JP2006269532A

JP2006269532A - 半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2006269532A
Application number: JP2005082278A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Okuda; 和幸奥田; Masayuki Asai; 優幸浅井; Masayuki Kyoda; 昌幸経田
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2005-03-22
Filing date: 2005-03-22
Publication date: 2006-10-05

Abstract

【課題】ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合に優れた膜質の膜が形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１内にアミン系の第１の反応種を供給し、基板２００表面に第１の反応種を化学吸着させる工程と、処理室から余剰な第１の反応種を除去するため水素ガスを用いてパージする工程と、処理室２０１内に、第１の反応種とは異なる第２の反応種を供給し、基板２００表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、処理室２０１から余剰な第２の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスの製造方法に関し、特に、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて半導体シリコンウエハに所望の膜形成する行程を備える半導体デバイスの製造方法に関する。

ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。

半導体デバイス製造プロセスで、ＡＬＤ法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合、たとえば、ＴｉＮの成膜では、ＴｉのソースとＮのソースとを処理室内の半導体シリコン基板上に交互に供給するが、ＴｉのソースからＮのソースに切り替える際にはＴｉのソースを処理室から除去するためにＮ_２を用いてパージを行い、または、その逆のＮのソースからＴｉのソースに切り替える際には、Ｎのソースを処理室から除去するためにＮ_２を用いてパージを行っていた。

しかしながら、このようにして得られるＴｉＮの膜質があまり良くないという問題があった。

従って、本発明の主な目的は、ＡＬＤ法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合に優れた膜質の膜が形成できる半導体デバイスの製造方法を提供することにある。

本発明によれば、
基板を収容した処理室内にアミン系の第１の反応種を供給し、基板表面に前記第１の反応種を化学吸着させる工程と、
前記処理室から余剰な第１の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、
前記処理室内に、前記第１の反応種とは異なる第２の反応種を供給し、基板表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、
前記処理室から余剰な第２の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記パージ工程の内、少なくとも前記余剰な第１の反応種をパージする工程において水素ガスを用いてパージすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。

本発明によれば、ＡＬＤ法によりアミン系材料を用いて成膜を行う場合に優れた膜質の膜が形成できる半導体デバイスの製造方法が提供される。

次に、本発明の好ましい実施例を説明する。

本発明の好ましい実施例においては、基板である半導体シリコンウエハを収容した処理室内にアミン系有機金属材料のＴｉのソースを供給し、ウエハ表面にアミン系有機金属材料を化学吸着させる工程と、その後、処理室から余剰なアミン系有機金属材料を除去するため水素ガスを用いてパージする工程と、その後、アンモニアプラズマ等のＮのソースとなる反応種を供給し、アミン系有機金属材料の化学吸着およびその後の水素ガスによるパージにより形成されたウエハ表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、その後、処理室から余剰なＮのソースとなる反応種を除去するためパージガスによりパージする工程とを有する成膜ステップを所望回数繰り返してウエハ上に所望の厚さのＴｉＮ薄膜を形成する。

一例として、アミン系有機金属材料のＴｉのソースであるＴＤＭＡＴ（Tetrakis (Dimethylamido) Titanium）とＮのソースとしてのアンモニアプラズマとを処理室内の半導体シリコン基板上に交互に供給してＴｉＮの成膜を行うが、ＴＤＭＡＴからアンモニアプラズマに切り替える際にはＨ_２を用いてパージを行い、その逆のアンモニアプラズマからＴＤＭＡＴに切り替える際にも、Ｈ_２を用いてパージを行う。

好ましくは、ＴＤＭＡＴ供給→真空引き→Ｈ_２供給→真空引き→ＮＨ_３plasma供給→真空引き→Ｈ_２供給→真空引き→ＴＤＭＡＴ供給に戻り、所定回数繰り返す。

反応は、次のような形で進むと考えられる。なお、各分子の係数は省略してある。

Ｔi-Ｎ-(ＣＨ_３)_２において、ＮＨ_３ラジカルのＮＨの作用により、Ｔi-Ｎと(ＣＨ_３)_２の間で結合が切れ、Ｔi-ＮとＮＨ(ＣＨ_３)_２が生成すると考えられる。

Ｈ_２ガスによりパージした場合には、Ｔi-Ｎ-(ＣＨ_３)_２において、ＴiとＮ(ＣＨ_３)_２の間で結合が切れ、ＴiとＮＨ(ＣＨ_３)_２が生成すると考えられる。このようにして生成された金属元素としてのＴｉは、通常の反応生成物と比較して長時間のマイグレーションが可能となり、膜中の空隙を埋めるようにＴi元素が働き、膜の緻密化を促進することが期待できる。その結果、膜質の向上、たとえばシート抵抗の低減を図ることができる。

次に、図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図１は、本実施例にかかる縦型の基板処理炉を説明するための概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図２は本実施例にかかる縦型の基板処理炉を説明するための概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。

加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として石英製の反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞されている。反応管２０３およびヒータ２０７の外側には断熱部材２０８が設けられている。断熱部材２０８はヒータ２０７の上方端を覆うように設けられている。少なくとも、ヒータ２０７、断熱部材２０８、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成している。また、反応管２０３、シールキャップ２１９および後述する反応管２０３内に形成されたバッファ室２３７により処理室２０１を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、石英キャップ２１８はボート２１７を保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に垂直方向に積載される。ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。

そして、処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられる。ここではガス供給管２３２ａからは流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁であるバルブ２４３ａを介し、更に後述する反応管２０３内に形成されたバッファ室２３７を介して処理室２０１に反応ガスが供給され、ガス供給管２３２ｂからは流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介し、更に後述するガス供給部２４９を介して処理室２０１に反応ガスが供給される。

２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂには、反応副生成物の付着を防ぐために、１２０℃程度まで加熱できる配管ヒータ（図示せず。）を装着している。

ガス供給管２３２ｂには、バルブ２４３ｂの下流側にガス供給管３３１が接続されている。ガス供給管３３１には上流側から流量制御手段であるマスフローコントローラ３３２および開閉弁であるバルブ３３３がこの順に設けられている。ガス供給管２３２ａには、バルブ２４３ａの下流側にガス供給管３３４が接続されている。ガス供給管３３４には上流側から流量制御手段であるマスフローコントローラ３３５および開閉弁であるバルブ３３６がこの順に設けられている。

処理室２０１は、ガスを排気する排気管であるガス排気管２３１によりバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。尚、このバルブ２４３ｄは弁を開閉して処理室２０１の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。

処理室２０１を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間には、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、ガス分散空間であるバッファ室２３７が設けられている。バッファ室２３７のウエハ２００と隣接する内側の壁の端部近傍にはガスを供給する供給孔であるガス供給孔２４８ａが設けられている。このガス供給孔２４８ａは反応管２０３の中心へ向けて開口している。このガス供給孔２４８ａは、ウエハ２００の積載方向に沿って下部から上部に所定の長さにわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

そしてバッファ室２３７のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部近傍には、ノズル２３３が、やはり反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル２３３にはガスを供給する供給孔であるガス供給孔２４８ｂが複数設けられている。複数のガス供給孔２４８ｂは、ガス供給孔２４８ａの場合と同じ所定の長さにわたってウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そして、複数のガス供給孔２４８ｂと複数のガス供給孔２４８ａとをそれぞれ1対1で対応させて配置している。

また、ガス供給孔２４８ｂの開口面積は、バッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくすると良い。

ガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、まず、各ガス供給孔２４８ｂよりガスの流速の差はあるが、流量はほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこの各ガス供給孔２４８ｂから噴出するガスをバッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、ガスの流速差の均一化を行うことができる。

すなわち、バッファ室２３７において、各ガス供給孔２４８ｂより噴出したガスはバッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、ガス供給孔２４８ａより処理室２０１に噴出する。この間に、各ガス供給孔２４８ｂより噴出したガスは、各ガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができる。

さらに、バッファ室２３７に、細長い構造を有する棒状電極２６９及び棒状電極２７０が上部より下部にわたって電極を保護する保護管である電極保護管２７５に保護されて配設され、この棒状電極２６９又は棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、棒状電極２６９及び棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。

この電極保護管２７５は、棒状電極２６９及び棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された棒状電極２６９及び棒状電極２７０はヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて棒状電極２６９又は棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられる。

さらに、ガス供給孔２４８ａの位置より、反応管２０３の内周を１２０°程度回った内壁に、ガス供給部２４９が設けられている。このガス供給部２４９は、ＡＬＤ法による成膜においてウエハ２００へ、複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室２３７とガス供給種を分担する供給部である。

このガス供給部２４９もバッファ室２３７と同様にウエハと隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔であるガス供給孔２４８ｃを有し、下部ではガス供給管２３２ｂが接続されている。

ガス供給孔２４８ｃの開口面積はバッファ室２３７と処理室２０１の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。

反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で鉛直方向に載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上するためにボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。

制御手段であるコントローラ３２１は、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、３３２、３３５、バルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｄ、３３３、３３６、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１２１、高周波電源２７３、整合器２７２に接続されており、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、３３２、３３５の流量調整、バルブ２４３ａ、２４３ｂ、３３３、３３６の開閉動作、バルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１２１の昇降動作制御、高周波電極２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。

次にＡＬＤ法による成膜例について、ＴＤＭＡＴ及びＮＨ_３ガスを用いてＴｉＮ膜を成膜する例で説明する。

まず成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。搬入後、次のステップ１〜４を順次実行する。

［ステップ１］
ステップ１では、まずガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２４３ｂ、及びガス排気管２３１に設けたバルブ２４３ｄを共に開けて、ガス供給管２３２ｂからマスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整されたＴＤＭＡＴをガス供給部２４９のガス供給孔２４８ｃから処理室２０１に供給しつつ、ガス排気管２３１から排気する。ＴＤＭＡＴを流すときは、バルブ２４３ｄを適正に調整して処理室２０１内圧力を２０〜６５Ｐａとする。マスフローコントローラ２４１ｂで制御するＴＤＭＡＴ供給流量は０．２〜０．４g/minである。ＴＤＭＡＴにウエハ２００を晒す時間は１０〜６０秒間である。このときのヒータ２０７の温度はウエハが１５０〜２００℃になるよう設定してある。ＴＤＭＡＴを流すことにより、ウエハ２００表面にＴＤＭＡＴが化学吸着する。その後、バルブ２４３ｂを閉じ、バルブ２４３ｄを開けてままとして処理室２０１を真空排気し、残留するＴＤＭＡＴの成膜に寄与した後のガスを排除する。

［ステップ２］
ステップ２では、処理室２０１の排気が終わったら、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１を排気しつつ、バルブ３３３を開けて、ガス供給管３３１からＨ_２ガスを供給して処理室２０１内のＨ_２パージを行う。このとき、マスフローコントローラ３３２で制御するＨ_２の供給流量は５００〜２０００ｓｃｃｍである。また、バルブ２４３ｄを適正に調整して処理室２０１内圧力を２０〜６５Ｐａとする。Ｈ_２パージの時間は１０〜６０秒間である。このＨ_２パージにより、下地膜と化学結合していたＴＤＭＡＴの結合手が変化してＨ_２パージ前とは異なる種類の反応サイトを形成する。その後、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにしガス供給管３３１のバルブ３３３を閉じて、真空ポンプ２４６により、処理室２０１を５〜１０Ｐａ以下に排気し、残留Ｈ_２を処理室２０１から排除する。

［ステップ３］
ステップ３では、処理室２０１の排気が終わったら、ガス排気管２３１に設けたバルブ２４３ｄを開けたままにして、ガス供給管２３２ａに設けたバルブ２４３ａを開けて、ガス供給管２３２ａからマスフローコントローラ２４１ａにより流量調整されたＮＨ_３ガスをノズル２３３のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７へ噴出し、棒状電極２６９及び棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加してＮＨ_３をプラズマ励起し、活性種として処理室２０１に供給しつつガス排気管２３１から排気する。ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ２４３ｄを適正に調整して処理室２０１内圧力を２０〜６５Ｐａとする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＮＨ_３の供給流量は３０００〜５０００ｓｃｃｍである。ＮＨ_３をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ２００を晒す時間は１０〜６０秒間である。このときのヒータ２０７の温度はウエハが１５０〜２００℃になるよう設定してある。ＮＨ_３ガスをプラズマ励起することによる活性種の供給により、ＴＤＭＡＴの供給およびその後のＨ_２パージにより形成された反応サイトにこの活性種が化学吸着し、Ｔｉ−Ｎの結合を形成する。その後、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを閉めて、ＮＨ_３の供給を止める。ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにし真空ポンプ２４６により、処理室２０１を５〜１０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ_３を処理室２０１から排除する。

［ステップ４］
ステップ４では、処理室２０１の排気が終わったら、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにし、真空ポンプ２４６により処理室２０１を排気しつつ、バルブ３３６を開けて、ガス供給管３３４からＨ_２ガスを供給して処理室２０１内のＨ_２パージを行う。このとき、マスフローコントローラ３３５で制御するＨ_２の供給流量は３０００〜７０００ｓｃｃｍである。また、バルブ２４３ｄを適正に調整して処理室２０１内圧力を２０〜６５Ｐａとする。Ｈ_２パージの時間は１０〜６０秒間である。その後、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにしガス供給管３３４のバルブ３３６を閉じて、真空ポンプ２４６により、処理室２０１を５〜１０Ｐａ以下に排気し、残留Ｈ_２を処理室２０１から排除する。

上記ステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＴｉＮ膜を成膜する。

次に、図３、図４を参照して本実施例の基板処理装置の概略を説明する。

筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。又、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。

筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下側を気密に閉塞する閉塞手段としての炉口シャッタ１１６が設けられている。

ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウエハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。

カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。

カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。

ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。

ウエハ２００への処理が完了すると、ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２の下面を気密に閉塞し、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
なお、カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。

本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略縦断面図である。本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略横断面図である。本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置を説明するための概略斜視図である。本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。

符号の説明

１００…カセット
１０１…筐体
１０５…カセットステージ
１０９…カセット棚
１１０…予備カセット棚
１１２…ウエハ移載機
１１３…移載エレベータ
１１４…カセット移載機
１１５…カセットエレベータ
１１６…炉口シャッタ
１１８…クリーンユニット
１２１…ボートエレベータ
１２２…昇降部材
１２３…移載棚
１２４…搬送制御手段
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２０８…断熱部材
２１７…ボート
２１８…石英キャップ
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２２４…プラズマ生成領域
２３１…ガス排気管
２３２ａ…ガス供給管
２３２ｂ…ガス供給管
２３３…ノズル
２３７…バッファ室
２４１ａ…マスフローコントローラ
２４１ｂ…マスフローコントローラ
２４３ａ…バルブ
２４３ｂ…バルブ
２４３ｄ…バルブ
２４６…真空ポンプ
２４８ａ…ガス供給孔
２４８ｂ…ガス供給孔
２４８ｃ…ガス供給孔
２４９…ガス供給部
２６７…ボート回転機構
２６９…棒状電極
２７０…棒状電極
２７２…整合器
２７３…高周波電源
２７５…電極保護管
３２１…コントローラ
３３１…ガス供給管
３３２…マスフローコントローラ
３３３…バルブ
３３４…ガス供給管
３３５…マスフローコントローラ
３３６…バルブ

Claims

基板を収容した処理室内にアミン系の第１の反応種を供給し、基板表面に前記第１の反応種を化学吸着させる工程と、
前記処理室から余剰な第１の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、
前記処理室内に、前記第１の反応種とは異なる第２の反応種を供給し、基板表面の反応サイトに化学吸着させる工程と、
前記処理室から余剰な第２の反応種を除去するためパージガスによりパージする工程と、から成るステップを所望回数繰り返して基板上に所望の厚さの薄膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記パージ工程の内、少なくとも前記余剰な第１の反応種をパージする工程において水素ガスを用いてパージすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。