）で成膜した場合のシーケンスを示す図である。ＴＤＭＡＳ−Ｏ₂で２５０℃で成膜した場合のｃｙｃｌｅ数と膜厚の関係を示す図である。本発明の好ましい実施例に好適に使用される縦型の基板処理装置を説明するための概略斜視図である。

符号の説明

１００…ＴＤＭＡＳタンク
１０１…オゾナイザ
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２１７…ボート
２１８…ボート支持台
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２３７…ＴＤＭＡＳガスノズル
２４１ａ〜２４１ｂ…マスフローコントローラ
２４３ａ〜２４３ｆ…エアーバルブ
２４６…真空ポンプ
２４９…Ｏ₃ノズル
２６７…ボート回転機構
２８０…コントローラ

Claims

基板を収容した処理室にシリコン含有ガスを供給する第１の工程と、
前記処理室に残留する前記シリコン含有ガスを排出する第２の工程と、
前記処理室に第１の酸素含有ガスを供給する第３の工程と、
前記処理室に残留する前記第１の酸素含有ガスを前記処理室から排出する第４の工程と、を複数回繰り返して前記基板上に第１のシリコン酸化膜を形成する第１のシリコン酸化膜形成工程と、
前記処理室に前記シリコン含有ガスを供給する第５の工程と、
前記処理室に残留する前記シリコン含有ガスを排出する第６の工程と、
前記処理室に前記第１の酸素含有ガスより酸化力の大きい第２の酸素含有ガスを供給する第７の工程と、
前記処理室に残留する前記第２の酸素含有ガスを前記処理室から排出する第８の工程と、を複数回繰り返して前記第１のシリコン酸化膜が形成された基板上に第２のシリコン酸化膜を形成する第２のシリコン酸化膜形成工程と、
を有し、
前記第１のシリコン酸化膜形成工程を行なって前記基板上に第１のシリコン酸化膜を２２Åまで形成した後、前記第２のシリコン酸化膜形成工程を行なって所望の膜厚の第２のシリコン酸化膜を形成する半導体デバイスの製造方法。